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        多晶硅企業(yè)事故大氣環(huán)境次生污染物影響分析

        2024-04-24 09:04:52黃翔何磊李萌劉曉宇
        中國環(huán)保產(chǎn)業(yè) 2024年3期
        關鍵詞:三氯氫硅氯化氫多晶硅

        黃翔,何磊,李萌,劉曉宇

        (中國環(huán)境科學研究院,北京 100012)

        光伏產(chǎn)業(yè)是新能源和可再生能源產(chǎn)業(yè)的重要組成部分[1],多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)的上游材料,將迎來新的發(fā)展機遇。近年來,隨著技術進步及環(huán)保要求的日趨嚴格,多晶硅生產(chǎn)企業(yè)綜合能耗水平大幅下降,清潔生產(chǎn)水平得以不斷提升[2]。但隨著多晶硅企業(yè)生產(chǎn)規(guī)模擴大、數(shù)量增加,泄漏、火災、爆炸等風險事故頻頻發(fā)生。

        目前,針對多晶硅風險事故的研究多以生產(chǎn)過程中涉及的風險節(jié)點和物料為主[3,4],而由于三氯氫硅理化性質(zhì)不穩(wěn)定,在事故條件下極易發(fā)生反應和燃燒,產(chǎn)生次生污染物,故本文研究了風險物料在事故狀況下,通過燃燒產(chǎn)生的次生污染物對大氣環(huán)境造成的危害。

        1 多晶硅生產(chǎn)風險因素分析

        1.1 多晶硅生產(chǎn)工藝

        多晶硅生產(chǎn)工藝主要有西門子法、甲硅烷法、四氯化硅氫還原法、改良西門子法、區(qū)域熔煉提純法、碳熱還原反應法、鋁熱還原法、MEMC 流化床法、Komatsu 法等[5-8]。其中,改良西門子法是世界主流的多晶硅生產(chǎn)工藝[9],整個流程包括將固體硅通過化學反應生成液體三氯氫硅,再通過提純系統(tǒng)在還原爐內(nèi)反應生成固態(tài)的高純單質(zhì)硅(見圖1)。主要工藝包括:(1)制氫工藝,利用天然氣制取氫氣;(2)合成工藝,在三氯氫硅合成爐內(nèi),硅粉與氯化氫氣體形成流化床并發(fā)生反應,生成液態(tài)的三氯氫硅,后續(xù)進行精餾提純;(3)精餾工藝,粗三氯氫硅通過高效提純塔提純后,經(jīng)循環(huán)水冷凝器冷凝作為合成精餾最終產(chǎn)品送至還原工段;(4)還原工藝,精餾工序生產(chǎn)得到高純?nèi)葰涔璁a(chǎn)物,經(jīng)汽化器后,與高純氫氣混合進入還原爐發(fā)生還原反應,生成的晶體硅沉積于還原爐內(nèi)的硅芯(硅棒)表面,得到多晶硅產(chǎn)品;(5)反應過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)物有二氯二氫硅(SiH2Cl2)、四氯化硅(SiCl4),經(jīng)過冷氫化、反歧化等工藝后重新轉化為三氯氫硅,再送往精餾提純系統(tǒng)分離精制[10,11]。

        圖1 改良西門子法多晶硅生產(chǎn)工藝流程

        1.2 多晶硅生產(chǎn)中風險物質(zhì)識別

        雖然不同多晶硅生產(chǎn)企業(yè)產(chǎn)能不同,產(chǎn)品規(guī)格不一,但采用改良西門子法的各生產(chǎn)單元涉及的原輔材基本類似(見表1)。生產(chǎn)單元的劃分是以裝置和設施之間的切斷閥為分隔界,其中儲存單元儲罐區(qū)以防火堤為界限劃分,儲存單元倉庫以獨立庫房(獨立建筑物)為界限劃分。

