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        脈沖功率器件RSD熱阻的計(jì)算與研究*

        2012-06-11 09:46:58
        濰坊學(xué)院學(xué)報(bào) 2012年4期
        關(guān)鍵詞:管殼結(jié)溫熱阻

        尚 超

        (濰坊學(xué)院,山東 濰坊 261061)

        發(fā)熱及溫度分布的均勻性,對(duì)半導(dǎo)體功率器件參數(shù)的穩(wěn)定性、品質(zhì)的可靠性以及器件、整片集成電路乃至整機(jī)和系統(tǒng)的壽命都有不可忽視甚至是決定性的影響[1-3]。熱阻是半導(dǎo)體器件的重要技術(shù)指標(biāo)和特性,是器件熱特性的特征參數(shù),它與器件的電特性和機(jī)械特性密切相關(guān),與器件的額定電流、壓降和最高結(jié)溫等基本參數(shù)有定量關(guān)系。熱阻是分析器件質(zhì)量和應(yīng)用等諸多計(jì)算不可或缺的參數(shù)[4]。

        20世紀(jì)80年代末,前蘇聯(lián)阿·法·約物理科學(xué)研究院的格列霍夫等人提出了一種新型功率器件—反向開關(guān)晶體管(RSD,ReverselySwitchedDynistor)。它具有通流能力強(qiáng)、di/dt高、壽命長、成本低、損耗小、易于串、并聯(lián)使用等一系列優(yōu)點(diǎn),因而有著廣泛的應(yīng)用前景[5]。

        RSD是一種新型半導(dǎo)體器件,其結(jié)構(gòu)不同于常規(guī)的功率器件(如晶閘管、IGBT等),故有其特殊的工作原理[6]。目前還沒有關(guān)于RSD熱阻計(jì)算的報(bào)道。本文基于RSD特殊的工作方式,提出一種計(jì)算其熱阻的方法,設(shè)計(jì)并搭建了一定的輔助電路,計(jì)算得到了一定規(guī)格RSD的熱阻值。

        1 RSD的熱阻網(wǎng)絡(luò)模型

        圖1所示為RSD的基本結(jié)構(gòu)及工作原理圖。RSD是由數(shù)萬只非對(duì)稱排列的pnpn晶閘管和npn晶體管多單元并聯(lián)組成的二端結(jié)構(gòu),其正向如晶閘管斷態(tài),可承受數(shù)千伏的阻斷電壓。RSD的導(dǎo)通過程分反向預(yù)充和正向?qū)?,這兩個(gè)過程靠磁開關(guān)隔離。當(dāng)施一脈寬1~2μs,幅值1.5~2kA的反向預(yù)充電流后,RSD可以納秒級(jí)速度開通數(shù)十至數(shù)百千安的大電流。主電路和預(yù)充回路之間的磁開關(guān)除了隔離主電壓外,還可以提高開關(guān)的開通速度。RSD工作過程的詳細(xì)解釋參見文獻(xiàn)[5]。

        根據(jù)文獻(xiàn)[7],本文對(duì)RSD熱阻網(wǎng)絡(luò)模型的推導(dǎo)過程作簡要贅述。假定熱穩(wěn)定后RSD管殼的溫度保持不變,熱量沿?zé)崧穢=L并垂直于材料的橫截面積S流動(dòng),可由以下熱流偏微分方程解析這種一維散熱系統(tǒng):

        該方程的邊界條件為:

        式中,K為熱導(dǎo)率,ρ為材料密度,c為材料比熱,Pd(t)為半導(dǎo)體結(jié)的耗散功率,Tc為器件管殼溫度?,F(xiàn)用常量h把(1)式離散化:

        式中,h=L/n,取適當(dāng)?shù)膎值會(huì)得到較高的精度。令R=h/KS,C=hρcS,(2)式可改寫成:

        (3)式確定了RSD熱流系統(tǒng)的電熱模擬關(guān)系,ΔT對(duì)應(yīng)于電壓,Pd對(duì)應(yīng)于電流。圖2為RSD熱流系統(tǒng)的模擬電路示意圖。圖中R為熱阻,C為熱容。當(dāng)RSD結(jié)產(chǎn)生的熱量等于傳導(dǎo)走的熱量時(shí),器件就達(dá)到一種熱穩(wěn)定狀態(tài),在穩(wěn)態(tài)散熱過程,可以忽略熱容的影響,這時(shí)電路可簡化為純阻性,其熱冷端產(chǎn)生的溫差為:

