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        四氟化硅的工藝研發(fā)及進展?fàn)顩r

        2013-10-17 02:52:22韓建軍王建萍
        無機鹽工業(yè) 2013年1期
        關(guān)鍵詞:工藝

        韓建軍,李 霞,王建萍

        (多氟多化工股份有限公司,河南焦作 454191)

        1 四氟化硅的應(yīng)用及市場分析

        SiF4是有機硅化合物的合成材料,用于氟硅酸及氟化硅的制造,水泥和人造大理石的硬化劑,還用于硅的外延生長、等離子蝕刻、太陽能電池、復(fù)印機感光筒、非晶硅膜生成和化學(xué)氣相淀積等。另外,由于SiF4在高溫火焰中水解可產(chǎn)生具有高比表面積的熱沉SiO2,因此可用作光導(dǎo)纖維用高純石英玻璃的原料。目前四氟化硅具有很大的市場需求空間,國外主要的生產(chǎn)廠家有:美國的Allied化學(xué)公司、Praxair公司和Air Products公司,日本的三井化學(xué)公司、昭和電工化學(xué)公司和中央硝子公司等。近年來國內(nèi)SiF4制備工藝也在不斷發(fā)展,主要生產(chǎn)廠家有:河南華都氟業(yè)、天津賽美特、北京華科微能、北京綠菱、廣州譜源等,但SiF4質(zhì)量和產(chǎn)量與國外相比還有一定的差距。

        2 四氟化硅制備工藝綜述

        2.1 單質(zhì)硅與氟氣反應(yīng)制備

        氟是非常活潑的元素,在常溫下,幾乎能和所有的元素化合,大多數(shù)金屬都會被氟腐蝕。許多非金屬,如硅、磷、硫等同樣也會在氟氣中燃燒。使用高純度的單質(zhì)硅與氟氣直接反應(yīng)可以制備四氟化硅,其反應(yīng)方程式如下:

        此反應(yīng)由于高純度的氟氣原料制備困難,且氟氣有劇毒,對設(shè)備及工作人員有嚴(yán)格要求,因此不適合工業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)。

        2.2 氟硅酸鹽熱解法

        2.2.1 工藝原理及工藝簡述

        利用磷肥行業(yè)副產(chǎn)的氟硅酸制得氟硅酸鹽,然后將氟硅酸鹽在高溫、微負(fù)壓下熱裂解制備四氟化硅并聯(lián)產(chǎn)氟化鹽。

        以氟硅酸鈉為例,利用磷肥廠副產(chǎn)的氟硅酸制備氟硅酸鈉,將氟硅酸鈉在煅燒爐內(nèi)以200~300℃的高溫進行干燥熱處理,去除水分,煅燒爐內(nèi)維持負(fù)壓值為-294~-98 Pa,將干燥后的氟硅酸鈉輸送入回轉(zhuǎn)反應(yīng)爐,在400~900℃下熱裂解1~2 h,制得粗產(chǎn)品四氟化硅和氟化鈉,粗產(chǎn)品四氟化硅經(jīng)處理后得到高純度四氟化硅氣體,氟化鈉一部分返回系統(tǒng)調(diào)配物料,另外一部分作為產(chǎn)品進行外售。

        2.2.2 工藝優(yōu)缺點

        優(yōu)點:所用原料易得,價格低廉,原料利用率高,生產(chǎn)工藝簡單;反應(yīng)單一、產(chǎn)品純度高且副產(chǎn)物易處理;解決了制約低品位氟資源行業(yè)發(fā)展的環(huán)保瓶頸,而且此工藝生產(chǎn)過程中不產(chǎn)生二次污染,符合資源綜合利用、安全環(huán)保的生產(chǎn)理念。缺點:熱解溫度較高,能耗大,生產(chǎn)工況要求苛刻,設(shè)備要求高;氟硅酸鈉高溫?zé)峤鈺r,流動性變差,易于發(fā)粘,造成結(jié)壁現(xiàn)象,使反應(yīng)較難進行,影響反應(yīng)效率,嚴(yán)重時使反應(yīng)無法順利進行;系統(tǒng)密封性要求嚴(yán)格,工業(yè)化大生產(chǎn)較難保證,從而加大四氟化硅提純難度;裝置產(chǎn)量低,不利于規(guī)模生產(chǎn)。

