逄 輝,曹建華,隋 巖,李雅敏,華瑞茂,3*
(1.石家莊誠志永華顯示材料有限公司北京研發(fā)中心,北京 100084;2.河北省平板顯示材料工程技術研究中心,河北石家莊 050091;3.清華大學化學系,北京 100084)
白光有機發(fā)光二極管(WOLED)在固態(tài)照明以及平板顯示背光源等諸多領域具有光明的應用前景。自從1994年日本的Kido等[1]制備了第一塊WOLED以來,關于白光有機發(fā)光二極管的研究已經(jīng)成為有機發(fā)光領域的熱點之一。目前已有多種方法能夠實現(xiàn)白光有機發(fā)光二極管,而按有機材料來分,主要分為小分子白光器件和聚合物白光器件[2]。雖然小分子白光器件具有發(fā)光效率高、熱穩(wěn)定性較好、合成和提純容易的特點,但是它的制備過程必須借助真空蒸鍍,導致大尺寸生產(chǎn)困難,量產(chǎn)效率低,并且小分子器件一般采用多發(fā)光層或摻雜結構,不同材料的老化速度不一致,造成器件的發(fā)光穩(wěn)定性較差。而聚合物發(fā)光材料可修飾性強,將帶有不同發(fā)色團的發(fā)光單體共聚,可以制備單分子聚合物白光器件;另外,聚合物材料具有良好的機械加工特性,采用濕法處理能精確控制共混比例和摻雜濃度,可以用旋涂或噴墨打印方法成膜,工藝簡單,被公認為是低成本、大面積生產(chǎn)WOLED的重要途徑[3-4]。
本文采用Suzuki偶聯(lián)反應,合成了一種以9,9-二辛基芴(DOF)[5]為主鏈結構的白光聚合物PDOF-TAF,測試了材料的紫外-可見光吸收光譜和熒光發(fā)射光譜。并以PDOF-TAF為發(fā)光層旋涂制備了4種不同結構的器件,對比了不同結構器件的電致發(fā)射(EL)光譜、色坐標、亮度以及器件效率等發(fā)光性能。
圖1 聚合物PDOF-TAF的合成路線Fig.1 The synthesis route of PDOF-TAF
圖1為聚合物PDOF-TAF的合成路線。在氮氣保護下,將 2,7-二溴-9,9-二辛基芴(Br-DOF)、2,7-二硼酸-9,9-二辛基芴(B-DOF)、4-(8-(2,7-二溴-9-辛基芴)辛氧基)-N-4-(7-(4-(二苯胺基)苯基)苯并噻二唑)苯基-二苯胺(Br-TAF)、Pd(PPh3)4、K2CO3、Aliquart和甲苯混合到一起,加熱到100℃,其中 Br-TAF的摩爾分數(shù)為0.03%,反應48 h,再補加 B-DOF繼續(xù)反應8 h,再補加溴苯,繼續(xù)加熱到100℃過夜。反應結束,待體系冷卻后倒入甲醇中,有大量黃綠色固體析出,抽濾,濾餅用二氯甲烷溶解后用水洗3次,有機相旋干得到黃綠色固體,再用丙酮洗1遍,抽濾,固體晾干。以丙酮為洗脫劑,索氏提取3天,殘留固體物以二氯甲烷為洗脫劑過短硅膠柱脫色,得淡黃色固體產(chǎn)物0.25 g,產(chǎn)率64%。凝膠滲透色譜(GPC)測得聚合物的數(shù)均分子量(Mn)為1.5×104,重均分子量(MW)為 2.5 × 104,多分散性(PDI)為 1.64。1H NMR(300 MHz,CDCl3)δ:7.91 ~7.78(d,5H),7.75 ~ 7.56(d,12H),2.24 ~1.96(s,10H),1.62 ~ 1.42(s,7H),1.22 ~0.99(s,59H),0.92 ~0.69(m,24H)。
用上海棱光科技股份有限公司F97XP熒光分光光度計測定單體和聚合物熒光光譜,安捷倫UV-60紫外分光光度計測試聚合物的紫外-可見光吸收光譜,均以四氫呋喃為溶劑。器件的發(fā)射光譜用美國PhotoResearch公司的PR-655測試,發(fā)光亮度由Newport 1928-C光功率計估算,電流-電壓特性通過Keithley 2410數(shù)字源表測試。所有測試均在大氣環(huán)境下進行。
