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        倒裝芯片技術(shù)分析

        2010-08-15 00:52:53文繼剛
        科技傳播 2010年16期
        關(guān)鍵詞:凸點(diǎn)焊料膠粘劑

        文繼剛

        同濟(jì)大學(xué)電子與信息工程學(xué)院,上海 200081

        0 引言

        倒裝芯片封裝技術(shù)(FC)是由IBM公司在上個(gè)世紀(jì)60年代開(kāi)發(fā)的,即將芯片正面朝下向基板進(jìn)行封裝。15年前,幾乎所有封裝采用的都是引線(xiàn)鍵合,如今倒裝芯片技術(shù)正在逐步取代引線(xiàn)鍵合的位置,這種封裝方式無(wú)需引線(xiàn)鍵合,因此可以形成最短電路,從而降低電阻;并且采用金屬球進(jìn)行連接可以縮小封裝尺寸,改善電性表現(xiàn),從而解決了BGA為增加引腳數(shù)而需擴(kuò)大體積的困擾。采用倒裝芯片封裝技術(shù)可以降低生產(chǎn)成本,提高速度及組件的可靠性。

        1 倒裝芯片技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)

        1.1 完整性、可靠性強(qiáng)

        倒裝芯片相當(dāng)于一個(gè)完全封裝的芯片,它是由錫球下的冶金與芯片鈍化層密封的,并提供下一級(jí)封裝的內(nèi)連接結(jié)構(gòu)。將一個(gè)構(gòu)造合理的倒裝芯片安裝在適當(dāng)載體上用于內(nèi)連接,即使沒(méi)有其他灌封,該載體也可以滿(mǎn)足所有可靠性要求。

        1.2 自我對(duì)準(zhǔn)能力強(qiáng)

        在錫球回流時(shí),焊錫受表面張力的作用,可以自動(dòng)糾正芯片微小的對(duì)準(zhǔn)偏差,從而提供了裝配制造的合格率。同時(shí)倒裝芯片技術(shù)也提供低電感,在高頻應(yīng)用中起到至關(guān)重要的作用。

        1.3 將電源帶入芯片的每個(gè)象限

        倒裝芯片技術(shù)可以將電源帶入芯片的每個(gè)象限,即在整個(gè)芯片面積上,其電流是均勻分布的。

        1.4 成本低廉

        倒裝芯片技術(shù)消除了封裝并減小了芯片的尺寸,因此節(jié)省了硅的使用量,降低了制作成本。

        2 倒裝芯片技術(shù)分析

        2.1 形成凸點(diǎn)技術(shù)

        凸點(diǎn)形成技術(shù)可以分為淀積金屬、機(jī)械焊接、基于聚合物的膠粘劑等幾個(gè)類(lèi)型。

        1)金屬電鍍技術(shù)

        一般是在電鍍槽里,把基片當(dāng)作陰極,利用靜態(tài)電流或者脈沖電流來(lái)完成焊料的電鍍。在鍍上所需厚度的焊料后,就可以把光致抗蝕劑清除掉,這時(shí)焊料凸點(diǎn)制作完成。電鍍的優(yōu)勢(shì)是可以在非常小的間距內(nèi)印刷,而且可以保證足夠的焊料以得到更高的高度。電鍍的不足之處在于它的啟動(dòng)成本較高,生產(chǎn)設(shè)備的占用面積較大,電解液會(huì)造成更多的浪費(fèi),選擇合金的靈活性少。

        化學(xué)鍍是一種新型的金屬表面處理技術(shù),該技術(shù)以其工藝簡(jiǎn)便、節(jié)能、環(huán)保日益受到人們的關(guān)注,其鍍層均勻、裝飾性好,并且能提供產(chǎn)品的耐蝕性和使用壽命,在印刷電路行業(yè)應(yīng)用較為廣泛,近年來(lái)其通過(guò)化學(xué)形成凸點(diǎn)的技術(shù)也應(yīng)用到倒裝芯片中來(lái)。由于化學(xué)性質(zhì)非常準(zhǔn)確,在化學(xué)倒裝片凸點(diǎn)技術(shù)工藝中,化學(xué)鍍鎳技術(shù)應(yīng)用較為普遍。如果鋁沒(méi)有與鎳同時(shí)電鍍,就可使用中間浸液電鍍鋅技術(shù)。在典型狀況下,鎳受到金涂層保護(hù),形成的金毛刺適于焊接及膠粘劑壓焊?;瘜W(xué)鍍鎳凸點(diǎn)技術(shù)工藝簡(jiǎn)單、成本低,是主要的倒裝芯片凸點(diǎn)工藝。

