(新疆大全新能源有限公司,石河子市,832000) 程智勇
目前,多晶硅的生產(chǎn)技術(shù)主要有改良西門(mén)子法、硫化床法和硅烷法,其中改良西門(mén)子法以其技術(shù)的成熟性、產(chǎn)量的規(guī)模化等原因,仍然是國(guó)內(nèi)最主流的生產(chǎn)工藝方法,改良西門(mén)子法是利用高純度的氫氣和三氯氫硅在1050℃左右的高溫下進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),使還原出的高純度硅沉積在硅芯上,漸漸長(zhǎng)粗形成硅棒的過(guò)程,其主要化學(xué)方程式為:SiHcl3+H2→Si+Hcl,這里,硅芯既是發(fā)熱體,又是載體;硅棒一般生長(zhǎng)到直徑在150~200mm時(shí),即可達(dá)到成品要求。因硅棒在生長(zhǎng)過(guò)程中對(duì)電壓、電流的調(diào)節(jié)范圍較大,因此對(duì)電氣設(shè)備的要求較高。
目前,國(guó)內(nèi)較大多晶硅企業(yè)的還原爐主要有24對(duì)棒、36對(duì)棒和48對(duì)棒,我公司主要有24對(duì)棒和36對(duì)棒兩種還原爐,這里主要介紹一下36對(duì)棒還原爐的電源系統(tǒng),36對(duì)棒還原爐的電源系統(tǒng)主要由多檔位的變壓器、高壓?jiǎn)?dòng)開(kāi)關(guān)柜、交流調(diào)壓器、調(diào)功柜電源系統(tǒng)和控制系統(tǒng)組成。
生產(chǎn)中使用的多檔位變壓器額定容量為9900KVA的干式變壓器,能夠輸出5種電壓等級(jí),分別為2500V、1400V、650V、400V、320V。
高壓?jiǎn)?dòng)系統(tǒng)主要是由高壓開(kāi)關(guān)柜、交流調(diào)壓器構(gòu)成,該部分設(shè)備主要是為了使硅芯導(dǎo)電發(fā)熱從而達(dá)到產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的目的;36對(duì)硅芯被分為9組,每組由4對(duì)硅芯串聯(lián)組成純電阻電路,因?yàn)楣柙诔叵率遣粚?dǎo)電的,只有在高壓、高溫的情況下才會(huì)導(dǎo)電,交流調(diào)壓器主要是由一臺(tái)升壓變壓器組成,輸入電壓為交流380V,輸出一般有10KV、8KV、6.3KV、2KV等電壓等級(jí)(見(jiàn)圖),每個(gè)檔位的開(kāi)通與斷開(kāi)均是由晶閘管控制,當(dāng)其中一個(gè)檔位的晶閘管導(dǎo)通后,其它檔位的晶閘管必定是斷開(kāi)的,因此在正常情況下,是不會(huì)存在兩種電壓同時(shí)開(kāi)通所產(chǎn)生短路環(huán)流的情形;一般在6.3KV的電壓下,硅芯會(huì)被擊穿導(dǎo)電,然后在這個(gè)電壓等級(jí)下,閉合高壓斷路器使每一組硅芯導(dǎo)電,然后隨著硅芯的發(fā)熱,電阻阻值會(huì)漸漸下降,電壓也會(huì)隨之下降,通常情況下第一組硅芯被擊穿導(dǎo)電過(guò)程比較長(zhǎng)一些,當(dāng)?shù)谝唤M硅芯導(dǎo)電后,它會(huì)成為一組發(fā)熱體,使?fàn)t體內(nèi)部溫度升高,這樣,后續(xù)的硅芯就越來(lái)越容易被擊穿導(dǎo)電,最終使所有的硅芯全部導(dǎo)電,達(dá)到產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的工藝要求。
圖
硅芯被全部導(dǎo)電后,隨著爐體內(nèi)的氫氣和三氯氫硅流量的增加,熱量也會(huì)被大量帶走,這時(shí)要保證密閉容器中始終保持在1050℃~1080℃溫度范圍內(nèi),原來(lái)的高壓?jiǎn)?dòng)系統(tǒng)只能提供較小的電流,已不能夠滿(mǎn)足工藝使用要求,因此必須切換到能提供大電流的調(diào)功柜電氣系統(tǒng)中,由多檔位變壓器提供電源,因此,每一回路的硅芯將被切換至調(diào)功柜系統(tǒng)來(lái)供電,當(dāng)全部切換完畢后,高壓?jiǎn)?dòng)系統(tǒng)則被退出使用,調(diào)功柜系統(tǒng)進(jìn)入工作狀態(tài),調(diào)功柜的每一檔位的電壓等級(jí)輸出仍然是靠晶閘管的導(dǎo)通與閉合來(lái)實(shí)現(xiàn),調(diào)功柜的主回路是由兩只晶閘管反并聯(lián)的交流調(diào)壓結(jié)構(gòu),晶閘管起到開(kāi)關(guān)的作用,隨著硅棒的