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        支持多路充電并具備電池保護(hù)功能的安全供電設(shè)計(jì)

        2023-12-19 09:53:00毛昊楨李清徐旭紅朱亞林
        電子制作 2023年23期
        關(guān)鍵詞:觸點(diǎn)電平芯片

        毛昊楨,李清,徐旭紅,朱亞林

        (科大訊飛股份有限公司,安徽合肥, 230088)

        0 引言

        隨著智能穿戴設(shè)備功能日趨復(fù)雜化,功耗也隨之上升,開(kāi)始新增支持邊充邊用等需求;在智能穿戴設(shè)備中除具備原始定制充電方式外,增加標(biāo)準(zhǔn)接口的充電方式成為產(chǎn)品迭代趨勢(shì)。以具備常規(guī)PogoPIN 充電產(chǎn)品為例,智能穿戴設(shè)備除自身具備壓觸式充電外,增加標(biāo)準(zhǔn)充電接口的好處在于,擺脫上述獨(dú)特性設(shè)計(jì)充電方式的束縛,使產(chǎn)品具備兩種或多種充電方式,更好適應(yīng)不同場(chǎng)景下的需求。

        現(xiàn)有技術(shù)方案中,王錕提出的一種多充電方式手電筒的設(shè)計(jì),可以通過(guò)多種充電方式進(jìn)行充電,還可充當(dāng)充電器的角色,從而實(shí)現(xiàn)在不同環(huán)境下充電[1];韓娜從平滑直流、帶續(xù)流功能的平滑直流、脈沖寬度調(diào)試研究了針對(duì)手機(jī)電池的充電過(guò)程實(shí)施智能化控制,在電池的使用上也能提供更多的保護(hù)[2];陳其良提出了一種以PIC 單片機(jī)為核心的數(shù)字式充電設(shè)備安全功能檢測(cè)系統(tǒng),大提高了數(shù)據(jù)處理能力和測(cè)試精度、操作簡(jiǎn)便、測(cè)試周期短[3];張旭研究了電池在恒流充電、恒壓充電、恒流-恒壓和變電流充電下的充電時(shí)間、充電溫度變化以及過(guò)程中的充電容量變化,實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以有效指導(dǎo)電池的充電策略制定[4~10]。

        上述研究中,已經(jīng)逐步具備了多種充電方式,且多種充電方式可獨(dú)立工作,但在一款智能充電設(shè)備上設(shè)計(jì)兩種或以上充電方式均為簡(jiǎn)單的功能堆疊,或者采用集成的芯片方案進(jìn)行設(shè)計(jì),無(wú)法實(shí)現(xiàn)對(duì)于兩種或多種充電方式的識(shí)別和區(qū)分,從而無(wú)法針對(duì)性地開(kāi)發(fā)相應(yīng)功能;同時(shí),兩種充電方式之間存在的電流倒灌或者電壓反串等安全性設(shè)計(jì)還未有充分考慮并進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)規(guī)避。因此“壓觸式充電”和“標(biāo)準(zhǔn)接口充電”之間的識(shí)別和切換,以及安全性設(shè)計(jì)成為需要重點(diǎn)關(guān)注的方向,當(dāng)前各家的技術(shù)方案中,暫未對(duì)這一方面進(jìn)行充分的設(shè)計(jì)和安全上的措施。為此,本文提出了一種適用于充電倉(cāng)充電+標(biāo)準(zhǔn)接口充電兩種充電方式的電路,該電路除具備上述充電功能外,還具備充電方式識(shí)別、電流與電壓防反設(shè)計(jì)、安全充電等技術(shù)特征。

        1 安全充電方案硬件設(shè)計(jì)

