李深旺,張國(guó)慶,郭志忠,于文斌,宋 平,黃華煒
(1.哈爾濱工業(yè)大學(xué)電氣工程及自動(dòng)化學(xué)院,150001哈爾濱;2.國(guó)網(wǎng)上海市電力公司,200122上海)
光學(xué)電流互感器(optical current transducer,OCT)基于法拉第磁光效應(yīng)測(cè)量電流,其實(shí)質(zhì)是沿傳感光路的磁場(chǎng)積分[1-2].按照傳感光路結(jié)構(gòu)的不同,光學(xué)電流互感器可分為閉合光路型光學(xué)電流互感器和直通光路型光學(xué)電流互感器.直通光路型光學(xué)電流互感器采用磁光玻璃作為光學(xué)傳感材料,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,可以有效解決光學(xué)電流互感器存在的測(cè)量精度的溫度漂移和長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定性差的問(wèn)題,極具實(shí)用前景[3-7].
直通光路型光學(xué)電流互感器面臨著抗外磁場(chǎng)干擾能力差的問(wèn)題.安培環(huán)路定律的要點(diǎn)是閉合環(huán)路,而直通光路型光學(xué)電流互感器的光路被分割為若干分離的直線段,變成離散環(huán)路,失去了連續(xù)閉合性,屬于離散環(huán)路磁場(chǎng)積分范疇,不滿足安培環(huán)路定律[8],因此,其抗外磁場(chǎng)干擾能力較差.抗外磁場(chǎng)干擾能力差成為阻礙直通光路型光學(xué)電流互感器實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)障礙.目前解決這一問(wèn)題的主要方法有:磁屏蔽技術(shù)、集磁環(huán)聚磁技術(shù)、傳感頭結(jié)構(gòu)優(yōu)化、差分式傳感技術(shù)等[3,9-14].這些方法可以取得一定的抑制外磁場(chǎng)干擾的效果,但效果有限,不能從根本上解決直通光路型光學(xué)電流互感器抗外磁場(chǎng)干擾能力差的問(wèn)題.
文獻(xiàn)[12-13]研究了安培環(huán)路定律的等價(jià)解環(huán)條件:特定條件下離散環(huán)路的磁場(chǎng)積分仍滿足安培環(huán)路定律.本文在文獻(xiàn)[12-13]的基礎(chǔ)上研究正多邊離散環(huán)路磁場(chǎng)積分問(wèn)題,對(duì)離散安培環(huán)路定律進(jìn)行了初探,并定義了離散環(huán)路磁場(chǎng)積分的兩個(gè)模型:正多邊離散環(huán)路Sm模型和Sm正分布的mSm模型,通過(guò)對(duì)兩種模型零和P點(diǎn)特性的研究,提出了Sm模型的零和定理、mSm模型的互易定理,形成了以零和P點(diǎn)為基點(diǎn)的、仍然遵守安培環(huán)路定律的正多邊離散環(huán)路磁場(chǎng)積分理論體系,為光學(xué)電流互感器的零和御磁技術(shù)奠定了重要的理論基礎(chǔ).本文的研究為解決直通光路型光學(xué)電流互感器的抗外磁場(chǎng)干擾技術(shù)難題提供新的方法.
離散環(huán)路磁場(chǎng)積分問(wèn)題來(lái)自光學(xué)電流互感器抵御外磁場(chǎng)干擾的零和御磁技術(shù)[12-13].與磁屏蔽技術(shù)不同,零和御磁技術(shù)不是阻止外磁場(chǎng)的進(jìn)入,而是讓其進(jìn)入但失去干擾作用,簡(jiǎn)捷有效,如圖1所示.
圖1 零和御磁技術(shù)與磁屏蔽技術(shù)的不同
安培環(huán)路定律表明,磁場(chǎng)環(huán)路積分與環(huán)路外的電流無(wú)關(guān),即
式中:B為磁感應(yīng)強(qiáng)度;P為載流導(dǎo)體置放點(diǎn);L為閉合環(huán)路;μ0為真空磁導(dǎo)率;Ⅰ為環(huán)內(nèi)電流.
約定1:離散環(huán)路.保留了若干相互分離有向線段(直線或者曲線)lk(k=1,2,…,m)的環(huán)路,記作L.
約定2:參考方向.相對(duì)離散環(huán)路L內(nèi)的任意點(diǎn),逆時(shí)針?lè)较驗(yàn)橛邢蚓€段正方向,如圖2(a)所示.
約定3:P點(diǎn)、P點(diǎn)張角.P點(diǎn)是置放載流導(dǎo)體的幾何點(diǎn);P點(diǎn)張角是P點(diǎn)向有向線段兩個(gè)端點(diǎn)張開(kāi)的角度,記為αk(k=1,2,…,m),簡(jiǎn)稱張角.如圖2(b)所示.
