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        模塊化多電平換流器損耗特性研究

        2014-03-05 08:00:50劉利淵史海麗
        黑龍江電力 2014年5期
        關(guān)鍵詞:橋臂換流器功率因數(shù)

        劉利淵,史海麗

        (1.東北電力大學(xué) 電氣工程學(xué)院,吉林 吉林 132012;2.東北電力大學(xué)信息工程學(xué)院,吉林 吉林 132012)

        柔性直流輸電系統(tǒng)作為直流輸電的一種新技術(shù),具有易實(shí)現(xiàn)有功無功快速獨(dú)立控制、方便快捷潮流翻轉(zhuǎn)、向無源系統(tǒng)供電、諧波水平低等優(yōu)點(diǎn),在電力系統(tǒng)中有著廣闊的應(yīng)用前景。但其相對的較高功率損耗是應(yīng)用于大容量功率傳輸?shù)闹饕系K之一,損耗占比中,換流器損耗是最重要的組成成分。目前,模塊化多電平換流器(MMC)典型的調(diào)制方式是載波移相調(diào)制方式[1-5]。因此,對典型調(diào)制方式下模塊化多電平換流器的損耗進(jìn)行準(zhǔn)確估算及詳細(xì)分析,對于尋找合適有效的降損方法及整體的系統(tǒng)設(shè)計(jì)有著重要的意義。

        本文對MMC損耗進(jìn)行理論分析,采用曲線擬合理論對廠商提供的參數(shù)及特性曲線進(jìn)行預(yù)處理,在考慮結(jié)溫、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)電阻等影響因素下,討論損耗組成與計(jì)算方法。同時(shí),通過MATLAB編程及算例,對換流器損耗進(jìn)行了量化分析。

        1 MMC損耗的構(gòu)成

        三相結(jié)構(gòu)MMC的主電路拓?fù)淙鐖D1所示,一個(gè)換流器有6個(gè)橋臂,每個(gè)橋臂均由n個(gè)相同結(jié)構(gòu)的子模塊(SM)和1個(gè)閥電抗器L串聯(lián)組成,每個(gè)子模塊由2個(gè)IGBT、2個(gè)續(xù)流二極管和1個(gè)電容器組成。換流器功率損耗主要由IGBT及其反并聯(lián)的二極管造成,主要包括:IGBT的通態(tài)損耗Pcon_T、開關(guān)損耗Psw_T、二極管的通態(tài)損耗Pcon_D及反向恢復(fù)損耗Prec_D。二極管的開關(guān)損耗、驅(qū)動(dòng)回路損耗在總的損耗中占比很少,可以忽略不計(jì)[6]。由此,MMC的總損耗可以表示為

        式中:n為MMC每個(gè)橋臂的子模塊個(gè)數(shù);PTtot為子模塊中IGBT的總損耗;PDtot為子模塊中續(xù)流二極管的總損耗。

        2 MMC損耗計(jì)算

        2.1 MMC各器件通態(tài)損耗

        圖1 三相結(jié)構(gòu)MMC的主電路拓?fù)銯ig.1 Main circuit topology of three-phase MMC structure

        IGBT和二極管的通態(tài)損耗由工作電流流過各器件時(shí)的正向?qū)▔航岛蛯?dǎo)通電阻引起,取決于各器件的有效電流和功率因數(shù)。因此,任意器件的通態(tài)損耗可以表示為

        式中:T0為工頻周期;Ton為各器件在一個(gè)工頻周期里的有效導(dǎo)通時(shí)間;u(t)為工作電流是i(t)時(shí)各器件的導(dǎo)通壓降;τ(t)為脈沖函數(shù)。

        對廠商提供的器件電壓飽和特性曲線進(jìn)行二次多項(xiàng)式擬合,可以得到通態(tài)壓降和工作電流的關(guān)系為

        式中A、B、C為擬合系數(shù),是與結(jié)溫有關(guān)的參數(shù),可以通過插值法得到[7-8]。

        載波移相SPWM調(diào)制是通過N條同頻率、等幅值、相位依次相差360°/N的三角載波與調(diào)制波比較后,產(chǎn)生觸發(fā)信號(hào)來對應(yīng)各子模塊的開關(guān)狀態(tài)和輸出電平,是MMC的典型調(diào)制方式之一。在該調(diào)制方式下,a相上橋臂第i個(gè)子模塊(1≤i≤n)各器件的脈沖函數(shù)可以表示為[9-12]

        式中:k為電壓調(diào)制比,k=Uam/(Udc/2),其中Uam為MMC輸出交流電壓峰值;λ為載波移相角度,λ=TS/n;td為死區(qū)時(shí)間;TS為開關(guān)周期。

