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        甚高頻微型濾波晶體的研制

        2013-12-31 00:00:00許鴿
        數(shù)字化用戶 2013年12期

        【摘 要】本文介紹了AT切80~150M頻率范圍內(nèi)甚高頻微型濾波晶體的設(shè)計(jì)及制造過程,給出了該產(chǎn)品的參數(shù),并與同類型49/u產(chǎn)品的參數(shù)進(jìn)行了比較。

        一、引言

        隨著技術(shù)的發(fā)展,整機(jī)對(duì)各種元器件的要求不僅僅只局限在電氣性能和抗振強(qiáng)度方面,而且對(duì)元器件的體積和重量都要求盡量減少,由于集成電路的發(fā)展迅速,以及工藝水平的提高,使得眾多元器件都實(shí)行了小型化,這樣極大地減小了整機(jī)的重量和體積,然而石英晶體作為一種不可替代的高穩(wěn)定頻率源,它的體積和重量要比集成電路大得多,它的小型化是人們十分關(guān)心的問題,尤其是在甚高頻濾波這一方面尤為突出。目前的工藝水平,已經(jīng)能夠?qū)⒄袷幤骷皽乜亍嚎卣袷幤魍呻娐贩庋b在一起實(shí)行小型化,但濾波晶體卻不能,本次試制就是最大限度地用um-5封裝,生產(chǎn)90MHZ濾波晶體,以滿足整機(jī)小型化的要求。

        二、設(shè)計(jì)過程

        我們都知道um-5外型的內(nèi)部體積很小,通常只有49/u的1/4左右,因此在設(shè)計(jì)90MHZ石英晶片的外型尺寸時(shí),就必須考慮怎樣設(shè)計(jì)石英晶片的規(guī)格,才能使得90MHZ甚高頻濾波晶體具有較好的電氣性能滿足濾波條件,這是一個(gè)很重要的問題,所以必須充分選擇外殼內(nèi)腔所能容納石英晶片的外形尺寸。

        在選擇石英晶體的外形尺寸時(shí),應(yīng)盡量減少石英晶片的直徑與厚度比來減少AT切石英晶體的阻尼損耗或者是邊緣效應(yīng),石英晶片的直徑大小對(duì)石英晶體的活力及寄生振動(dòng)有非常大的影響,AT切型的寄生振動(dòng)主要包括xy’彎曲振動(dòng)、面切變和伸縮等三種振動(dòng),如果主振動(dòng)頻率與上述三種振動(dòng)之一的高次泛音頻率接近時(shí),就會(huì)出現(xiàn)強(qiáng)耦合作用,引起活力突變或頻率跳躍現(xiàn)象,考慮到上述因素,我們將石英晶片設(shè)計(jì)成φ5.5×4.5,也就是φ5.5改圓,再在兩邊倒邊成4.5mm。

        當(dāng)然不是隨便地進(jìn)行4.5mm倒邊,考慮到AT切振動(dòng)方向在x軸方向,因此在改圓前給晶片定向,使倒邊面與x軸面平行,也就是將引耳方向設(shè)計(jì)在x方向,以確保晶片的最大活力。

        考慮到晶體抗振性及活力,我們都知道晶片的基頻活力好,但晶片太薄、易碎、泛音次數(shù)越高,晶片越厚抗振好,但活力越差,綜合考慮我們選擇3次泛音晶片。

        晶片厚度與頻率關(guān)系t=n·k/f

        其中t→晶片的厚度 k→常數(shù) n→泛音次數(shù) f→頻率

        一般對(duì)于石英晶片的直徑與厚度比很小的情況下,采用修外形的方法進(jìn)一步提高晶片的活力,如φ5.5mm頻率10MHZ的石英晶片,其邊比為30左右,石英晶片的活力較低;采用修外形的方法,活力能明顯提高。修外形的方法很多,其最終目的就是降低晶片本身的電阻,這是為了減小石英晶片振蕩時(shí)的表面阻尼損耗,對(duì)石英晶片采用表面拋光(當(dāng)然在改圓時(shí)也要特別注意表面光潔,不能有崩邊現(xiàn)象),同時(shí)在鍍膜前嚴(yán)格清洗以避免石英晶片表面附著的灰塵微?;蚱渌魏问杷刹牧虾陀湍?、油脂等帶來的表面損耗。

        電極材料的選擇,對(duì)于通常的晶體電極一般采用銀,返回量在0.5~1.0f2m,同時(shí)確保它的靜電容小于7PF即可,但濾波晶體不行,突出考慮它的濾波帶寬以及插入衰耗,還要充分提高晶體的活力,就要嚴(yán)格控制它的返回量及電極質(zhì)量,同時(shí)確保電極膜的厚度,我們選用純鋁做電極,同時(shí)能滿足以上要求,且鋁氧化后形成氧化鋁保護(hù)膜,穩(wěn)定性很好。

        電極面積的選擇,我們知道電極面積的大小也影響晶體的活力,面積越大,活力越高,考慮到濾波晶體不同于普通晶體,考慮到靜電容對(duì)濾波性能及線路的影響,通過理論計(jì)算及實(shí)際經(jīng)驗(yàn),最終確定了被銀面積的大小。

        計(jì)算石英晶體靜電容的公式為

        式中,A—石英晶片電極面積 t—晶片厚度

        —與y’方向有關(guān)的介電常數(shù)

        最終確定石英晶片的電極直徑為

        晶片的拋光頻率為90.230—90.280MHZ

        晶片切角:AT35°23’ ±0.5’

        支架的選擇,石英晶體在外力的作用下,尤其是機(jī)械力的作用會(huì)使石英晶體的電氣性能變壞,機(jī)械性能的影響主要是它的裝架結(jié)構(gòu)及邊緣效應(yīng);引線的導(dǎo)電性能,我們選用鍍金的彈片支架,彈片的縫寬t=0.15mm

        三、加工制作

        加工制作與普通晶體并無多大區(qū)別,注意以下幾個(gè)問題

        (一)由于電極是純鋁材料,鋁易氧化,所以電極表面切忌有劃傷現(xiàn)象,影響它的穩(wěn)定性

        (二)調(diào)頻方式與普通銀電極不同,是采用陽(yáng)極氧化方式調(diào)頻

        (三)點(diǎn)膠時(shí)銀膠不能太稀,防止蔭膠現(xiàn)象,且點(diǎn)一個(gè)小圓點(diǎn),以減小邊緣效應(yīng)

        (四)支架外殼使用時(shí)也要嚴(yán)格清洗,生產(chǎn)環(huán)境確保衛(wèi)生,封裝時(shí)工作室內(nèi)的濕度要在10%以下

        四、產(chǎn)品結(jié)果

        產(chǎn)品封裝后在100℃,烘箱老化48小時(shí)后測(cè)試:

        ①調(diào)整頻差(25°±2°) ≦15PPM, (250B測(cè)試)

        ②溫度頻差(-25°~+70°) ≦10PPM (溫度箱測(cè)試)

        ③等效阻抗 ≦40Ω (250B測(cè)試)

        ④DLD2 ≦5

        ⑤接入線路滿足預(yù)先的濾波要求

        五、結(jié)束語(yǔ)

        隨著尖端技術(shù)的發(fā)展對(duì)濾波晶體的要求越來越高,頻率也越來越高,我們將繼續(xù)努力生產(chǎn)更好的產(chǎn)品來滿足客戶與市場(chǎng)的需求。

        作者簡(jiǎn)介:

        許鴿,(1962--8),籍貫:連云港市,研究方向:電氣自動(dòng)化,學(xué)歷:大學(xué)???。

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