約定4:張角符號(hào).張角αk(k=1,2,…,m)的符號(hào)為沿有向線段lk的磁場(chǎng)積分符號(hào),即
在式(2)約束條件下,對(duì)于環(huán)內(nèi)P點(diǎn),有
圖2 離散環(huán)路
約定5:零和P點(diǎn).滿足下式的P點(diǎn)為零和P點(diǎn),零和P點(diǎn)是對(duì)離散環(huán)路磁場(chǎng)積分不起作用的幾何點(diǎn).顯然,在上述約定下零和P點(diǎn)存在且只存在于離散環(huán)路之外.
在1.1節(jié)的約定下,容易理解如下的離散安培環(huán)路定律.
離散安培環(huán)路定律:若環(huán)外電流置放在零和P點(diǎn)上,離散環(huán)路磁場(chǎng)積分可表達(dá)為
其中:μ0為磁導(dǎo)率,Ⅰ為環(huán)內(nèi)電流.
定義1正多邊離散環(huán)路模型.Sm(m≥2)表示m條有向線段組成的離散環(huán)路,并滿足以下條件:1)有向線段lk(k=1,2,…,m),隔邊相望,取正2m邊形的m條邊;2)有向線段方向遵守1.1節(jié)的約定2.
約定6:Sm坐標(biāo)系.Sm坐標(biāo)系原點(diǎn)取其中心點(diǎn)O,橫軸為原點(diǎn)O與某一有向線段li中點(diǎn)的連線.
約定7:P線、P線角.P線是Sm原點(diǎn)O指向環(huán)外P點(diǎn)的矢量;P線與Sm橫軸x的夾角θ叫P線角.
約定8:零和P線、無(wú)向零和P線.零和P線是零和P點(diǎn)對(duì)應(yīng)的P線;不考慮方向的零和P線為無(wú)向零和P線.
約定9:線段角.Sm原點(diǎn)0向有向線段兩個(gè)端點(diǎn)張開(kāi)的角度,記為φ,顯然有
如圖3所示的Sm模型,對(duì)于環(huán)外任意P點(diǎn),有
其中:R為Sm外接圓半徑,P為P線幅值.
圖3 Sm模型
由于
因此
將式(8)展開(kāi)
考慮到
可得到張角向量
令
顯然有
由式(12)可得
對(duì)式(13)證明如下:對(duì)于以下的復(fù)因子序列
設(shè)式(14)的C積和是復(fù)因子以Ckm方式相乘后的累加,記作Ckm{e±jδ},上標(biāo)k叫C積和的階,k是復(fù)因子序列{e±jδ}的維數(shù),也是C積和的最大階數(shù),δk是角度,約定C0m{e±jδ}=1.若復(fù)因子序列{e±jδ}的角度序列為
等分圓周,即滿足條件
則C積和的取值為
若復(fù)因子序列{e±jδ}的元素對(duì)應(yīng)的函數(shù)為
且序列{δ}等分圓周,即滿足式(15),根據(jù)Euler公式有
得到
因此
注意到
如此可得
即為
再根據(jù)Euler公式,得到
證明完畢.
定理1零和定理.對(duì)Sm模型,滿足如下P線角關(guān)系的2m條P線為零和P線.
證明容易理解如下等價(jià)關(guān)系:
結(jié)合式(13),可得
考慮M的取值,上式等價(jià)為
就是
于是
將上式展開(kāi),并劃分為如下兩個(gè)集合:
考察發(fā)現(xiàn),兩個(gè)集合可統(tǒng)一記作式(26)的形式.證明完畢.
推論Sm模型有m條無(wú)向零和P線.
證明根據(jù)式(26),有即第m+k條和第k條零和P線的方向相反.因此Sm有m條無(wú)向零和P線.根據(jù)零和定理知道,Sm模型的零和P線具有如下基本性質(zhì):1)零和P線由且僅由P線角決定;2)有向線段端點(diǎn)與Sm原點(diǎn)的連線是零和P線的一部分;3)零和P線在離散環(huán)路外的任意點(diǎn)都是零和P點(diǎn).
本節(jié)以m=6為例,討論Sm模型及零和定理在零和御磁技術(shù)中的應(yīng)用.圖4為S6模型的示意圖.取6塊相同的磁光玻璃材料按照S6模型布置,即6塊磁光玻璃的傳感光路分別與S6模型的有向線段l1、l2、l3、l4、l5、l6重合,磁光玻璃的通光方向與約定2的方向相同,從而構(gòu)成S6結(jié)構(gòu)OCT.下面分析S6模型的零和御磁問(wèn)題.