        如圖1 所示,硬件原理框圖分為兩部分:序號(hào)1 為充電倉(cāng),序號(hào)2 為入倉(cāng)設(shè)備。

        圖1 硬件原理框圖

        充電倉(cāng)為儲(chǔ)能設(shè)備,用于向入倉(cāng)設(shè)備提供電能,輸出電壓由充電倉(cāng)自身內(nèi)部升壓芯片控制,輸出電流由入倉(cāng)設(shè)備的需求來(lái)決定。充電倉(cāng)與入倉(cāng)設(shè)備以pogoPIN 與觸點(diǎn)的壓合接觸方式進(jìn)行導(dǎo)通,可用于實(shí)現(xiàn)充電、供電、通信、喚醒識(shí)別等功能操作。充電功能為充電倉(cāng)向入倉(cāng)設(shè)備的電池進(jìn)行充電,以支持設(shè)備出倉(cāng)工作需求;供電功能為利用充電倉(cāng)向入倉(cāng)設(shè)備的系統(tǒng)功能進(jìn)行供電,以節(jié)省設(shè)備入倉(cāng)后消耗自身電池的電能;通信功能為充電倉(cāng)與入倉(cāng)設(shè)備之間進(jìn)行充電參數(shù)配置、電量信息反饋、軟件燒錄、時(shí)間同步等工作;喚醒識(shí)別功能為入倉(cāng)設(shè)備在放進(jìn)充電倉(cāng)進(jìn)行充電后,既需要滿足在倉(cāng)內(nèi)充電的需求,也需要滿足與標(biāo)準(zhǔn)接口的充電方式進(jìn)行區(qū)分識(shí)別的功能。其中,充電路徑為充電倉(cāng)→觸點(diǎn)→防反電路→Switch 芯片→Charger 芯片→Battery;供電路徑為充電倉(cāng)→觸點(diǎn)→防反電路→Switch 芯片→主控/Power Path →Vsys;通信路徑為充電倉(cāng)→觸點(diǎn)→主控;喚醒識(shí)別路徑為充電倉(cāng)→觸點(diǎn)→主控。

        入倉(cāng)設(shè)備為用戶使用的穿戴類設(shè)備,如小型無(wú)人機(jī)、無(wú)線麥克風(fēng)、智能手環(huán)/手表等各類智能終端。該終端有兩種充電接口,分別為pogoPIN 與觸點(diǎn)的壓觸式充電,和標(biāo)準(zhǔn)接口式充電,如Type-C、Micro-USB 等。標(biāo)準(zhǔn)接口可實(shí)現(xiàn)向電池充電和向系統(tǒng)供電的功能,充電路徑為標(biāo)準(zhǔn)接口→OVP 芯片→防反電路→Switch 芯片→Charger 芯片→Battery;充電路徑為標(biāo)準(zhǔn)接口→OVP 芯片→防反電路→Switch 芯片→主控/Power Path →Vsys。

        標(biāo)準(zhǔn)接口的后級(jí)為OVP 芯片,用于防護(hù)供電路徑上電壓過(guò)高的情況;觸點(diǎn)與OVP 的后級(jí)均為防反電路,二者從不同路徑輸入防反電路,并從同一路徑輸出至后級(jí)的Switch 芯片。Switch 后級(jí)有三條路徑,Switch 芯片至Charger 芯片路徑為充電路徑,用于向電池充電;Switch芯片至主控路徑為向主控供電的路徑,用于支持主控工作;Switch 芯片至Power Path 路徑為向系統(tǒng)供電的VSYS 路徑,用于向主控之外的其余系統(tǒng)部分工作。同理,在Charger芯片至電池的路徑上,也存在向主控和Power Path 供電的路徑。

        2 充電方式識(shí)別邏輯

        ■2.1 識(shí)別方法一

        當(dāng)采用壓觸式充電方式時(shí),不需要考慮過(guò)長(zhǎng)時(shí)間充電對(duì)電池帶來(lái)的影響,不存在過(guò)充場(chǎng)景;當(dāng)采用標(biāo)準(zhǔn)接口充電方式時(shí),用戶邊充邊用為常規(guī)場(chǎng)景,因此存在過(guò)長(zhǎng)時(shí)間充電的情況,該情況將導(dǎo)致電池浮充,從而存在安全隱患。充電方式識(shí)別的目的在于區(qū)分兩種充電方式:壓觸式充電和標(biāo)準(zhǔn)接口充電,并以識(shí)別的結(jié)果為依據(jù)來(lái)執(zhí)行不同的充電安全策略。

