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        磷石膏水熱法合成硫酸鈣晶須

        2014-04-12 01:52:38楊紅艷石文建田瑤珠
        化工環(huán)保 2014年2期
        關(guān)鍵詞:晶須硫酸鈣長徑

        劉 江,楊紅艷,石文建,秦 軍,呂 晴,田瑤珠

        (1. 貴州大學(xué) 喀斯特環(huán)境與地質(zhì)災(zāi)害防治教育部重點實驗室,貴州 貴陽 550003; 2. 國家復(fù)合改性聚合物材料工程技術(shù)研究中心,貴州 貴陽 550014;3. 貴州大學(xué) 材料與冶金學(xué)院,貴州 貴陽 550003)

        磷石膏是工業(yè)生產(chǎn)中用硫酸處理磷礦時所產(chǎn)生的固體廢渣,每生產(chǎn)1 t磷酸約產(chǎn)生4~5 t磷石膏。磷石膏的主要成分是二水合硫酸鈣,含量為90%(w)左右,還含有少量的SiO2、Al2O3、Fe2O3、CaO、MgO及微量的重金屬和放射性元素,以及未分解的磷礦粉、P2O5、氟和游離酸等雜質(zhì)[1]。我國磷石膏產(chǎn)量巨大且逐年增加,但利用率低,大量堆放不僅占用土地,而且污染環(huán)境。

        硫酸鈣晶須是一種無機粉體材料,是硫酸鈣的纖維狀單晶體,分散良好,結(jié)構(gòu)均勻,粒徑小,具有比表面積大、表面自由能高、耐高溫、抗化學(xué)腐蝕、強度高、韌性好、易進行表面處理等優(yōu)點,且價格便宜,具有很強的市場競爭力[2]。硫酸鈣晶須的綜合性能受其直徑和長徑比影響較大,通常直徑越小,長徑比越大,晶須的綜合性能越優(yōu)異[3]。合成硫酸鈣晶須的方法很多,但大多數(shù)是以天然石膏、生石膏為原料,以磷石膏為原料合成硫酸鈣晶須的文獻較少[4-5]。

        本工作以磷石膏為原料,采用水熱法合成硫酸鈣晶須,考察了磷石膏含量、反應(yīng)溫度、反應(yīng)時間、體系pH等因素對晶須的直徑和長徑比的影響;并采用SEM技術(shù)觀察晶須的形貌。

        1 實驗部分

        1.1 材料、試劑和儀器

        磷石膏由貴州甕福集團提供,其雜質(zhì)種類較多,呈塊狀結(jié)構(gòu)。磷石膏的化學(xué)組成見表1,磷石膏的SEM照片見圖1。

        表1 磷石膏的化學(xué)組成 w,%

        圖1 磷石膏的SEM照片

        二水合硫酸鈣、硫酸鎂、鹽酸、氫氧化鈉、甘油:分析純。

        高壓水熱反應(yīng)釜(100 mL)、SHB-ⅡS型循環(huán)水式多用真空泵:鄭州長城科工貿(mào)有限公司;101-2型電熱鼓風(fēng)干燥箱:北京科偉永興儀器有限公司;JSM-7500F型場發(fā)射掃描電子顯微鏡:日本電子株式會社。

        1.2 實驗方法

        將磷石膏水洗4~5 次,于47 ℃下烘干,研磨過篩至粒徑小于175 μm,備用[6]。取一定質(zhì)量處理過的磷石膏,與0.8 g二水合硫酸鈣(晶種)、2.4 g硫酸鎂(晶型助長劑)、3.2 g甘油(結(jié)晶穩(wěn)定劑)[7]及80 mL水混合,配成料漿溶液,用鹽酸或氫氧化鈉溶液調(diào)節(jié)料漿溶液至一定的pH,在一定的溫度下反應(yīng)一定時間,過濾烘干后解聚,即得硫酸鈣晶須產(chǎn)品。

        1.3 分析方法

        將產(chǎn)品制成薄片,以甘油為分散劑,在偏光顯微鏡下觀察形貌,并拍攝SEM照片,用圖像處理軟件測量晶須的長度和直徑。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 磷石膏含量對硫酸鈣晶須的直徑和長徑比的影響

        硫酸鈣晶須的形成要經(jīng)過成核和生長兩個過程[8]。磷石膏含量的高低影響體系的過飽和度,進而影響成核速率和生長速率,對合成的硫酸鈣晶須形貌有直接影響。磷石膏含量越高,體系的黏度越大,成核點越多,晶須的生長空間越小,易發(fā)生團聚,直徑較粗大,表面不光滑,且一部分會發(fā)生二次成核,不利于高長徑比晶須的生成。當(dāng)反應(yīng)溫度130 ℃、反應(yīng)時間4 h、體系pH 4時,磷石膏含量對硫酸鈣晶須的直徑和長徑比的影響見圖2。由圖2可見:當(dāng)磷石膏含量為2.5%~12.5%(w)時,晶須的直徑逐漸增大,長徑比逐漸減?。划?dāng)磷石膏含量為2.5%(w)時,平均直徑為0.17 μm,長徑比為56.24;當(dāng)磷石膏含量為12.5%(w)時,平均直徑0.44 μm,長徑比僅為4.61,此時晶須團聚現(xiàn)象明顯,生長空間狹小,導(dǎo)致長徑比較小。故選擇磷石膏含量為2.5% (w)較適宜。