        2.2.3 研究概況

        日本三井東壓化學(xué)公司采用金屬氟硅酸鹽熱解法來制備四氟化硅,熱解前在高于熱解溫度和小于2.67 kPa壓力下對金屬氟硅酸鹽進行熱處理以減少雜質(zhì)形成[1]。該熱處理步驟可代替氟硅酸鹽的脫水,用該方法生產(chǎn)的四氟化硅具有高純度和高收率特點。何建祥等[2]使用回轉(zhuǎn)反應(yīng)爐熱裂解氟硅酸鈉制備四氟化硅,四氟化硅的質(zhì)量指標(biāo)可達(dá)到:w(SiF4)≥98.8%, w(空氣)≤1%,w(SO2)≤ 0.001%,w(CO2)≤0.077%,w(H2O)≤0.0015%,w(HCl)≤0.02%,w(HF)≤0.0005%,w(其他雜質(zhì))≤0.01%。Satish Bhusarapu等[3]提到氟硅酸鹽熱分解可在流化床反應(yīng)器中進行,生成的四氟化硅一部分再循環(huán)到反應(yīng)器并用作流化氣體以使氟硅酸鹽材料呈懸浮狀態(tài),分解生成的堿金屬或堿土金屬氟化物的殘留物從反應(yīng)器中排出,并使其與氟硅酸反應(yīng)生成堿金屬或堿土金屬的氟硅酸鹽,循環(huán)利用。

        2.3 硫酸法

        2.3.1 氟硅酸鹽-濃硫酸法

        1)工藝原理及工藝簡述

        利用磷肥廠副產(chǎn)的氟硅酸制備的氟硅酸鹽和濃硫酸反應(yīng),控制不同反應(yīng)溫度,得到四氟化硅和氟化氫氣體。

        氟硅酸鹽與濃硫酸在100~250℃下反應(yīng)1~3 h,控制不同的反應(yīng)溫度分別得到四氟化硅和氟化氫氣體,四氟化硅氣體經(jīng)除塵、冷卻、干燥、精制、壓縮制得高純氣體;氟化氫氣體經(jīng)除塵、精餾、冷卻等制得無水氫氟酸。

        2)工藝優(yōu)缺點

        優(yōu)點:將液態(tài)原料氟硅酸轉(zhuǎn)變?yōu)楣腆w原料氟硅酸鹽,解決了資源的長途運輸問題,使非磷肥行業(yè)企業(yè)充分利用這部分資源成為可能;將低價值的氟硅酸鹽研制出高附加值的四氟化硅和無水氟化氫氣體,可充分和多晶硅項目結(jié)合起來,使資源充分利用創(chuàng)造了經(jīng)濟效益最大化;副產(chǎn)硫酸鹽返回磷肥行業(yè)用于制造氟硅酸鹽;系統(tǒng)中無大量廢水廢渣排放,屬于環(huán)境友好型項目。缺點:工藝不成熟;工況苛刻,對設(shè)備要求較高;四氟化硅提純成本高。

        3)研究概況

        張宗凡等[4]介紹了一種由氟硅酸鈉與硫酸反應(yīng)制備四氟化硅和無水氟化氫氣體的方法,在反應(yīng)釜中加入一定量的氟硅酸鈉與過量的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為95%~98%的濃硫酸,過量0~100%,攪拌速度控制在200~400 r/min, 先升溫至 100~150℃反應(yīng) 1~2 h,產(chǎn)物為四氟化硅氣體,氟化氫留在固體殘渣中,然后升溫至200℃,氟化氫氣體逸出。兩種氣體均經(jīng)嚴(yán)格除塵、冷卻、干燥、精制、壓縮后收集。該發(fā)明延伸了磷肥行業(yè)低價值副產(chǎn)物氟硅酸鈉的產(chǎn)業(yè)鏈,得到高附加值產(chǎn)品,使磷肥行業(yè)特有的氟、硅資源得到充分、高效的利用。

        2.3.2 低品位螢石-濃硫酸法

        1)工藝原理及工藝簡述

        該方法是最早用于工業(yè)化制備SiF4的方法,利用二氧化硅質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%的低品位螢石和濃硫酸反應(yīng)制備四氟化硅,反應(yīng)方程式如下:

