〔摘 要〕本文以專利為切入點(diǎn)，應(yīng)用專利地圖技術(shù)，分析了我國閃存專利技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢，描摹我國閃存技術(shù)領(lǐng)域群雄爭霸的競爭格局圖，為把握閃存領(lǐng)域未來技術(shù)發(fā)展方向，搶占制高點(diǎn)，推進(jìn)我國閃存技術(shù)的跨越式發(fā)展盡一己之力。

〔關(guān)鍵詞〕專利地圖；閃存技術(shù)；現(xiàn)狀；趨勢分析

ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００８－０８２１．２０１０．１２．０４２

〔中圖分類號〕Ｇ２５５.５３ 〔文獻(xiàn)標(biāo)識碼〕Ａ 〔文章編號〕１００８－０８２１（２０１０）１２－０１５０－０５

The Analysis of the Status Quo and Trend of the Flash

Memory Technology in China Based on Patent MapZhong Qin

（School of Management，Shanghai University，Shanghai 200444，China）

〔Ａｂｓｔｒａｃｔ〕From the perspective of patent，this paper used the patent map method to analyze the status quo and trend of the flash memory patent technology in China.It depicted the competing scenario of all the strong competitors in the flash memory technology field.This paper attempted to help grasp the future trend of the flash memory，dominated the competition，and promoted the development of the flash memory technology in China.

〔Ｋｅｙｗｏｒｄｓ〕patent map;flash memory;status quo;trend analysis

據(jù)WebFeet網(wǎng)站的統(tǒng)計，截止到2009年10月全球NOR閃存有50億美元的市場［１］。我國的閃存行業(yè)正在飛速的發(fā)展著。閃存有現(xiàn)在市場需求的兩個優(yōu)勢：靈活性和微型化。閃存是靈活的、可靠的，而且它的記憶是不揮發(fā)的［２］。

專利作為技術(shù)信息最有效的載體，囊括了全球90%以上的最新技術(shù)情報，比一般技術(shù)刊物所提供的信息早5～6年，而且內(nèi)容翔實(shí)準(zhǔn)確［３］。專利是關(guān)于技術(shù)發(fā)展和創(chuàng)新行為的有用知識的來源［４］。專利地圖是將包含科技、經(jīng)濟(jì)、法律、生產(chǎn)、經(jīng)營、貿(mào)易在內(nèi)的各類專利情報通過專用工具軟件數(shù)據(jù)分類、加工整理、統(tǒng)計分析，繪制成具有地圖指向功能的各種圖表信息，是專利情報的“地圖化”［５］。本文以專利為切入點(diǎn)，應(yīng)用專利地圖技術(shù)，分析我國閃存專利技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢，意在描摹我國閃存技術(shù)領(lǐng)域群雄爭霸的競爭格局圖，把握閃存領(lǐng)域未來技術(shù)發(fā)展方向，推進(jìn)我國閃存技術(shù)的跨越式發(fā)展。

１ 本文的數(shù)據(jù)來源、分析工具和數(shù)據(jù)處理方法

本文國內(nèi)數(shù)據(jù)指在1999-2009年間在中國公開的有關(guān)閃存技術(shù)的發(fā)明專利，數(shù)據(jù)來源于中國知識產(chǎn)權(quán)網(wǎng)。檢索方法：登陸中國知識產(chǎn)權(quán)網(wǎng)（www.cnipr.com），在“專利檢索”欄只選擇“發(fā)明專利”，不選擇“實(shí)用新型”和“外觀設(shè)計”；在“公開（公告）日”填寫為“1999 to 2009”，檢索關(guān)鍵詞為“摘要”中含有“閃存”。在中國專利檢索中一共搜到了1 710項發(fā)明專利。

在知識產(chǎn)權(quán)網(wǎng)的檢索結(jié)果頁，利用該檢索平臺的“批量下載”功能，將檢索結(jié)果的申請（專利）號、名稱、主分類號、分類號、申請（專利權(quán)）人、發(fā)明（設(shè)計）人、公開（公告）日、公開（公告）號、專利代理機(jī)構(gòu)、代理人、申請日、地址、摘要、國省代碼等信息，以Excel文件的形式保存到本地電腦。

