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        太陽能土壤加熱系統(tǒng)在西瓜反季節(jié)栽培中的應用

        2012-06-06 05:52:16馬彥霞石建業(yè)張旦李春花葉丙鑫王劍
        長江蔬菜 2012年20期
        關鍵詞:單瓜主莖長勢

        馬彥霞 ,石建業(yè) ,張旦 ,李春花 ,葉丙鑫 ,王劍

        近年來,節(jié)能日光溫室西瓜栽培在半干旱區(qū)發(fā)展很快,栽培面積逐年擴大。西瓜屬喜溫性植物,整個生育期要求較高的溫度,但在我國北方地區(qū),冬季利用日光溫室種植西瓜,溫室內氣溫可滿足植物的生長要求,但由于地溫偏低,根系生長受阻,水分、養(yǎng)分吸收困難,造成作物生長狀況不佳,進而影響產(chǎn)量和效益。為此,本試驗在西瓜反季節(jié)栽培中應用太陽能土壤加熱系統(tǒng),以期解決這一問題,為反季節(jié)栽培西瓜提供良好條件。

        1 材料與方法

        1.1 試驗材料

        砧木選用新士佐南瓜,接穗選用京欣一號西瓜,接穗比砧木晚播3 d。當砧木苗具1片真葉時采用“十”字斜插接法進行嫁接。具體操作如下:先將砧木生長點用刀片刮凈,用竹簽(事先將竹簽前面1 cm削成扁平尖狀)在2片子葉中間由一側向另一側,以30°向下斜插0.7 cm,深度達苗莖斷面的2/3,用刀片將接穗苗在子葉下方2 cm處削成楔形,拔出竹簽,把接穗插進砧木,使砧木和接穗的子葉成“十”字形,用嫁接夾固定好。嫁接好的苗子用遮陽網(wǎng)遮光,3~4 d后早晚除掉遮陽網(wǎng)見光通風1 h,持續(xù)5~6 d(逐漸加長見光時間),7~8 d后可除掉遮陽網(wǎng),之后轉入正常管理。

        1.2 太陽能土壤加熱系統(tǒng)及試驗區(qū)設計

        ①太陽能土壤加溫系統(tǒng) 主要由太陽能集熱器、保溫儲熱水箱、散熱管、循環(huán)系統(tǒng)4部分組成。

        ②試驗區(qū)設計 按起壟標準先鋪好散熱管,使來回散熱管正好處于壟下(具體鋪法如圖1所示)。鋪好后整平地起壟,壟寬80 cm,壟高25 cm,壟心間距120 cm,壟中間挖寬20 cm,深1 cm的暗溝。

        試驗小區(qū)面積120 m2,試驗共設4個處理,1個對照,3次重復。處理Ⅰ(T1):地下20 cm深處埋散熱管;處理Ⅱ(T2):地下25 cm深處埋散熱管;處理Ⅲ(T3):地下 30 cm 深處埋散熱管;處理Ⅳ(T4):地下35 cm深處埋散熱管;對照(CK):無地熱管區(qū)。太陽能地熱系統(tǒng)運行時間為每天18:00至第2天8:00,每 2 h 循環(huán) 20 min。

        1.3 數(shù)據(jù)采集

        ①溫度測點布置 2010年10月至2011年5月在定西市旱農中心實驗農場日光溫室中進行定點測試。各試驗區(qū)分別設5個測溫點,用臺灣產(chǎn)AZ8829S溫濕度記錄儀記錄溫室氣溫,用直角地溫計測量地溫。地上1.5 m處布置1個室溫測量點,地溫測量點設在地面下15 cm處(根系周圍)。西瓜定植后每天采集一次數(shù)據(jù)。

        ②西瓜生長動態(tài)調查 從西瓜3葉1心開始(2011年1月20日),每10 d隨機在每個小區(qū)取樣10株,測定蔓長、主莖粗度,共測60 d。

        圖1 試驗區(qū)設計

        ③西瓜果實品質分析 選擇開花日期相同、子房大小相近、坐瓜節(jié)位一致、長勢相似的植株作為采樣株。自授粉之日起掛牌標記。果實成熟后隨機在每個小區(qū)取3個果,稱單瓜質量,取樣(采用4分法)。用手持糖度計測定可溶性固形物含量。

        2 結果與分析

        2.1 溫度變化

        試驗過程中,外界環(huán)境條件都是動態(tài)變化的,受天氣條件的影響,土壤溫度測試結果會有一定的差異,但總體趨勢不會有影響。選取天氣晴好的典型測定日2010年3月16~20日(5 d平均值)的測試結果為例進行討論。7:40揭簾,18:30蓋簾,晴天10:30 揭風口,16:30 蓋風口。

        從圖2可以看出,加溫并沒有影響土溫隨時間變化的規(guī)律。日光溫室室內溫度的變化幅度比地溫大,出現(xiàn)了3個峰值,而地溫的變化較平緩。9:00~17:00各處理的地溫變化不大,基本趨于穩(wěn)定。18:00~8:00各處理地溫都較對照有所升高,其中T4處理的地溫最高,比對照平均高2~3℃,T1處理最低??梢娞柲芡寥兰訙叵到y(tǒng)對土壤溫度影響較大。

        2.2 太陽能土壤加溫系統(tǒng)對西瓜蔓長和主莖粗度的影響

        圖2 日光溫室室內溫度與地下15 cm處地溫變化情況

        本研究采用立架栽培,單蔓整枝,坐果后摘心。從圖3可知,各處理的植株長勢優(yōu)于對照,蔓長與莖粗呈正相關。其中T4處理西瓜植株長勢較好,蔓長比同期對照長35.8 cm,主莖較對照粗0.3 cm。這表明太陽能土壤加溫系統(tǒng)能夠促進西瓜莖蔓增粗、植株長勢增強。

        2.3 太陽能土壤加溫系統(tǒng)對西瓜單瓜質量及可溶性固形物含量的影響

        從圖4可以得知,所有處理的單瓜質量和可溶性固形物含量均高于對照,其中T4處理的單瓜質量和可溶性固形物含量最高,分別為5.1 kg和12.5%,分別比同期對照高1.9 kg和1.3%。

        3 結論

        圖4 西瓜單瓜質量及可溶性固形物含量的變化

        綜上所述,在太陽能土壤加溫系統(tǒng)循環(huán)期間可提高地下 15 cm處溫度0.5~3℃,其中T4處理的效果最好,比對照地溫高2~3℃;T4處理長勢也較好,蔓長比對照長35.8 cm,主莖較對照粗0.3 cm,其單瓜質量和可溶性固形物含量也最高,分別為5.1 kg和12.5%。試驗結果表明,太陽能土壤加溫系統(tǒng)能夠增強西瓜植株長勢,提高西瓜產(chǎn)量和品質,特別是將散熱管埋設在距地面35 cm處時效果最好。

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