        表1 各生產(chǎn)單元涉及的主要原輔材料和產(chǎn)品

        根據(jù)《建設項目環(huán)境風險評價技術導則》[12](以下簡稱《風險導則》)中附錄B 突發(fā)環(huán)境風險物質(zhì)對多晶硅生產(chǎn)企業(yè)涉及的環(huán)境風險物質(zhì)進行識別,理化性質(zhì)通過查詢化學品安全技術說明書獲得(見表2)。表2 顯示,企業(yè)涉及的裝置在生產(chǎn)、使用、儲存、運輸過程中用到的物料,產(chǎn)生的中間產(chǎn)品、最終產(chǎn)品大部分都屬于危險化學品,具有易燃易爆、有毒有害或強腐蝕性的特性。

        表2 危險物料物質(zhì)特性

        1.3 多晶硅生產(chǎn)風險事故次生危害

        1.3.1 火災事故次生危害

        由以上可以判斷,多晶硅生產(chǎn)企業(yè)生產(chǎn)過程中的四氯化硅、氯化氫等為有毒物質(zhì),直接泄漏會對人體健康造成傷害;氫氣(H2)、天然氣、二氯二氫硅、三氯氫硅均為易燃物質(zhì),泄漏后遇火除了易發(fā)生火災、爆炸外,還會造成次生危害,產(chǎn)生大量毒性氣體氯化氫[13,14]。

        1.3.2 影響分析步驟

        首先,在風險源識別的基礎上,確定風險類型、風險源、次生污染物、影響情景等,設置風險事故情形。然后,基于事故情形計算燃燒過程污染物產(chǎn)生速率,估算源強。最后,通過模型模擬污染物在大氣中擴散程度對環(huán)境的影響。

        2 風險事故次生物質(zhì)環(huán)境影響分析研究

        2.1 企業(yè)風險事故情景分析

        以某多晶硅企業(yè)為例,按照《風險導則》中附錄B 規(guī)定的臨界量,定量分析各單元危險物質(zhì)最大量與臨界量比值,設定事故情景為中間罐區(qū)、球罐區(qū)的三氯氫硅泄漏燃燒,分析事故產(chǎn)生的次生污染物氯化氫對環(huán)境的影響(見表3)。

        表3 風險事故情形

        2.2 風險源強計算

        2.2.1 氣象條件設置

        最不利氣象條件按照《風險導則》中的F 類穩(wěn)定度參數(shù)設置,其中,風速為1.5m/s、溫度為25℃,相對濕度為50%[12];最常見氣象條件采用距離企業(yè)最近的氣象站一年逐時氣象數(shù)據(jù)統(tǒng)計的最常見氣象數(shù)據(jù),其中出現(xiàn)頻率最高的穩(wěn)定度為D,該穩(wěn)定度下的平均風速為3.71m/s,日最高平均氣溫為28.15℃,年平均相對濕度為54%。

        2.2.2 三氯氫硅泄漏速率計算公式

        三氯氫硅從管道中泄漏的速率采用《風險導則》附錄F 中的液體泄漏速率計算方程計算,如下:

        式中:QL——液體泄漏速度,kg/s;Cd——液體泄漏系數(shù),此值常用0.6—0.64;A——裂口面積,m2;ρ——液體密度,kg/m3;P——容器內(nèi)介質(zhì)壓力,Pa;P0——環(huán)境壓力,Pa;g——重力加速度,9.8m/s2;h——裂口之上液位高度,m。

        2.2.3 三氯氫硅燃燒速率計算公式

        池火災狀態(tài)下液池表面上單位面積的三氯氫硅燃燒速度dm/dt可按下式求得。下述計算公式為池火災計算模型中關于燃燒速度的計算公式。

        式中:dm/dt——三氯氫硅單位面積燃燒速度,kg/(m2·s);Hc——三氯氫硅的燃燒熱,J/kg;Cp——三氯氫硅的定壓比熱,J/(kg·K);Tb——三氯氫硅的沸點,306.15K;T0——環(huán)境溫度,K;H——三氯氫硅的汽化熱,J/kg。