        采用低品位螢石(CaF2質(zhì)量分?jǐn)?shù)為70%、SiO2質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%)為原料,在溫度為100~300℃下與質(zhì)量分?jǐn)?shù)>95%的濃硫酸發(fā)生反應(yīng),使生成的混合氣體在反應(yīng)體系內(nèi)不斷循環(huán),制備SiF4。使用該方法原料利用率、轉(zhuǎn)化率均高于90%且原料成本低廉。

        2)工藝優(yōu)缺點

        優(yōu)點:原料成本低、利用率高,生產(chǎn)工藝相對簡單。缺點:國家限制螢石開采,長久考慮原料供應(yīng)受到限制,大量使用螢石粉為原料使生產(chǎn)成本大大增加;反應(yīng)工況差,設(shè)備腐蝕嚴(yán)重;產(chǎn)生大量含氟稀硫酸,循環(huán)利用時消耗大量發(fā)煙硫酸,增加生產(chǎn)成本;低品位螢石成分復(fù)雜,生成的四氟化硅氣體雜質(zhì)成分復(fù)雜,加大提純難度;產(chǎn)生的固體產(chǎn)物,酸度較大,不易處理;該工藝伴有大量HF產(chǎn)生,氟化氫和四氟化硅完全分離成本較高,同時也浪費氟資源,不利于工業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)。

        3)研究概況

        鹽田英司等[5]發(fā)明了一種同時生成四氟化硅和氟化氫氣體的方法,該方法采用二氧化硅質(zhì)量分?jǐn)?shù)在1%~30%的低品位螢石作原料,與質(zhì)量分?jǐn)?shù)≥95%的濃硫酸在100~300℃下反應(yīng),然后使生成的混合氣體在反應(yīng)體系中循環(huán),最終得到SiF4和HF。

        多賀俊幸等[6]報道了用上述廉價原料與4倍以上化學(xué)計量的HF在10~200℃下反應(yīng),得到以SiF4為主的混合氣,然后使用剩余原料與過量的濃硫酸于100~500℃下反應(yīng),得到一個以HF為主的混合氣來聯(lián)產(chǎn)SiF4和HF的工藝。通過冷卻回收HF,得到高純度SiF4。

        2.3.3 螢石/單冰晶石-石英砂、濃硫酸法

        1)工藝原理及工藝簡述

        利用四氟鋁酸鈉或螢石與濃硫酸、石英砂反應(yīng)制備四氟化硅。

        將四氟鋁酸鈉或螢石、石英砂和濃硫酸在100~300℃、微負(fù)壓下的回轉(zhuǎn)反應(yīng)爐中反應(yīng),生成粗四氟化硅,經(jīng)提純、凈化后得到高純四氟化硅氣體。

        2)工藝優(yōu)缺點

        優(yōu)點:生產(chǎn)工藝較成熟,降低了生產(chǎn)成本,使生產(chǎn)能力得到大幅度提高;在微負(fù)壓下利用帶有內(nèi)返料螺旋的裝置來生產(chǎn)很大程度上能夠提高原料轉(zhuǎn)化率,且實現(xiàn)裝置連續(xù)化生產(chǎn),生產(chǎn)能力進一步提高,整個過程無“三廢”排放,屬于節(jié)能環(huán)保、資源綜合利用項目。缺點:設(shè)備腐蝕較嚴(yán)重,能耗高,產(chǎn)生大量含氟稀硫酸。

        3)研究概況

        張月和等[8]發(fā)明了一種制備四氟化硅的專利,利用四氟鋁酸鈉粉末和硅源粉末的混合物與硫酸加熱至240~350℃反應(yīng)得到四氟化硅。該方法一方面避免使用大量螢石作為原料,降低了生產(chǎn)成本;另一方面可以有效利用硅烷生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)物四氟鋁酸鈉,且以較高的轉(zhuǎn)化率制備出四氟化硅。

        2.3.4 氟硅酸-濃硫酸法

        1)工藝原理及工藝簡述

        一定質(zhì)量分?jǐn)?shù)的氟硅酸溶液與濃硫酸在高溫、負(fù)壓下反應(yīng),然后用冷的硫酸洗滌,制備SiF4,反應(yīng)方程式如下:

