陳天羽， 楊世芳， 劉云鵬， 李泳霖， 耿江海， 王 瑤， 賈志東， 夏云峰

（1.華北電力大學(xué) 河北省輸變電設(shè)備安全防御重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，河北 保定 071003；2.國網(wǎng)濟(jì)南供電公司，山東 濟(jì)南 250000；3.清華大學(xué)深圳國際研究生院，廣東 深圳 518055；4.海南電網(wǎng)有限責(zé)任公司輸電運(yùn)檢分公司，海南 ?？?570203）

0 引 言

硅橡膠復(fù)合絕緣材料具有優(yōu)異的憎水性和良好的耐污閃性能，其在高壓絕緣領(lǐng)域應(yīng)用十分廣泛[1-5]。我國幅員遼闊，氣候環(huán)境復(fù)雜，其中廣東、四川、云南等地區(qū)屬亞熱帶季風(fēng)氣候，高壓輸電線路經(jīng)過溫濕及濕熱地區(qū)時(shí)，空氣中漂浮的大量菌類孢子在適宜天氣條件下會(huì)在硅橡膠絕緣子表面粘附、萌發(fā)，這種霉菌染污硅橡膠絕緣子的現(xiàn)象難以避免[6-7]。

霉菌附著對(duì)硅橡膠絕緣子的影響程度存在一定爭議，國內(nèi)外學(xué)者[8-9]在四川雅安、四川廣安、云南昭通、美國佛羅里達(dá)州和德克薩斯州的內(nèi)陸地區(qū)發(fā)現(xiàn)運(yùn)行的絕緣子上有黑色生物的生長跡象，采集生物樣品，經(jīng)鑒定有黑曲霉菌的存在。各國學(xué)者對(duì)霉菌染污硅橡膠進(jìn)行了相關(guān)研究，如對(duì)美國沿海氣候佐治亞州[8]以及內(nèi)陸氣候德克薩斯州與佛羅里達(dá)州[9]等地區(qū)的支柱絕緣子觀察到黑點(diǎn)形式的黑曲霉菌污染，推論出霉菌的生長取決于硅橡膠配方[8]。S M GUBANSKI 等[7]與A F LEóN 等[10]提出，由硅橡膠混合物制成的絕緣體可支持霉菌等微生物生長。XIA G L 等[11]認(rèn)為與地衣生長相比，絕緣子表面的霉菌生長對(duì)安全操作具有更大的危害。OUYANG X G 等[12]和A F LEóN 等[13]研究發(fā)現(xiàn)，霉菌污染絕緣子后，陶瓷和聚合物絕緣子的閃絡(luò)電壓分別降低了約21%和8%。M N DINESH 等[14]認(rèn)為霉菌的染污易形成生物膜，從而吸收空氣中的水分，形成親水性生物膜，進(jìn)而在絕緣子表面出現(xiàn)導(dǎo)電層，容易引發(fā)硅橡膠絕緣子的閃絡(luò)，給電網(wǎng)安全穩(wěn)定運(yùn)行造成潛在的威脅。但R GORUR 等[15]指出霉菌覆著硅橡膠絕緣子的現(xiàn)象很普遍，數(shù)量不足以肉眼可見，對(duì)復(fù)合絕緣子電性能的影響相當(dāng)小，且霉菌滲入材料表面的速度極慢，不太可能將材料分解。以上研究結(jié)論在霉菌對(duì)硅橡膠絕緣子影響程度上具有一定的差異性，目前學(xué)者對(duì)熱帶地區(qū)的低壓配電網(wǎng)復(fù)合絕緣子藻類附生現(xiàn)象研究較多，結(jié)果表明附生藻類的絕緣子濕閃電壓會(huì)降低10%～30%，且泄漏電流明顯增大，但對(duì)于霉菌附生絕緣子影響的研究較少，因此亟需展開霉菌染污復(fù)合絕緣子的沿面閃絡(luò)特性研究[16]。

溫濕環(huán)境是霉菌生長必不可少的條件，絕緣子傘裙下支柱連接處水分蒸發(fā)較慢，會(huì)在較長時(shí)間內(nèi)處于濕潤狀態(tài)，故霉菌極易在硅橡膠絕緣子傘裙下遮光處以及芯棒附近大量繁殖，如圖1 所示。通過研究美國弗羅里達(dá)州、四川雅安市、云南昭通市3個(gè)存在霉菌染污現(xiàn)象地區(qū)的氣溫、濕度等環(huán)境因素，發(fā)現(xiàn)霉菌生長在熱帶、亞熱帶氣候居多，且更易生長于濕度差距較大的地區(qū)以及湖泊附近，在實(shí)際變電站中，發(fā)現(xiàn)絕緣子上霉菌生長不均勻，但由支柱向外生長。