圖4 S6模型
由式(26)可知,S6模型有12條零和P線,這些零和P線將圓周均勻分割為12等份,如圖4所示.將待測(cè)電流ic布置于OCT的中心、干擾電流ig布置于OCT的零和P線上,則OCT對(duì)待測(cè)電流ic產(chǎn)生磁場(chǎng)Bc的積分結(jié)果為
OCT對(duì)干擾電流ig產(chǎn)生磁場(chǎng)Bg的積分結(jié)果為
由式(27)、(28)可見(jiàn),干擾電流ig產(chǎn)生的磁場(chǎng)Bg對(duì)OCT的測(cè)量結(jié)果沒(méi)有貢獻(xiàn),這意味著干擾電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)雖然可以通過(guò)OCT的內(nèi)部但完全失去了干擾作用,采用零和御磁技術(shù)設(shè)計(jì)的OCT可以實(shí)現(xiàn)對(duì)待測(cè)電流ic的無(wú)干擾測(cè)量.
Sm模型適用于存在一個(gè)或多個(gè)干擾電流情況下對(duì)待測(cè)電流的抗干擾測(cè)量.
定義2Sm正對(duì)稱分布模型mSm.mSm是m個(gè)相同Sm組成的幾何圖形,每個(gè)mSm的原點(diǎn)為正m邊形的一個(gè)頂點(diǎn),且滿足不重疊條件
其中:D為相鄰Smk中心點(diǎn)的距離.mSm模型描述m個(gè)Sm同時(shí)存在的正對(duì)稱分布情況.
mSm每個(gè)頂點(diǎn)有m-1條頂點(diǎn)連接線,它們將內(nèi)角分割為m-2個(gè)相等的角,取值為
顯然,此角度恰好等于式(6)的線段角φ,完全吻合地放置頂點(diǎn)為原點(diǎn)的Sm.一個(gè)Sm有m條無(wú)向零和P線,其中的m-1條線為mSm頂點(diǎn)間的連接線,剩余1條是mSm外接圓在頂點(diǎn)的切線.如此,任意Sm原點(diǎn)都處在所有其他Smk(k=1,2,…,m;k≠i)零和P線的交點(diǎn)上.這樣,如果mSm中任意兩個(gè)Sm互換位置,必然是原點(diǎn)與零和P點(diǎn)的互換.
定理2互易定理.如果mSm中任意兩個(gè)Sm位置互換,則原點(diǎn)與零和P點(diǎn)互換:其中一個(gè)Sm的原點(diǎn)成為另一個(gè)Sm的零和P點(diǎn),反之亦然.
本節(jié)以m=6為例,討論mSm模型及互易定理在零和御磁技術(shù)中的應(yīng)用,6S6模型的示意圖如圖5所示.
將6個(gè)S6結(jié)構(gòu)的OCT按照6S6模型布置,即:將6個(gè)S6結(jié)構(gòu)的OCT布置于正六角形的6個(gè)頂點(diǎn),各個(gè)頂點(diǎn)與S6模型OCT的中心重合,調(diào)整各個(gè)OCT的安裝角度使其滿足定理2,從而構(gòu)成6S6結(jié)構(gòu)的OCT組合.下面分析6S6模型的零和御磁問(wèn)題.
圖5 6S6模型
將6個(gè)待測(cè)電流ij(j=1,2,…,6)分別布置于6個(gè)S6結(jié)構(gòu)OCT的中心,則對(duì)于任意一個(gè)S6結(jié)構(gòu)OCT而言,其他5個(gè)電流都是干擾電流,但是這5個(gè)干擾電流都位于它的零和P線上.以S61為例,i1為待測(cè)電流,其他電流為干擾電流,則S61對(duì)待測(cè)電流i1產(chǎn)生磁場(chǎng)B1的積分結(jié)果為
對(duì)干擾電流ij(j=2,3,4,5,6)產(chǎn)生磁場(chǎng)Bj的積分結(jié)果為
由式(31)、(32)可見(jiàn),干擾電流ij產(chǎn)生的磁場(chǎng)Bj對(duì)S61的測(cè)量結(jié)果沒(méi)有貢獻(xiàn),這意味著干擾電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)雖然可以通過(guò)OCT的內(nèi)部但完全失去了干擾作用,采用零和御磁技術(shù)設(shè)計(jì)的OCT可以實(shí)現(xiàn)對(duì)待測(cè)電流i1的無(wú)干擾測(cè)量.同理可知,該結(jié)論對(duì)于S6j(j=2,3,4,5,6)同樣成立,此處不再贅述.
mSm模型適用于對(duì)多個(gè)電流進(jìn)行測(cè)量且各個(gè)待測(cè)電流互為干擾電流的情況.
