溫海洋， 張晨杰， 周天亮*， 解榮軍，2*

（1. 廈門(mén)大學(xué) 材料學(xué)院， 福建 廈門(mén) 361005；2. 廈門(mén)大學(xué) 固體表面物理化學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室， 福建 廈門(mén) 361005）

1 引 言

由于紅光-近紅外光可以輕易地穿透人體組織，可對(duì)人體的特定組織或健康指標(biāo)（血氧、血糖）進(jìn)行無(wú)損檢測(cè)[1]，因而其在醫(yī)學(xué)檢測(cè)領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。同時(shí)，紅光-近紅外光作用于人體時(shí)（光療），可促進(jìn)組織生熱，促使毛細(xì)血管擴(kuò)張，改善局部血液循環(huán)，從而達(dá)到消炎消腫、緩解患者肌肉疼痛的效果[2-3]。為促進(jìn)光療技術(shù)的推廣，光療設(shè)備需朝著智能化、便攜化方向發(fā)展，這就要求光療用光源（可發(fā)射紅光-近紅外光）須滿(mǎn)足高效且體積小巧、適合集成化等需求[4]。

傳統(tǒng)的鹵鎢燈光源存在體積巨大、能量轉(zhuǎn)換效率偏低的缺點(diǎn)[5]；（多）近紅外光芯片拼接的近紅外光源驅(qū)動(dòng)控制復(fù)雜，可靠性較差[6]；而熒光材料轉(zhuǎn)換型近紅外LED（NIR pc-LEDs）具有尺寸緊湊、光譜覆蓋范圍廣、電光轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)[7]，是較為理想的、極具應(yīng)用潛力的光療用光源。NIR pc-LEDs 的近紅外光發(fā)光特性取決于所使用的熒光材料[8-9]。Cr3+摻雜近紅外熒光材料的光譜特性與晶體場(chǎng)強(qiáng)度之間存在強(qiáng)關(guān)聯(lián)，且合成成本較低，發(fā)射光譜可調(diào)，逐漸成為研究熱點(diǎn)[10-11]。NIR pc-LED 結(jié)構(gòu)中常使用藍(lán)光LED 作為激發(fā)源，而近紅外熒光材料很難將藍(lán)光完全吸收，這會(huì)導(dǎo)致藍(lán)光“過(guò)度”溢出，對(duì)人體健康（尤其是眼睛）存在一定潛在危害[12-13]。雖然采用厚涂熒光材料的方法可降低器件中的藍(lán)光比例，但這種封裝方法將造成器件的電光效率降低和成本上升等問(wèn)題[14]。

研究表明，通過(guò)共/多摻雜手段對(duì)Cr3+進(jìn)行能量傳遞，可實(shí)現(xiàn)熒光材料的多波段發(fā)射并提升Cr3+的發(fā)光強(qiáng)度。You 等[15]將在紫外區(qū)域有高吸收能力的Eu2+作為敏化離子，在BaMgAl10O17中實(shí)現(xiàn)了451 nm 和692 nm 的雙峰發(fā)射；Cr3+的近紅外發(fā)光（發(fā)射主峰位于730 nm）獲得了3.6 倍的增強(qiáng)，Eu2+→Cr3+能量傳遞效率為30.3%。Gao 等[16]將Pr3+引入La3Ga5GeO14∶Cr3+中后，Pr3+→Cr3+能量傳遞使Cr3+發(fā)光強(qiáng)度提升至原來(lái)的3 倍。Yan 等[17]在Ca2TbHf2Al3O1∶Ce3+中引入Cr3+，通過(guò)構(gòu)筑Ce3+→Tb3+、Ce3+→Cr3+、Tb3+→Cr3+的能量傳遞，實(shí)現(xiàn)了覆蓋700～1 000 nm 波段的近紅外發(fā)光，在100 ℃時(shí)仍能保持初始36%的近紅外發(fā)射強(qiáng)度。Ma 等[18]將Ce3+摻雜到Y(jié)2SrAl4SiO12∶Cr3+中，由于Ce3+→Cr3+的能量傳遞，Cr3+的發(fā)光強(qiáng)度增強(qiáng)至單摻雜Cr3+時(shí)的3 倍，最佳濃度時(shí)的能量傳遞效率約為49.46%。然而，通過(guò)共摻雜方式來(lái)減弱器件中藍(lán)光輸出的策略，此前并未被重視。