圖1 霉菌污染絕緣子Fig.1 Mold contaminated insulator

本文選取上述3個(gè)地方生長的黑曲霉菌種作為實(shí)驗(yàn)菌種，并將附著有黑曲霉菌的懸式絕緣子串作為研究對(duì)象，模擬不同鹽灰密等級(jí)，在霉菌染污狀態(tài)下，對(duì)懸式絕緣子串進(jìn)行閃絡(luò)試驗(yàn)，研究絕緣子串電氣性能的變化規(guī)律。為探究其影響機(jī)理，在實(shí)驗(yàn)室條件下，通過靜態(tài)接觸角、掃描電子顯微鏡（SEM）、傅里葉紅外光譜分析（FTIR）測(cè)試，對(duì)受污染的硅橡膠復(fù)合絕緣材料進(jìn)行憎水性、表面微觀形貌、化合物結(jié)構(gòu)分析，研究霉菌污染對(duì)硅橡膠絕緣子的影響。

1 實(shí) 驗(yàn)

1.1 主要原材料

懸式絕緣子若干，型號(hào)為FXBW4-10/100。

1.2 樣品的制備

稱取10 g黑曲霉菌倒入500 mL三角瓶容器中，加入100 mL 去離子水進(jìn)行分散作為母液菌懸液。將母液菌懸液在100 mL三角瓶中進(jìn)行稀釋，用移液槍吸取5.0 mL 母液菌懸液加入至45 mL 無菌水中充分混勻。用移液槍吸取1.0 mL 上述稀釋液并加入9 mL無菌水置于20 mL刻度試管中，按濃度比為1∶10 進(jìn)行系列梯度稀釋，分別得到1∶1×101、1∶1×102、1∶1×103、1∶1×104不同稀釋度的菌懸液。取3 個(gè)連續(xù)且霉菌含量適宜的稀釋度，充分振蕩，用移液槍分別吸取0.1 mL 不同稀釋度的菌懸液，加入至預(yù)先制備好的固體培養(yǎng)基平板上，分別用一次性無菌塑料涂布棒將不同稀釋度的菌懸液均勻的涂于瓊脂表面，每一稀釋度重復(fù)3次，同時(shí)以無菌水做空白對(duì)照，將培養(yǎng)基平板置于30℃條件下培養(yǎng)48 h。通過鏡檢手段進(jìn)行菌落計(jì)數(shù)確定黑曲霉菌的數(shù)量，由式（1）計(jì)算得到單位質(zhì)量有效活菌數(shù)。

式（1）中：nm為單位質(zhì)量有效活菌數(shù)（億/g）；kv1為稀釋倍數(shù)；m0為樣品質(zhì)量（g）；v2為菌懸液加入量（mL）。

經(jīng)過計(jì)算配置了5 組不同濃度霉菌溶液，濃度分別為105、106、107、108、109個(gè)/cm2，同時(shí)得到相應(yīng)濃度等級(jí)菌液染污的硅橡膠復(fù)合絕緣子，并模擬4 種不同污穢等級(jí)進(jìn)行染污。根據(jù)GB/T 26218.4—2010相關(guān)要求[17]，將無機(jī)污染物設(shè)置成4 個(gè)污穢等級(jí)的鹽密（ESDD）和灰密（NSDD），如表1 所示。為模擬現(xiàn)場實(shí)際情況，污染區(qū)域?yàn)槌ド蟼闳股媳砻嬉约跋聜闳瓜卤砻娴牡娜繀^(qū)域，染污面積為486.3 cm2，染污區(qū)域如圖2所示。

表1 污穢等級(jí)的鹽灰密Tab.1 The equivalent salt deposit density(ESDD) and non-soluble deposit density(NSDD) of pollution level mg/cm2

圖2 絕緣子染污面積示意圖Fig.2 The diagram of insulator contamination area

2 結(jié)果與分析

2.1 污閃閃絡(luò)試驗(yàn)