        圖2 磷石膏含量對硫酸鈣晶須的直徑和長徑比的影響● 直徑;■ 長徑比

        2.2 反應(yīng)溫度對硫酸鈣晶須的直徑和長徑比的影響

        硫酸鈣晶須的生成過程是顆粒狀的二水合硫酸鈣溶解,然后向纖維狀的半水硫酸鈣轉(zhuǎn)化,再脫去結(jié)晶水,是個“溶解—再結(jié)晶”的過程。二水合硫酸鈣和半水硫酸鈣的轉(zhuǎn)化溫度為97 ℃,溫度過低時,無法完成二水合硫酸鈣向半水硫酸鈣的轉(zhuǎn)化;溫度過高則不利于二水合硫酸鈣的溶解;半水硫酸鈣的生成是一個吸熱過程[9]。當(dāng)磷石膏含量2.5%(w)、反應(yīng)時間4 h、體系pH 4時,反應(yīng)溫度對硫酸鈣晶須的直徑和長徑比的影響見圖3。由圖3可見:當(dāng)反應(yīng)溫度為90~170 ℃時,晶須的長徑比先增加后減小;當(dāng)反應(yīng)溫度為130 ℃時,晶須的長徑比最大(為56.24)、直徑最?。?.17 μm);當(dāng)反應(yīng)溫度為90~110 ℃時,未生成晶須,可能是反應(yīng)溫度太低時達不到向半水硫酸鈣的轉(zhuǎn)化溫度,而達到轉(zhuǎn)化溫度后又提供不了反應(yīng)所需的熱量;反應(yīng)溫度過高時,硫酸鈣的溶解度下降,不利于較高長徑比晶須的生成。故選擇反應(yīng)溫度為130 ℃較適宜。

        圖3 反應(yīng)溫度對硫酸鈣晶須的直徑和長徑比的影響● 直徑;■ 長徑比

        2.3 反應(yīng)時間對硫酸鈣晶須的直徑和長徑比的影響

        硫酸鈣晶須的生長需要一定的時間。時間短,晶須生長不充分;時間長,在生長過程中易發(fā)生二次結(jié)晶,導(dǎo)致長徑比下降。當(dāng)磷石膏含量2.5%(w)、反應(yīng)溫度130 ℃、體系pH 4時,反應(yīng)時間對硫酸鈣晶須的直徑和長徑比的影響見圖4。由圖4可見:當(dāng)反應(yīng)時間為2~10 h時,硫酸鈣晶須的長徑比先增大后減小再趨于平緩,直徑先減小后略有增大;當(dāng)反應(yīng)時間為4 h時,長徑比最大(為56.24),直徑最?。?.17 μm)。故選擇反應(yīng)時間為4 h較適宜。

        圖4 反應(yīng)時間對硫酸鈣晶須的直徑和長徑比的影響● 直徑;■ 長徑比

        2.4 體系pH對硫酸鈣晶須的直徑和長徑比的影響

        體系pH影響雜質(zhì)離子的活性和硫酸鈣的溶解度[10]。當(dāng)磷石膏含量2.5%(w)、反應(yīng)溫度130 ℃、反應(yīng)時間4 h時,體系pH對硫酸鈣晶須的直徑和長徑比的影響見圖5。由圖5可見:當(dāng)pH=2~6時,晶須長徑比呈先增大后減小趨勢;當(dāng)pH=4時,晶須長徑比最大(為56.24),直徑最?。?.17 μm);當(dāng)pH分別為2和6時,晶須團聚明顯,導(dǎo)致長徑比大幅下降,分別為6.22和6.40;當(dāng)pH=6~10時,晶須長徑比也呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢;當(dāng)pH=8時,晶須長徑比達14.68,直徑為0.19 μm,與pH=4時的晶須形貌相比,直徑相當(dāng),但長度較短;在pH=10時,未生成硫酸鈣晶須。體系pH對晶須生長形貌的影響機理較為復(fù)雜,有待進一步研究。故選擇體系pH為4較適宜。

        圖5 體系pH對硫酸鈣晶須的直徑和長徑比的影響● 直徑;■ 長徑比

        2.5 產(chǎn)品分析

        在實驗選擇的適宜工藝條件下,硫酸鈣晶須的SEM照片見圖6。

        圖6 硫酸鈣晶須的SEM照片

        由圖6可見,合成的硫酸鈣晶須形貌規(guī)整、分散均勻、直徑較小,長徑比為 56.24,平均直徑為0.17 μm,達到百納米級。磷石膏的懸濁液在高溫高壓下能在反應(yīng)釜內(nèi)自發(fā)生長結(jié)晶,雜質(zhì)離子可吸附在晶格間隙,磷石膏廢渣的利用率幾乎達到100%。預(yù)處理及產(chǎn)品抽濾產(chǎn)生的廢水可進一步循環(huán)利用,用于下一階段原料的水洗過程,既能有效的節(jié)約資源,又能避免污染環(huán)境。

        3 結(jié)論

        a)以磷石膏為原料,采用水熱法合成硫酸鈣晶須,適宜的工藝條件為:磷石膏含量2.5%(w),反應(yīng)溫度130 ℃,反應(yīng)時間4 h,體系pH 4。

        b)在適宜的工藝條件下,合成的硫酸鈣晶須平均直徑為0.17 μm,長徑比為56.24,且形貌規(guī)整、分散均勻、直徑較小,達到百納米級。

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