以ITO玻璃為陽極,聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT∶PSS)為空穴注入層,PDOF-TAF為發(fā)光層,LiF/Al為復合陰極制備了雙層結構的器件A;再在雙層之間插入聚乙烯基咔唑(PVK)作為空穴傳輸層制備了器件B;分別在器件A和B的基礎上增加一層1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑-2)苯(TPBI)作為電子傳輸層,制備了器件C和器件D。其中ITO玻璃在應用之前先經(jīng)過洗滌劑清洗,再用去離子水、乙醇、丙酮和異丙醇超聲波清洗,并用氧等離子體處理8 min[6]。PEDOT∶PSS 膜采用質量分數(shù)為2% 的水溶液以旋涂方法制備,轉速為4 000 r/s,旋轉30 s,然后放入烘箱中120℃下干燥30 min。PVK以氯苯為溶劑配制成質量分數(shù)為1%的溶液,以1 500 r/s的速度旋轉30 s成膜,放入烘箱中150℃下干燥10 min[7]。將PDOF-TAF配制成質量分數(shù)為1%的甲苯溶液,旋涂和干燥條件與PVK一致。電子傳輸材料TPBI、復合陰極LiF和Al通過真空蒸鍍成膜,真空度在10-4Pa左右。制備的4種器件結構如下:
器件 A:ITO/PEDOT∶PSS(50 nm)/PDOTTAF(50 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm);
器件 B:ITO/PEDOT∶PSS(50 nm)/PVK(50 nm)/PDOT-TAF(50 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm);
器件 C:ITO/PEDOT∶PSS(50 nm)/PDOTTAF(50 nm)/TPBI(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm);
器件 D:ITO/PEDOT∶PSS(50 nm)/PVK(50 nm)/PDOT-TAF(50 nm)/TPBI(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)。
圖2為聚合物PDOF-TAF在四氫呋喃溶液中的紫外-可見光吸收光譜和熒光發(fā)射光譜。在吸收光譜中,聚合物分別在380 nm和405 nm處有兩個強的吸收峰,在365 nm處有一個肩峰,在280 nm和435 nm處有兩個弱的吸收峰;在熒光發(fā)射光譜中,聚合物分別在422 nm和444 nm處有兩個強的發(fā)射峰,466 nm和504 nm處有兩個肩峰。另外,由圖中可以觀察到紫外-可見光吸收光譜和熒光發(fā)射光譜有較好的對稱性。圖3是單體Br-DOF、Br-TAF和聚合物PDOF-TAF在四氫呋喃中的熒光發(fā)射光譜。Br-DOF的熒光發(fā)射峰為416 nm,在422 nm處有一個肩峰出現(xiàn);而Br-TAF的熒光發(fā)射峰位于618 nm處。由于聚合物中的TAF結構單元含量很低,為0.03%,光致熒光強度太弱,所以聚合物的熒光發(fā)射光譜與單體Br-DOF的光譜重合性較好,而單體TAF的熒光發(fā)射光譜則被掩埋掉。
圖2 PDOF-TAF的紫外吸收光譜和熒光發(fā)射光譜Fig.2 UV-Vis absorption and PL spectra of PDOF-TAF
圖3 單體和聚合物的熒光發(fā)射光譜Fig.3 PL spectra of Br-DOF,Br-TAF and PDOF-TAF.