在Excel中對數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)清洗，主要包括：（1）對檢索到的專利文獻(xiàn)進(jìn)行相關(guān)性篩選，將符合條件的專利文獻(xiàn)納入分析數(shù)據(jù)集。（2）同一概念不同寫法進(jìn)行規(guī)范，以消除同一概念、同一事物不同寫法造成的分析誤差［６］。

然后，利用Excel的分類匯總功能，對清洗過的專利數(shù)據(jù)的各個字段進(jìn)行基本統(tǒng)計分析、聚類分析和共現(xiàn)分析，繪制出專利地圖，通過對生成的專利地圖進(jìn)行分析，得出我國的國內(nèi)閃存技術(shù)現(xiàn)狀與趨勢。

本文的分析工具為Microsoft Excel和Innography的可視化專利分析工具。Innography工具是在線分析工具，它可將公司專利、公司財務(wù)情況和法律訴訟情況進(jìn)行了整合，并通過餅圖、方塊圖、泡泡圖等圖形的形式直觀展示競爭對手的狀況，分析該技術(shù)的領(lǐng)域分布及技術(shù)成熟度和趨勢。

２ 國內(nèi)閃存技術(shù)的專利地圖分析

２.１ 閃存技術(shù)專利申請趨勢圖１ 中國與世界閃存技術(shù)領(lǐng)域閃存年公開量示意圖

２０１０年１２月第３０卷第１２期基于專利地圖的國內(nèi)閃存技術(shù)現(xiàn)狀與趨勢分析Ｄｅｃ.，２０１０從圖１中可以看出，從1999-2009年世界閃存技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠旯_量在2008年達(dá)到高峰之后，在2009年有些許下降，說明世界閃存技術(shù)領(lǐng)域處在成熟期。國內(nèi)閃存專利公開量始終處于上升的趨勢，說明我國閃存技術(shù)領(lǐng)域仍在快速發(fā)展上升期，反映了我國閃存行業(yè)的企業(yè)對自主知識產(chǎn)權(quán)的重視正在不斷地提高。

２.２ 閃存技術(shù)專利申請省市（地區(qū)）分布圖２ 我國閃存技術(shù)專利申請的國家、省市、地區(qū)分布

從圖２中可以看出：1999-2009年間，在我國公開閃存技術(shù)專利的公司中，公開專利數(shù)量最多的是韓國公司，其次是中國臺灣地區(qū)公司。國內(nèi)公開專利數(shù)量最多的省份是廣東省，其次是上海市，再次是北京市?？傮w來說，韓國和中國臺灣地區(qū)的企業(yè)更加傾注于中國的閃存技術(shù)市場，他們在中國的閃存專利公開量高于美國和日本，這說明韓國和中國臺灣地區(qū)的企業(yè)是中國閃存市場的主要競爭者［７］。

２.３ 閃存技術(shù)專利申請企業(yè)（公司）分布

以下選取在我國公開閃存技術(shù)專利總數(shù)量前10位的公司進(jìn)行競爭格局分析。

圖３ 我國閃存技術(shù)專利申請的企業(yè)、公司分布餅圖

從圖３中可以看出，在1999-2009年間在我國公開申請閃存專利的公司中，公開專利最多的是韓國公司Hynix Semiconductor INC（海力士）公司，總共有144個閃存技術(shù)專利。Hynix公司為原來的現(xiàn)代內(nèi)存，2001年更名為海力士。海力士半導(dǎo)體是世界第二大DRAM（Dynamic Random Access Memory，即動態(tài)隨機(jī)存儲器）制造商。2004年及2005年全球DRAM市場占有率處于第二位，中國市場占有率處于第一位。緊隨其后的是Samsung Electronics Co.Ltd公司，總共有116個閃存技術(shù)專利。這兩個公司在國內(nèi)閃存技術(shù)專利的授權(quán)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其他公司，是閃存技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊。這兩個公司也互相是對方的主要競爭對手。圖４ 在我國公開閃存專利企業(yè)的專利數(shù)量、專利收入和專利訴訟情況分析

