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        亞臨界水熱法固化處理含碘敷銀硅膠

        2024-12-31 00:00:00張玉釧馮亞鑫劉刈張賽王志鵬楊開迪郭鵬李宜寧張生棟張振濤
        輻射防護(hù) 2024年6期

        關(guān)鍵詞:碘方鈉石;亞臨界水熱法;含碘敷銀硅膠;陶瓷固化

        0 引言

        在核反應(yīng)堆燃料元件的裂變反應(yīng)和乏燃料后處理過程中,都會產(chǎn)生一些含碘的放射性廢物,如127I、129I、131I 等具有放射性的碘元素[1-3] 。其中129I 的半衰期較長(t1/ 2 =1. 57×107 a),不僅具有較高的生物毒性,而且易揮發(fā)、易通過食物鏈遷移、易在生物體的甲狀腺部位富集,會對生物體的健康造成不可逆轉(zhuǎn)的傷害[4] ,因此對放射性含碘廢物處理處置的相關(guān)研究具有重要意義[5-6] 。

        早期后處理廠通常采用液體吸收法來處理含碘廢物。近年來,為了提高對放射性碘的吸附率,逐步采用液體洗脫和固體吸附兩級捕集工藝[2] 。固體吸附裝置的結(jié)構(gòu)簡單且設(shè)備體積小,維護(hù)成本低。目前應(yīng)用的固體吸附劑主要包括敷銀硅膠和敷銀沸石,產(chǎn)生的含碘廢物為含碘敷銀沸石和含碘敷銀硅膠(AgIs)。放射性碘元素的存在形式一般為NaI、NaIO3 和AgI 等化合物,這些碘化合物的存在形態(tài)并不穩(wěn)定,在某些地質(zhì)處置條件下,存在著還原劑HS- 會發(fā)生還原反應(yīng)和置換反應(yīng)使AgI 溶解,進(jìn)而導(dǎo)致碘的釋放[6] 。因而不滿足長期處置的要求,放射性含碘廢物不能直接進(jìn)行處置,安全的處理處置放射性含碘廢物已成為國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)關(guān)注的熱點。近年來,學(xué)者們研究了多種固化基材用于處理放射性含碘廢物,如水泥[7-8] 、硼硅酸鹽玻璃[9-11] 、磷酸鹽玻璃[12-13] 、磷灰石[14-15] 、方鈉石[16-19] 等。方鈉石作為一種天然存在的礦物質(zhì),具備原材料成本低、合成反應(yīng)簡單、所固化核素的浸出率低、可將放射性核素包容在其籠型結(jié)構(gòu)等優(yōu)點,被國際研究機(jī)構(gòu)視為一種極具潛力的129I 固化礦相。進(jìn)入方鈉石晶格結(jié)構(gòu)的放射性核素,只要不破壞其籠型結(jié)構(gòu),就很難從晶胞的束縛中脫離出來,從而使化學(xué)結(jié)構(gòu)保持穩(wěn)定。據(jù)文獻(xiàn)報道,碘方鈉石的主要方法包括高溫固相法[20] 、水熱合成法[21-22] 、溶劑熱法[23] 等。但高溫固相法燒結(jié)溫度較高,碘元素容易揮發(fā),所以高溫合成線路不適合碘的固化。水熱合成或溶劑熱法合成時間都較長,往往需要數(shù)十小時,效率較低。亞臨界水,是通過升高水的溫度到100 ℃以上,臨界溫度低于374 ℃,達(dá)到一定的壓力,水體仍然保持在液體狀態(tài),到達(dá)亞臨界狀態(tài)。亞臨界水熱合成是利用物料在該狀態(tài)中溶解度大、成核速率高,可通過調(diào)整反應(yīng)溫度、壓力實現(xiàn)物料的快速溶解和目標(biāo)產(chǎn)物高效合成的一種方法[24] 。因此,亞臨界水熱法在高效低溫固化技術(shù)處理含碘敷銀硅膠(AgIs)具有重要的研究價值,目前尚未有相關(guān)研究。