        如圖2 所示共有4 個(gè)電平采集拓?fù)湮恢命c(diǎn):點(diǎn)A 在OVP 芯片至防反電路模塊的路徑上,點(diǎn)B 位于觸點(diǎn)至防反電路模塊的路徑上,點(diǎn)C 在防反電路模塊至Switch 芯片的路徑上,點(diǎn)D 在Switch 芯片至主控的路徑上。當(dāng)Switch芯片打開(kāi)時(shí),C 點(diǎn)和D 點(diǎn)的電平狀態(tài)是一致的;當(dāng)Switch芯片關(guān)閉時(shí),D 點(diǎn)將一直位置低電平狀態(tài)。采用這4 個(gè)電平采集點(diǎn),可實(shí)現(xiàn)兩種識(shí)別方法。在正常充電場(chǎng)景中,Switch 芯片是維持打開(kāi)的,本部分將主要介紹Switch 芯片打開(kāi)的場(chǎng)景,即C、D 點(diǎn)電平始終保持一致。

        圖2 充電方式識(shí)別方法一

        如圖2 所示的方法1:將在A 點(diǎn)、B 點(diǎn)和D 點(diǎn)采集到的電平信息,分別反饋至主控的IO3、 IO2、IO1 口上,當(dāng)主控對(duì)IO1 狀態(tài)識(shí)別到有5V 存在后,再執(zhí)行判斷IO2 和IO3 的電平狀態(tài),哪一路為高,則采用哪種充電方式,具體流程如圖3 所示。

        圖3 識(shí)別方法一流程圖

        ■2.2 識(shí)別方法二

        在更多場(chǎng)景中,主控的IO 資源都是有限的,存在沒(méi)有充足IO 資源,導(dǎo)致不具備對(duì)每一路的電平狀態(tài)進(jìn)行采集和識(shí)別的情況,因此方法二使用2 個(gè)IO 口資源來(lái)實(shí)現(xiàn)充電方式的識(shí)別功能。

        如圖4 所示的方法2:將在B 點(diǎn)和D 點(diǎn)采集到的電平信息,分別反饋至主控的IO2 和IO1 口上,當(dāng)主控對(duì)IO1狀態(tài)識(shí)別到有5V 存在后,執(zhí)行判斷IO2 的電平狀態(tài),當(dāng)IO2 電平為高時(shí),則確認(rèn)為壓觸式充電方式,當(dāng)IO2 電平為低時(shí),確認(rèn)為標(biāo)準(zhǔn)接口的充電方式,具體流程如圖5 所示。

        圖4 充電方式識(shí)別方法二

        圖5 識(shí)別方法二流程圖

        圖5 的表格中,“1”為高電平,“0”為低電平,A 為1 即為標(biāo)準(zhǔn)接口充電,B 為1 即為壓觸式充電。

        3 安全充電實(shí)現(xiàn)方法

        ■3.1 防反電路設(shè)計(jì)

        由于本方案采用兩種供電方式,為避免在標(biāo)準(zhǔn)接口供電時(shí),觸點(diǎn)上有電平存在,造成入倉(cāng)設(shè)備在外部短路的情況,在硬件方案上增加了防反電路的設(shè)計(jì)。

        防反電路原理圖如圖6 所示,標(biāo)準(zhǔn)接口和觸點(diǎn)分別是兩種5V 供電輸入路徑;標(biāo)準(zhǔn)接口后級(jí)分兩路,分別為Q1 的PMOS 管的D 極和R1 電阻;R1 后級(jí)分兩路,分別為R2 電阻和Q2 的PMOS 的G 極;R2 電阻后級(jí)接地。同理,觸點(diǎn)的后級(jí)分兩路,分別為Q2 的PMOS 管的D 極和R4 電阻;R4 后級(jí)分兩路,分別為R3 電 阻 和Q1 的PMOS 的G 極;R2電阻后級(jí)接地。Q1 的PMOS 的S 極、Q2 的PMOS 的S 極、C1 電容的一腳、C2 電容的一腳、C3 的一腳連通到同一網(wǎng)絡(luò),該網(wǎng)絡(luò)名稱為VIN_5V。

