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        三極管的偏置電路

        2014-11-07 12:04:44張倩杜建賓張亞如
        科技資訊 2014年16期
        關(guān)鍵詞:集電極三極管

        張倩++杜建賓++張亞如

        摘 要:本文首先概述了晶體管的發(fā)展歷程和重要性,繼而討論了三極管作為晶體管的重要組成部分在電子電路中發(fā)揮的放大作用,最后以典型的三極管的偏置電路為例介紹了其電路原理,從而指出了在三極管的應(yīng)用中設(shè)置偏置電路的重要意義。

        關(guān)鍵詞:三極管 放大作用 集電極 偏置電路

        中圖分類號:O453 文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A 文章編號:1672-3791(2014)06(a)-0089-01

        晶體管作為20世紀(jì)的一項(xiàng)重大發(fā)明開啟了微電子革命的先聲[1],其重要性方面可以與印刷術(shù),汽車和電話等的發(fā)明相提并論。晶體管實(shí)際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵活動(dòng)元件,其在當(dāng)今社會(huì)的重要性主要表現(xiàn)它可以使高度自動(dòng)化過程進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)的能力,所以可以不可思議的降低單位成本。由于晶體管的低成本,靈活性和可靠性使其成為非機(jī)械任務(wù)的通用器件,所以能否正確的使用晶體管是一個(gè)電路的關(guān)鍵。

        1 三極管概述

        三極管即半導(dǎo)體三極管[2],主要由兩個(gè)反相連接的PN結(jié)構(gòu)成,三極管包括三個(gè)電極,其中共用的電極稱為三極管的基極(base,B),其他的兩個(gè)電極稱為集電極(collector,C)和發(fā)射極(emitter,E)。三個(gè)雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)域之間形成兩個(gè)PN結(jié),發(fā)射區(qū)與基區(qū)的PN結(jié)成為發(fā)射結(jié)(BE結(jié)),集電區(qū)與基區(qū)之間的PN結(jié)稱為集電結(jié)(CE結(jié))。三極管根據(jù)組合不同又分為兩類:NPN型三極管和PNP型三極管。一般在市場的三極管在其外表面都有相應(yīng)的箭頭指示電流的流經(jīng)方向來表明發(fā)射極與集電極的方向。

        2 三極管的放大作用

        對于NPN型硅二極管,從基極電流至發(fā)射極的電流叫做基極電流Ib,從集電極流至發(fā)射極的電流叫做集電極電流Ic。這兩個(gè)電流的方向都是流入發(fā)射極的。三極管的放大作用本質(zhì)就是基極的電流能夠有效地控制集電極的電流,當(dāng)基極電流有較小的變化都會(huì)給集電極電流帶來較大的影響,并且電流的變化服從一定的比例:Ic=β*Ib(β一般遠(yuǎn)大于1)。若將一個(gè)小信號加到發(fā)射極與基極之間,就會(huì)引起基極電流的變化,由于Ib的變化會(huì)被放大,那么與此同時(shí)就會(huì)導(dǎo)致Ic發(fā)生很大的變化,若在集電極一段接一點(diǎn)電阻R,由計(jì)算公式U=I*R就可以算出電阻兩端的電壓發(fā)生很大的變化,那么經(jīng)放大后的電壓信號就是從這個(gè)電阻上取出來的電壓。

        3 三極管偏置電路設(shè)置的原因

        三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有發(fā)射結(jié)和集電結(jié)[2~3],由于發(fā)射結(jié)的非線性,基極電流必須在輸入電壓達(dá)到一定數(shù)值時(shí)才能產(chǎn)生(硅管常取0.7 V,鍺管常取0.3 V)。對于硅管而言,當(dāng)Vbe小于0.7 V時(shí),基極電流幾乎為0,而在實(shí)際的應(yīng)用當(dāng)中,待放大的信號一般情況下都要遠(yuǎn)小于0.7 V,如果不加偏置電路的話,如此小的信號就不足以引起基極電流的變化。若在基極加一個(gè)小電流,當(dāng)一個(gè)小信號與這個(gè)偏置電流疊加在一起時(shí),小信號會(huì)引起基極電流改變,基極電流的變化量就會(huì)被放大并在集電極輸出;第二個(gè)原因是由于對輸出信號范圍的要求,若電路中未加偏置,那么對減小的信號無效只會(huì)對增加的信號放大,這是由于集電極電流在無偏置時(shí)是0,從而不能再減小了。集電極在加上偏置的情況下有一定的電流,當(dāng)輸入的積極電流變化時(shí),集電極的電流就會(huì)相應(yīng)的變化,這樣減小的信號和增大的信號都可以被放大了。