為分析霉菌對(duì)絕緣子電氣性能的影響，本文采用直線型污染帶進(jìn)行閃絡(luò)特性測(cè)試。根據(jù)GB/T 4585—2004 相關(guān)要求[18]，首先使用去離子水清潔絕緣子串，晾干后進(jìn)行染污。設(shè)置4 組不同等級(jí)的鹽灰密，在每個(gè)等級(jí)鹽灰密下設(shè)置5 組不同霉菌濃度染污的絕緣子串，涂刷污穢后在室內(nèi)自然晾干，選用銅線將額定電壓為110 kV 的變壓器連接一端電極，另一端電極連接接地裝置后將其置于起霧裝置中，待起霧裝置起霧，硅橡膠絕緣子串表面達(dá)到飽和受潮的要求時(shí)進(jìn)行后續(xù)試驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)接線原理如圖3 所示。對(duì)每個(gè)樣品采用定量涂刷法進(jìn)行染污，通過升壓法測(cè)試樣品，升壓速率為0.45 kV/s，環(huán)境溫度為25℃，先后閃絡(luò)5 次，閃絡(luò)前后間隔15 min，重新飽和潤濕，將5 次實(shí)驗(yàn)的平均值作為最終閃絡(luò)電壓[19-20]。電弧沿污穢帶迅速發(fā)展，貫穿兩極，呈現(xiàn)出明亮的電弧放電通道，如圖4 所示。實(shí)驗(yàn)設(shè)有對(duì)照組，在潔凈的狀態(tài)下，閃絡(luò)電壓可達(dá)到100.4 kV。

圖3 實(shí)驗(yàn)接線原理圖Fig.3 Experimental wiring schematic diagram

圖4 污閃閃絡(luò)示意圖Fig.4 The schematic diagram of pollution flashover

在不同污穢等級(jí)下，霉菌染污濃度對(duì)閃絡(luò)電壓的影響如圖5 所示。從圖5 可以看出，在同一污染等級(jí)下，隨著霉菌濃度的增加，閃絡(luò)電壓明顯降低，平均下降10%，相較于原始對(duì)照組，電壓下降率均為50%～75%。在不同污穢等級(jí)下，隨著鹽灰密的增加，電場畸變嚴(yán)重，閃絡(luò)電壓下降明顯，但當(dāng)污穢等級(jí)達(dá)到IV 級(jí)時(shí)，閃絡(luò)電壓不再下降，IV 級(jí)污穢的閃絡(luò)電壓普遍高于或等于III級(jí)污穢的閃絡(luò)電壓，這是因?yàn)殡S著污穢等級(jí)增加，普通污穢相較霉菌污穢與硅橡膠表面直接接觸的比例增加，從而降低了霉菌的影響程度。

圖5 不同污染等級(jí)的閃絡(luò)電壓Fig.5 The flashover voltage of different pollution levels

圖6為不同霉菌濃度下硅橡膠的閃絡(luò)電壓下降率。從圖6可以看出，在同一污穢等級(jí)下，隨著霉菌濃度的增加，硅橡膠復(fù)合絕緣材料的沿面閃絡(luò)電壓下降率不斷升高，當(dāng)霉菌濃度達(dá)到107個(gè)/cm2時(shí)，閃絡(luò)電壓基本達(dá)到飽和。在排除無機(jī)污染的影響，只考慮霉菌附著的條件下，閃絡(luò)電壓最低可降至原始水平的76%。在同一霉菌濃度下，由于霉菌生長會(huì)破壞硅橡膠絕緣材料的表面結(jié)構(gòu)，對(duì)其絕緣性能也有影響，導(dǎo)致絕緣材料表面結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)親水性，此時(shí)由于鹽灰密可吸收水分，鹽灰密對(duì)絕緣子閃絡(luò)的影響會(huì)更顯著，大幅降低了閃絡(luò)電壓，影響其絕緣性能，發(fā)生閃絡(luò)現(xiàn)象。為驗(yàn)證霉菌染污后硅橡膠絕緣子串閃絡(luò)電壓下降的原因，進(jìn)行了后續(xù)的研究。

圖6 霉菌染污下硅橡膠絕緣的閃絡(luò)電壓下降率Fig.6 The flashover voltage drop rate of silicone rubber insulation under mold contamination