在之前的工作中，我們已證實(shí)在藍(lán)光激發(fā)下，Ba3Sc4O9∶Cr3+（BSO∶Cr3+）的發(fā)射光譜主峰位于835 nm、半高寬達(dá)188 nm；而B(niǎo)a3Sc4O9∶Ce3+（BSO∶Ce3+）在藍(lán)光的激發(fā)下表現(xiàn)為橙紅光發(fā)射[19-20]。因此，本文通過(guò)Ce3+/Cr3+共摻雜策略增強(qiáng)該材料在藍(lán)光區(qū)域的吸收，從而降低器件藍(lán)光輸出的比例，并增強(qiáng)Cr3+在近紅外波段的發(fā)光強(qiáng)度，使其滿(mǎn)足光療領(lǐng)域?qū)庾V波段的需求，提升其應(yīng)用潛力。

2 實(shí) 驗(yàn)

2.1 樣品制備

采用高溫固相反應(yīng)合成BSO∶xCe3+/0.04Cr3+和BSO∶0.004Ce3+/yCr3+樣品。按化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)量BaCO3（4N，上海瑞玉光電材料）、Sc2O3（4N，中諾新材）、Cr2O3（AR，西隴科學(xué)）、CeO2（4N，西格瑪試劑）。以乙醇為介質(zhì)，將上述原料在瑪瑙研缽中研磨25 min。所得混合物在室溫下干燥后置于剛玉坩堝中，并于90%N2/10%H2（vol/vol）氣氛下在管式爐中以1 475 ℃的溫度燒結(jié)4 h。待樣品冷卻至室溫后，將其研磨成粉末進(jìn)行表征。

2.2 樣品表征

使用Bruker AXS Advance 衍射儀進(jìn)行X 射線(xiàn)衍射（XRD，Cu Kα，λ= 0.154 06 nm，工作電壓/電流40 kV/40 mA，掃描范圍10°～80°，掃描步長(zhǎng)0.016 3°，掃描速度0.1 s/步）測(cè)試，獲取樣品的物相信息；通過(guò)掃描電子顯微鏡（Hitachi，SU-70）觀(guān)察樣品的形貌，并利用能譜儀（EDS）分析其元素分布；采用配備可見(jiàn)光（R928P）和近紅外（R5509）兩種PMT 探測(cè)器的熒光分光光度計(jì)（Edinburgh Instruments，F(xiàn)LS 980）收集樣品的激發(fā)、發(fā)射光譜和熒光壽命數(shù)據(jù)，其中激發(fā)、發(fā)射光譜以連續(xù)450 W 氙燈為激發(fā)光源，熒光壽命以外接445 nm 激光器為激發(fā)光源；漫反射光譜以BaSO4作為基準(zhǔn)，利用紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)（Shimadzu，UV-3600 PLUS）進(jìn)行測(cè)量；使用自制儀器記錄樣品的熱猝滅性能以及NIR pc-LED 器件的光譜，該儀器由樣品冷卻/加熱平臺(tái)、溫度控制器、455 nm LED 和光譜儀（Ocean Optics，USB 2000+）組成。

3 結(jié)果與討論

3.1 物相分析

BSO 屬于R3（No. 146）空間群，菱面體結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)由[BaOx]（x= 6，9，12）多面體和四種不同類(lèi)型的[ScO6]八面體組成[21-23]，相應(yīng)的晶體結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖1（e）。Sc1 和Sc3 格位以邊共享形成二維層，在該層的垂直方向上，Sc2 和Sc4 格位層通過(guò)面共享的方式分別與Sc3 和Sc1 堆疊連接。而Sc2 和Sc4則通過(guò)點(diǎn)共享連接。BSO∶xCe3+/0.04Cr3+的XRD圖譜如圖1（a）、（c）所示，所有衍射峰均與標(biāo)準(zhǔn)JCPDS 卡片（No. 31-0161）相匹配，并未檢測(cè)到衍射雜峰，表明所合成的BSO∶xCe3+/yCr3+為純相樣品。

圖1 （a）BSO∶xCe3+/0.04Cr3+的XRD；（b）晶格參數(shù)隨Ce3+含量的變化；（c）BSO∶0.004Ce3+/yCr3+的XRD；（d）晶格參數(shù)隨Cr3+含量的變化；（e）BSO 的晶體結(jié)構(gòu)。Fig.1 XRD pattern of BSO∶xCe3+/0.04Cr3+（a） and BSO∶0.004Ce3+/yCr3+（c）. Lattice parameters as functions of Ce3+ contents（b）and Cr3+ contents（d）. （e）Crystal structure of BSO.