圖4為以PDOF-TAF為單發(fā)光層制備的器件的EL光譜。4個不同結構的器件都在432,460,488,524,565 nm處出現(xiàn)了發(fā)射峰,光譜基本覆蓋了410~700 nm的可見光區(qū)域。其中565 nm的發(fā)射峰應歸屬于側鏈的電致發(fā)光,其余4個發(fā)射峰均來自于主鏈結構DOF。與PL光譜對比,EL光譜整體紅移了10~20 nm,其中524 nm發(fā)射峰的出現(xiàn)是芴類結構單元在綠光部分的拖尾現(xiàn)象。器件A和器件B有非常一致的光譜發(fā)射圖形,色坐標分別為(0.23,0.19)和(0.23,0.18);器件 C和器件D也有非常一致的光譜圖形,色坐標分別為(0.24,0.32)和(0.25,0.31)。這說明增加空穴傳輸層PVK對EL光譜形狀沒有影響,但是器件的亮度和效率得到了明顯提高,如圖5和圖6所示。器件C和D的最大亮度分別為1 200 cd/m2和2 020 cd/m2,最大電流效率分別為1.0 cd/A和1.4 cd/A,最大功率效率分別為0.27 lm/W和0.36 lm/W。與器件A和B相比,器件C和D增加了電子傳輸層TPBI,雖然EL光譜中發(fā)射峰的位置沒有變化,但是發(fā)射峰的相對強度明顯改變,色坐標位置向白光區(qū)域移動明顯。由此分析,電子傳輸層TPBI的增加改善了載流子復合區(qū)域,調節(jié)了光譜發(fā)射形狀和色坐標;空穴傳輸層PVK的增加改善了載流子傳輸平衡,提高了器件的發(fā)光亮度和效率[8-11]。
圖4 器件A、B、C、D在12 V電壓下的EL光譜(a)和EL光譜的歸一化對比圖(b)。Fig.4 EL spectra(a)and normalized EL spectra(b)of the four devices at 12 V bias voltage
圖5 器件A、B、C、D的亮度-電壓曲線。Fig.5 Luminance-voltage curves of the four devices
圖6 器件A、B、C、D的電流效率和功率效率隨電流密度的變化。Fig.6 Variation of CE and PE with the current density of the four devices
以Br-DOF、B-DOF和Br-TAF單體合成了白光聚合物熒光材料PDOF-TAF。以PDOF-TAF為單發(fā)光層,基于 ITO/PEDOT∶PSS/PDOF-TAF/LiF/Al的器件結構,分別增加電子傳輸層TPBI和空穴傳輸層PVK調節(jié)載流子的復合區(qū)域和傳輸平衡,制備了4個結構不同的發(fā)光器件。器件的EL光譜范圍覆蓋了410~700 nm的可見光區(qū)域,其中結構為 ITO/PEDOT∶PSS/PVK/PDOFTAF/TPBI/LiF/Al的器件 D的色坐標調節(jié)到(0.25,0.31),發(fā)光亮度達到2 020 cd/m2,最大發(fā)光效率達到1.4 cd/A和0.36 lm/W,證明PDOFTAF是一種較好的白光聚合物發(fā)光材料,在WOLED中有很好的應用前景。
[1]Kido J,Hongawa K,Okuyama K,et al.White light-emitting organic electroluminescent devices using the poly(N-vinylcarbazole)emitter layer doped with three fluorescent dyes[J].Appl.Phys.Lett.,1994,64(7):815-817.
[2]Lei G T,Duan L,Wang L D,et al.Progress of white organic light emitting diodes[J].Chin.J.Lumin.(發(fā)光學報),2003,25(3):221-229(in Chinese).
[3]Zhang A Q,Ying L,Wu H B,et al.White Light-emitting polymers and white polymer light-emitting diodes[J].Polym.Bull.(高分子科學),2009,6:1-10(in Chinese).
[4]Du W S,Gao C,Qiu S J.Synthesis and optical spectral properties of polyfluorene derivative with broad emission[J].Chin.J.Liq.Cryst.Disp.(液晶與顯示),2011,26(1):1-4(in Chinese).
[5]Xu Y,Wang H,Song C L,et al.Synthesis and luminescence characteristics of near-white light-emitting copolymer[J].Chin.J.Lumin.(發(fā)光學報),2010,31(2):274-278(in Chinese).
[6]Wang J,Yu J H,Li L,et al.Efficient white organic light-emitting devices using a thin 4,4'-bis(2,2'-diphenylvinyl)-1,1'-diphenyl layer[J].J.Phys.D:Appl.Phys.,2008,41(4):045104-1-5.
[7]Xu Y H,Peng J B,Mo Y Q,et al.Efficient polymer white-light-emitting diodes[J].Appl.Phys.Lett.,2005,86(16):163502-1-3.
[8]Hu S J.Efficient Fluorescent/Phosphorescent Hybrid White Polymer Light-emitting Diodes[D].Guangzhou:South China University of Technology,2012(in Chinese).
[9]Chen Z,Niu Q L,Zhang Y,et al.Efficient green electrophosphorescence with Al cathode using an effective electroninjecting polymer as the host[J].ACS Appl.Mater.Interf.,2009,1(12):2785-2788.
[10]Zhang J,Zhang F H,Yan H G.High efficiency white fluorescent organic light-emitting diodes with HAT-CN hole injection layer[J].Chin.J.Liq.Cryst.Disp.(液晶與顯示),2011,26(4):490-495(in Chinese).
[11]Liu C B,Zhao J,Su B,et al.Research progress of Re(Ⅰ)complexes in OLEDs[J].Chin.J.Liq.Cryst.Disp.(液晶與顯示),2012,27(6):742-751(in Chinese).