2.2 憎水性及憎水遷移性

使用JC200D 型動(dòng)靜態(tài)接觸角測(cè)量儀，利用靜態(tài)接觸角測(cè)量法對(duì)霉菌染污絕緣子的憎水性以及憎水遷移性進(jìn)行研究。用蘸取無水酒精的棉棒將樣品擦拭干凈，防止霉菌或生物膜對(duì)結(jié)果造成影響。每次測(cè)量時(shí)滴5 μL 去離子水，取5 個(gè)不同方位點(diǎn)測(cè)量靜態(tài)接觸角，取平均值作為最終靜態(tài)接觸角測(cè)量結(jié)果。

標(biāo)準(zhǔn)硅橡膠復(fù)合絕緣材料的接觸角為（95±5）°。靜態(tài)接觸角測(cè)量結(jié)果如圖7(a)所示，可以看出無霉菌染污對(duì)照組的靜態(tài)接觸角為103.08°，說明該材料具有很強(qiáng)的憎水性。霉菌濃度為105個(gè)/cm2和106個(gè)/cm2的樣品靜態(tài)接觸角下降至80°以下，說明憎水性被破壞。霉菌濃度為107～109個(gè)/cm2的樣品靜態(tài)接觸角均下降到50°～40°，靜態(tài)接觸角隨霉菌濃度增加逐漸減小且變化越來越明顯，呈現(xiàn)較強(qiáng)的親水性。憎水性光學(xué)照片如圖7(b)所示，可以看出隨著隨霉菌濃度增加，接觸角逐漸變小，親水性表現(xiàn)愈發(fā)明顯。

圖7 靜態(tài)憎水角平均值與憎水性光學(xué)照片F(xiàn)ig.7 The mean value of static hydrophobic contact angle and hydrophobic optical photograph

為探究霉菌對(duì)絕緣子憎水恢復(fù)性的影響程度，將上述試片放入25℃、相對(duì)濕度為65%的恒溫恒濕箱中，每經(jīng)過4 h 測(cè)試一次靜態(tài)接觸角，結(jié)果如圖8所示。從圖8可以看出，隨著時(shí)間增加，試片的憎水性有不同程度的恢復(fù)，經(jīng)過48 h 后，霉菌濃度為105個(gè)/cm2和106個(gè)/cm2的樣品靜態(tài)接觸角均恢復(fù)至（95±5）°且趨于飽和，其余樣品的靜態(tài)接觸角均未恢復(fù)到標(biāo)準(zhǔn)值，霉菌濃度為107～109個(gè)/cm2的樣品靜態(tài)接觸角較低，說明低濃度菌液會(huì)影響硅橡膠復(fù)合絕緣材料的憎水性，將霉菌去除后憎水性會(huì)恢復(fù)至接近正常狀態(tài)，但當(dāng)霉菌到達(dá)一定濃度后，會(huì)導(dǎo)致硅橡膠復(fù)合絕緣材料的憎水性喪失，靜態(tài)接觸角降低至40°左右。

圖8 靜態(tài)接觸角恢復(fù)曲線Fig.8 Static contact angle recovery curves

2.3 微觀形貌

利用掃描電子顯微鏡（SEM）觀測(cè)硅橡膠表面被霉菌腐蝕后的微觀形貌，檢測(cè)儀器為美國-FEINOVA 公司NANO 230 型場發(fā)射掃描電鏡，該電鏡加速電壓為1～30 kV，放大倍數(shù)為200～200 000，分辨率為1.0 nm（15 kV）。在使用掃描電鏡對(duì)樣品進(jìn)行觀測(cè)前，需要進(jìn)行噴金處理，隨后放入SEM 腔體進(jìn)行微觀形貌測(cè)試，放大倍數(shù)分別為500、2 000、10 000、20 000。樣品尺寸約為5 mm×5 mm×2 mm，其中有兩個(gè)樣品用無水乙醇擦拭以保證表面潔凈，作為無霉菌附著樣品進(jìn)行對(duì)比。

霉菌腐蝕后硅橡膠樣品形貌如圖9所示。從圖9(a)可以看出，菌絲橫生，菌絲上有若干孢子附著；將樣品經(jīng)酒精擦拭后放大2 000倍，形貌如圖9(b)所示，從圖中可以看出表面呈絮狀形態(tài)，凹凸不平，不夠平整光滑，有明顯的裂縫和孔隙等表面結(jié)構(gòu)劣化；將霉菌附著的硅橡膠區(qū)域放大至2 000 倍，形貌如圖9(c)所示，從圖中可以看出硅橡膠表面被菌絲纏繞以及孢子附著，表面存在裂縫；將霉菌附著樣品放大至10 000 倍，形貌如圖9(d)所示，從圖中可以看出硅橡膠表面劣化出現(xiàn)孔洞并且周圍有明顯的孢子附著；將去除霉菌樣品放大至20 000 倍，形貌如圖9(e)所示，從圖中可以看出去除霉菌菌絲后硅橡膠表面未看到孢子以及菌絲的存在，存在多個(gè)不規(guī)則的孔洞，孔徑為0.5～2.5 μm。