如圖1（b）所示，通過(guò)計(jì)算發(fā)現(xiàn)，隨著Ce3+摻雜濃度的提升，BSO∶xCe3+/0.04Cr3+的晶格參數(shù)表現(xiàn)出先增加后降低的趨勢(shì)。這是因?yàn)樵诘蛽诫s量情況下，Ce3+會(huì)取代[ScO6]格位（也會(huì)取代Ba2+），由于Ce3+半徑（RCN=6= 0.101 nm）遠(yuǎn)大于Sc3+半徑（RCN=6= 0.075 nm），發(fā)生兩種不同類(lèi)型的取代競(jìng)爭(zhēng)后，最終導(dǎo)致晶格發(fā)生膨脹；而當(dāng)Ce3+摻雜量增大后（x＞0.008），Ce3+取代半徑更大的Ba2+（RCN=6=0.135 nm）概率增加，同時(shí)這種非等價(jià)取代（2Ce3+→+ V″Ba）的過(guò)程會(huì)導(dǎo)致陽(yáng)離子空位V″Ba的產(chǎn)生，增大了晶格收縮的程度[20,24]，最終導(dǎo)致晶格整體發(fā)生收縮。圖1（d）中的晶格參數(shù)變化趨勢(shì)則證實(shí)了小半徑Cr3+取代大半徑Sc3+的摻雜行為。通過(guò)對(duì)BSO∶0.004Ce3+/0.04Cr3+進(jìn)行掃描電鏡分析（SEM）及能譜分析（EDS）（圖2），所得熒光材料顆粒粒徑屬于微米級(jí)，邊沿清晰呈不規(guī)則形狀，Ba、Sc、O、Cr、Ce 等元素分布均勻，證實(shí)Cr3+和Ce3+成功摻雜進(jìn)BSO 中。但由于Ce3+的摻雜量過(guò)小，在EDS 中的信號(hào)強(qiáng)度較為微弱，元素信號(hào)發(fā)生漂移，呈繁星狀分布。

圖2 （a）BSO∶0.004Ce3+/0.04Cr3+的SEM 圖像；（b）～（f）Ba、Sc、O、Cr、Ce 元素分布。Fig.2 （a）SEM image of the selected phosphor particle. （b）-（f）Corresponding EDS mappings of Ba， Sc， O， Cr and Ce， respectively.

3.2 光學(xué)性能表征

圖3 （a）給出了單摻雜樣品與共摻雜樣品的激發(fā)、發(fā)射光譜。結(jié)果顯示，單摻雜樣品均可被藍(lán)光激發(fā)，BSO∶Ce3+與BSO∶Cr3+分別展現(xiàn)出峰值為585 nm、半峰寬為163 nm 及峰值為835 nm、半峰寬為190 nm 的寬譜發(fā)射，有效覆蓋紅光及近紅外波段。BSO∶Ce3+的發(fā)射峰符合Ce3+取代Sc3+而非Ba2+后所表現(xiàn)出的發(fā)光特性[19-21]，且正好與BSO∶Cr3+的激發(fā)光譜（紅光）產(chǎn)生了大面積的交疊，滿(mǎn)足發(fā)生Ce3+→Cr3+能量傳遞的必要條件。通過(guò)對(duì)BSO∶Ce3+/Cr3+在380～580 nm 內(nèi)的激發(fā)光譜進(jìn)行高斯分峰，所得結(jié)果與兩單摻雜樣品的激發(fā)光譜相吻合，這表明在BSO∶Ce3+/Cr3+內(nèi)存在Ce3+→Cr3+能量傳遞，而這種能量傳遞在一定程度上也拓寬了Cr3+在藍(lán)光區(qū)的吸收。Ce3+→Cr3+能量傳遞過(guò)程可通過(guò)圖3（b）的能級(jí)躍遷示意圖來(lái)解釋。當(dāng)被藍(lán)光激發(fā)時(shí)，Ce3+最外層4f1電子從基態(tài)2F7/2和2F5/2躍遷至4f05d1的激發(fā)態(tài)，再?gòu)募ぐl(fā)態(tài)躍遷回基態(tài)的過(guò)程中將能量傳遞給Cr3+，促使Cr3+最外層電子躍遷至激發(fā)態(tài)4T1和4T2，而后躍遷回基態(tài)4A2，并表現(xiàn)為近紅外發(fā)射。

