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        ITO Sputter制程中各個(gè)因素對(duì)ITO 薄膜參數(shù)的影響

        2014-10-21 14:22:20陳長(zhǎng)增
        數(shù)字化用戶 2014年20期
        關(guān)鍵詞:溫度

        【摘 要】本文介紹了I ITO Sputter成膜過(guò)程中,主要有以下參數(shù)對(duì)成膜的參數(shù)有較大影響.在不同的制程條件下,這些參數(shù)會(huì)有不同程度的影響,都是一些大致的影響方向,對(duì)我們實(shí)際的工作有大方向的指導(dǎo),但實(shí)際操作時(shí)候還得以實(shí)際數(shù)據(jù)和實(shí)驗(yàn)結(jié)果為準(zhǔn)。僅供大家參考。

        【關(guān)鍵詞】溫度 濺射功率 氧氣流量

        引言:在ITO薄膜濺鍍的過(guò)程中,玻璃基板的溫度、濺射的功率以及氧氣流的分壓等因素對(duì)我們最后所得到的ITO薄膜的特性都有很大的影響,如何控制好這些參數(shù),得通過(guò)重復(fù)的實(shí)驗(yàn)和經(jīng)驗(yàn)來(lái)判斷并操作。

        一. 基板溫度對(duì)成膜參數(shù)的影響

        在不同的基板溫度下,濺射得到的ITO薄膜方阻和透光率的曲線圖,從圖中可以分析得到我們?cè)谒枰谋∧ぬ匦韵乱允裁礈囟葋?lái)鍍膜為最佳。當(dāng)然這只是一個(gè)趨勢(shì),至于真正要在確定多少度下鍍膜,還得通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)驗(yàn)證,因?yàn)檫@和鍍膜的環(huán)境有很大關(guān)系。

        不同溫度生長(zhǎng)的ITO薄膜中均以三氧化二銦的立方鐵錳礦結(jié)構(gòu)為主,因?yàn)槠渲車嗜毖鯛顟B(tài),所以提供了空穴的數(shù)量,從而提高了導(dǎo)電率。

        較高基板溫度時(shí),二氧化錫參雜幾率增大,提高薄膜導(dǎo)電性能。

        而在低溫制備的薄膜中有四氧化三錫晶體存在,低價(jià)的錫氧化物不但降低了薄膜導(dǎo)電能力,而且其本身的物理特性,使得薄膜的光電特性變差。低溫生長(zhǎng)的薄膜晶體具有一定的取向性。而較高溫度度制備薄膜表現(xiàn)出多晶生長(zhǎng)特性。

        本來(lái)是襯底溫度越高,我們得到的薄膜的電阻率和透光率越好,可是我們一直在盡量控制著基板溫度不能太高,原因就是我們?yōu)R射的玻璃上已經(jīng)鍍上了R/G/B等光阻材料,而這些材料都有一定的溫度特性和高溫下的老化性,溫度太高會(huì)對(duì)光阻造成影響。所以我們也一直控制基板溫度。我們的濺射溫度控制在230攝氏度以下。

        二. 濺射功率對(duì)成膜特性的影響

        如圖是濺鍍功率對(duì)成膜的電阻率和透光率的影響,較大的濺射功率會(huì)導(dǎo)致Arcing的增加,對(duì)成膜造成一定影響,這點(diǎn)也要在實(shí)際的實(shí)驗(yàn)中得出一個(gè)比較適中的數(shù)據(jù)。

        濺射功率的增加,致使薄膜方阻急劇降低,透過(guò)率的增加逐漸變得平緩。這是因?yàn)闉R射功率增大時(shí),濺射速率提高,當(dāng)濺射功率太大時(shí),濺射速率過(guò)高,ln、Sn原子來(lái)不及與制程氣體中的氧氣進(jìn)行充分反應(yīng),從而又形成過(guò)多的低價(jià)氧化物,且過(guò)高的濺射功率對(duì)ITO薄膜表面造成一定的損傷,致使透過(guò)率稍有降低。當(dāng)濺射功率增加時(shí),濺射速度增加,使薄膜的厚度增加,因此,薄膜方阻降低。增大濺射功率,可以增加薄膜的沉積速率,減少鍍膜時(shí)間,提高產(chǎn)量。而同時(shí)要得到想要得薄膜特性,就必須得加大氧氣流分壓,使濺鍍的氧化物氧化適當(dāng),氧氣流分壓增大后,會(huì)導(dǎo)致靶材中毒即靶材表面被氧化,致使濺鍍速度變慢,以至停止;同時(shí)增大濺射功率后會(huì)導(dǎo)致Arcing增多,會(huì)破壞到薄膜和玻璃表面,較大的濺射功率會(huì)導(dǎo)致濺射在玻璃表面的薄膜物質(zhì)具有很大的能量,也會(huì)對(duì)玻璃表面造成破壞。所以必須得控制濺射功率在一定的程度。

        三. 氧氣流量與分壓對(duì)成膜特性的影響

        如圖:氧氣流分壓并不是一兩幅圖能說(shuō)明其在ITO制程中有什么樣的規(guī)律和趨勢(shì),它受到其他的參數(shù)影響,要想得到較好的膜系,控制好氧氣流分壓也是關(guān)鍵因素。

        在ITO膜濺鍍的過(guò)程中,這些制程因素都不是單獨(dú)存在的,也不是獨(dú)立決定成膜特性參數(shù)的。尤其是氧氣流和分壓,就要受到很多因素的制約與影響。比如說(shuō),氧氣流和分壓受到濺射功率的影響,受到濺射壓強(qiáng)的影響,受到基板溫度的影響等等,而制程中控制好氧氣流分壓也是一項(xiàng)比較困難的因素。制程中通入氧氣的作用就是將沒有氧化到一定程度的低價(jià)氧化物進(jìn)一步氧化,使其更加透明,讓我們能得到我們希望得到的薄膜特性。

        四. 結(jié)語(yǔ)

        在了解了各項(xiàng)因素會(huì)對(duì)成膜特性有什么樣的影響之后,加上對(duì)影響成膜特性的原因做完分析后,會(huì)使以后再實(shí)驗(yàn)和工作中目的性和方向性更強(qiáng),以便減少重復(fù)實(shí)驗(yàn)的次數(shù),減少得到我們想要得成膜特性時(shí)間,這些認(rèn)知是必要的。

        作者簡(jiǎn)介:

        陳長(zhǎng)增(1986-),男,南京中電熊貓液晶材料科技有限公司鍍膜科工程師,主要從事技術(shù)管理和生產(chǎn)管理工作。

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