        2)機(jī)械形成凸點(diǎn)技術(shù)

        此技術(shù)使用標(biāo)準(zhǔn)線(xiàn)連接過(guò)程以形成凸點(diǎn),釬料絲可以使用金絲或鉛基釬料絲。凸點(diǎn)形成過(guò)程與線(xiàn)連接過(guò)程相同,不同之處在于絲端成球后,在球端加熱使之?dāng)嚅_(kāi),最后形成有短尾部的凸點(diǎn),隨后重熔過(guò)程可獲得具有特定高度的球形凸點(diǎn)。為保證在球附近形成光滑的斷裂口,可以使用含有1%鉑的金絲作為釬料絲。柱式凸點(diǎn)形成技術(shù),長(zhǎng)期使用于試制形式,由于通過(guò)引線(xiàn)鍵合機(jī)獲得了驚人的速度,已移入生產(chǎn)模式,金和金凸點(diǎn)及焊料凸點(diǎn)均被實(shí)施。

        3)聚合物凸點(diǎn)技術(shù)

        它采用導(dǎo)電聚合物制作凸點(diǎn),設(shè)備和工藝相對(duì)簡(jiǎn)單,是一種高效、低成本的倒裝芯片技術(shù)。采用這種技術(shù)無(wú)需高溫也不允許焊料合金再流,沒(méi)有α輻射和鉛,而且工序簡(jiǎn)單,首先放置好聚合物,然后便可進(jìn)行焊接。由于各種膠粘劑不能直接用在鋁上,所以通常把它們應(yīng)用于金焊盤(pán)。

        2.2 壓焊技術(shù)

        共晶焊料構(gòu)成的凸點(diǎn),包含壓焊和連接材料。首先將凸點(diǎn)用免清洗焊劑涂覆并置于板上,然后像普通的SMD元件一樣進(jìn)行焊料回流。僅對(duì)凸點(diǎn)提供焊劑是較難的,特別是當(dāng)使用下填充物時(shí),焊劑熔解輪將被用來(lái)給凸點(diǎn)和導(dǎo)電膠提供焊膏。

        不熔的芯型凸點(diǎn)(如鎳凸點(diǎn)),在其組裝過(guò)程中應(yīng)增加連接材料??赏ㄟ^(guò)絲網(wǎng)印刷、模板印刷或針式印刷等形式將焊料分配到電路載體上,然后放置芯片并進(jìn)行焊料回流。

        使用印刷或分配方法可把導(dǎo)電膠提供給電路載體或凸點(diǎn),即聚合物浸涂芯片法(PDC)。使用裝滿(mǎn)粘附膏的“焊劑熔解輪”,在旋轉(zhuǎn)盤(pán)或別的儲(chǔ)層的外面涂覆膠粘劑,厚度略小于凸點(diǎn)高度。把芯片放入膏中并用粘著凸點(diǎn)的膠粘劑抽出,把倒裝芯片置于電路上并進(jìn)行膠粘劑固化。

        2.3 下填充技術(shù)

        目前使用的下填充系統(tǒng)可以分為3類(lèi),即毛細(xì)管底部填充、助焊(非流動(dòng))型底部填充和四角或角-點(diǎn)底部填充系統(tǒng)。每類(lèi)下填充系統(tǒng)都存在其優(yōu)勢(shì)和局限性,目前應(yīng)用比較廣泛的是毛細(xì)管底部填充材料。毛細(xì)管底部填充的應(yīng)用范圍包括板上倒裝芯片和封裝內(nèi)倒裝芯片。通過(guò)采用底部填充可以分散芯片表面承受的應(yīng)力進(jìn)而提高了整個(gè)產(chǎn)品的可靠性。在傳統(tǒng)倒裝芯片和芯片尺寸封裝(CSP)中使用毛細(xì)管底部填充的工藝類(lèi)似。首先,將芯片粘貼到基板上已沉積焊膏的位置,之后進(jìn)行再流,這樣就形成了合金互連。在芯片完成倒裝之后,采用分散技術(shù)將底部填充材料注入到CSP的一條或兩條邊。材料在封裝下面流動(dòng)并填充CSP和組裝電路板之間的空隙。毛細(xì)管底部填充可以極大地提高可靠性,但是要完成這一工藝,需底部填充材料的注入設(shè)備、足夠的廠房空間安裝設(shè)備以及可以完成精確操作的工人。