圖3 （a）BSO∶0.004Ce3+/0.04Cr3+與單摻樣品的激發(fā)、發(fā)射光譜；（b）Ce3+→Cr3+能量傳遞示意圖。Fig.3 （a）PL/PLE spectra of BSO∶0.004Ce3+/0.04Cr3+， BSO∶0.04Cr3+， BSO∶0.004Ce3+. （b）Energy transfer scheme of Ce3+→Cr3+.

為了探究能量傳遞過(guò)程對(duì)于BSO 發(fā)光性能的影響，我們分別測(cè)量了不同Ce3+、Cr3+摻雜濃度下樣品的發(fā)射光譜和漫反射光譜，結(jié)果如圖4 所示。由圖4（a）、（b）可知，對(duì)于BSO∶xCe3+/yCr3+樣品，隨著Ce3+、Cr3+摻雜量的增加，樣品發(fā)光強(qiáng)度呈現(xiàn)出先上升后下降的趨勢(shì)，分別于x= 0.004、y= 0.04 時(shí)達(dá)到極大值后發(fā)生濃度猝滅，二者不同時(shí)達(dá)到極值可能是能量傳遞效率不同導(dǎo)致的。受益于Ce3+→Cr3+的能量傳遞，BSO∶xCe3+/0.04Cr3+在近紅外區(qū)域發(fā)光強(qiáng)度不斷增強(qiáng)，最大發(fā)光強(qiáng)度可達(dá)單摻雜Cr3+時(shí)的181%，但也同時(shí)導(dǎo)致585 nm 處Ce3+的發(fā)光強(qiáng)度急劇下降。從圖4（c）所示的BSO∶xCe3+/yCr3+的漫反射光譜可以很直觀(guān)地看出，單摻Cr3+的樣品在265，480，660 nm 處存在明顯的吸收峰，分別對(duì)應(yīng)Cr3+的4A2（4F）→4T1（4P）、4A2（4F）→4T1（4F）和4A2（4F）→4T2（4F）三種允許躍遷[25]，但對(duì)增強(qiáng)小于480 nm 范圍內(nèi)的光吸收并不理想；而單摻雜Ce3+的樣品在320～510 nm 處存在寬吸收帶，該吸收帶歸屬于Ce3+在不同摻雜位點(diǎn)的4f→5d 躍遷[20]。BSO∶Ce3+/Cr3+的吸收峰為上述兩類(lèi)單摻樣品的疊加，因而比BSO∶Cr3+在320～500 nm 范圍有更強(qiáng)的吸收。此外，根據(jù)圖4（d）BSO∶xCe3+/0.04Cr3+的漫反射光譜可知，除了存在Cr3+的三個(gè)吸收峰外，隨著Ce3+摻雜量的增加，240～650 nm 范圍內(nèi)吸收峰變強(qiáng)，且480 nm 處的吸收峰發(fā)生了藍(lán)移，這同樣是Ce3+寬吸收帶的影響所致。

圖4 （a）450 nm 激發(fā)下BSO∶xCe3+/0.04Cr3+的發(fā)射光譜；（b）450 nm 激發(fā)下BSO∶0.004Ce3+/yCr3+的發(fā)射光譜；（c）BSO∶xCe3+/yCr3+的漫反射光譜對(duì)比；（d）BSO∶xCe3+/0.04Cr3+的漫反射光譜。Fig.4 PL spectra of BSO∶xCe3+/0.04Cr3+（a） and BSO∶0.004Ce3+/yCr3+（b） under 450 nm excitation. Comparison of diffuse reflectance spectra of BSO∶xCe3+/yCr3+（c） and BSO∶xCe3+/0.04Cr3+（d）.

