陳昊鵬 聶永杰 李國(guó)倡 魏艷慧 胡昊 魯廣昊 李盛濤 朱遠(yuǎn)惟?

1) (西安交通大學(xué),電力設(shè)備電氣絕緣國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,西安 710049)

2) (西安交通大學(xué),前沿科學(xué)技術(shù)研究院,西安 710054)

3) (云南電網(wǎng)有限責(zé)任公司電力科學(xué)研究院,昆明 650217)

4) (青島科技大學(xué),自動(dòng)化與電子工程學(xué)院,青島 266000)

液晶含量和外加電場(chǎng)類型是影響聚合物分散液晶薄膜電光性能的重要因素,而對(duì)薄膜微觀形貌的分析并不能直接反映電光性能的變化機(jī)理.因此本文以液晶材料E7 和光聚物NOA65 共混制備的聚合物分散液晶薄膜作為研究對(duì)象,通過(guò)對(duì)其極化特性的研究,揭示了在不同液晶含量和不同類型電場(chǎng)下極化過(guò)程對(duì)薄膜電光性能的調(diào)控規(guī)律和微觀機(jī)制.結(jié)果表明,在10–1—106 Hz 頻率范圍內(nèi),薄膜在低頻、中頻和高頻存在3 個(gè)松弛極化過(guò)程,分別為熱離子極化、界面極化和轉(zhuǎn)向極化.通過(guò)Arrhenius 公式擬合計(jì)算了各極化過(guò)程的活化能,發(fā)現(xiàn)隨著液晶含量的增大,轉(zhuǎn)向極化的活化能從0.88 eV 下降至0.83 eV,導(dǎo)致液晶分子轉(zhuǎn)向的閾值場(chǎng)強(qiáng)和飽和場(chǎng)強(qiáng)降低.相比于交流電場(chǎng),直流電場(chǎng)下熱離子極化形成內(nèi)建電場(chǎng),導(dǎo)致閾值場(chǎng)強(qiáng)和飽和場(chǎng)強(qiáng)大幅增大,而極化弛豫時(shí)間的延長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致響應(yīng)時(shí)間的延長(zhǎng).此項(xiàng)研究對(duì)進(jìn)一步分析和提升聚合物分散液晶薄膜的電光性能具有指導(dǎo)意義.

1 引言

聚合物分散液晶(PDLC)器件由于其獨(dú)特的電控開關(guān)特性而受到廣泛關(guān)注[1?4].與傳統(tǒng)電致變色材料的電控特性不同[5,6],在未施加電場(chǎng)時(shí),PDLC 聚合物基體中的液晶分子隨機(jī)取向,入射光被散射,薄膜呈現(xiàn)乳白色.當(dāng)施加足夠的電場(chǎng)時(shí),液晶分子發(fā)生轉(zhuǎn)向,折射率隨之發(fā)生改變[7],當(dāng)液晶的尋常光折射率與聚合物基體折射率匹配時(shí),薄膜變透明.隨著國(guó)內(nèi)外學(xué)者的廣泛研究,聚合物分散液晶的應(yīng)用已逐漸推廣到智能窗、顯示器[8]、光柵[9]、傳感器[10]、有機(jī)發(fā)光二極管[11]、場(chǎng)效應(yīng)晶體管[12]和太陽(yáng)能收集器件[13]等領(lǐng)域.

高驅(qū)動(dòng)電壓、低對(duì)比度和相對(duì)較長(zhǎng)的響應(yīng)時(shí)間是現(xiàn)階段限制PDLC 實(shí)際應(yīng)用的主要瓶頸,因此如何提高其電光性能成為學(xué)術(shù)界研究的主要課題,而研究不同條件下PDLC 的電光響應(yīng)機(jī)制,是提升其電光特性的重要前提[14?17].Liang 等[18]研究了不同液晶和交聯(lián)劑含量對(duì)PDLC 薄膜電光性能的影響,發(fā)現(xiàn)交聯(lián)劑和液晶含量能夠影響薄膜的整體交聯(lián)度,從而導(dǎo)致聚合物網(wǎng)絡(luò)和液晶微滴尺寸的變化.更大的聚合物網(wǎng)絡(luò)減小了對(duì)液晶微滴的錨定作用,使液晶分子取向一致所需的電壓更小,即降低了PDLC 薄膜的閾值電壓.Nasir 等[19]發(fā)現(xiàn)光引發(fā)劑的濃度能夠直接影響相分離過(guò)程,而相分離過(guò)程又反向調(diào)控了PDLC 薄膜的形貌.基于以上發(fā)現(xiàn),他們通過(guò)優(yōu)化引發(fā)劑的濃度,獲得了驅(qū)動(dòng)電壓低、開關(guān)時(shí)間短、功耗低的PDLC 器件.Meng 等[20]通過(guò)向PDLC 薄膜中添加低濃度的γ-Fe2O3納米粒子,吸附其中的雜質(zhì)離子,提高了薄膜的有效介電常數(shù)和折射率,獲得了高對(duì)比度,低驅(qū)動(dòng)電壓和閾值電壓的PDLC 薄膜.

