化工標(biāo)準(zhǔn)化動(dòng)態(tài)

電子工業(yè)用氣體系列標(biāo)準(zhǔn)

1)GB/T 14600—2009《電子工業(yè)用氣體 氧化亞氮》。規(guī)定了氧化亞氮的技術(shù)要求，試驗(yàn)方法以及包裝、標(biāo)志、貯運(yùn)及安全。適用于電子工業(yè)中化學(xué)氣相淀積工藝。與原標(biāo)準(zhǔn)GB/T 14600—1993相比主要變化如下：修改適用范圍、規(guī)范性引用文件、技術(shù)指標(biāo)內(nèi)容，增加采樣安全要求、尾氣處理的要求；修改一氧化碳、二氧化碳、烴C1～C5、氮、氧含量檢驗(yàn)方法的檢測(cè)限和標(biāo)準(zhǔn)樣品的規(guī)定以及水分含量的檢驗(yàn)方法，還修改標(biāo)志、包裝、貯運(yùn)及安全。

2)GB/T 14601—2009《電子工業(yè)用氣體 氨》。規(guī)定了氨的技術(shù)要求，試驗(yàn)方法，檢驗(yàn)規(guī)則及產(chǎn)品的包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸、貯存及安全要求。適用于半導(dǎo)體工業(yè)，氮化硅、氮化鎵的化學(xué)氣相淀積，也可用于硅或氧化硅的氮化。與原標(biāo)準(zhǔn)GB/T 14601—1993相比主要變化如下：修改標(biāo)準(zhǔn)的名稱、適用范圍、規(guī)范性引用文件、技術(shù)指標(biāo)內(nèi)容，增加對(duì)氨尾氣處理的要求，刪去按GB 5831規(guī)定的方法測(cè)定氧含量，修改氧、氮、一氧化碳含量的測(cè)定，增加氫、氬含量的測(cè)定、二氧化碳含量的測(cè)定，修改烴含量的測(cè)定、水含量的測(cè)定方法，增加金屬離子的測(cè)定方法，修改標(biāo)志、包裝、貯運(yùn)及安全，增加規(guī)范性附錄A，并把采用氦放電離子化氣相色譜法測(cè)定氨中的氫、氧（氬）、氮、一氧化碳、二氧化碳和烴(C1～C3)含量組分的方法寫入該附錄。

3)GB/T 14603—2009《電子工業(yè)用氣體 三氟化硼》。規(guī)定了電子工業(yè)用三氟化硼的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、標(biāo)志、貯運(yùn)及安全要求。適用于以氟氣和硼單質(zhì)為原料，采用直接化合的方法制得并經(jīng)過純化制取的三氟化硼；和以氟硼酸鈉為原料熱分解法制得并經(jīng)過純化制取的三氟化硼。主要用于半導(dǎo)體器件和集成電路生產(chǎn)的離子注入和摻雜。與原標(biāo)準(zhǔn)GB/T 14603—1993相比主要區(qū)別如下：修改三氟化硼的適用范圍、規(guī)范性引用文件、三氟化硼的技術(shù)指標(biāo)內(nèi)容，增加三氟化硼采樣安全要求，修改氮、氧（氬）含量的分析方法、二氧化硫含量的分析方法，增加二氧化碳、四氟化碳含量的分析方法，修改標(biāo)志、包裝、貯運(yùn)及安全，增加資料性附錄A，并把測(cè)定三氟化硼中的氮、氧（氬）、二氧化碳和四氟化碳含量的色譜切割流程圖寫入該附錄。

4)GB/T 14604—2009《電子工業(yè)用氣體 氧》。規(guī)定了電子工業(yè)用氧的技術(shù)要求，試驗(yàn)方法以及包裝、標(biāo)志、貯運(yùn)及安全。適用于以深冷法、電解法提取的氣態(tài)或液態(tài)氧，以及經(jīng)純化方法得到的氧。它們主要用于二氧化硅化學(xué)氣相淀積，用作氧化源和生產(chǎn)高純水的反應(yīng)劑，用于等離子體蝕刻和剝離、光導(dǎo)纖維。與原標(biāo)準(zhǔn)GB/T 14604—1993相比主要變化如下：修改電子工業(yè)用氧的適用范圍、規(guī)范性引用文件、技術(shù)指標(biāo)內(nèi)容、瓶裝電子工業(yè)用氧采樣要求、瓶裝電子工業(yè)用氧抽樣方法，修改氫、氬、氮、氪、一氧化碳、二氧化碳、氧化亞氮、總烴和水含量的分析方法和標(biāo)準(zhǔn)樣品的規(guī)定，當(dāng)出現(xiàn)多種分析方法時(shí)，規(guī)定仲裁方法，增加一氧化氮含量的分析方法，修改標(biāo)志、包裝、貯運(yùn)及安全，刪去GB/T 14604—1993的附錄A和附錄B，增加規(guī)范性附錄A，并把采用氦離子化氣相色譜法測(cè)定電子工業(yè)用氧中的氫、氬、氮和氪組分的方法寫入該附錄，增加規(guī)范性附錄B，并把采用氦離子化氣相色譜法測(cè)定電子工業(yè)用氧中的一氧化碳、二氧化碳和氧化亞氮組分的方法寫入該附錄。

