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        HP40合金表面原位制備復(fù)合氧化層

        2013-08-13 07:25:00劉京雷任衍倫
        中國有色金屬學(xué)報(bào) 2013年1期
        關(guān)鍵詞:尖晶石氧分壓氧化物

        顏 磊,劉京雷,徐 宏,任衍倫

        (華東理工大學(xué) 機(jī)械與動(dòng)力工程學(xué)院 化學(xué)工程聯(lián)合國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,上海 200237)

        高鉻鎳合金材料由于其優(yōu)異的綜合性能被廣泛用于高溫和腐蝕環(huán)境中。在固體燃料電池(SOFC)中,部分鐵素體不銹鋼由于制造成本低、導(dǎo)電和導(dǎo)熱性高被用作連接材料[1]以替代陶瓷材料;在石油化工業(yè)中,HP40等合金因其優(yōu)異的高溫力學(xué)和抗腐蝕性能被用來制備乙烯裂解爐管[2];在核電工業(yè)中,一些鎳基超級(jí)合金被考慮用作高溫結(jié)構(gòu)件,如中間換熱器和高溫氣體輸送管道[3]。這些材料在服役過程中常常面臨著苛刻條件:高溫、氧化、滲碳或脫碳。例如在 SOFC中,高溫氧化導(dǎo)致部件尺寸變化和質(zhì)量損失引起密封問題,并且會(huì)在材料表面生成導(dǎo)電率低的 Cr2O3氧化層。特別是在 SOFC工作時(shí),Cr2O3會(huì)被進(jìn)一步氧化為揮發(fā)性高的六價(jià)鉻氧化物 CrO3及氫氧化物CrO2(OH)2[4],降低電池的性能。在乙烯裂解過程中,裂解爐管內(nèi)表面的滲碳和結(jié)焦會(huì)阻礙熱量的傳遞、降低產(chǎn)率以及縮短爐管壽命,從而制約裝置長(zhǎng)周期正常運(yùn)行,而且Fe、Ni元素本身就是催化結(jié)焦的催化劑[5]。

        目前,在合金表面制備尖晶石涂層是有效解決此類問題的手段之一。在合金表面覆蓋一層尖晶石結(jié)構(gòu),可以將合金基體與外界環(huán)境隔開,以避免基體進(jìn)一步被腐蝕。無論是在氧化還是滲碳環(huán)境中,尖晶石結(jié)構(gòu)都比Cr2O3穩(wěn)定,且不易分解[6]。QU等[7]采用粉末燒結(jié)法制備出了一系列的 Mn-Cr、Ni-Cr和Co-Cr尖晶石,對(duì)其性能研究結(jié)果表明,與Cr2O3相比,此類尖晶石結(jié)構(gòu)熱膨脹系數(shù)與合金基體的差異更小,電阻率更低,抗氧化性更強(qiáng)。Nova化學(xué)公司[8]的 ANK 400抑制結(jié)焦技術(shù),利用混合氣體對(duì)爐管進(jìn)行表面氧化處理,在內(nèi)表面制備了一層 MnxCr3?xO4(0.5≤x≤2)的尖晶石層。該技術(shù)在工業(yè)運(yùn)用過程中取得顯著效果:爐管第1次清焦周期最長(zhǎng)可達(dá)450 d,是普通爐管的10倍;在第4次運(yùn)行中,清焦周期仍超過150 d。

        目前,尖晶石的制備方法主要側(cè)重于粉末燒結(jié)法,在低氧分壓中原位氧化法制備MnCr2O4尖晶石其及形成機(jī)理的報(bào)道較少。為此,本文作者在 H2/H2O氣氛所形成的低氧分壓條件下,在HP40合金試樣表面制備出復(fù)合氧化層:外層MnCr2O4尖晶石抗氧化層、中間Cr2O3修復(fù)層和SiO2擴(kuò)散障層,并探討各層形成機(jī)理和作用。

        1 實(shí)驗(yàn)

        1.1 氧化試驗(yàn)

        試驗(yàn)所用HP40合金成分見表1,將合金線切割為20 mm×10 mm×2 mm的試樣,用180號(hào)至800號(hào)碳化硅砂紙依次打磨并拋光,然后用丙酮在超聲中洗凈備用。

        試驗(yàn)裝置圖如1所示,氧化爐為OTF?1700管式爐。水浴槽溫度為20 ℃,此溫度下進(jìn)入到反應(yīng)爐中的混合氣體中水蒸汽的含量為 2%。氧化溫度分別為900、1 000、1 100和1 200 ℃。升溫前,只打開閥門1,待裝置中空氣排盡后,只打開閥門2,并將 H2的流量調(diào)至50 mL/min,升溫速率為10 ℃/min,至預(yù)定溫度后保溫10 h,然后在氫氣中隨爐冷卻。

        表1 HP40合金成分Table 1 Chemical composition of HP40 alloy (mass fraction,%)