        將質(zhì)量分?jǐn)?shù)為12%~20%的氟硅酸溶液與質(zhì)量分?jǐn)?shù)為96%~99%的濃硫酸在反應(yīng)器內(nèi)于一定溫度和壓力下反應(yīng),然后用冷的濃硫酸洗滌的方法來生產(chǎn)SiF4,產(chǎn)物收率大于99%。

        2)工藝優(yōu)缺點

        優(yōu)點:工藝成熟;原料成本低。缺點:工況苛刻、裝備要求高;產(chǎn)生大量含氟稀硫酸,環(huán)保壓力大,所以此工藝實施受地理位置限制;得到的四氟化硅氣體中含有六氟二甲硅醚雜質(zhì),而當(dāng)六氟二甲硅醚混在四氟化硅產(chǎn)品中的情況下,利用輝光放電制造非晶硅薄膜時,硅氧烷鍵進入硅的結(jié)合晶格內(nèi),使光電特性顯著惡化,為了抑制氟硅醚的產(chǎn)生和四氟化硅在硫酸中溶解,要保證硫酸的高濃度。

        3)研究概況

        暗視野觀察所用物鏡的數(shù)值孔徑宜在1.00~1.25左右,太高反而效果不佳,最好使用轉(zhuǎn)動物鏡中部的調(diào)節(jié)環(huán)可隨意改變數(shù)值孔徑大小的,帶視場光闌的物鏡 [6]。

        A.Guido 等[9]介紹了一種質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 12%~20%的氟硅酸溶液與質(zhì)量分?jǐn)?shù)為90%~100%的濃硫酸在反應(yīng)器內(nèi)于90~120℃、壓力高于30 kPa下反應(yīng),然后用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為96%冷硫酸在高于硫酸的冰點溫度到10℃之間洗滌的方法來生產(chǎn)SiF4的工藝。四氟化硅收率大于 99%,雜質(zhì)組成:w(HF)<3.5×10-5,w(B)<1×10-9, w(P)<3.5×10-8,w(As)<4×10-9。

        2.4 氫氟酸法

        2.4.1 無水氫氟酸-硅粉法

        1)工藝原理及工藝簡述

        在高溫條件下,將硅粉與無水氫氟酸混合制備四氟化硅,反應(yīng)方程式如下:

        將無水氫氟酸通入石英襯里的立式反應(yīng)器底部,并注入硅粉,使硅粉分散在氟化氫氣體中,二者反應(yīng)制備高純四氟化硅。

        2)工藝優(yōu)缺點

        優(yōu)點:原料轉(zhuǎn)化率高,產(chǎn)量大,能耗低,四氟化硅氣體純度高。缺點:原料無水氫氟酸成本高,反應(yīng)工況差,設(shè)備腐蝕嚴(yán)重。

        3)研究概況

        N.Shinsuke 等[10]報道了一種在 250 ℃或高于250℃條件下使Si與HF反應(yīng)來生產(chǎn)四氟化硅的工藝。反應(yīng)過程中,用固體NaF吸附去除產(chǎn)品中的HF雜質(zhì),然后使粗氣體在≥600℃下與金屬鎳接觸,或在有體積分?jǐn)?shù)為0.1%~1%的HF存在下與金屬鎳在400℃下接觸,得到主要含H2和CH4的SiF4組分,反應(yīng)方程式如下:

        最后使含H2和CH4的SiF4冷凍固化,再抽真空除去不凝性氣體,得到HF體積分?jǐn)?shù)小于2×10-5、SiHF3體積分?jǐn)?shù)小于 5×10-5、CH4體積分?jǐn)?shù)小于 5×10-5的高純SiF4。

        2.4.2 氫氟酸-石英砂、濃硫酸法

        1)工藝原理及工藝簡述

        氫氟酸是弱酸,常溫下與SiO2緩慢反應(yīng),加入濃硫酸升高溫度后,加速反應(yīng)進行,反應(yīng)方程式如下:

        首先取濃硫酸和氫氟酸進行預(yù)混合得到混合物A,再取75~106 μm的二氧化硅粉末與濃硫酸進行預(yù)混合得到混合物B,將混合物A和B加入到反應(yīng)器中,攪拌反應(yīng)一定時間,制得的四氟化硅氣體通過導(dǎo)流管通入冷卻器進行冷卻后進入儲氣罐。