        4 三極管的固定偏置電路

        圖1所示的為基本的固定偏置電路。

        圖1所示的為NPN型共發(fā)射極放大電路,接下來的分析靜態(tài)工作點(diǎn)的過程中將以硅管為例,由于集電極的電流收到基極電流的控制,基極電流的一個(gè)很小的變化都會(huì)對集電極電流有很大的影響,并且滿足一定的電流關(guān)系:Ic=β*Ib,(β一般是遠(yuǎn)大于1的數(shù))。如果集電極的電流是流過電阻Rc的電流,由電壓計(jì)算公式:U=Ic*Rc可以算得電阻Rc上的電壓發(fā)生的變化。若想得到放大后的電壓信號,只需將電阻上的電壓取出即可。若將共發(fā)射極放大電路中集電極的靜態(tài)電壓設(shè)計(jì)為電源電壓的一半,此時(shí)就可以獲得最大的輸出電壓的動(dòng)態(tài)范圍,此原則即是設(shè)計(jì)共發(fā)射極放大電路的基本原則。

        上面所介紹的偏置電路是最基本的固定偏置電路,在實(shí)際的放大電路中,加合適的偏置電路是保證放大電路正常工作的重要條件,但是這種電路也存在一定的缺點(diǎn),當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)就會(huì)導(dǎo)致電路的溫度穩(wěn)定性較差,所以這種電路只適用于溫度變化不大,要求不高的場合。

        參考文獻(xiàn)

        [1] 魏佳,張沙.三極管的應(yīng)用[J].

        [2] 康華光,陳大欽,張林.電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分[M].5版.北京:高等教育出版社,2006.

        [3] 華成英.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)[M].北京:高等教育出版社,2006.endprint

        摘 要:本文首先概述了晶體管的發(fā)展歷程和重要性,繼而討論了三極管作為晶體管的重要組成部分在電子電路中發(fā)揮的放大作用,最后以典型的三極管的偏置電路為例介紹了其電路原理,從而指出了在三極管的應(yīng)用中設(shè)置偏置電路的重要意義。

        關(guān)鍵詞:三極管 放大作用 集電極 偏置電路

        中圖分類號:O453 文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A 文章編號:1672-3791(2014)06(a)-0089-01

        晶體管作為20世紀(jì)的一項(xiàng)重大發(fā)明開啟了微電子革命的先聲[1],其重要性方面可以與印刷術(shù),汽車和電話等的發(fā)明相提并論。晶體管實(shí)際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵活動(dòng)元件,其在當(dāng)今社會(huì)的重要性主要表現(xiàn)它可以使高度自動(dòng)化過程進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)的能力,所以可以不可思議的降低單位成本。由于晶體管的低成本,靈活性和可靠性使其成為非機(jī)械任務(wù)的通用器件,所以能否正確的使用晶體管是一個(gè)電路的關(guān)鍵。

        1 三極管概述

        三極管即半導(dǎo)體三極管[2],主要由兩個(gè)反相連接的PN結(jié)構(gòu)成,三極管包括三個(gè)電極,其中共用的電極稱為三極管的基極(base,B),其他的兩個(gè)電極稱為集電極(collector,C)和發(fā)射極(emitter,E)。三個(gè)雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)域之間形成兩個(gè)PN結(jié),發(fā)射區(qū)與基區(qū)的PN結(jié)成為發(fā)射結(jié)(BE結(jié)),集電區(qū)與基區(qū)之間的PN結(jié)稱為集電結(jié)(CE結(jié))。三極管根據(jù)組合不同又分為兩類:NPN型三極管和PNP型三極管。一般在市場的三極管在其外表面都有相應(yīng)的箭頭指示電流的流經(jīng)方向來表明發(fā)射極與集電極的方向。

        2 三極管的放大作用

        對于NPN型硅二極管,從基極電流至發(fā)射極的電流叫做基極電流Ib,從集電極流至發(fā)射極的電流叫做集電極電流Ic。這兩個(gè)電流的方向都是流入發(fā)射極的。三極管的放大作用本質(zhì)就是基極的電流能夠有效地控制集電極的電流,當(dāng)基極電流有較小的變化都會(huì)給集電極電流帶來較大的影響,并且電流的變化服從一定的比例:Ic=β*Ib(β一般遠(yuǎn)大于1)。若將一個(gè)小信號加到發(fā)射極與基極之間,就會(huì)引起基極電流的變化,由于Ib的變化會(huì)被放大,那么與此同時(shí)就會(huì)導(dǎo)致Ic發(fā)生很大的變化,若在集電極一段接一點(diǎn)電阻R,由計(jì)算公式U=I*R就可以算出電阻兩端的電壓發(fā)生很大的變化,那么經(jīng)放大后的電壓信號就是從這個(gè)電阻上取出來的電壓。