圖４中縱坐標(biāo)表示各公司的知識產(chǎn)權(quán)方面的資產(chǎn)，主要包括專利收入、專利授權(quán)和專利訴訟；橫坐標(biāo)表示各公司的發(fā)展前景，主要包括專利數(shù)量、專利分類和專利引用數(shù)量。從圖中我們可以看出，雖然三星公司公開的專利數(shù)量不及海力士公司，但是它在資產(chǎn)和發(fā)展前景兩個方面都比海力士公司要出色。三星公司在我國是一家閃存技術(shù)領(lǐng)域最為成熟的一家公司。三星公司和海力士公司是閃存技術(shù)領(lǐng)域的兩個主要競爭對手。

２.４ 閃存技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠暾堉攸c(diǎn)技術(shù)分布

在采集到的中國專利數(shù)據(jù)中，分別根據(jù)IPC號小組進(jìn)行統(tǒng)計分析，取專利申請量前15個IPC小組進(jìn)行重點(diǎn)技術(shù)排名分析，由此得知閃存技術(shù)領(lǐng)域的科研成果、研究動態(tài)及重點(diǎn)研發(fā)方向。如表１所示。表１ 我國閃存專利重點(diǎn)技術(shù)領(lǐng)域

排名我國閃存專利重點(diǎn)技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠浚?H01L21/8247(2006.01)812G06F9/445(2006.01)583G11C16/06(2006.01)584H01L27/115(2006.01)455G06F12/02(2006.01)446G06F3/06(2006.01)36 續(xù)表１

排名我國閃存專利重點(diǎn)技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠浚?G11C16/10(2006.01)368G11C16/06299H01L21/82392910G11C7/10(2006.01)2511H01L27/1052512G11C16/02(2006.01)2413G06F12/001914H04Q7/32(2006.01)1915H01L29/788(2006.01)18

從表１中看出，我國閃存技術(shù)專利的重點(diǎn)領(lǐng)域在H01L21/8247（電可編程序的可消除程序化只讀存儲器）、G06F9/445（仿真、軟件模擬的電數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)處理）、G11C16/06（用于寫入存儲器的輔助電路）。

３ 閃存技術(shù)發(fā)展趨勢預(yù)測

３.１ 我國閃存專利技術(shù)鳥瞰圖和技術(shù)生命周期圖

對表１的15個IPC分類號小組進(jìn)行進(jìn)一步分析發(fā)現(xiàn)這些我國閃存專利技術(shù)主要集中在3個小類下：半導(dǎo)體器件類（H01L），也即閃存芯片類；電數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)處理類（G06F），也即傳輸接口與數(shù)據(jù)交換類；靜態(tài)存儲器類（G11C），也即讀寫控制類。以下以這3個小類為統(tǒng)計對象分別繪制了我國閃存專利技術(shù)鳥瞰圖和技術(shù)生命周期圖。

圖５ 我國閃存專利技術(shù)鳥瞰圖

從圖５中可以看出，以上3個小類涉及到的閃存專利數(shù)量占到了全部閃存技術(shù)專利的82%左右，包含了閃存領(lǐng)域中的核心技術(shù)和有發(fā)展?jié)摿Φ募夹g(shù)領(lǐng)域。其中傳輸接口與數(shù)據(jù)交換類相關(guān)的專利最多，從1999-2009年共有556件閃存專利。其次是讀寫控制類，從1999-2009年共有437件閃存專利。最后是閃存芯片類，從1999-2009年共有416件閃存專利。

從圖６中看出，2003-2009年期間，我國閃存技術(shù)領(lǐng)域的核心技術(shù)發(fā)展迅速。尤其是2003年之后，傳輸接口與數(shù)據(jù)交換方面的專利急劇上升，說明傳輸接口與數(shù)據(jù)交換領(lǐng)域是我國閃存領(lǐng)域中正在高速發(fā)展的領(lǐng)域，是我國未來閃存技術(shù)專利的主要發(fā)展方向。而且此類專利從2004年開始的年授權(quán)專利量就高于其他兩類專利，說明此類技術(shù)是我國閃存技術(shù)研究發(fā)展的熱門方向。閃存芯片技術(shù)在2008年到達(dá)頂峰之后開始下滑，進(jìn)入了衰退期。讀寫控制技術(shù)在2008年閃存專利年授權(quán)量超過閃存芯片技術(shù)，但發(fā)展的態(tài)勢也趨于平穩(wěn)，進(jìn)入了成熟期。圖６ 我國閃存專利技術(shù)生命周期圖

