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        光電效應(yīng)與光伏效應(yīng)的區(qū)別與聯(lián)系

        2012-01-23 09:24:12
        物理通報(bào) 2012年10期
        關(guān)鍵詞:晶硅光電效應(yīng)光電子

        張 麗

        (保定天威薄膜光伏有限公司 河北 保定 071000)

        在光學(xué)學(xué)習(xí)過(guò)程中,光電效應(yīng)與光伏效應(yīng)是非常重要的兩個(gè)概念,理解兩者之間的聯(lián)系與區(qū)別對(duì)光學(xué)的學(xué)習(xí)至關(guān)重要.

        1887年H·赫茲研究電火花的紫外光照射在火花隙縫的負(fù)電極上時(shí),會(huì)有助于放電的現(xiàn)象,一年之后,德雷斯登的W·霍爾瓦克斯發(fā)現(xiàn)在光的影響下,物體會(huì)釋放出負(fù)電[1].后來(lái),就把光照射在金屬表面時(shí),金屬中有電子逸出的現(xiàn)象,稱為光電效應(yīng).所逸出的電子叫光電子[2].

        對(duì)于光電效應(yīng)的定義并不僅這一種,上述的表述只是其中之一.在《科學(xué)發(fā)現(xiàn)者 物理 原理與問(wèn)題》表述為:電磁輻射照射到物體上并使其發(fā)射電子的現(xiàn)象叫做光電效應(yīng)[3].然而,就在這本書的第743頁(yè)卻寫道,太陽(yáng)能電池板,就是利用光電效應(yīng)把太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能的,而我們卻知道,通常意義上的太陽(yáng)能板,是沒有電子逸出與收集的.

        為什么會(huì)出現(xiàn)這樣的情況呢?因?yàn)楣怆娦?yīng)的定義是來(lái)自實(shí)驗(yàn),而實(shí)驗(yàn)的本身,就有很多的局限性,比如,光的頻率,實(shí)驗(yàn)物體的選定,電子是否逸出等等,并沒有嚴(yán)謹(jǐn)?shù)亩x.不過(guò)目前,對(duì)光照射在金屬表面時(shí),金屬中有電子逸出的現(xiàn)象,大家更習(xí)慣稱之為外光電效應(yīng).

        一般來(lái)說(shuō),對(duì)于光電效應(yīng),大家可以理解為兩個(gè)過(guò)程.

        (1)電子對(duì)光的吸收過(guò)程.在這過(guò)程中,大家有這樣的共同理解:一是對(duì)于一定的金屬材料做成的電極,有一個(gè)確定的臨界頻率,低于此頻率,光電子不會(huì)逸出;二是逸出電子的末動(dòng)能大小取決于物體的材料特性以及光子的頻率,與光的強(qiáng)度無(wú)關(guān);三是入射光頻率高于臨界頻率,立刻就可以觀測(cè)到光電子(時(shí)間約為10-9s).

        (2)電子獲得光的能量之后的反應(yīng).電子逸出物體表面,而成為自由粒子,就是外光電效應(yīng),電子脫離原來(lái)原子核的束縛,成為在材料中的自由電子,就是內(nèi)光電效應(yīng),這與電子在原子的各束縛能級(jí)間的躍遷是有區(qū)別的.所以,太陽(yáng)能電池利用光電效應(yīng)發(fā)電,是一種籠統(tǒng)的說(shuō)法.

        對(duì)于光伏效應(yīng),下面結(jié)合晶硅太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu),闡述它的內(nèi)涵.如圖1.

        (a)晶體硅太陽(yáng)能電池 (b)晶硅電池結(jié)構(gòu)

        圖1

        晶體硅太陽(yáng)能電池制備時(shí),先在晶硅內(nèi)摻雜硼形成p型硅片,然后,在其一個(gè)表面重?fù)搅仔纬梢粚颖〉膎型硅,這樣做的結(jié)果就是在硅片的內(nèi)部形成了p-n結(jié).

        沒有光照時(shí),硅片中的自由電子從n型區(qū)向p型區(qū)擴(kuò)散,形成擴(kuò)散電流;n型區(qū)失去電子后呈現(xiàn)出正電荷特征,p型區(qū)由于得到電子呈現(xiàn)出負(fù)電荷特征,從而形成內(nèi)建電場(chǎng).內(nèi)建電場(chǎng)的形成與不斷壯大會(huì)阻礙電子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),直至達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài)為止.

        當(dāng)受到光照射時(shí),束縛電子吸收光的能量,脫離原來(lái)原子核的束縛,成為光電子在硅片中運(yùn)動(dòng),受p-n結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)的作用,p型區(qū)中的光電子穿過(guò)p-n結(jié),向n區(qū)漂移,電荷的積累導(dǎo)致p區(qū)電勢(shì)高于n區(qū)電勢(shì),從而,在背電極與前電極之間產(chǎn)生電壓,即光生伏特.

        通過(guò)以上敘述,我們可以知道,光生伏特效應(yīng)是用適當(dāng)?shù)墓庹丈浞蔷鶆虬雽?dǎo)體(p-n結(jié)等)時(shí),由于內(nèi)建電場(chǎng)的作用,半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象.由上述可知,光生伏特是內(nèi)光電效應(yīng)的一種特定表現(xiàn)形式.

        參考文獻(xiàn)

        1 (美)弗洛里安·卡約里著.戴念祖譯.物理學(xué)史.南寧:廣西師范大學(xué)出版社,1982.315

        2 姚啟鈞.光學(xué)教程.北京:人民教育出版社,1981.403

        3 (美)齊澤維茨(Zitzewitz, P. W.),等著.錢振華,等譯.科學(xué)發(fā)現(xiàn)者 物理原理與問(wèn)題下冊(cè).杭州:浙江教育出版社,2008.740,743

        4 劉恩科,朱秉升,羅晉生,等.半導(dǎo)體物理學(xué).北京:國(guó)防工業(yè)出版社,1997.271

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