生長(zhǎng)變粗,硅棒表面積也來(lái)越大,還原反應(yīng)也會(huì)越來(lái)越劇烈,它所使用的電流也越來(lái)越大,根據(jù)硅棒的電阻阻值的變化,系統(tǒng)會(huì)逐步切換到較低的電壓等級(jí),以便得到更大的電流;在使用大電流的同時(shí),純電阻電路會(huì)隨之而來(lái)產(chǎn)生大量電源諧波,干擾成分加大,這樣會(huì)造成變壓器使用效率降低,設(shè)備容易發(fā)熱并且損壞,在解決該問(wèn)題時(shí),調(diào)功柜系統(tǒng)在設(shè)計(jì)上進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),采用兩檔疊層技術(shù),也就是兩檔不同電壓等級(jí)的電源都在導(dǎo)通使用,電源波形互相抵消互補(bǔ)的原理進(jìn)行諧波治理和無(wú)功補(bǔ)償,利用自身的控制性能來(lái)提高功率因數(shù)。
產(chǎn)生該故障的主要原因?yàn)椋?)變壓器在運(yùn)輸搬運(yùn)過(guò)程中,造成鐵芯夾具的穿芯螺桿與絕緣套管磨損破裂,使穿芯螺桿與鐵芯直接接觸;2)在變壓器組裝過(guò)程中,由于工作人員的疏忽,將一些螺絲、墊片、甚至小工具掉入夾縫當(dāng)中而未被發(fā)現(xiàn),出廠(chǎng)檢驗(yàn)時(shí)是合格的,到了現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)時(shí)就產(chǎn)生了多點(diǎn)接地現(xiàn)象;3.易導(dǎo)電的灰塵較大,使鐵芯與外殼框架產(chǎn)生表面放電現(xiàn)象;
解決方法:針對(duì)故障1現(xiàn)象,解決措施是將穿芯螺桿拆除,更換絕緣套管;針對(duì)故障2現(xiàn)象,解決措施是反復(fù)仔細(xì)檢查,并吹掃灰塵,在用搖表測(cè)絕緣時(shí),應(yīng)仔細(xì)聽(tīng)聲音,當(dāng)轉(zhuǎn)動(dòng)搖表時(shí)會(huì)產(chǎn)生輕微的放電聲,找到放電位置后,清除里面的異物,可消除故障。
產(chǎn)生該故障的主要原因?yàn)椋捍朔N故障常發(fā)生在低壓側(cè)線(xiàn)圈繞組,因?yàn)榈蛪簜?cè)電流較大,發(fā)熱量大,造成線(xiàn)圈溫度偏高,尤其是夏季,局部可達(dá)到80℃以上的溫度,絕緣層如果太厚的話(huà)就會(huì)產(chǎn)生開(kāi)裂現(xiàn)象,我公司曾經(jīng)發(fā)生過(guò)該故障現(xiàn)象,具體維修方法是將變壓器上方銅母排拆除,鐵芯上軛夾具拆除,卸去穿芯螺桿,這時(shí)就可以將鐵芯上軛拆除,硅鋼片要幾片一組一起拔出,然后碼放整齊,切勿落入灰塵,拆完硅鋼片后,將低壓側(cè)線(xiàn)圈繞組吊出,將開(kāi)裂的絕緣側(cè)剝離掉,此時(shí)要小心拆除,盡量不要將銅皮漏出,以免增加后續(xù)處理絕緣的難度,拆除完后將繞組端面用銼和砂紙修平整,不要有尖銳的棱角,然后將F級(jí)絕緣紙整體纏繞5~6層,再用玻璃絲帶進(jìn)行重疊壓層纏繞一層,捆扎牢固,再用絕緣樹(shù)脂將繞組端面進(jìn)行均勻涂抹,晾干后進(jìn)行安裝,安裝硅鋼片時(shí)要一片一片的安裝,切勿將硅鋼片受力扭曲變形,影響使用效果。
主要表現(xiàn)在單相或多相負(fù)載接地,多數(shù)原因是由于硅芯通電后斷裂碰壁,或者石墨底座處聚四氟乙烯套管絕緣能力下降導(dǎo)致漏電,先報(bào)警后停爐,解決措施是停爐重新安裝硅芯或更換聚四氟乙烯絕緣套管。
晶閘管被擊穿損壞主要因?yàn)椋?.晶閘管與散熱水包接觸面沒(méi)有壓緊,或是與母排緊固時(shí)受力不均勻,導(dǎo)致晶閘管接觸不好,不導(dǎo)通,這樣,大電流全部加到同一側(cè)另外的晶閘管上,造成別的晶閘管過(guò)電流燒穿;2.調(diào)功柜通風(fēng)散熱不好,空氣不對(duì)流,柜內(nèi)空間溫度高,二次回路故障或誤動(dòng)作,無(wú)法對(duì)主回路中的元器件起到保護(hù)作用。
由于國(guó)外對(duì)我國(guó)多晶硅行業(yè)一直處于技術(shù)封鎖,因此,這就需要我國(guó)多晶硅行業(yè)的研究人員繼續(xù)努力研究,早日打破國(guó)外的技術(shù)封鎖,研發(fā)出更加適用、節(jié)能、先進(jìn)的還原爐電源系統(tǒng)來(lái)。
[1]毛濤濤等,淺談大功率多晶硅電源系統(tǒng)[J],有色節(jié)能,文章編號(hào)1008-5122(2010)06-0500-04