        2)工藝優(yōu)缺點

        優(yōu)點:能夠做到反應(yīng)物料的重復(fù)使用,成本降低,對環(huán)境無害,能源消耗大大降低。缺點:產(chǎn)生大量含氟稀硫酸,循環(huán)利用時加大提純能耗或消耗大量發(fā)煙硫酸;反應(yīng)工況差,設(shè)備腐蝕嚴(yán)重。

        3)研究概況

        浙江中寧硅業(yè)有限公司發(fā)明了一種用硫酸石英砂閉路循環(huán)生產(chǎn)四氟化硅的方法[11],該方法取其中1000~1100質(zhì)量份的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為65%~95%的硫酸與200~400質(zhì)量份的SiO2粉末進行預(yù)混合,將其加入到反應(yīng)器中,邊攪拌邊加入250~500質(zhì)量份氟化氫進行反應(yīng),得到四氟化硅氣體,同時用硫酸吸收不斷析出的水分;將四氟化硅氣體通入冷卻器壓縮進入儲氣罐;將稀硫酸打到三氧化硫吸收塔,將稀硫酸提濃到質(zhì)量分?jǐn)?shù)為65%~95%作為反應(yīng)器中硫酸介質(zhì)使用,提濃到質(zhì)量分?jǐn)?shù)為95%~98%的硫酸作為氟化氫反應(yīng)中硫酸原料使用。該發(fā)明實現(xiàn)水的完全平衡,形成閉路循環(huán)生產(chǎn),降低能源消耗,是節(jié)能減排的新方法。

        3 結(jié)語

        綜上所述,四氟化硅的制備方法主要為以上4大類,從工業(yè)實施可行性方面考慮應(yīng)選擇流程簡單、反應(yīng)工況良好、副反應(yīng)少、四氟化硅產(chǎn)品純度高的工藝路線。依據(jù)各工藝的優(yōu)缺點,從原料選擇、工藝控制、設(shè)備選型等方面可根據(jù)企業(yè)自身實際生產(chǎn)情況選定工藝路線進行大規(guī)模生產(chǎn)。目前隨著多晶硅等行業(yè)迅猛發(fā)展,四氟化硅需求量逐漸增大,但國內(nèi)四氟化硅產(chǎn)量和質(zhì)量與國外相比還有很大差距,高端產(chǎn)品仍主要依賴進口,因此應(yīng)針對市場需求開發(fā)高層次、高品質(zhì)產(chǎn)品,以適應(yīng)國內(nèi)需求和參與國際競爭。

        [1]百武宏之,原田功,古藤信彥,等.高純度四弗化珪素の制造法:JP,63- 074910[P].1988-04-05.

        [2]何建祥,余福元,魏超,等.回轉(zhuǎn)反應(yīng)爐熱裂解氟硅酸鈉制備四氟化硅的方法:中國, 101698482[P].2010-04-28.

        [3]Satish Bhusarapu,Puneet Gupta.Processes for producing silicon tetrafluoride from fluorosilicates in a fluidized bed reactor: US, 20100150808 [P].2010-06-17.

        [4]張宗凡,梁雪松,肖勇,等.硫酸酸化氟硅酸鈉制備四氟化硅和無水氟化氫的方法:中國, 101948114[P].2010-10-13.

        [5]鹽田英司,山本和明.弗化水素及ひ四弗化珪素の制造方法:JP, 63139001[P].1988-06-10.

        [6]多賀俊幸,鹽田英司,小田切泰樹.弗化水素及ひ四弗化珪素の制造方法:JP,1- 153501[P].1989-06-15.

        [7]何建祥,余福元,魏超,等.一種工業(yè)化連續(xù)制備四氟化硅的方法:中國, 101693537[P].2010-04-14.

        [8]張月和,薛明,李青娟,等.一種制備四氟化硅的方法:中國, 101544374[P].2009-09-30.

        [9]Guido A,Angelo B,Vito C,et al.Process for the production of silicon tetrafluoride:US, 4900530[P].1990-03-13.

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        [11]楊建松,陳德偉,栗廣奉,等.一種硫酸石英砂閉環(huán)生產(chǎn)四氟化硅的方法:中國, 102134078[P].2011-07-27.

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