圖9 樣品掃描電鏡圖Fig.9 SEM images of samples

2.4 化學(xué)基團(tuán)

為探究霉菌附著前后硅橡膠表面結(jié)構(gòu)的變化特征，利用傅里葉紅外光譜儀進(jìn)行測(cè)試，儀器為布魯克北京科技有限公司生產(chǎn)的原位紅外檢測(cè)儀，型號(hào)為INVENIOS。切取樣品長和寬都為3 mm 的小方塊進(jìn)行測(cè)試，掃描范圍為400～4 000 cm-1，記錄各波段光譜的透射率。

硅橡膠復(fù)合絕緣材料的主要特征吸收峰如圖10所示。從圖10可以看出，波數(shù)從高到低依次可以觀察到硅橡膠的特征峰主要有硅醇羥基以及阻燃劑填料Al(OH)3中的O-H 吸收峰（波數(shù)為3 200～3 700 cm-1）、硅橡膠側(cè)鏈甲基Si-CH3中的C-H 不對(duì)稱吸收峰（波數(shù)為2 960 cm-1）、硅橡膠側(cè)鏈甲基Si-CH3中的C-H 對(duì)稱吸收峰（波數(shù)為1 260 cm-1）、硅橡膠主鏈Si-O-Si 中的Si-O 鍵吸收峰（波數(shù)為1 005 cm-1）、交聯(lián)基團(tuán)Si(CH3)2中的Si-C 鍵吸收峰（波數(shù)為787 cm-1）。在硅橡膠的分子結(jié)構(gòu)中，甲基基團(tuán)-CH3是憎水的，賦予硅橡膠的憎水性能，而硅橡膠中的無機(jī)填料和硅結(jié)構(gòu)，尤其是硅醇羥基-OH 是親水性的，甲基的降低會(huì)造成硅橡膠的憎水性下降[21-24]。

圖10 硅橡膠復(fù)合絕緣材料紅外光譜曲線Fig.10 FTIR curve of silicone rubber composite insulating material

為研究霉菌對(duì)硅橡膠絕緣材料破壞程度，將5種不同霉菌濃度樣品的紅外光譜與對(duì)照組進(jìn)行對(duì)比，結(jié)果如圖11所示。

圖11 霉菌染污硅橡膠紅外光譜對(duì)比圖Fig.11 FTIR comparison of mold contaminated silicone rubber

從圖11(a)可以看出，相較于對(duì)照組，隨著霉菌濃度的增加，C-H 吸收峰的強(qiáng)度明顯減弱，說明樣品表面?zhèn)孺溕系募谆鶖?shù)量減少，而甲基的數(shù)量與材料的憎水性密切相關(guān)。從圖11(b)可以看出，隨著霉菌濃度的增加，波數(shù)為2 360 cm-1的Si-H 特征峰強(qiáng)度有所增強(qiáng)。從圖11(c)可以看出，波數(shù)為1 260 cm-1、1 005 cm-1分別對(duì)應(yīng)的C-H 對(duì)稱吸收峰和Si-O吸收峰與對(duì)照組相比均有所減弱，說明有機(jī)成分不論是長鏈含量還是交聯(lián)程度方面，其強(qiáng)度均有所下降。從圖11(d)可以看出，波數(shù)為787 cm-1的Si-C 吸收峰強(qiáng)度明顯減弱，有機(jī)基團(tuán)的相對(duì)含量減少，但在波數(shù)為680 cm-1的C-H特征峰明顯增強(qiáng)。