5)GB/T 14851—2009《電子工業(yè)用氣體 磷化氫》。規(guī)定了電子工業(yè)用磷化氫的技術(shù)要求，試驗(yàn)方法以及包裝、標(biāo)志、貯運(yùn)及安全。適用于亞磷酸熱分解、磷化物水解、單質(zhì)磷與水或堿反應(yīng)等方法獲得并經(jīng)精制得到的磷化氫產(chǎn)品。它主要用于半導(dǎo)體器件和集成電路生產(chǎn)的外延、離子注入和摻雜。與GB/T 14851—1993相比主要變化如下：修改規(guī)范性引用文件、技術(shù)指標(biāo)內(nèi)容，增加電子工業(yè)用磷化氫采樣安全要求、尾氣處理的要求，修改砷化氫、氮、氧(氬)組分的分析方法，刪去氫的分析方法，修改二氧化碳、總烴含量的分析方法，增加一氧化碳的分析方法、標(biāo)準(zhǔn)樣品的規(guī)定，修改水分的分析方法、標(biāo)志、包裝、貯運(yùn)及安全，刪去GB/T 14851—1993的附錄A，增加規(guī)范性附錄A，并把采用氦離子化氣相色譜法測(cè)定電子工業(yè)用磷化氫中的砷化氫、氮、氧（氬）組分的方法寫入該附錄。

6)GB/T 15909—2009 《電子工業(yè)用氣體 硅烷（SiH4）》。 規(guī)定了硅烷氣體的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法以及包裝、標(biāo)志、貯運(yùn)及安全。適用于電子工業(yè)中多晶硅和單晶硅外延淀積、二氧化硅的低溫化學(xué)汽相淀積、非晶硅薄膜淀積等。與原標(biāo)準(zhǔn)GB/T 15909—1995相比主要變化如下：修改規(guī)范性引用文件、技術(shù)指標(biāo)內(nèi)容，增加一類產(chǎn)品純度和雜質(zhì)含量，用Cl-表示氯化物總量，修改電性能規(guī)格，增加硅烷的采樣安全要求及對(duì)硅烷尾氣處理的要求，修改一氧化碳、二氧化碳、氧和氮含量的測(cè)定，修改測(cè)定氯化物含量所用試劑和溶液的內(nèi)容、測(cè)定氯化物含量結(jié)果處理公式，增加其他方法測(cè)定氯化物含量，修改烴（C1～C3）含量的測(cè)定，增加其他方法測(cè)定氫含量及其他方法測(cè)定水含量，增加微量甲硅醚、乙硅烷和甲基硅烷含量的測(cè)定，增加金屬離子含量的測(cè)定，修改標(biāo)志、包裝、貯運(yùn)及安全。

7)GB/T 16942—2009《電子工業(yè)用氣體 氫》。規(guī)定了電子工業(yè)用氫的技術(shù)要求，試驗(yàn)方法以及包裝、標(biāo)志、貯運(yùn)及安全。適用于以氫氣為原料經(jīng)凈化制取的瓶裝、集裝格裝和管道輸送的電子工業(yè)用氫氣。它們主要被用來提供還原氣氛，作為外延工藝的載氣以及等離子體蝕刻劑的配氣原料。與原標(biāo)準(zhǔn)GB/T 16942—1997相比主要變化如下：修改電子工業(yè)用氫的適用范圍、規(guī)范性引用文件、技術(shù)指標(biāo)內(nèi)容、電子工業(yè)用氫抽樣規(guī)則、電子工業(yè)用氫采樣要求，修改氮、一氧化碳、二氧化碳含量的分析方法，修改總烴分析方法的檢測(cè)限及水分含量的分析方法，修改標(biāo)志、包裝、貯運(yùn)及安全，增加規(guī)范性附錄A，并把采用氦離子化氣相色譜法測(cè)定電子工業(yè)用氫中的氮、一氧化碳、二氧化碳組分的方法寫入該附錄。

