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        一種新型介電常數(shù)傳感器的設(shè)計(jì)仿真

        2023-11-20 07:13:58言行果
        傳感器與微系統(tǒng) 2023年11期
        關(guān)鍵詞:微帶線介電常數(shù)開口

        路 曉,言行果,張 勇

        (華東光電集成器件研究所,江蘇 蘇州 215100)

        0 引 言

        介電常數(shù)與材料的內(nèi)部特性和物理參數(shù)有關(guān),且是表示材料電磁特性的唯一物理量[1]。材料介電常數(shù)的測量對(duì)工業(yè)[2]、醫(yī)學(xué)[3]、食品[4]等方面都有不可或缺的應(yīng)用意義,因此,準(zhǔn)確測量材料電磁特性是一項(xiàng)既基本又十分重要的科研工作。目前,用于材料介電常數(shù)測量的方法有很多,其中最常用的有傳輸線法、諧振法、自由空間法等[5~10]。傳輸線法是將被測材料放置于測試系統(tǒng)中,通過S參數(shù)的變化來得到材料的電磁特性,屬于網(wǎng)絡(luò)法的一種,但這種方法僅限于低、中損耗介質(zhì)的測量,對(duì)于高損耗介質(zhì)誤差較大,因此,對(duì)于固體和液體的介電常數(shù)測量較為精準(zhǔn)。諧振法是將被測材料作為諧振結(jié)構(gòu)的一部分來測量介電常數(shù)的方法,這種方法使用的被測材料尺寸相對(duì)較小,可以減少材料浪費(fèi)。自由空間法也可以看作是傳輸線法,與傳輸線法不同的是,該方法不需要波導(dǎo)壁與被測材料完全接觸,但要求被測材料有足夠大的介質(zhì)損耗,否則在材料中會(huì)形成新的駐波引起誤差。

        本文提出了一種寬頻譜、抗干擾能力強(qiáng)、尺寸小的介電常數(shù)傳感器設(shè)計(jì)。利用微帶線加載互補(bǔ)開口諧振環(huán)的方法,實(shí)現(xiàn)對(duì)材料介電常數(shù)的測量。本文通過軟件對(duì)傳感器進(jìn)行設(shè)計(jì)仿真,實(shí)現(xiàn)了傳感器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的優(yōu)化,分析了傳感器固有頻率和被測材料介電常數(shù)的關(guān)系,驗(yàn)證了傳感器設(shè)計(jì)的可行性。

        1 工作原理

        1.1 互補(bǔ)開口諧振環(huán)模型與等效電路

        互補(bǔ)開口諧振環(huán)主要是通過電場激發(fā),然后在2 個(gè)刻蝕環(huán)之間形成電感,刻蝕環(huán)部分形成電容,最終構(gòu)成一個(gè)LC諧振回路,其結(jié)構(gòu)模型和等效電路如圖1所示。

        圖1 互補(bǔ)開口諧振環(huán)結(jié)構(gòu)模型與等效電路

        根據(jù)LC電路的固有頻率計(jì)算可知,其諧振頻率為

        式中L0為等效電感,Cc為等效電容。

        1.2 介電常數(shù)傳感器工作原理

        為了讓傳感器產(chǎn)生一個(gè)尖銳的回波損耗(S11)參數(shù)曲線,本文提出了一種微帶線加載4 個(gè)互補(bǔ)開口諧振環(huán)的結(jié)構(gòu),如圖2 所示。其中,基底是邊長為w,厚度為h的正方形,內(nèi)部的互補(bǔ)開口諧振環(huán)為4 個(gè)相同的邊長為a的正方形環(huán),開口寬度為d,互補(bǔ)開口諧振環(huán)寬度為c,微帶線寬度為b。該傳感器可由高溫共燒陶瓷(HTCC)做基底,通過絲網(wǎng)印刷技術(shù)印刷所設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu),最終經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)得到。

        圖2 介電常數(shù)傳感器結(jié)構(gòu)示意

        介電常數(shù)傳感器的工作原理:微帶線饋送微波信號(hào)給傳感器,當(dāng)傳感器中存儲(chǔ)的電能和磁能達(dá)到平衡后,與互補(bǔ)開口諧振環(huán)發(fā)生諧振,產(chǎn)生固有諧振頻率。根據(jù)微擾理論,在傳感器上放置被測材料后,會(huì)干擾傳感器的原始電磁場分布,導(dǎo)致其電場和磁場發(fā)生相應(yīng)變化,從而導(dǎo)致其諧振頻率的變化,具體公式如下

        式中 Δf為放置被測材料之后傳感器頻率的變化,Δε和Δμ為放置被測材料之后介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的變化,v為微擾體積(積分常數(shù)),E0和H0為放置被測材料之前的電磁場分布,E1和H1為放置被測材料之后的電磁場分布。

