孫瀅翔,杜 彪,吳建明
(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十四研究所,河北石家莊050081)
口面場(chǎng)分布函數(shù)的選擇是雙反射面天線賦形設(shè)計(jì)的關(guān)鍵問題之一。大量研究表明,口面場(chǎng)分布函數(shù)對(duì)賦形雙反射面天線的增益和近軸旁瓣起到?jīng)Q定作用[1]。
賦形雙偏置天線采用了偏置結(jié)構(gòu),消除了遮擋,其輻射性能比圓對(duì)稱反射面天線更好,但天線的非對(duì)稱性結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了天線加工成本增高,限制了該類天線的廣泛應(yīng)用。平方公里陣天線(SKA)[2]將由約3 300面15 m口徑的天線組成,要求天線的輻射性能優(yōu)異。巨大的需求數(shù)量可以使單個(gè)天線的加工成本降低,因此雙偏置格里高利天線是一種較為理想的天線形式。
圓對(duì)稱雙反射面天線口面場(chǎng)分布函數(shù)的研究已有許多文獻(xiàn)和論著介紹[1,3,4],主要是針對(duì)有遮擋的雙反射面天線進(jìn)行,而有遮擋的口面場(chǎng)分布函數(shù)并不適用于無遮擋雙偏置反射面天線的賦形設(shè)計(jì),因此需要對(duì)無遮擋形式的口面場(chǎng)分布函數(shù)進(jìn)行深入研究。
文獻(xiàn)[5]通過選取饋源方向圖和對(duì)稱面(中截面)口面場(chǎng)分布函數(shù),對(duì)天線主副反射面的對(duì)稱面曲線進(jìn)行賦形,通過構(gòu)造矢量函數(shù)[6]求得副反射面,再根據(jù)反射定律、等光程條件求得天線主反射面。
下面將固定對(duì)稱面上的口面場(chǎng)分布,改變天線的幾何參數(shù)來研究整個(gè)口徑面上口面場(chǎng)分布的變化。
對(duì)于雙偏置反射面天線,選定主反射面直徑DM、副反射面直徑Ds、主反射面焦距FM、主反射面對(duì)副反射面的凈距H及饋源照射半張角作為初始幾何參數(shù),即可計(jì)算出天線的其他幾何參數(shù)。
文獻(xiàn)[5]中選取 DM=15 m、Ds=2.9 m、FM=5.4 m、H=0.5 m、θm=55°對(duì)天線進(jìn)行賦形設(shè)計(jì),對(duì)稱面口面場(chǎng)分布函數(shù)為F(R )=1、F (R )=e-p( R /Rm)2、F (R )=[1- ( VmR/Rm)2]P(取Vm=0.85,P=0.75)。下面分2種情況研究幾何參數(shù)對(duì)整個(gè)口面上口面場(chǎng)分布的影響,第1種情況:DM不變,改變其他4個(gè)參數(shù)中的任何一個(gè)參數(shù),其他3個(gè)參數(shù)保持不變,依次改變Ds為2.8 m和3.0 m,F(xiàn)M為5.0 m 和5.8 m,H 為0.4 m 和0.6 m,θm為50°和45°,采用相同的對(duì)稱面口面場(chǎng)分布函數(shù)對(duì)天線進(jìn)行賦形設(shè)計(jì);第2種情況:DM不變,同時(shí)將 Ds、FM、H、θm變?yōu)?.8 m、5.0 m、0.6 m、50°,采用相同的對(duì)稱面口面場(chǎng)分布函數(shù)對(duì)天線進(jìn)行賦形設(shè)計(jì)。在上述2種情況下,對(duì)整個(gè)工作頻帶內(nèi)天線整個(gè)口面上的口面場(chǎng)分布進(jìn)行了計(jì)算,由于篇幅限制,僅給出在10 GHz頻率,DM=15 m、Ds=2.8 m、FM=5.0 m、H=0.6 m、θm=50°、口 面 場(chǎng) 函 數(shù) 為 F (R )=[1- ( VmR/Rm)2]P(取 Vm=0.85,P=0.75)時(shí)計(jì)算得到的口面能量分布結(jié)果和選用文獻(xiàn)[5]中參數(shù)、相同的口面場(chǎng)函數(shù)得到的口面能量分布的結(jié)果。圖1給出了上述2種幾何參數(shù)和2種方法計(jì)算的輻射方向圖,即分別使用GRASP 9軟件計(jì)算天線方向圖和口面場(chǎng)積分公式計(jì)算旋轉(zhuǎn)對(duì)稱口面場(chǎng)分布函數(shù)所形成的方向圖。