        在倒裝片和PCB之間加入下填充物可靠性提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)或更多。經(jīng)過(guò)硬化的下填充物把板移動(dòng)定位在硅芯片的移動(dòng)上。低膨脹、極高模量無(wú)機(jī)硅至少在表面上成為限制有機(jī)PCB膨脹的約束力。

        2.4 檢測(cè)技術(shù)

        倒裝芯片的最終質(zhì)量受制作中每個(gè)工藝過(guò)程的影響,因此在倒裝芯片制作的3個(gè)工藝階段,均應(yīng)安排檢測(cè)工序。在圓片生產(chǎn)階段應(yīng)檢測(cè)圓片表面及凸點(diǎn)有無(wú)缺陷,凸點(diǎn)尺寸是否合格,基本的材料與平整性等;在組裝階段主要是檢測(cè)芯片與基片連接的可靠性,一般應(yīng)進(jìn)行高溫和熱循環(huán)測(cè)試,并應(yīng)在測(cè)試后檢查芯片和基片的裂紋。同時(shí)在該階段還應(yīng)檢測(cè)是否存在組裝缺陷,如焊點(diǎn)開(kāi)路、短路,焊料缺損等,有些情況下還應(yīng)對(duì)芯片底部填充材料的缺陷(如是否存在氣泡等)進(jìn)行檢測(cè);應(yīng)用階段的檢測(cè)內(nèi)容基本與組裝階段相同。倒裝焊芯片檢測(cè)的方法可以分成接觸式和非接觸式檢測(cè)2類(lèi)。前者包括電測(cè)試、邊界掃描和功能測(cè)試等方法。它們可以很好檢測(cè)到芯片的短路和開(kāi)路,但不能有效地區(qū)別焊點(diǎn)缺陷,無(wú)法判斷冷焊點(diǎn)連接或機(jī)械連接等不合格的連接形式,所以不能提供長(zhǎng)期可靠性的判斷。另外由于是接觸式測(cè)量,會(huì)對(duì)芯片的表面造成損壞。而非接觸檢測(cè)技術(shù)不但可以檢測(cè)到芯片中的微觀特性,對(duì)器件不會(huì)造成損壞,如自動(dòng)光學(xué)檢測(cè),自動(dòng)X射線(xiàn)檢測(cè)、聲學(xué)檢測(cè)等還能提供良好的工藝控制信息。

        3 結(jié)論

        隨著電子封裝越來(lái)越趨于向更快、更小、更便宜的方向發(fā)展,要求縮小尺寸、增加性能的同時(shí),必須降低成本。倒裝芯片技術(shù)正是為了適應(yīng)這種趨勢(shì)而產(chǎn)生的。目前全球很多家公司正在研究并開(kāi)發(fā)倒裝芯片技術(shù),為推動(dòng)倒裝芯片技術(shù)的發(fā)展貢獻(xiàn)著自己的力量。

        [1]杜長(zhǎng)華,陳方.電子微連接技術(shù)與材料[M].機(jī)械工業(yè)出版社,2008.

        [2]李福權(quán),王春青,張曉東.倒裝芯片凸點(diǎn)制作方法[J].電子工藝技術(shù),2003.

        [3]楊邦朝,張經(jīng)國(guó).多芯片組件(MCM)技術(shù)及其應(yīng)用[M].電子科技大學(xué)出版社,2001.

        [4]郭大琪,黃強(qiáng).倒裝芯片下填充工藝的新進(jìn)展(二)[J].電子與封裝,2008,2.

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