        2 介電常數(shù)傳感器的設(shè)計(jì)與分析

        根據(jù)上一小結(jié)的理論利用HFSS 軟件對(duì)傳感器的相應(yīng)參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,尋找Q值更高的S11參數(shù),優(yōu)化結(jié)果如圖3(a)~(f)所示。結(jié)果表明,當(dāng)傳感器的相關(guān)參數(shù)如表1所示時(shí),傳感器的S11參數(shù)更加尖銳且幅度更大,仿真結(jié)果表明,傳感器在該參數(shù)下有更好的阻抗匹配和更強(qiáng)的抗干擾能力。

        表1 傳感器模型尺寸參數(shù)

        圖3 傳感器的相關(guān)參數(shù)優(yōu)化曲線

        根據(jù)傳感器電磁場分布圖,傳感器的電磁場主要分布在傳感器的環(huán)和微帶線之間。根據(jù)微波條件下電磁材料的介電常數(shù)值,最后選定介電常數(shù)的變化范圍為1~10。通過變化放置被測材料的介電常數(shù)參數(shù),來模擬仿真不同介電常數(shù)的被測材料。模擬開始先將1 塊材料放置在上端的2個(gè)環(huán)之間,如圖4(a)所示,得到相關(guān)介電常數(shù)的S11參數(shù)如圖4(b)所示。從圖中可以看出,當(dāng)放置材料后,傳感器的幅值和頻率都會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化,驗(yàn)證了第二節(jié)中的傳感器工作原理,當(dāng)引入被測材料后破壞了原有的電磁場平衡,導(dǎo)致了相應(yīng)的S11參數(shù)曲線的頻率和幅值的變化。但是從圖中可以看出,曲線會(huì)出現(xiàn)兩峰三峰的情況,一方面是由于放置被測材料后阻抗重新匹配使傳感器出現(xiàn)多個(gè)諧振點(diǎn),另一方面是由于傳感器本身的結(jié)構(gòu)類型,四環(huán)諧振,如果阻抗匹配不是最優(yōu)就容易出現(xiàn)多峰諧振。

        圖4 放置1 塊被測材料的模擬仿真

        為了有更好的測試效果,本文嘗試將2 塊形狀大小相同的測試材料對(duì)稱的放置在2 個(gè)環(huán)之間,如圖5(a)所示,得到相應(yīng)的S11參數(shù)曲線如圖5(b)所示。如圖可以看出,放置材料后,有一個(gè)較尖銳干凈的S11參數(shù)曲線。

        圖5 放置2 塊被測材料的模擬仿真

        接下來根據(jù)選定的介電常數(shù)范圍和放置位置,變化放置被測材料的介電常數(shù)參數(shù),來模擬仿真不同介電常數(shù)的被測材料,得到如圖6(a)所示的S11參數(shù)曲線,由圖中可以看出,隨著材料介電常數(shù)的增加,諧振頻率越來越大,幅度越來越小。根據(jù)仿真數(shù)據(jù)對(duì)傳感器的頻率和介電常數(shù)數(shù)值進(jìn)行擬合,得到擬合曲線方程

        圖6 S11參數(shù)曲線和擬合曲線

        擬合曲線如圖6(b)所示,可以看出,頻率和介電常數(shù)有較好的線性關(guān)系,且根據(jù)擬合方程R2參數(shù)可以看出擬合系數(shù)較高,表示曲線擬合度較好。當(dāng)介電常數(shù)從1~10 變化時(shí),傳感器的諧振頻率從3.5~7.2 GHz變化,靈敏度為0.37。

        3 結(jié) 論

        本文提出了一種新型介電常數(shù)傳感器的設(shè)計(jì),采用4個(gè)互補(bǔ)開口諧振環(huán)加載微帶線實(shí)現(xiàn)了介電常數(shù)1~10 范圍內(nèi)的測量。利用HFSS軟件對(duì)設(shè)計(jì)的傳感器結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化,確定傳感器最終尺寸,并對(duì)放置在傳感器上的被測材料的位置進(jìn)行相應(yīng)的仿真,確定放置被測材料的最優(yōu)位置。最終通過變化加載在傳感器上的被測材料的介電常數(shù)參數(shù),得到相應(yīng)的S11參數(shù)曲線,并利用曲線擬合軟件得到頻率和介電常數(shù)的擬合曲線,確定當(dāng)被測材料介電常數(shù)在1~10之間變化時(shí),傳感器的諧振頻率在3.5~7.2 GHz之間變化,得到傳感器靈敏度為0.37。由此可以看出:所設(shè)計(jì)的傳感器有一個(gè)較寬的頻率變化范圍和較高的靈敏度。本文驗(yàn)證了所提出傳感器的可行性,為后續(xù)介電常數(shù)傳感器的設(shè)計(jì)提供了一定的理論基礎(chǔ)。仿真時(shí)采用的HTCC材料可以用作惡劣環(huán)境下傳感器的設(shè)計(jì),為惡劣環(huán)境下介電常數(shù)的測量提供了可能。

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