硅橡膠分子鏈的主鏈?zhǔn)庆o態(tài)的，與時(shí)間無關(guān)，對(duì)于相同的樣品表面，甲基-CH3與硅氧鍵Si-O 的比值反應(yīng)了有機(jī)組分消失的數(shù)量，同時(shí)也反映了憎水性下降和霉菌破壞狀態(tài)。對(duì)于特征吸收，通常用峰強(qiáng)度（峰高）來表示組分中基團(tuán)的數(shù)量。表2為有機(jī)基團(tuán)與無機(jī)基團(tuán)的峰高比值。從表2 可以看出，經(jīng)過霉菌附著后樣品的無機(jī)基團(tuán)與有機(jī)基團(tuán)含量比值高于對(duì)照組，說明與憎水性相關(guān)的甲基基團(tuán)下降程度高于無機(jī)基團(tuán)的下降程度，佐證了上文霉菌附著導(dǎo)致憎水性下降的結(jié)論。

表2 有機(jī)基團(tuán)與無機(jī)基團(tuán)的峰高比值Tab.2 Peak height ratio of organic groups to inorganic groups

3 討 論

在濕潤地區(qū)，霉菌染污硅橡膠復(fù)合絕緣材料的現(xiàn)象十分普遍，甚至在不帶電的情況下也會(huì)發(fā)生霉菌附著現(xiàn)象。閃絡(luò)電壓試驗(yàn)表明霉菌的附著會(huì)對(duì)硅橡膠復(fù)合絕緣材料的電氣性能產(chǎn)生負(fù)面影響，耐污閃性能大幅降低。分析認(rèn)為，霉菌的生長導(dǎo)致硅橡膠復(fù)合絕緣材料表面產(chǎn)生孔徑為0.5～2.5 μm 的不規(guī)則孔洞，霉菌濃度的增大導(dǎo)致硅橡膠材料化學(xué)鍵發(fā)生變化。在菌絲與孢子的共同作用下，硅橡膠表面結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，致使其憎水性降低，靜態(tài)接觸角降低至40°左右。相較于對(duì)照組，霉菌的附著加速了硅橡膠復(fù)合絕緣材料的老化，對(duì)其絕緣性能產(chǎn)生了負(fù)面影響。當(dāng)遇到潮濕天氣時(shí)，附著霉菌的硅橡膠表面可形成連續(xù)的水膜，暴露在室外環(huán)境中，水膜會(huì)吸附無機(jī)鹽離子，導(dǎo)致其電導(dǎo)率增大，電場強(qiáng)度分布不均勻，對(duì)硅橡膠復(fù)合絕緣材料的閃絡(luò)電壓產(chǎn)生影響，給電力系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行造成威脅。

4 結(jié) 論

（1）霉菌生長需要溫暖濕潤的氣候條件，在此氣候條件下霉菌極易在硅橡膠絕緣子傘裙下遮光處以及芯棒附近大量繁殖。

（2）在同一霉菌濃度、不同污穢等級(jí)條件下，硅橡膠復(fù)合絕緣子串的沿面閃絡(luò)電壓下降率不斷升高，在霉菌濃度為107個(gè)/cm2時(shí)出現(xiàn)拐點(diǎn)，下降速度放緩。在同一霉菌濃度下，鹽灰密的影響更顯著，因?yàn)辂}灰密可吸收水分。在排除無機(jī)污染的影響，只考慮霉菌附著的條件，閃絡(luò)電壓最低可降低至原始水平的76%，霉菌染污狀態(tài)下硅橡膠復(fù)合絕緣子的沿面閃絡(luò)電壓呈下降趨勢(shì)，霉菌污穢與無機(jī)污穢存在一定的差別。

（3）在霉菌染污狀態(tài)下硅橡膠復(fù)合絕緣材料的憎水性能受到影響，霉菌濃度越大，對(duì)憎水性的影響越明顯，最終導(dǎo)致材料憎水性的喪失。這表明霉菌染污會(huì)影響硅橡膠絕緣材料的絕緣特性以及憎水性，進(jìn)而影響沿面閃絡(luò)特性。

（4）通過掃描電鏡測(cè)試可觀察到硅橡膠表面形成多個(gè)孔徑為0.5～2.5 μm 的不規(guī)則孔洞，菌絲的生長行為使硅橡膠表面出現(xiàn)明顯的裂縫和孔洞，導(dǎo)致表面結(jié)構(gòu)嚴(yán)重劣化。通過紅外光譜測(cè)試，發(fā)現(xiàn)硅橡膠表面有機(jī)基團(tuán)相對(duì)含量減少，出現(xiàn)Si-O-Si 主鏈斷裂、交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)降解等表面結(jié)構(gòu)變化的現(xiàn)象，從微觀的角度解釋了硅橡膠復(fù)合絕緣材料閃絡(luò)電壓的降低原因。