        圖6 防反電路原理圖

        在此電路中,R1、R4 阻值為1kΩ,R2、R4 阻值為100kΩ,R1 與R2 構(gòu)成1:100 的分壓電路,R4 和R3 也構(gòu)成1:100 的分壓電路,因此R1 和R4 兩個(gè)PIN 腳的壓差在0.05V 左右;C1、C3 容值為100nF,用于防止電壓過(guò)沖,并保證較快的響應(yīng)速度;C2 容值為4.7μF,用于保證輸出至VIN_5V 的電源穩(wěn)定;Q1 和Q2 位正向壓降小,過(guò)流能力≥1A,且VGS(th)≤-0.4V 的PMOS 管。

        上述電路的控制方法在于,利用電阻分壓,獲得較小的壓差,來(lái)控制另一側(cè)供電路徑上PMOS 管的啟閉狀態(tài),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)5V 電平在另一側(cè)路徑上的通斷。具體方法是:當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)接口處接入5V 供電時(shí),R1 兩側(cè)的壓差在0.05V 左右,Q1 的PMOS 為開(kāi)啟狀態(tài);此時(shí)VIN_5V 處已經(jīng)存在了5V的電壓,由于Q2 的PMOS 管的G 極和S 極壓差較低,不夠VGS(th)開(kāi)啟電壓,因此Q2 管子將關(guān)閉,此時(shí)觸點(diǎn)一路的電平將保持為0;當(dāng)觸點(diǎn)處接入5V 供電時(shí),R4 兩側(cè)的壓差在0.05V 左右,Q2 的PMOS 為開(kāi)啟狀態(tài);此時(shí)VIN_5V 處已經(jīng)存在了5V 的電壓,由于Q1 的PMOS 管的G 極和S 極壓差較低,不夠VGS(th)開(kāi)啟電壓,因此Q1管子將關(guān)閉,此時(shí)觸點(diǎn)一路的電平將保持為0;進(jìn)而上述兩種保護(hù)電路相互實(shí)現(xiàn)了防止對(duì)側(cè)電壓反灌的效果。

        ■3.2 安全充電設(shè)計(jì)

        由于本方案實(shí)現(xiàn)了用戶邊充邊用的需求,即利用標(biāo)準(zhǔn)接口,可連同常規(guī)電源進(jìn)行充電;但這帶來(lái)了另外的隱患:過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的充電將大大增加電池鼓包的風(fēng)險(xiǎn)。因此本方案從硬件和軟件兩個(gè)維度進(jìn)行了安全充電的設(shè)計(jì)。

        圖4 所示的充電方案框圖中,在防反電路和Charger之間設(shè)計(jì)有一顆Switch 芯片,該芯片可由主控控制其通斷,進(jìn)而對(duì)Charger 輸入端的供電進(jìn)行控制。當(dāng)用戶利用標(biāo)準(zhǔn)接口,插入電源進(jìn)行充電,主控將記錄充電時(shí)長(zhǎng)信息,即當(dāng)插入接口后立即啟動(dòng)計(jì)時(shí),當(dāng)累計(jì)時(shí)長(zhǎng)達(dá)到7×24h 之后,主控將發(fā)送指令控制Switch 芯片關(guān)閉,進(jìn)而切斷Charger的電源輸入路徑,實(shí)現(xiàn)了停止充電;此時(shí),主控及系統(tǒng)的工作將由電池Battery 來(lái)負(fù)責(zé)供電。