        2.2.4 源項確定結果

        由于泄漏單元設置緊急隔離系統(tǒng),按照《風險導則》泄漏時間設置為10min。經(jīng)計算,風險源強見表4。

        表4 風險源強

        2.3 風險事故影響模擬預測

        2.3.1 預測模型選取

        根據(jù)《風險導則》要求,判定煙團/煙羽是否為重質(zhì)量氣體,取決于相對空氣的過剩密度和環(huán)境條件等因素,通常采用理查德森數(shù)(Ri)作為標準進行判斷[12]。由于缺乏三氯氫硅燃燒溫度資料,查詢《簡明化學手冊》,參考常見有機物的燃燒溫度:甲醇1100℃、乙醇1180℃、丙酮1000℃、乙醚2861℃、乙炔2127℃、甲烷2871℃??紤]到物質(zhì)密度隨溫度升高而減小,因此設置1000℃為燃燒溫度,通過計算得到氯化氫在1000℃下密度為0.3168kg/m3、氯氣在1000℃下密度為0.6887kg/m3,使用《風險導則》中公式計算理查德森數(shù),如下:

        式中:ρrel——排放物質(zhì)進入大氣的初始密度,kg/m3;ρa——環(huán)境空氣密度,kg/m3;Q——連續(xù)排放煙羽的速率,kg/s;Drel——初始的煙團寬度,即源直徑,m;Ur——10m 高處風速,m/s。

        通過上述公式計算可知,由于煙團初始密度未大于空氣密度,故理查德森數(shù)為負值,物質(zhì)屬于輕質(zhì)氣體,因此擴散采用AFTOX 模型進行預測。

        AFTOX 模型是高斯擴散模型中的一種,可模擬連續(xù)排放或瞬時排放,液體或氣體,地面源或高架源,點源或面源的指定位置濃度、下風向最大濃度以及其位置等,適用于平坦地形下中性氣體和輕質(zhì)氣體排放以及液池蒸發(fā)氣體的擴散[15]。

        2.3.2 風險事故結果

        根據(jù)AFTOX 模型預測結果(見表5),儲罐完全破裂的極端情形下的影響距離最廣且時間最久。在最不利氣象條件中,氯化氫氣體毒性終點濃度1 能達到的最遠距離為13 640m 處,出現(xiàn)時間為151min;毒性終點濃度2 能達到的最遠距離為42 270m 處,出現(xiàn)時間為469min。在常見氣象條件中,氯化氫氣體毒性終點濃度1 能達到的最遠距離為2450m 處,出現(xiàn)時間為30min;毒性終點濃度2 能達到的最遠距離為6820m 處,出現(xiàn)時間為85min。

        表5 AFTOX 模型預測結果

        3 結論及建議

        多晶硅企業(yè)在生產(chǎn)過程中存在三氯氫硅泄漏的風險,由于其理化性質(zhì)活潑,易引發(fā)火災事故,燃燒產(chǎn)生的高濃度毒性氣體氯化氫會在大氣中擴散,對周邊環(huán)境造成危害。本文利用AFTOX 模型對某企業(yè)儲罐發(fā)生泄漏引發(fā)火災的風險事故情形進行模擬預測,結果顯示在極端條件下,次生污染物氯化氫氣體擴散影響的最遠范圍可能達到42 270m,最近的影響范圍也有13 640m。由此,多晶硅企業(yè)應采取如下措施:

        (1)在發(fā)生火災事故時,應采用干粉、干砂、水泥等物質(zhì)滅火,避免二氯二氫硅、三氯氫硅等物料與水直接接觸繼續(xù)燃燒。

        (2)在應對燃燒產(chǎn)生的次生有害氣體向大氣擴散的情況時,可通過在裝置頂層邊緣布設的高壓水幕系統(tǒng),噴淋形成多層攔截的水霧,最大程度吸收裝置區(qū)產(chǎn)生的氯化氫等氣體。通過移動式消防水幕在下風向的噴淋稀釋,減小氯化氫等氣體的影響范圍。

        (3)發(fā)生事故時,企業(yè)應及時上報當?shù)刂鞴懿块T,第一時間對毒性終點濃度1 影響范圍內(nèi)的居民進行撤離疏散,并對毒性終點濃度2 影響范圍內(nèi)的居民采取防護措施,避免人員吸入過量氯化氫氣體發(fā)生中毒事件。

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