        3 三極管偏置電路設(shè)置的原因

        三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有發(fā)射結(jié)和集電結(jié)[2~3],由于發(fā)射結(jié)的非線性,基極電流必須在輸入電壓達(dá)到一定數(shù)值時(shí)才能產(chǎn)生(硅管常取0.7 V,鍺管常取0.3 V)。對于硅管而言,當(dāng)Vbe小于0.7 V時(shí),基極電流幾乎為0,而在實(shí)際的應(yīng)用當(dāng)中,待放大的信號一般情況下都要遠(yuǎn)小于0.7 V,如果不加偏置電路的話,如此小的信號就不足以引起基極電流的變化。若在基極加一個(gè)小電流,當(dāng)一個(gè)小信號與這個(gè)偏置電流疊加在一起時(shí),小信號會(huì)引起基極電流改變,基極電流的變化量就會(huì)被放大并在集電極輸出;第二個(gè)原因是由于對輸出信號范圍的要求,若電路中未加偏置,那么對減小的信號無效只會(huì)對增加的信號放大,這是由于集電極電流在無偏置時(shí)是0,從而不能再減小了。集電極在加上偏置的情況下有一定的電流,當(dāng)輸入的積極電流變化時(shí),集電極的電流就會(huì)相應(yīng)的變化,這樣減小的信號和增大的信號都可以被放大了。

        4 三極管的固定偏置電路

        圖1所示的為基本的固定偏置電路。

        圖1所示的為NPN型共發(fā)射極放大電路,接下來的分析靜態(tài)工作點(diǎn)的過程中將以硅管為例,由于集電極的電流收到基極電流的控制,基極電流的一個(gè)很小的變化都會(huì)對集電極電流有很大的影響,并且滿足一定的電流關(guān)系:Ic=β*Ib,(β一般是遠(yuǎn)大于1的數(shù))。如果集電極的電流是流過電阻Rc的電流,由電壓計(jì)算公式:U=Ic*Rc可以算得電阻Rc上的電壓發(fā)生的變化。若想得到放大后的電壓信號,只需將電阻上的電壓取出即可。若將共發(fā)射極放大電路中集電極的靜態(tài)電壓設(shè)計(jì)為電源電壓的一半,此時(shí)就可以獲得最大的輸出電壓的動(dòng)態(tài)范圍,此原則即是設(shè)計(jì)共發(fā)射極放大電路的基本原則。

        上面所介紹的偏置電路是最基本的固定偏置電路,在實(shí)際的放大電路中,加合適的偏置電路是保證放大電路正常工作的重要條件,但是這種電路也存在一定的缺點(diǎn),當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)就會(huì)導(dǎo)致電路的溫度穩(wěn)定性較差,所以這種電路只適用于溫度變化不大,要求不高的場合。

        參考文獻(xiàn)

        [1] 魏佳,張沙.三極管的應(yīng)用[J].

        [2] 康華光,陳大欽,張林.電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分[M].5版.北京:高等教育出版社,2006.

        [3] 華成英.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)[M].北京:高等教育出版社,2006.endprint

        摘 要:本文首先概述了晶體管的發(fā)展歷程和重要性,繼而討論了三極管作為晶體管的重要組成部分在電子電路中發(fā)揮的放大作用,最后以典型的三極管的偏置電路為例介紹了其電路原理,從而指出了在三極管的應(yīng)用中設(shè)置偏置電路的重要意義。

        關(guān)鍵詞:三極管 放大作用 集電極 偏置電路

        中圖分類號:O453 文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A 文章編號:1672-3791(2014)06(a)-0089-01

        晶體管作為20世紀(jì)的一項(xiàng)重大發(fā)明開啟了微電子革命的先聲[1],其重要性方面可以與印刷術(shù),汽車和電話等的發(fā)明相提并論。晶體管實(shí)際上是所有現(xiàn)代電器的關(guān)鍵活動(dòng)元件,其在當(dāng)今社會(huì)的重要性主要表現(xiàn)它可以使高度自動(dòng)化過程進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)的能力,所以可以不可思議的降低單位成本。由于晶體管的低成本,靈活性和可靠性使其成為非機(jī)械任務(wù)的通用器件,所以能否正確的使用晶體管是一個(gè)電路的關(guān)鍵。