        綜上,結(jié)合器件導(dǎo)通規(guī)律,以a相上橋臂第i個(gè)子模塊中T1為例,通態(tài)損耗可表示為

        同理,可得到T2、D1、D2的通態(tài)損耗Pcon_T2、Pcon_D1、Pcon_D2 。

        2.2 MMC各器件開關(guān)損耗

        IGBT的每次開通和關(guān)斷都伴隨著功率的損耗,且相應(yīng)的二極管關(guān)斷時(shí)也會(huì)產(chǎn)生反向恢復(fù)損耗。由器件廠商提供的用戶手冊可以得到在額定電壓uref和額定電流iref時(shí)IGBT的開通損耗Eon、關(guān)斷損耗Eoff以及二極管的反向恢復(fù)損耗Erec,因此,以a相上橋臂第i個(gè)子模塊中T1、D1為例,一個(gè)工頻周期里的損耗可表示為

        式中:fs為開關(guān)頻率;為工作電壓有效值;Ia為工作電流有效值。

        同理,可得到T2、D2的開關(guān)損耗Psw_T2和反向恢復(fù)損耗Prec_D2。綜合考慮結(jié)溫、驅(qū)動(dòng)電阻對開關(guān)損耗的影響,引入溫度系數(shù)和驅(qū)動(dòng)電阻系數(shù),分別用插值法和一次函數(shù)擬合得到

        式中:Esw1、Esw2為IGBT額定電壓、額定電流下結(jié)溫125°和25°時(shí)的開關(guān)損耗;Erec1、Erec2為相應(yīng)條件下的反向恢復(fù)損耗。

        綜上,a相上橋臂第i個(gè)子模塊中IGBT的開關(guān)損耗和二極管的反向恢復(fù)損耗可表示為

        2.3MMC的總損耗

        由以上討論分析可知,MMC中a相上橋臂第i個(gè)子模塊的總損耗可表示為

        3 算例分析

        算例參數(shù):MMC額定容量200 MVA;直流側(cè)額定電壓150 kV;子模塊額定電壓1500 V;每個(gè)橋臂串聯(lián)子模塊數(shù)量100;IGBT類型CM800HC_66H;開關(guān)頻率300 Hz;功率因數(shù)0.95;死區(qū)時(shí)間5;驅(qū)動(dòng)電阻 3.8 Ω;結(jié)溫 90°。

        基于上述參數(shù),編寫MATLAB程序來計(jì)算該參數(shù)下MMC的損耗,結(jié)果如表1所示。

        表1 MMC損耗計(jì)算結(jié)果Tab.1 Calculation results of MMC loss

        從表1可以看出:二極管通態(tài)損耗和IGBT損耗是MMC損耗的主要來源,特別是二極管通態(tài)損耗占總損耗約50%,MMC的損耗率約為1%左右。下面分析各因素對MMC損耗的影響。

        1)傳輸功率對MMC損耗的影響。可以用換流器傳輸效率形象描述傳輸功率對MMC損耗的影響,如圖2所示。

        圖2 傳輸功率對換流器傳輸效率的影響曲線Fig.2 Effect of transmission power on converter transmission efficiency

        隨傳輸功率的增加,換流器效率先增加后降低,在160 MW附近取得極值,這表明MMC損耗隨傳輸功率的增加,先降低后增加,在極值點(diǎn)處損耗最小。

        2)功率因數(shù)對MMC損耗的影響。功率因數(shù)的變化反映MMC運(yùn)行狀態(tài)的變化,功率因數(shù)小于零,MMC處于整流狀態(tài),大于零,MMC處于逆變狀態(tài),如圖3所示。

        整流運(yùn)行中,二極管的損耗占據(jù)主要部分,隨功率因數(shù)的增大,二極管損耗增加,IGBT損耗減小,MMC總損耗增大;逆變運(yùn)行中,IGBT部分的損耗占主要部分,隨功率因數(shù)的增大,IGBT損耗增加,二極管損耗減小,MMC總損耗減小。

        圖3 功率因數(shù)對換流器功率損耗的影響曲線Fig.3 Effect of power factor on converter power loss

        3)開關(guān)頻率對MMC損耗的影響。在其他條件不變的情況下,MMC損耗隨開關(guān)頻率變化的曲線如圖4所示。

        圖4 開關(guān)頻率對換流器功率損耗的影響曲線Fig.4 Effect of switching frequency on converter power loss

        由圖4可知,隨開關(guān)頻率的增加,二極管損耗和IGBT損耗都有不同程度的增加,MMC總損耗增大。

        4 結(jié)語

        對MMC損耗的構(gòu)成做了理論分析,提出了一種計(jì)算MMC損耗的方法,而且根據(jù)廠商提供的參數(shù)和特性曲線易獲得初始參數(shù),簡單實(shí)用。通過算例給出的參數(shù)編寫了相應(yīng)的MATLAB程序,計(jì)算了MMC的損耗。結(jié)果表明:MMC的損耗主要來源是二極管通態(tài)損耗和IGBT損耗,特別是二極管通態(tài)損耗占總損耗約50%。同時(shí),也分析了不同因素對MMC損耗的影響特性,對于進(jìn)一步尋找合適有效的降損方法及整體的系統(tǒng)設(shè)計(jì)有著重要的意義。

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