        由此得RSD的熱阻網(wǎng)絡(luò)模型為:

        式中,Tj、Tc分別為RSD器件的結(jié)溫和殼溫,Pd是附加于器件上的功率。

        2 RSD熱阻測量原理

        器件熱阻包括結(jié)到管殼基準(zhǔn)點(diǎn)的熱阻、結(jié)到散熱器基準(zhǔn)點(diǎn)的熱阻、結(jié)到環(huán)境規(guī)定點(diǎn)的熱阻等。本文認(rèn)為RSD的熱阻由管芯熱阻、管芯管座接觸熱阻和管殼熱阻三部分組成。基于此,計(jì)算過程做以下假設(shè):(1)電流持續(xù)時(shí)允許熱量從管芯向其周圍邊界層擴(kuò)散;(2)測量殼溫時(shí),認(rèn)為其溫度分布是均勻的;(3)忽略溫度引起的硅器件傳導(dǎo)率和比熱的變化;(4)僅考慮由電流傳導(dǎo)引起的功率損耗。

        2.1 確定RSD熱敏參數(shù)(TSP)的電壓溫度方程

        根據(jù)半導(dǎo)體物理的理論,理想PN結(jié)的正向電流IF和正向電壓VF存在如下近似關(guān)系式:

        式中,q為電子電量,T為熱力學(xué)溫度,In為反向飽和電流,它是一個(gè)和PN結(jié)材料禁帶寬度以及溫度有關(guān)的系數(shù)??梢宰C明(忽略過程):

        式中,C是與PN結(jié)的結(jié)面積、摻雜濃度等有關(guān)的常數(shù),k為玻爾茲曼常數(shù),r在一定范圍內(nèi)也為常數(shù),Vg(0)是熱力學(xué)溫度為0K時(shí)PN結(jié)材料的導(dǎo)帶底與價(jià)帶頂?shù)碾妱莶?,?duì)于給定的PN結(jié)材料,Vg(0)是一個(gè)定值。將(7)式帶入(6)式,兩邊取對(duì)數(shù),整理后得:

        其中:

        (8)式是PN結(jié)正向壓降作為電流和溫度的函數(shù)表達(dá)式,它是PN結(jié)溫度傳感器的基本方程。實(shí)際情況下,VF與溫度成線性比例的部分V1對(duì)它的影響遠(yuǎn)大于非線性部分Vnr,故可以認(rèn)為在一定溫度范圍內(nèi),VF與溫度成線性比例關(guān)系。

        通過測量不同溫度下的RSD反向?qū)▔航担耄?)式可以得到RSD的相關(guān)熱敏方程。

        2.2 器件熱阻的估算

        給RSD施加反向電壓,使其反向以準(zhǔn)二極管模式導(dǎo)通,調(diào)節(jié)負(fù)載,使反向流過RSD的電流達(dá)到一定值,并保持一定的時(shí)間,使器件達(dá)到熱穩(wěn)定狀態(tài),用紅外測溫儀測得器件表面溫度Tc,同時(shí)測得該溫度下器件兩端壓降,結(jié)合熱敏方程,計(jì)算此時(shí)器件結(jié)溫Tj,將各參數(shù)帶入(5)式,可得到器件的熱阻值。

        多次重復(fù)上述過程,得到多個(gè)熱阻值,取其平均值作為RSD的等效熱阻值。

        3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析

        實(shí)驗(yàn)用RSD為單片管芯封裝,直徑16mm,耐壓1.5kV。將RSD放在加熱爐內(nèi)加熱足夠長時(shí)間,使結(jié)溫達(dá)到預(yù)設(shè)溫度,給器件通短時(shí)(以免因電流熱效應(yīng)影響測量精度)、大小為32A的電流,測其兩端的電壓降,數(shù)據(jù)記錄如表1。

        圖3 估算器件結(jié)溫電路原理圖

        表1 32A電流下器件的溫度和壓降

        由表1可知,電流一定時(shí),器件兩端壓降隨溫度升高而降低,當(dāng)溫度從30℃增至100℃時(shí),器件反向壓降從2.107V下降到1.831V,下降約0.276V。