        圖1 氧化試驗(yàn)裝置圖Fig. 1 Schematic diagram of oxidizing test apparatus

        1.2 氧化層的表征

        采用金相顯微鏡對(duì)HP40合金試樣原始組織進(jìn)行觀察,采用XRD和EDS對(duì)氧化膜進(jìn)行物相和成分進(jìn)行分析,采用 SEM 對(duì)氧化膜的形貌進(jìn)行表征,采用EDS線掃描和面掃描分析試樣截面上元素分布及含量的變化。采用顯微硬度計(jì)測(cè)量基體和氧化層的顯微硬度,選用載荷為300 N,保持時(shí)間為40 s,結(jié)果取10次的平均值。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 HP40合金試樣原始組織

        試樣金相組織(王水腐蝕)如圖 2所示。試驗(yàn)所用的HP40合金,屬于離心鑄造用鋼管,緩慢冷卻時(shí),室溫微觀組織應(yīng)是奧氏體+共晶體(r+M23C6),但由于離心鑄造冷卻的速度很快,凝固為非平衡過程,使得先結(jié)晶的 M7C6型碳化物來不及轉(zhuǎn)變成 M23C6型碳化物。因此,在室溫下鑄態(tài)組織只能是過飽和的奧氏體+共晶體(r+M23C6+ M7C6),共晶碳化物主要有骨架狀和塊狀兩種形態(tài),骨架狀分布在晶界上,塊狀分布在枝晶間[2]。

        圖2 HP40合金試樣的金相組織Fig. 2 Metallurgical structure of HP40 alloy

        2.2 氧化壓的計(jì)算

        合金的高溫氧化過程非常復(fù)雜,首先發(fā)生氧在金屬表面的吸附,其后發(fā)生氧化物形核,晶核沿橫向生長(zhǎng)形成連續(xù)的薄氧化膜,氧化膜沿著垂直于表面方向生長(zhǎng)使其厚度增加[9]。其他條件一定時(shí),合金在不同的氧分壓會(huì)發(fā)生選擇性的氧化[10?11]。由 Ellingham-Richardson[9]圖可知,在一定的氧分壓范圍內(nèi),F(xiàn)e、Ni、Cr和Mn形成的氧化物分別是FeO、NiO、Cr2O3和MnO。當(dāng)溫度一定時(shí),Mn、Cr形成其氧化物所需的氧分壓比 Fe、Ni低得多。如果氧分壓位于 FeO、NiO 與Cr2O3、MnO之間時(shí),便會(huì)發(fā)生選擇性氧化,合金中只有Mn、Cr氧分物生成。最后Mn、Cr氧化物通過進(jìn)一步的固相反應(yīng)生成 MnxCr3?xO4尖晶石結(jié)構(gòu)[12]。

        根據(jù)熱力學(xué)數(shù)據(jù)[13],不同溫度下 H2/H2O混合氣體的氧分壓以及不同氧化物的分解壓如表2所列。

        2.3 表面氧化層形貌與溫度的關(guān)系

        不同溫度下氧化10 h后,在HP40合金表面生成的氧化層的表面形貌如圖3所示。由圖3可見,當(dāng)氧化溫度為900 ℃時(shí),試樣表面主要為針狀的氧化物,隨著溫度的升高,針狀氧化物逐漸減少,顆粒狀氧化物逐漸增多(見圖3(b))。由圖3(c)可以清楚地看到,針狀的尖晶石中間有顆粒狀的尖晶石出現(xiàn)。當(dāng)氧化溫度為1 200 ℃時(shí),試樣表面被致密、顆粒狀的氧化物所覆蓋,顆粒尺寸小于1 μm,外形較為規(guī)則(見圖3(d))。表面氧化層物相截面分析

        表2 不同溫度對(duì)應(yīng)的氧分壓Table 2 Oxygen partial pressure at different temperatures

        圖3 不同氧化溫度下HP40合金表面氧化層的SEM像Fig. 3 SEM images of oxide scale surface of HP40 alloy oxidized for 10 h at different temperatures: (a)900 ℃; (b)1 000 ℃;(c)1 100 ℃; (d)1 200 ℃

        圖4所示為不同氧化溫度下HP40合金表面氧化層的XRD譜。由圖4可見,在不同的氧化溫度下,試樣表面的氧化層由MnCr2O4和Cr2O3組成。圖5所示為氧化溫度分別從900 ℃到1 200 ℃時(shí)試樣表面的EDS譜。由圖5可見,在900 ℃時(shí),試樣表面含有少量Ni元素,但隨著溫度的升高,Ni元素逐漸消失;在1 200 ℃時(shí),試樣表面主要只有O、Cr和Mn元素,Cr和Mn的原子比約為2.8,表明在試樣表面生成了富Mn層。物相和截面分析表明,HP40合金經(jīng)低氧分壓高溫氧化處理后,試樣表面的形成了一層富 Cr、Mn貧Fe、Ni的氧化層。

        圖4 不同氧化溫度下HP40合金表面氧化層的XRD譜Fig. 4 XRD patterns of oxide scale on HP40 alloy oxidized at different temperatures