8)GB/T 16943—2009 《電子工業(yè)用氣體 氦》。規(guī)定了氦的技術(shù)要求，試驗(yàn)方法以及包裝、標(biāo)志、貯運(yùn)及安全。適用于以深冷法從天然氣、空氣和工廠弛放氣中提取的氣態(tài)和液態(tài)氦，以及經(jīng)純化方法得到的氦。它們?cè)诎雽?dǎo)體制造中用作清洗氣、加壓氣，也用作載氣和保護(hù)氣等。與原標(biāo)準(zhǔn)GB/T 16943—1997相比主要變化如下：修改氦的適用范圍、規(guī)范性引用文件，修改技術(shù)指標(biāo)內(nèi)容：增加一類產(chǎn)品純度和雜質(zhì)含量，修改瓶裝氦抽樣方法，增加集裝閣裝、大容積鋼質(zhì)無縫氣瓶裝和杜瓦罐裝氦產(chǎn)品并規(guī)定檢驗(yàn)方法，增加管道輸送的氦產(chǎn)品并規(guī)定檢驗(yàn)方法，增加氦的采樣安全要求，增加新的分析方法：增加用氦放電離子化氣相色譜法測(cè)定氦中的氧、一氧化碳和二氧化碳組分，增加其他方法測(cè)定總烴含量，當(dāng)出現(xiàn)多種分析方法時(shí)，增加規(guī)定仲裁方法。修改水分的測(cè)定方法，修改標(biāo)志、包裝、貯運(yùn)及安全，增加安全要求，增加規(guī)范性附錄A，并把采用氦離子化氣相色譜法測(cè)定氦中的氧、氮、一氧化碳和二氧化碳組分的方法寫入該附錄。

9)GB/T 16944—2009 《電子工業(yè)用氣體 氮》。規(guī)定了電子工業(yè)用氣體氮的技術(shù)要求，試驗(yàn)方法以及包裝、標(biāo)志、貯運(yùn)及安全。適用于以深冷法從空氣中提取的氣態(tài)和液態(tài)氮，以及經(jīng)電化學(xué)方法得到的氮。它們?cè)诔笠?guī)模集成電路制造中用作保護(hù)、吹掃、覆蓋、加壓，化學(xué)氣相淀積等。與原標(biāo)準(zhǔn)GB/T 16944—1997相比主要變化如下：修改電子工業(yè)用氮的適用范圍、規(guī)范性引用文件、技術(shù)指標(biāo)內(nèi)容、電子工業(yè)用氮抽樣和判定規(guī)則，增加電子工業(yè)用氮采樣要求，修改氫、氧、一氧化碳、二氧化碳含量的分析方法，修改總烴分析方法的檢測(cè)限及水分含量的分析方法，修改標(biāo)志、包裝、貯運(yùn)及安全，增加規(guī)范性附錄A，并把測(cè)定電子工業(yè)用氮中的氫、氧、一氧化碳、二氧化碳含量的方法寫入該附錄。

10)GB/T 16945—2009《電子工業(yè)用氣體 氬》。規(guī)定了氬的技術(shù)要求，試驗(yàn)方法以及包裝、標(biāo)志、貯運(yùn)及安全。用于以深冷法從空氣、合成氨尾氣中提取的液態(tài)和氣態(tài)氬以及經(jīng)純化方法得到的氬。氬用于系統(tǒng)的吹掃、保護(hù)和增壓，它還可以用于化學(xué)汽相淀積、濺射、等離子及活性離子刻蝕劑和退火等不同工藝中。與原標(biāo)準(zhǔn)GB/T 16945—1997相比主要變化如下：修改氬的適用范圍，增加規(guī)范性引用文件，修改技術(shù)指標(biāo)內(nèi)容：增加一類純度和雜質(zhì)含量。修改瓶裝氬抽樣方法，增加集裝閣裝、大容積鋼質(zhì)無縫氣瓶和杜瓦罐裝氬產(chǎn)品并規(guī)定檢驗(yàn)方法，修改管道輸送的氬抽樣方法，增加氬的采樣安全要求，修改氫、氧、氮、一氧化碳和二氧化碳的測(cè)定方法，增加其他方法測(cè)定總烴；當(dāng)出現(xiàn)多種分析方法時(shí)，增加規(guī)定仲裁方法，修改水分的測(cè)定方法，修改標(biāo)志、包裝、貯運(yùn)及安全。

上述系列標(biāo)準(zhǔn)將于2010年5月1日實(shí)施。

（本欄目信息提供：吳世清）