定義3拓展Sm模型.若端點(diǎn)位置不變,無(wú)論有向線段lk(k=1,2,…,m)形狀如何,都屬Sm模型,也稱為拓展Sm模型.
本定義意味著Sm模型的有向線段可以是直線、圓弧和任意曲線,如圖6所示.
定義4拓展mSm模型.拓展Sm對(duì)應(yīng)的mSm為拓展mSm模型.
磁場(chǎng)積分只依賴線段兩端向P點(diǎn)張開(kāi)的角度,因此拓展Sm模型和拓展mSm模型完全遵守零和定理以及互易定理.
圖6 拓展Sm模型
1)分析了直通光路型光學(xué)電流互感器抗外磁場(chǎng)干擾能力差的根本原因,提出了一種零和御磁技術(shù)解決方法.若離散環(huán)路外P點(diǎn)的張角之和為零,則離散環(huán)路的磁場(chǎng)積分與安培環(huán)路定律具有類(lèi)似形式,這就是離散安培環(huán)路定律.
2)研究了正多邊離散環(huán)路Sm模型和Sm正對(duì)稱分布的mSm模型,提出了關(guān)于離散環(huán)路磁場(chǎng)積分的兩個(gè)重要定理:零和定理和互易定理.零和定理的實(shí)質(zhì)是Sm模型下的離散安培環(huán)路定律;互易定理表達(dá)mSm模型中所有Sm共同遵守離散安培環(huán)路定律之條件.分析結(jié)果表明,光學(xué)電流互感器按照兩個(gè)定理設(shè)計(jì)時(shí),干擾電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)可以進(jìn)入光學(xué)電流互感器內(nèi)部但失去干擾作用.
3)零和定理和互易定理形成了正多邊離散環(huán)路磁場(chǎng)積分理論體系,是光學(xué)電流互感器的零和御磁技術(shù)的重要理論基礎(chǔ),為解決直通光路型光學(xué)電流互感器的抗外磁場(chǎng)干擾技術(shù)難題提供了有益的思路.
[1]Emerging Technologies Working Group.Optic current transducer for power systems:a review[J].IEEE Transactions on Power Delivery,1994,9(4):1778-1788.
[2]KUCUKSARI S,KARADY G G.Experimental comparison of conventional and optical current transformers[J].IEEE Transactions on Power Delivery,2010,25(4):2455-2463.
[3]張國(guó)慶.光學(xué)電流互感器的理論與實(shí)用化研究[D].哈爾濱:哈爾濱工業(yè)大學(xué),2005.
[4]于文斌.光學(xué)電流互感器光強(qiáng)的溫度特性研究[D].哈爾濱:哈爾濱工業(yè)大學(xué),2005.
[5]陳金玲,李紅斌,劉延冰,等.一種提高光學(xué)電流互感器溫度穩(wěn)定性的新方法[J].電工技術(shù)學(xué)報(bào),2009,24(4):97-101.
[6]王佳穎,郭志忠,張國(guó)慶,等.光學(xué)電流互感器長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定性的試驗(yàn)研究[J].電網(wǎng)技術(shù),2012,36(6):37-41.
[7]孫如京,王紅星,于文斌,等.自愈光學(xué)電流互感器技術(shù)及其工程應(yīng)用[J].廣東電力,2012,25(1):100-104.
[8]馮慈璋.電磁場(chǎng)[M].北京:高等教育出版社,2011.
[9]NIEWCZAS P,MADDEN W I,MICHIE W C,et al.Magnetic crosstalk compensation for an optical current transducer[J].IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement,2001,50(5):1071-1075.
[10]李紅斌,陳慶,劉延冰,等.相間磁干擾對(duì)點(diǎn)式光學(xué)電流互感器影響的研究[J].傳感器技術(shù),2004,23(4):16-18.
[11]PERCIANTE C D,F(xiàn)ERRARI J A.Magnetic crosstalk minimization in optical current sensors[J].IEEE Transaction son Instrumentation and Measurement,2008,57(10):2304-2308.
[12]路忠峰.御磁技術(shù)及其在光學(xué)電流傳感器中的應(yīng)用研究[D].哈爾濱:哈爾濱工業(yè)大學(xué),2008.
[13]路忠峰,郭志忠.磁場(chǎng)環(huán)路積分的等價(jià)解環(huán)[J].哈爾濱工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào),2008,40(11):1781-1784.
[14]于文斌,張國(guó)慶,路忠峰,等.光學(xué)電流互感器的抗干擾分析[J].電力系統(tǒng)保護(hù)與控制,2012,40(12):8-12.