３.２ 國家（地區(qū)）、省市閃存技術(shù)熱門專利分布

如前文所述，在我國閃存技術(shù)專利公開數(shù)量前七位的國家（地區(qū)）是韓國、中國臺灣地區(qū)、美國、日本、以色列、荷蘭和德國。在我國閃存技術(shù)專利公開數(shù)量前六的省份是廣東、臺灣、上海、北京、江蘇和浙江。以下通過分別分析國家（地區(qū)）和省市閃存技術(shù)的熱門專利分布情況，得出這些國家（地區(qū)）和省市的強(qiáng)勢領(lǐng)域和弱勢領(lǐng)域在哪些方面。

圖７ 國家（地區(qū)）在我國公開的閃存技術(shù)熱門專利數(shù)量分布雷達(dá)圖

從圖７中可以看出中國臺灣地區(qū)在閃存芯片和傳輸接口與數(shù)據(jù)交換領(lǐng)域的閃存技術(shù)專利數(shù)量最多，占據(jù)很大的優(yōu)勢。但在讀寫控制領(lǐng)域是韓國較占據(jù)優(yōu)勢。美國在讀寫控制領(lǐng)域的閃存技術(shù)發(fā)展的較好，而日本是在傳輸接口與數(shù)據(jù)交換領(lǐng)域的閃存技術(shù)發(fā)展的較好。以色列、荷蘭和德國在閃存技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展均相對較弱。

圖８ 我國省市區(qū)域的閃存技術(shù)熱門專利數(shù)量分布雷達(dá)圖

從圖８中可以看出，中國臺灣地區(qū)在讀寫控制、傳輸接口與數(shù)據(jù)交換和讀寫控制3個閃存技術(shù)熱門領(lǐng)域的發(fā)展程度位于全國之首，廣東省在傳輸接口與數(shù)據(jù)交換方面發(fā)展較好，上海在閃存芯片方面發(fā)展較好，北京在傳輸接口與數(shù)據(jù)交換方面發(fā)展較好。而江蘇、浙江在閃存技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展相對較弱。３.３ 從申請公司的閃存技術(shù)專利分布把握閃存技術(shù)的國內(nèi)競爭格局以下選取在我國授權(quán)的閃存技術(shù)專利總數(shù)量前10位的公司進(jìn)行競爭格局分析。見表２。表２ 2003-2009年各公司每年的國內(nèi)閃存技術(shù)專利授權(quán)量

年份海力士三星旺宏群聯(lián)力晶中興桑迪士克朗科積體先進(jìn)20033218302001010200401314511501442005121175820528200644105463242320073419684651202008354538481332020091513415711141600

表２選取了我國閃存專利快速發(fā)展的2003-2009年期間進(jìn)行分析。可以看出海力士公司在2006年在閃存技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展到達(dá)頂峰之后，開始進(jìn)入成熟期。三星公司在2008年發(fā)展到達(dá)頂峰之后也有些微的下降，進(jìn)入成熟期。旺宏公司、積體公司和先進(jìn)公司則在2003年發(fā)展到達(dá)頂峰之后，沒有長足的發(fā)展，逐漸進(jìn)入了衰退期。力晶公司發(fā)展較為平穩(wěn)，處于成熟期。群聯(lián)公司、中興公司、桑迪士克公司和朗科公司正在進(jìn)入快速成長期，在2009年的閃存技術(shù)專利授權(quán)量可以與海力士公司匹敵，這四家公司將是未來我國閃存技術(shù)專利發(fā)展比較活躍的公司。