        圖5 不同氧化溫度下HP4合金試樣表面的EDS譜Fig. 5 EDS patterns of oxide scale on HP40 alloy oxidized at different temperatures: (a)900 ℃; (b)1 000 ℃; (c)1 100 ℃;(d)1 200 ℃

        由以上分析可知,氧化層的最外層是MnCr2O4尖晶石層,其下層為Cr2O3層,與文獻(xiàn)[14?15]結(jié)果相類似。這種結(jié)構(gòu)形成的主要原因是,不同的金屬氧化物在低氧分壓下的穩(wěn)定性不同,從而使合金發(fā)生了選擇性氧化。具體反應(yīng)過程可能如下:首先,在H2和H2O氣氛中進(jìn)行氧化時(shí),發(fā)生了形成具有氧化性—OH或者 O原子(氧化劑)的中間反應(yīng)[16],試樣表面的 Mn、Cr元素被—OH或O原子氧化,生成相應(yīng)的Mn、Cr氧化物;由于氧化物的尺寸比原子的尺寸大得多,因此在基體中不發(fā)生擴(kuò)散。其次,Mn、Cr元素由基體向表層擴(kuò)散,而Fe、Ni元素向反方向擴(kuò)散,導(dǎo)致表層富Mn、Cr而貧Fe、Ni元素,擴(kuò)散到表層的Mn、Cr被氧化,生成相應(yīng)的氧化物。最后,上述過程生成的Mn、Cr氧化物通過一系列復(fù)雜的固相反應(yīng),在合金的表面和近表面生成MnCr2O4尖晶石層,此尖晶石層阻礙—OH或O原子進(jìn)一步向內(nèi)部擴(kuò)散。由于合金中Cr元素的含量要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于Mn元素的含量,因此,會(huì)有過量Cr2O3位于MnCr2O4尖晶石的下層。

        Cr2O3層的存在對(duì) MnCr2O4尖晶石層具有一定的修復(fù)作用。在高溫滲碳或氧化環(huán)境中,一旦MnCr2O4尖晶石分解為Cr2O3和MnO,分解產(chǎn)物之一Cr2O3若進(jìn)一步形成 Cr的碳化物或者揮發(fā)性高的氧化物[17],而另一的產(chǎn)物MnO則與合金表面的中間Cr2O3層發(fā)生反應(yīng)又生成新的MnCr2O4尖晶石。這樣就大大減緩了繼續(xù)氧化的進(jìn)程,延長(zhǎng)了涂層的壽命。

        圖6所示為氧化溫度為1 200 ℃時(shí)試樣的EDS截面線掃描和面掃描圖。由圖6可見,試樣表面的氧化層的厚度約為7 μm;其中MnCr2O4尖晶石層和Cr2O3層約為5 μm,在其下層是Si以SiO2形式存在的富集層。SiO2是由 Si元素發(fā)生內(nèi)氧化而生成:基體中富集的Si元素被擴(kuò)散到基體內(nèi)部的—OH或O原子氧化,形成了 SiO2[18];當(dāng) Si元素的含量達(dá)到一定程度時(shí),便會(huì)形成連續(xù)的氧化膜[9],本實(shí)驗(yàn)中SiO2膜層厚度約為2 μm,該SiO2膜主要起到擴(kuò)散障層的作用[16]。由于基體與表面氧化層中元素濃度很不均勻,存在很大的濃度梯度,在高溫中有擴(kuò)散的趨勢(shì),因此,SiO2膜的存在可以有效地阻礙基體和氧化層中元素的擴(kuò)散。

        2.5 氧化層的硬度分析

        圖7所示為基體和氧化層的壓痕圖,基體與氧化層的顯微硬度分別為215 HV和991 HV。由圖7可見,基體的壓痕輪廓清析分明,且10次結(jié)果波動(dòng)范圍?。谎趸瘜拥膲汉圯喞幻黠@,為典型的非金屬壓痕,10次結(jié)果波動(dòng)范圍很大,最小值為690 HV。

        圖7 基體和氧化層的壓痕圖Fig. 7 Indentation figures of matrix (a)and oxidation layer(b)

        3 結(jié)論

        1) 在H2和H2O所形成的低氧分壓環(huán)境中,當(dāng)溫度為900~1 200 ℃時(shí),在HP40合金試樣表面原位制備出 MnCr2O4尖晶石層。隨著溫度的升高,表層的MnCr2O4尖晶石逐漸增加,其形貌由針狀完全轉(zhuǎn)變?yōu)轭w粒狀,顆粒尺寸小于1 μm。當(dāng)溫度為1 200 ℃時(shí),試樣表面完全被致密、顆粒狀的MnCr2O4尖晶石所覆蓋。

        2) 由于低氧分壓下發(fā)生選擇性氧化,在表面為一層富Cr、Mn貧Fe、Ni元素氧化層,由表面及內(nèi)部分別為MnCr2O4尖晶石抗氧化層、Cr2O3自修復(fù)層(這兩層的總厚度約為5 μm)以及SiO2擴(kuò)散障層(厚度約為2 μm)。

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