利用Paulose 等[26]提出的能量傳遞效率公式定量分析Ce3+摻雜量對(duì)能量傳遞過(guò)程的影響，其公式如下：

其中ηET代表能量傳遞效率，τCe和τCe,0分別表示不同Cr3+摻雜量下Ce3+的熒光壽命以及BSO∶0.004Ce3+的熒光壽命。445 nm 激發(fā)下Ce3+在585 nm 處的熒光壽命如圖5（a）所示。隨著Ce3+→Cr3+能量傳遞效率的變化，Ce3+熒光壽命表現(xiàn)出先減小后增大的趨勢(shì)。目前，對(duì)于BSO∶Ce3+在585 nm處的熒光壽命歸屬尚有爭(zhēng)議，Ma 等選擇了二階指數(shù)擬合[21]，而Wang 等使用了四階指數(shù)擬合[21]。本文在對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析后選擇公式[27-28]進(jìn)行二階指數(shù)擬合：

其中I（t）表示在時(shí)間t時(shí)的熒光發(fā)射強(qiáng)度，I0為初始發(fā)射強(qiáng)度，A1和A2為指數(shù)常數(shù)，定義τ1和τ2為指數(shù)分量的衰減時(shí)間，τave為平均壽命，擬合結(jié)果見(jiàn)表1。

表1 不同Cr3+摻雜濃度樣品的熒光壽命Tab.1 Lifetime of samples with varying Cr3+ contents

當(dāng)Cr3+摻雜濃度達(dá)到0.04 時(shí)，Ce3+的熒光壽命達(dá)到最小值，能量傳遞效率達(dá)到最大值50.92%（圖5（b）），證明此時(shí)存在較強(qiáng)的Ce3+→Cr3+能量傳遞，即BSO∶0.004Ce3+/0.04Cr3+樣品具有最高的能量傳遞效率，Cr3+在近紅外波段發(fā)光強(qiáng)度提高到未摻雜Ce3+前的181%。另外，BSO∶0.04Cr3+及BSO∶0.004Ce3+/0.04Cr3+熒光粉對(duì)應(yīng)量子效率分別為5.9%及6.2%。表2 給出了幾種Ce3+/Cr3+共摻雜熒光粉的最佳樣品性能以供對(duì)比，顯然，本工作中Ce3+→Cr3+能量傳遞的效率較高。

表2 各類(lèi)Ce3+/Cr3+共摻雜熒光粉Tab.2 Different kinds of phosphors with Ce3+/Cr3+ co-doped

3.3 熱穩(wěn)定性能表征

熱穩(wěn)定性是熒光材料應(yīng)用時(shí)必須考慮的重要性能指標(biāo)。BSO∶0.004Ce3+/0.04Cr3+的熱穩(wěn)定性能測(cè)試結(jié)果見(jiàn)圖6。隨著溫度的逐漸上升，非輻射躍遷概率的增加導(dǎo)致材料的發(fā)光強(qiáng)度逐漸下降，產(chǎn)生熱猝滅現(xiàn)象（圖6（a））。但Cr3+的發(fā)射峰強(qiáng)度降低的速率遠(yuǎn)慢于Ce3+。這說(shuō)明在BSO 中，Cr3+的熱穩(wěn)定性能優(yōu)于Ce3+。同時(shí)溫度上升增強(qiáng)了材料的電子-聲子耦合作用[31,34]，導(dǎo)致發(fā)射光譜半高寬的增加，從室溫至200 ℃，半峰寬增加了9.8 nm。

圖6 455 nm 激發(fā)下BSO∶0.004Ce3+/0.04Cr3+的變溫光譜（a）和發(fā)射強(qiáng)度（b）；（c）BSO∶0.004Ce3+/0.04Cr3+與BSO∶0.04Cr3+的熱穩(wěn)定性能對(duì)比；（d）非輻射躍遷活化能Ea的擬合。Fig.6 Temperature-dependent PL（a） and temperature-dependent integrated PL intensity（b） of BSO∶0.004Ce3+/0.04Cr3+ under 455 nm excitation.（c）Thermal stability of BSO∶0.004Ce3+/0.04Cr3+ and BSO∶0.04Cr3+.（d）The fitting of non-radiative transition activation energy Ea.