結(jié)果表明,不同幾何參數(shù)的天線其整個(gè)口面上的口面場(chǎng)分布、方向圖的增益和前幾個(gè)近軸旁瓣一致,口面場(chǎng)分布基本為圓對(duì)稱分布。僅通過選取對(duì)稱面口面場(chǎng)分布函數(shù),對(duì)天線對(duì)稱面曲線進(jìn)行賦形設(shè)計(jì),就可有效控制整個(gè)主反射面的口面場(chǎng)分布。因此,進(jìn)一步研究天線對(duì)稱面的口面場(chǎng)分布函數(shù)對(duì)雙偏置反射面天線的賦形設(shè)計(jì)是十分有意義的。
圖1 輻射方向圖計(jì)算結(jié)果對(duì)比
天線輻射方向圖獲得最大增益的條件是口面上具有等幅同相的場(chǎng)分布,但此時(shí)天線的第一旁瓣也達(dá)到最高。天線的增益和旁瓣特性是相互矛盾的,控制旁瓣的關(guān)鍵就是折中處理增益和旁瓣的關(guān)系,從而使天線既能提供較佳的增益又能提供滿足指標(biāo)要求的旁瓣。這就需要研究口面場(chǎng)分布函數(shù)對(duì)天線輻射方向圖影響,以便于選擇其最優(yōu)形式。
等幅余弦口面分布表達(dá)式如下:
式中,r=R/Rm為歸一化半徑,τ為常數(shù)。
取 τ=0.2,分別取 ρ=0.6、ρ=0.4、ρ=0.2,對(duì)應(yīng)的口面場(chǎng)分布如圖2所示。
圖2 等幅余弦口面場(chǎng)分布
利用圖2中的口面場(chǎng)分布函數(shù)對(duì)天線進(jìn)行賦形設(shè)計(jì),在10 GHz頻率計(jì)算得到的輻射性能如表1所示。
表1 等幅余弦口面場(chǎng)分布的計(jì)算結(jié)果
表1中的結(jié)果表明,口面場(chǎng)分布愈不均勻,口面效率愈低,旁瓣也愈低。此結(jié)論與文獻(xiàn)[7]、文獻(xiàn)[8]中結(jié)論一致。
對(duì)口面場(chǎng)分布函數(shù)進(jìn)行了深入研究,其中具有代表意義的哈明口面場(chǎng)分布、冪函數(shù)口面場(chǎng)分布、指數(shù)口面場(chǎng)分布如圖3所示。
哈明口面場(chǎng)分布函數(shù)使用改造形式 F ( r)=0.7+0.3cos ( π r);冪 函 數(shù) 口 面 場(chǎng) 分 布 F (r)=(1 -T )(1 -r2)p+T (1 -r2)q,取 T=0.7、p=2、q=0;指數(shù)口面場(chǎng)分布F( r)=1-a1e-b1(1-r)- a2e-b2r,取 a1=0.6,a2=0.2,b1=4,b2=4。
圖3 其他幾種口面場(chǎng)分布圖
利用圖3中口面場(chǎng)分布函數(shù)對(duì)天線進(jìn)行賦形,在10 GHz頻率計(jì)算得到輻射性能如表2所示。
表2 其他幾種口面場(chǎng)分布的計(jì)算結(jié)果
表2中的結(jié)果表明哈明口面場(chǎng)分布函數(shù)產(chǎn)生的輻射方向圖第一旁瓣滿足低于-20 dB的要求,但效率偏低;冪函數(shù)和指數(shù)口面場(chǎng)分布函數(shù)產(chǎn)生的輻射方向圖第一旁瓣都高于-20 dB。以上口面場(chǎng)函數(shù)都不能滿足天線高增益和低旁瓣的要求。
圖4 天線輻射方向圖
通過利用相同的口面場(chǎng)函數(shù)對(duì)不同幾何參數(shù)的天線進(jìn)行賦形設(shè)計(jì),可得到幾乎一致的口面場(chǎng)分布,說明僅對(duì)天線的對(duì)稱面曲線進(jìn)行賦形,再通過構(gòu)造矢量函數(shù)求取整個(gè)副反射面,就可有效控制整個(gè)主反射面的口面分布,進(jìn)而獲得理想的輻射方向圖。
研究了賦形雙偏置格里高利天線口面場(chǎng)分布對(duì)輻射方向圖的影響,并針對(duì)SKA的實(shí)際需求給出了一種具有高效率、低旁瓣的改進(jìn)型余弦口面場(chǎng)分布函數(shù),研究的結(jié)果可應(yīng)用于指導(dǎo)雙偏置格里高利天線賦形設(shè)計(jì)。文中的無遮擋形式口面場(chǎng)分布函數(shù)亦適用于雙偏置卡塞格倫天線。
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