道康寧公司首次推出電力電子行業(yè)碳化硅晶圓分級結構

本刊訊全球有機硅及寬帶隙半導體技術領先企業(yè)道康寧公司近期推出全新碳化硅（SiC）晶體分級結構，為碳化硅晶體創(chuàng)立了行業(yè)新標準。新分級結構對相關致命性產(chǎn)品缺陷，如微管位錯（MPD）、螺紋螺位錯（TSD）、和基面位錯（ BPD）等，具有更嚴格的容忍度。

這一開創(chuàng)性分級結構旨在優(yōu)化使用道康寧高品質(zhì)Prime Grade系列100mm碳化硅晶片設計和制造的新一代電力電子器件的設計自由度、性能和成本。道康寧公司目前向市場提供Prime Standard、Prime Select 和 Prime Ultra的三種不同品質(zhì)的新型碳化硅襯底。

道康寧公司新產(chǎn)品分級結構中的各個Prime Grade系列晶圓產(chǎn)品為缺陷密度及其他關鍵性能設置了更嚴格的公差范圍，客戶可以根據(jù)特定器件的應用要求，在硅片質(zhì)量和價格之間獲得最好的平衡。雖然已有不少碳化硅襯底制造商承諾要降低微管密度，但道康寧公司是首家對包括TSD及BPD在內(nèi)的其他致命性缺陷公差作出明確定義的企業(yè)。這些缺陷會降低器件的成品率及生產(chǎn)效率，且會影響大面積、新一代電力電子器件制造的成本效益。