        (9)式可改寫為:VF=A-BTj,將表1中的數(shù)據(jù)(溫度單位為開氏)帶入該式解得:A=2.801,B=0.0026。帶入得到RSD的熱敏溫度方程:

        圖3所示電路中的調(diào)壓器為浙江正泰電器股份有限公司生產(chǎn),型號(hào)為TDGC2-10,輸出容量為10kVA,輸出電流為0~250A。電感L為9.4mH。C是容量為3300μF的電解電容。直流負(fù)載箱為艾普斯電源(蘇州)有限公司生產(chǎn),其額定電壓為30VDC,額定電流為400ADC。

        待器件結(jié)溫冷卻至室溫后,按圖3所示搭建電路。給RSD通32A的反向電流,并持續(xù)一定時(shí)間,待器件達(dá)到熱平衡,用高精度數(shù)字萬用表測器件兩端電壓降,同時(shí)用紅外測溫儀測器件殼溫,進(jìn)行多次測量,數(shù)據(jù)記錄如表2。

        由表2中的數(shù)據(jù),結(jié)合方程(11),計(jì)算此時(shí)RSD的結(jié)溫為104.3℃,附加于器件上的功率P=32A×1.82V=58.24W,由公式(2)得:

        結(jié)果表明RSD器件的熱阻值較小,其較小的熱阻可使RSD在工作過程中產(chǎn)生的熱量及時(shí)傳導(dǎo)出去,保證RSD應(yīng)用于重頻脈沖功率領(lǐng)域而不至于因熱效應(yīng)損壞。

        表2 RSD的反向壓降隨結(jié)溫變化關(guān)系

        4 重復(fù)頻率下RSD結(jié)溫的估算

        為了估算重復(fù)頻率工作時(shí)RSD的結(jié)溫,設(shè)計(jì)并搭建了基于四倍壓充電的RSD重頻工作電路,結(jié)構(gòu)圖見圖4。此處忽略其工作過程的詳細(xì)說明。經(jīng)實(shí)驗(yàn)及仿真優(yōu)化,最終確定電路參數(shù):主電容C1為3μF,預(yù)充電容C2為0.22μF,負(fù)載RL為0.6Ω,耗能電阻R2為0.24Ω,電感L1為2μH。利用上述電路參數(shù),在1.2kV主電壓下得到了RSD的重復(fù)開通特性,見圖5。預(yù)充采用諧振式。RSD連續(xù)工作時(shí)間為20s(保證器件達(dá)到熱平衡)。

        實(shí)驗(yàn)結(jié)束后,用紅外測溫儀測得RSD的管殼溫度為58.4℃,對(duì)電壓電流波形積分得到RSD消耗的功率為8W。由圖5的波形可見,RSD工作電壓基本穩(wěn)定在1.2kV,隨著時(shí)間延長,電壓有輕微下降,這是因?yàn)殡娙莩潆娝俣炔粔蚩?,與脈沖形成速度不匹配。

        圖4 RSD重復(fù)頻率電路結(jié)構(gòu)

        圖5 500Hz下的RSD開通電壓特性

        把計(jì)算得到的熱阻值和實(shí)驗(yàn)所得數(shù)據(jù)代入式(5),可以得到器件在1.2kV主電壓下,以500Hz頻率工作20s時(shí)的結(jié)溫為60.8℃。這些結(jié)果表明RSD工作在重頻條件下,其結(jié)溫不會(huì)上升太高。因此,RSD是理想的脈沖功率開關(guān),工作頻率可大幅提高。

        5 結(jié)論

        本文利用熱阻網(wǎng)絡(luò)模型,根據(jù)RSD器件特殊的工作原理,提出了一種估算RSD熱阻的方法,輔以簡單的電路,計(jì)算得到了Φ16RSD的熱阻值為0.3℃/W。RSD較小的熱阻值使器件在工作中積累的熱量能夠及時(shí)散出,保證器件不會(huì)發(fā)生熱失效。在1.2kV主電壓下,得到了RSD工作在500Hz頻率下的波形,并計(jì)算出連續(xù)工作20s后的結(jié)溫為60.8℃。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,RSD器件可以連續(xù)工作于重復(fù)頻率脈沖功率領(lǐng)域。

        [1]Musallam M,Acarnley P P,Johnson M,etal.Real-time power electronic device junction temperature estimation[J].The Institution of Electrical Engineers,2004,(1):231-235.

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