摘要：采用基于密度泛函理論的第一性原理方法計(jì)算研究了HgOCuSe材料的電子結(jié)構(gòu)，發(fā)現(xiàn)費(fèi)米面主要由Se 4p Cu 3d和O 2p 電子組成。從鍵長(zhǎng)和拉普拉斯電子密度分布分析，得出Hg-O鍵為離子鍵而Cu-Se鍵為共價(jià)鍵。

關(guān)鍵詞：層結(jié)構(gòu)硫系化合物 費(fèi)米面 電子結(jié)構(gòu)

中圖分類號(hào)：O631文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：1674-098X（2012）08（c）-0016-02