BSO∶0.004Ce3+/0.04Cr3+在423 K 時(shí)，Cr3+的發(fā)射強(qiáng)度為室溫下的35.5%（圖6（c））。通過(guò)對(duì)比BSO∶0.04Cr3+的熱猝滅曲線(xiàn)可知，Ce3+的引入雖然提升了Cr3+的發(fā)光強(qiáng)度，但也降低了材料的熱穩(wěn)定性。根據(jù)Arrhenius 方程[35]可計(jì)算出材料的非輻射躍遷活化能Ea：

其中I0和I分別是初始發(fā)射強(qiáng)度和給定溫度下的強(qiáng)度，k是玻爾茲曼常數(shù)，A為常數(shù)。如圖6（d）所示，BSO∶0.004Ce3+/0.04Cr3+的非輻射躍遷活化能為0.300 eV，BSO∶0.04Cr3+的非輻射躍遷活化能為0.314 eV。顯然，Ce3+的摻雜降低了材料結(jié)構(gòu)的剛性，增加了缺陷數(shù)量與體系的無(wú)序性，致使非輻射躍遷更易發(fā)生。

3.4 NIR pc-LED 器件

為了探究Ce3+/Cr3+共摻雜對(duì)于藍(lán)光吸收（降低藍(lán)光輸出）的影響，我們分別將等質(zhì)量的單摻雜樣品與共摻雜樣品與藍(lán)光LED 芯片結(jié)合（LED 芯片產(chǎn)自三安光電，額定電壓及功率為：5.3 V、0.53 W），封裝成NIR pc-LED（熒光粉與封裝A、B 膠比例為1∶3∶1），并紀(jì)錄了兩種器件的光譜（圖7）。顯然，BSO∶Cr3+和BSO∶Ce3+/Cr3+均能被藍(lán)光LED有效激發(fā)，在相同藍(lán)光輸入功率的情況下，Ce3+/Cr3+共摻雜器件在極大程度上緩解了藍(lán)光過(guò)剩的問(wèn)題，藍(lán)光的剩余輸出減弱至單摻雜器件的22%；而近紅外發(fā)光輸出強(qiáng)度提升至原來(lái)的188%；同時(shí)在540～650 nm 區(qū)域檢測(cè)到紅光發(fā)射。單摻雜BSO∶Cr3+與共摻雜BSO∶Ce3+/Cr3+NIR pc-LED 器件輸出功率分別為1.6 mW、1.0 mW，電光轉(zhuǎn)換效率為0.3%、0.19%。利用近紅外相機(jī)拍攝水果在共摻雜及單摻雜器件照射下的夜視圖片，可以發(fā)現(xiàn)，共摻雜BSO∶Ce3+/Cr3+器件拍攝出的水果夜視圖片相較于單摻雜器件的夜視圖片更加清晰，水果的形狀更加飽滿(mǎn)，這與兩種器件光譜發(fā)射強(qiáng)度對(duì)比的結(jié)果相一致?？梢灶A(yù)見(jiàn)，憑借這種低藍(lán)光輸出、紅光-近紅外雙發(fā)射的發(fā)光性能，Ce3+/Cr3+共摻雜Ba3Sc4O9熒光材料在光療領(lǐng)域?qū)⒕哂幸欢ǖ膽?yīng)用潛力。

圖7 （a）單摻雜Cr3+樣品和Ce3+/Cr3+共摻雜樣品封裝NIR pc-LED 器件光譜對(duì)比；BSO∶Ce3+/Cr3+（b）與BSO∶Cr3+（c）器件夜視照片。Fig.7 （a）PL spectra of BSO∶0.04Cr3+ and BSO∶0.004Ce3+/0.04Cr3+ pc-LED combined with a ～450 nm LED chip. Night vision（fruits） with BSO∶0.004Ce3+/0.04Cr3+（b） and BSO∶0.04Cr3+（c）.

4 結(jié) 論

本文采用高溫固相法成功制備出Ce3+/Cr3+共摻雜的Ba3Sc4O9紅光-近紅外發(fā)射熒光材料。在能量傳遞效率為50.92%的條件下，Ce3+/Cr3+共摻雜不僅僅將Cr3+在近紅外波段發(fā)光強(qiáng)度提升到181%，同時(shí)能顯著地抑制藍(lán)光的輸出，所封裝器件的藍(lán)光強(qiáng)度降低至原來(lái)的22%。本文所提出的通過(guò)構(gòu)筑能量傳遞路徑、降低（基于芯片激發(fā)熒光材料的發(fā)光器件）藍(lán)光輻射強(qiáng)度的方法，或?qū)⒂兄诒绢I(lǐng)域的研究人員從另外一種角度重新認(rèn)識(shí)能量傳遞的作用，從而設(shè)計(jì)出更多應(yīng)用于光療、檢測(cè)領(lǐng)域的低藍(lán)光輻射且可發(fā)射紅光-近紅外的熒光材料。

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