        本課題組在亞臨界水熱條件下完成了AgIs 的固化,通過濕法研磨將物料的顆粒度從mm 量級降至5 μm 左右,研究對比了靜態(tài)亞臨界水熱條件和動態(tài)亞臨界水熱條件下合成的碘方鈉石固化體的物相、微觀結(jié)構(gòu)與形貌的差異,并且進(jìn)一步分析了動態(tài)亞臨界水熱條件下合成的碘方鈉石中元素分布、熱穩(wěn)定性和碘元素的價態(tài)。

        1 實驗部分

        1. 1 含碘敷銀硅膠的制備

        本實驗中用非放的碘代替放射性129I,通過自制的含碘敷銀硅膠來模擬放射性含碘廢物。實驗所取的原料為硝酸銀(分析純,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司),B 型硅膠(分析純,西安嘉晟化工有限公司)。具體方法如下:(1)稱量1 kg B 型硅膠,平鋪至托盤,放入烘箱中在130 ℃ 下加熱預(yù)處理3 h,除去硅膠吸附的自由水;(2)稱量0. 5 kg 硝酸銀固體溶解于2 L 的去離子水中,不斷攪拌至固體完全溶解,制得質(zhì)量分?jǐn)?shù)20%的硝酸銀溶液;(3)將烘干的硅膠完全浸沒于硝酸銀溶液中,每隔1 h攪拌硅膠使其吸附更多的銀離子,當(dāng)硝酸銀溶液濃度不再變化時,停止浸泡;(4)倒出硝酸銀溶液,將剩余的濕硅膠過濾,過濾時用水沖洗硅膠,以去除留在表面但未被吸附的硝酸銀。將過濾所得硅膠平鋪至托盤,放入烘箱中,在130 ℃下烘干3 h;(5)將上述制備的敷銀硅膠置于自制的碘吸附裝置中,在150 ℃進(jìn)一步吸附氣態(tài)碘單質(zhì),制備得到含碘敷銀硅膠。通過ICP-OES 測試,樣品中的銀含量平均值為101 mg/ g,碘含量的平均值為63. 3 mg/ g。

        1. 2 固化體的制備

        本實驗中用偏鋁酸鈉(分析純,上海麥克林生化科技有限公司)、FD61 玻璃粉(安米微納新材料(廣州)有限公司,一種低熔點玻璃粉)、自制的含碘敷銀硅膠在亞臨界水熱條件下制備固化體。制備流程如下:(1)將含碘敷銀硅膠與偏鋁酸鈉質(zhì)量比為1 ∶1. 5(19 g ∶28. 5 g)混合,加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%FD61(2. 5 g) 的玻璃粉; (2) 將上述固體置于1. 5 L 去離子水中混合均勻并轉(zhuǎn)移至燒杯中;(3)將混合后的樣品倒入膠體磨(JM-L50,溫州龍灣華威機(jī)械廠)中膠磨處理15 min,使混合物粒徑降至大約5 μm;(4)將經(jīng)膠體磨處理后的混合樣品加入到靜態(tài)亞臨界反應(yīng)釜中,在不同溫度/ 壓力下反應(yīng)1 h;(5)待反應(yīng)結(jié)束后,將樣品過濾后得到含碘廢物固化體,干燥后進(jìn)行相關(guān)測試和表征。將上述靜態(tài)亞臨界水熱合成得到的最佳反應(yīng)條件在動態(tài)亞臨界反應(yīng)釜中進(jìn)行放大實驗。靜態(tài)亞臨界反應(yīng)釜中只能調(diào)節(jié)溫度和壓力的實驗參數(shù),動態(tài)亞臨界反應(yīng)釜中增加了攪拌裝置,使物料充分接觸。該裝置不僅可以調(diào)節(jié)溫度和壓力,還可以調(diào)節(jié)攪拌速率。反應(yīng)物料中含碘敷銀硅膠難溶于水,通過攪拌裝置,可使反應(yīng)物之間充分接觸,反應(yīng)更充分。