        1 三極管概述

        三極管即半導(dǎo)體三極管[2],主要由兩個(gè)反相連接的PN結(jié)構(gòu)成,三極管包括三個(gè)電極,其中共用的電極稱為三極管的基極(base,B),其他的兩個(gè)電極稱為集電極(collector,C)和發(fā)射極(emitter,E)。三個(gè)雜質(zhì)半導(dǎo)體區(qū)域之間形成兩個(gè)PN結(jié),發(fā)射區(qū)與基區(qū)的PN結(jié)成為發(fā)射結(jié)(BE結(jié)),集電區(qū)與基區(qū)之間的PN結(jié)稱為集電結(jié)(CE結(jié))。三極管根據(jù)組合不同又分為兩類:NPN型三極管和PNP型三極管。一般在市場的三極管在其外表面都有相應(yīng)的箭頭指示電流的流經(jīng)方向來表明發(fā)射極與集電極的方向。

        2 三極管的放大作用

        對于NPN型硅二極管,從基極電流至發(fā)射極的電流叫做基極電流Ib,從集電極流至發(fā)射極的電流叫做集電極電流Ic。這兩個(gè)電流的方向都是流入發(fā)射極的。三極管的放大作用本質(zhì)就是基極的電流能夠有效地控制集電極的電流,當(dāng)基極電流有較小的變化都會(huì)給集電極電流帶來較大的影響,并且電流的變化服從一定的比例:Ic=β*Ib(β一般遠(yuǎn)大于1)。若將一個(gè)小信號加到發(fā)射極與基極之間,就會(huì)引起基極電流的變化,由于Ib的變化會(huì)被放大,那么與此同時(shí)就會(huì)導(dǎo)致Ic發(fā)生很大的變化,若在集電極一段接一點(diǎn)電阻R,由計(jì)算公式U=I*R就可以算出電阻兩端的電壓發(fā)生很大的變化,那么經(jīng)放大后的電壓信號就是從這個(gè)電阻上取出來的電壓。

        3 三極管偏置電路設(shè)置的原因

        三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有發(fā)射結(jié)和集電結(jié)[2~3],由于發(fā)射結(jié)的非線性,基極電流必須在輸入電壓達(dá)到一定數(shù)值時(shí)才能產(chǎn)生(硅管常取0.7 V,鍺管常取0.3 V)。對于硅管而言,當(dāng)Vbe小于0.7 V時(shí),基極電流幾乎為0,而在實(shí)際的應(yīng)用當(dāng)中,待放大的信號一般情況下都要遠(yuǎn)小于0.7 V,如果不加偏置電路的話,如此小的信號就不足以引起基極電流的變化。若在基極加一個(gè)小電流,當(dāng)一個(gè)小信號與這個(gè)偏置電流疊加在一起時(shí),小信號會(huì)引起基極電流改變,基極電流的變化量就會(huì)被放大并在集電極輸出;第二個(gè)原因是由于對輸出信號范圍的要求,若電路中未加偏置,那么對減小的信號無效只會(huì)對增加的信號放大,這是由于集電極電流在無偏置時(shí)是0,從而不能再減小了。集電極在加上偏置的情況下有一定的電流,當(dāng)輸入的積極電流變化時(shí),集電極的電流就會(huì)相應(yīng)的變化,這樣減小的信號和增大的信號都可以被放大了。

        4 三極管的固定偏置電路

        圖1所示的為基本的固定偏置電路。

        圖1所示的為NPN型共發(fā)射極放大電路,接下來的分析靜態(tài)工作點(diǎn)的過程中將以硅管為例,由于集電極的電流收到基極電流的控制,基極電流的一個(gè)很小的變化都會(huì)對集電極電流有很大的影響,并且滿足一定的電流關(guān)系:Ic=β*Ib,(β一般是遠(yuǎn)大于1的數(shù))。如果集電極的電流是流過電阻Rc的電流,由電壓計(jì)算公式:U=Ic*Rc可以算得電阻Rc上的電壓發(fā)生的變化。若想得到放大后的電壓信號,只需將電阻上的電壓取出即可。若將共發(fā)射極放大電路中集電極的靜態(tài)電壓設(shè)計(jì)為電源電壓的一半,此時(shí)就可以獲得最大的輸出電壓的動(dòng)態(tài)范圍,此原則即是設(shè)計(jì)共發(fā)射極放大電路的基本原則。

        上面所介紹的偏置電路是最基本的固定偏置電路,在實(shí)際的放大電路中,加合適的偏置電路是保證放大電路正常工作的重要條件,但是這種電路也存在一定的缺點(diǎn),當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)就會(huì)導(dǎo)致電路的溫度穩(wěn)定性較差,所以這種電路只適用于溫度變化不大,要求不高的場合。

        參考文獻(xiàn)

        [1] 魏佳,張沙.三極管的應(yīng)用[J].

        [2] 康華光,陳大欽,張林.電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分[M].5版.北京:高等教育出版社,2006.

        [3] 華成英.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)[M].北京:高等教育出版社,2006.endprint

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