圖９ 各公司在國內(nèi)的閃存技術(shù)熱門專利數(shù)量分布雷達(dá)圖

從圖９中可以看出，海力士公司在閃存芯片領(lǐng)域具有強(qiáng)大的優(yōu)勢，但它在傳輸接口與數(shù)據(jù)交換領(lǐng)域幾乎沒有專利。三星公司在讀寫控制領(lǐng)域比海力士公司稍占優(yōu)勢，弱點(diǎn)是閃存芯片領(lǐng)域。閃存芯片領(lǐng)域發(fā)展的比較好的公司還有力晶公司和旺宏公司。其中力晶公司稍占優(yōu)勢，但是力晶公司只專注于閃存芯片領(lǐng)域，忽略了其他兩個領(lǐng)域的發(fā)展。在傳輸接口與數(shù)據(jù)控制領(lǐng)域發(fā)展的較好的是三星公司、群聯(lián)公司、中興公司和桑迪士克公司。在讀寫控制領(lǐng)域較好的公司是海力士公司、三星公司、朗科公司、旺宏公司、群聯(lián)公司和先進(jìn)公司。

４ 結(jié)論與展望

我國閃存技術(shù)專利的熱門領(lǐng)域是閃存芯片領(lǐng)域、傳輸接口與數(shù)據(jù)交換領(lǐng)域和讀寫控制領(lǐng)域。傳輸接口與數(shù)據(jù)交換領(lǐng)域是我國閃存專利技術(shù)中正在高速成長期中的技術(shù)，是我國未來閃存專利技術(shù)的主要發(fā)展方向。

我國臺灣地區(qū)在閃存芯片和傳輸接口與數(shù)據(jù)交換領(lǐng)域占據(jù)很大的優(yōu)勢。但在讀寫控制領(lǐng)域是韓國比較占據(jù)優(yōu)勢。廣東省和北京市在傳輸接口與數(shù)據(jù)交換方面發(fā)展較好，而上海市在閃存芯片方面發(fā)展較好。

海力士公司和三星公司是我國閃存技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊，但它們正在進(jìn)入成熟期。群聯(lián)公司、中興公司、桑迪士克公司和朗科公司正在進(jìn)入快速成長期，它們將是我國閃存技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展的生力軍。閃存芯片領(lǐng)域最強(qiáng)的是海力士公司，讀寫控制領(lǐng)域最強(qiáng)的是三星公司，而在傳輸接口與數(shù)據(jù)交換領(lǐng)域較為強(qiáng)勢的是群聯(lián)公司。一家公司只專注于一個或兩個本公司較擅長的技術(shù)領(lǐng)域，而忽略其他技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展，這是我國閃存行業(yè)的公司具有一個普遍現(xiàn)象。

參考文獻(xiàn)

［１］Widmer，K..New Flash Memory Interfaces Drive Innovation And Lower Costs［Ｊ］.Electronic Design，2010，(3)：56-58.

［２］Daim，T.U. P.Ploykitikoon E.Kennedy，et al.Forecasting the future of data storage:case of hard disk drive and flash memory［Ｊ］.Emerald Group Publishing Limited，foresight，2008，10(5)：34-49.

［３］吳新銀.專利地圖在企業(yè)專利戰(zhàn)略中的應(yīng)用研究［Ｄ］.武漢：華中科技大學(xué)經(jīng)濟(jì)法學(xué)專業(yè)碩士學(xué)位論文，2004，4.

［４］Lee，S. B.Yoon Y.Park，An approach to discovering new technology opportunities:Keyword-based patent map approach［Ｊ］.Technovation，2009，29：481-497.

［５］楊薇炯.專利地圖與企業(yè)專利戰(zhàn)略關(guān)聯(lián)及其在專利戰(zhàn)略中的作用研究［Ｊ］.情報理論與實(shí)踐，2010，33(7):55-58.

［６］王敏，李海存，許培揚(yáng)．國外專利文本挖掘可視化工具研究［Ｊ］.圖書情報工作，2009，53(24):86-90.

［７］尹遠(yuǎn)明，孫濟(jì)慶.基于專利地圖的閃存技術(shù)發(fā)展分析［Ｊ］.科技管理研究，2009，(7):297-299.