        1. 3 測試與表征

        用XRD(MiniFlux600,日本理學(xué)Rigaku)對所制備的固化體進(jìn)行物相表征,掃描范圍為5° ~85°,步長0. 02°,掃描速度5°/ min。掃描電子顯微鏡(Nova NanoSEM 450)來觀察固化體樣品的微觀形貌,能譜分析儀(Oxford-X-Max 20)用來分析固化體樣品中各元素的分布, 差示掃描量熱儀(HITACHI STA200) 來分析固化體的熱穩(wěn)定性,XPS 測試來分析固化體中碘元素的價態(tài),測試前通過C 結(jié)合能284. 6 eV 對全譜進(jìn)行荷電校正,然后對目標(biāo)元素掃描高分辨譜,將所得結(jié)果與標(biāo)準(zhǔn)圖譜對照,由結(jié)合能確定元素種類,由化學(xué)位移確定元素的化學(xué)狀態(tài)。實驗中所有設(shè)備均由檢測機(jī)構(gòu)測試,設(shè)備在日常使用過程中定期校準(zhǔn),檢測機(jī)構(gòu)在測試前對相關(guān)設(shè)備進(jìn)行校準(zhǔn),以保證實驗數(shù)據(jù)準(zhǔn)確可靠。

        2 結(jié)果與討論

        2. 1 物相分析

        與Jade 數(shù)據(jù)庫中PDF 卡片(PDF#32-1031)碘方鈉石的衍射峰進(jìn)行對比,分析固化體的物相結(jié)構(gòu),如圖1 所示。圖1(a)為靜態(tài)亞臨界水熱條件的反應(yīng)參數(shù)圖,實心圖標(biāo)對應(yīng)的是溫度-時間圖,空心圖標(biāo)對應(yīng)的是壓力-時間圖,圖1(b)顯示了在不同反應(yīng)溫度和反應(yīng)壓力下固化體的XRD圖譜。反應(yīng)壓力為該反應(yīng)溫度下水的飽和蒸汽壓。從圖1(b)中可以得出,在200 ℃、1. 46 MPa下反應(yīng)1 h 后的產(chǎn)物主要為碘方鈉石和方沸石,隨著溫度升高至250 ℃,碘方鈉石的衍射峰逐漸消失,繼續(xù)升溫至380 ℃,徹底轉(zhuǎn)變成方沸石和二氧化硅。結(jié)果說明,亞臨界條件下高溫和高壓不利于形成碘方鈉石。所以,我們最終選擇含碘敷銀硅膠-偏鋁酸鈉-5%FD61 玻璃粉為推薦的固化配方,靜態(tài)亞臨界水熱合成的工藝參數(shù)為200 ℃,1. 46 MPa。圖1(c)展示了動態(tài)亞臨界水熱條件的反應(yīng)參數(shù)圖,圖1(d)顯示了動態(tài)亞臨界水熱條件下固化體的XRD 圖譜。從圖中可以得出,衍射峰主要為碘方鈉石和過量的反應(yīng)物偏鋁酸鈉,動態(tài)亞臨界水熱條件下由于在反應(yīng)過程中不斷攪拌,可以使反應(yīng)體系中的固相和液相充分接觸,有利于形成碘方鈉石。

        2. 2 形貌分析

        靜態(tài)亞臨界水熱條件和動態(tài)亞臨界水熱條件下合成固化體的SEM 圖如圖2 所示。圖2(a)為靜態(tài)亞臨界水熱合成的固化體的SEM,可以看出在該條件下合成的碘方鈉石微觀形貌呈現(xiàn)圓片狀,粒徑約為 2 μm,這一結(jié)果與已報道的文獻(xiàn)一致[25] 。同時伴有長條狀的方沸石,這是由于含碘敷銀硅膠難溶于水,反應(yīng)體系中存在相界面,固相和液相不能充分接觸,導(dǎo)致在靜態(tài)亞臨界水熱合成中反應(yīng)物固相和液相分層,反應(yīng)未充分進(jìn)行,產(chǎn)生了長條狀的方沸石。圖2(b)為動態(tài)亞臨界水熱合成固化體的SEM 圖,通過不斷攪拌,使固相和液相充分接觸,圖中只能看到圓片狀的碘方鈉石,沒有發(fā)現(xiàn)長條狀的方沸石,這一結(jié)果與XRD結(jié)果一致。實驗結(jié)果說明動態(tài)亞臨界水熱條件下處理效果更好,有利于碘方鈉石的形成。