        當(dāng)主控獲取到電池的電量從滿電降低至60%左右時(shí),主控將再次發(fā)送指令至Switch 芯片,Switch 芯片導(dǎo)通后,標(biāo)準(zhǔn)接口輸入的電源將負(fù)責(zé)主控和整個(gè)系統(tǒng)的供電;此時(shí),充電IC 將關(guān)閉使能,電池的電量將維持在60%左右,確保電池處于一個(gè)較安全的電量值,即僅供電而不充電。

        如圖7 所示,當(dāng)A、B、C、D 均為0 時(shí),對(duì)應(yīng)IO1、IO2、IO3 分別為低、低、低,此時(shí)由電池供電;當(dāng)A、B、C、D 分別為1、0、1、1 時(shí),對(duì)應(yīng)IO1、IO2、IO3 分別為高、低、高,此時(shí)由VIN_5V 供電;當(dāng)A、B、C、D 分別為1、0、1、0 時(shí),對(duì)應(yīng)IO1、IO2、IO3 分別為低、低、高,此時(shí)由VIN_5V 供電。

        圖7 安全充電策略流程

        ■3.3 路徑切換設(shè)計(jì)

        上述充電安全設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn),在軟硬件上除了依靠Switch及其控制邏輯外,還依靠供電路徑動(dòng)態(tài)管理電路,即VIN_5V供電和BAT 供電的自動(dòng)切換。在本方案中,路徑動(dòng)態(tài)管理共有兩處,分別是主控和自行搭建的路徑切換電路。

        路徑切換電路設(shè)計(jì)如圖8 所示,VIN_5V 為Switch 芯片后端電壓,BAT 為電池電壓,VSYS 為系統(tǒng)電壓。VIN_5V后級(jí)分三路,分別連通D1 二極管的陽(yáng)極、電阻R1 和R2的一極,R1 的另一極連通Q1 的PMOS 的G 極和U2 電容的一極,R2 的另一極連通地;BAT 連同Q1 的PMOS 管的D 極;C1 電容的一極與地相連;C1 電容的另一極、D1二極管的陰極、Q1 的PMOS 的S 極、C2 電容的一極均與VSYS 系統(tǒng)電壓相連。

        圖8 路徑切換電路設(shè)計(jì)原理圖

        在此電路中,R1 和R2 均為100kΩ 的電阻,用于輔助PMOS 管的平穩(wěn)啟閉動(dòng)作;C2 的電容為10pF,用于防止電壓過(guò)沖,并保證較快的響應(yīng)速度;C1 容值為10μF,用于保證輸出至VSYS 的電源穩(wěn)定;當(dāng)VIN_5V 存在時(shí),Q1 管子關(guān)閉,此時(shí)VSYS 電壓即為VIN_5V,此時(shí)由5V 供電;當(dāng)VIN_5V不存在時(shí),Q1 管子開(kāi)啟,此時(shí)VSYS 電壓即為BAT 電壓,由電池供電。

        4 結(jié)論

        本文提出了一種適用于充電倉(cāng)充電+標(biāo)準(zhǔn)接口充電兩種充電方式的安全充電方案。方案中,通過(guò)檢測(cè)充電路徑上多個(gè)位置點(diǎn)的電平信息,軟件上開(kāi)發(fā)相應(yīng)的判斷邏輯,可在較少PIN 數(shù)的情況下實(shí)現(xiàn)多種充電方式的自動(dòng)識(shí)別。

        本方案中,還提供了一種防反電路的設(shè)計(jì),基于兩顆背對(duì)背的PMOS 管,通過(guò)互鎖設(shè)計(jì),可以實(shí)現(xiàn)在除供電路徑之外的其他路徑無(wú)高電壓存在,用于確保系統(tǒng)在支持多種充電方式的前提下,防止電流倒灌或者電壓反串的情況。

        本方案兼顧安全充電的設(shè)計(jì),依靠Switch 芯片,可以實(shí)現(xiàn)邊充邊用場(chǎng)景下的過(guò)長(zhǎng)時(shí)間充電保護(hù),從而降低因長(zhǎng)期浮充導(dǎo)致的電池鼓包等問(wèn)題。

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