趙曰峰
(大連市第八中學(xué) 遼寧 大連 116021)
利用均勻帶電平板的電場(chǎng)強(qiáng)度推導(dǎo)真空中平行板電容器電容表達(dá)式.
構(gòu)建帶電半球殼模型計(jì)算無(wú)限大均勻帶電平板產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度.
如圖1所示,電荷面密度為σ的無(wú)限大帶電平板產(chǎn)生的電場(chǎng)是勻強(qiáng)電場(chǎng).
圖1 均勻帶正電平行板產(chǎn)生的電場(chǎng)
對(duì)于距平板距離為r的O點(diǎn),其距離板最近的點(diǎn)為O′,對(duì)于O點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度可利用微元法求解.選擇關(guān)于O′對(duì)稱(chēng)的兩個(gè)微小平面面元dSi,如圖2所示.
圖2 兩對(duì)稱(chēng)帶電面元dSi在O點(diǎn)產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度
(1)
當(dāng)球心角dαi→0時(shí),球面面元dSi1等于平面面元dSicosθ,所以式(1)中dSicos3θ變?yōu)?/p>
dSicos3θ=dSicosθcos2θ=dSi1cos2θ
(2)
利用上式將式(2)化為
dSicos3θ=dSi1cos2θ=
(3)
將式(3)帶入式(1)可得
(4)
因此由式(4)可知,O點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為
(5)
即無(wú)限大均勻帶電平行板產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度為
EO=2kπσ
如圖3所示,平行板電容器內(nèi)部的電場(chǎng)可等效為兩個(gè)相互平行的無(wú)限大平板內(nèi)部產(chǎn)生的電場(chǎng)(這兩個(gè)無(wú)限大平板帶有相同電荷面密度為σ的等量異種電荷).
圖3 平行板電容器內(nèi)部產(chǎn)生的電場(chǎng)
由式(5)可得:
正極板產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度E+= 2πkσ.
負(fù)極板產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度E-= 2πkσ.
平行板電容器內(nèi)部任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度等效為兩個(gè)相互平行的無(wú)限大平板在該點(diǎn)產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度的疊加,即
E=E++E-=2EO=4kπσ
因此電容器電壓為
U=Ed=4kπσd
(6)
面積為S的平行板電容器的電荷量為
Q=σS
(7)
將式(6)、(7)帶入電容的定義式,得出真空中平行板電容器的電容表達(dá)式為
極限法構(gòu)造等效平行板電容器推導(dǎo)真空中平行板電容器電容表達(dá)式.
在真空中構(gòu)造兩個(gè)電荷面密度相同帶異種電荷的同心球殼(球殼厚度不計(jì)),如圖4所示,半徑分別為RA、RB(半徑滿(mǎn)足關(guān)系RB-RA=d,d為定值),電荷量分別為+QA、-QB.在A球殼選取面元S,同一球心角下B球殼對(duì)應(yīng)的面元為S′.
圖4 兩個(gè)電荷面密度相同帶異種電荷的同心球殼
所以A、B球殼間電勢(shì)差為
(8)
當(dāng)RA→∞時(shí),RA?d,圖4中球殼面元S和S′視為平行的平面面元,此時(shí)S≈S′.由于兩球殼電荷面密度相同,則兩面元電荷量相同,因此兩球殼面元等效為平行板電容器.
兩球殼間的電勢(shì)差UAB即為構(gòu)建的平行板電容器的電壓,由式(8)可知電壓為
(9)
所構(gòu)建的平行板電容器的電荷量為
Q=σS
(10)
將式(9)、(10)帶入電容的定義式,得出真空中平行板電容器的電容表達(dá)式為
因此,充滿(mǎn)介質(zhì)的平行板電容器的電壓為
(11)
面積為S的平行板電容器的電荷量為
Q=σS
(12)
由式(11)、(12)可得平行板電容器的電容表達(dá)式為
推導(dǎo)完畢.
本文通過(guò)利用高中生易于理解的兩種方式推導(dǎo)了平行板電容器的電容表達(dá)式,使學(xué)生明確了電容表達(dá)式的由來(lái),深刻體會(huì)了構(gòu)建模型是解決物理問(wèn)題的一種高效手段,感受到物理模型的魅力,同時(shí)解決了教師教學(xué)中的困難.推導(dǎo)過(guò)程利用微元法和極限法,合理外推,避免復(fù)雜的計(jì)算,通俗易懂,展示物理科學(xué)推理、科學(xué)論證的魅力,同時(shí)培養(yǎng)和拓寬了學(xué)生的科學(xué)思維能力,提升物理學(xué)科核心素養(yǎng).