        2. 3 TEM-EDS 分析

        動態(tài)亞臨界水熱條件下固化體的TEM-EDS結(jié)果如圖3 所示,圖3(a)為固化體的TEM 圖,圖3(b) ~(g)分別為Na、Al、Si、I、O、Ag 的元素分布圖。由圖可以發(fā)現(xiàn)Na、Al、Si、O 元素在分析區(qū)域內(nèi)分布較廣,且分布區(qū)域基本一致;I 元素在整個分析區(qū)域內(nèi)分布均勻,且基本與方鈉石的組成元素分布是一致的,這說明大部分的碘是進(jìn)入到方鈉石的晶格中形成了碘方鈉石;但也發(fā)現(xiàn)Ag 元素在分析區(qū)域均勻出現(xiàn),這是由于銀離子替換了方鈉石晶格中的部分鈉離子。

        2. 4 熱穩(wěn)定性分析

        圖4 為動態(tài)亞臨界水熱合成固化體的TGDSC圖。從TG 的測試數(shù)據(jù)可以發(fā)現(xiàn),合成固化體的質(zhì)量損失大致分為三個階段。第一階段在500 ℃以下出現(xiàn),是由于吸附水的損失導(dǎo)致的。在500 至850 ℃為第二階段,質(zhì)量損失不明顯。第三階段為850 ℃以上,固化體質(zhì)量損失率變大,表明樣品可能在此溫度范圍內(nèi)分解。同時在DSC 曲線中向下凹陷,表面有微弱的吸熱峰。

        2. 5 XPS 分析

        為了進(jìn)一步獲取碘元素在固化體中的賦存狀態(tài),給出了動態(tài)亞臨界水熱合成固化體的XPS 譜圖,如圖5 所示。圖5(a)為固化體的XPS 全譜,可明顯發(fā)現(xiàn)I 3d 相關(guān)特征峰。對I 3d 的XPS 峰進(jìn)行擬合,結(jié)果見圖5(b),可以發(fā)現(xiàn)在630. 1 eV處為I 3d3/ 2 軌道的峰,而在618. 2 eV 處為I 3d5/ 2軌道的峰。這一結(jié)果與所報道的碘化物I 3d XPS光譜結(jié)果類似,LIU 等[26] 開展了碘化物陰離子吸附在δ-Bi2O3 表面的XPS 光譜分析,結(jié)果表明兩個I 3d 峰分別出現(xiàn)在630. 1 eV (I 3d3/ 2)和618. 2eV (I 3d5/ 2)的結(jié)合能上,表明碘元素在樣品中為負(fù)一價,以I-形式存在。

        3 結(jié)論

        本文利用亞臨界水熱法處理了含碘敷銀硅膠,以NaAlO2 為原料處理自制的含碘敷銀硅膠,加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%的FD61 玻璃粉作為添加劑,分別研究了靜態(tài)條件和動態(tài)條件下合成固化體的差異。XRD 結(jié)果表明,在200 ℃ 下反應(yīng)得到的碘方鈉石含量較高,且在動態(tài)條件下有利于形成碘方鈉石。SEM-EDS 結(jié)果表明,動態(tài)亞臨界水熱合成的碘方鈉石形貌均一,為規(guī)整的圓片狀,粒徑約為2 μm,碘元素在固化體內(nèi)分布均勻。TG-DSC 結(jié)果表明合成固化體熱穩(wěn)定性較好,超過850 ℃ 以上會發(fā)生分解。XPS 結(jié)果表明碘方鈉石中存在的碘化合價為負(fù)一價,以I- 形式存在。本工作為動態(tài)亞臨界水熱條件應(yīng)用于低溫快速處理含碘敷銀硅膠提供了一定的研究基礎(chǔ)。

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