綜合而言,此前對(duì)PDLC 薄膜電光性能演變機(jī)制的研究多是基于對(duì)薄膜微觀形貌的表征,通過(guò)分析液晶微滴和聚合物網(wǎng)絡(luò)之間的相互作用實(shí)現(xiàn)性能提升,缺乏相關(guān)機(jī)制的闡述和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證.聚合物的分子和配比結(jié)構(gòu)會(huì)顯著影響其極化和電氣特性[21],介電特性研究可實(shí)現(xiàn)對(duì)材料微觀結(jié)構(gòu)和宏觀電學(xué)性質(zhì)的關(guān)聯(lián)分析[22?25].因此本文通過(guò)對(duì)PDLC薄膜介電性能的測(cè)試,分析了其極化特性,研究了不同液晶含量和不同類型電場(chǎng)條件下極化過(guò)程對(duì)電光性能的調(diào)控規(guī)律和影響機(jī)制.

2 薄膜制備與實(shí)驗(yàn)

2.1 薄膜制備

本文使用的液晶材料是向列相液晶E7,聚合物是紫外光固化膠NOA65.配制液晶質(zhì)量分?jǐn)?shù)為50%、60%、70%的共混溶液,在熱臺(tái)上攪拌均勻后置于100 ℃烘箱中加熱24 h 使其混合充分.使用絕緣雙面膠對(duì)兩塊清洗干凈的ITO 玻璃的ITO電極面進(jìn)行粘合制備成液晶空盒,上下ITO 電極間距為20 μm.制備用于電光性能測(cè)試試樣時(shí),先將向列相液晶E7 與紫外光固化膠NOA65 的共混溶液在各向同性態(tài)(60 ℃)下進(jìn)行預(yù)熱,之后將共混溶液利用毛細(xì)作用注入到制備好的液晶空盒中;制備用于介電性能測(cè)試的試樣時(shí),通過(guò)移液槍將共混溶液均勻滴涂在直徑為40 mm 的銅電極上.隨后在波長(zhǎng)為365 nm 的紫外光源下照射20 min 完成兩種測(cè)試樣品的固化,制備后的樣品如圖1 所示.

圖1 (a)電光性能測(cè)試和(b)介電性能測(cè)試的樣品示意圖Fig.1.Sample diagram of (a) electro-optical property test and (b) dielectric property test.

2.2 電光性能及介電性能測(cè)試

通過(guò)圖2 所示的自建電光測(cè)試系統(tǒng)對(duì)復(fù)合薄膜的電光性能進(jìn)行測(cè)量,測(cè)試系統(tǒng)主要由Zolix公司光譜范圍為200—1100 nm 的150 W 氙燈光源、Agilent B2900 系列數(shù)字源表、Ocean Optics HR4000 CG-UV-NIR 高分辨率光譜儀和計(jì)算機(jī)構(gòu)成.在測(cè)試時(shí),可編程數(shù)字源表用作電壓源,與液晶盒的ITO 電極相連,入射光通過(guò)光纖透過(guò)試樣后被光譜儀接收,從而獲得不同電場(chǎng)強(qiáng)度下PDLC薄膜在550 nm 波長(zhǎng)處透過(guò)率的變化.介電性能通過(guò)Concept80 寬頻介電譜儀測(cè)得,為保證試樣與電極的良好接觸,測(cè)試前在試樣表面噴鍍直徑為12 mm 的金作為上電極,外電極結(jié)構(gòu)為平行板電極,測(cè)試采用1 V 交流小信號(hào),測(cè)試溫度范圍為–40—60℃,頻率范圍為10–1—106Hz.

圖2 電光測(cè)試系統(tǒng)示意圖Fig.2.Schematic diagram of electro-optical test system.

3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

3.1 PDLC 薄膜的極化特性

在10–1—106Hz 范圍內(nèi),一般存在熱離子極化、界面極化和轉(zhuǎn)向極化.熱離子極化的松弛時(shí)間較長(zhǎng),一般出現(xiàn)在低頻區(qū)域.界面極化的松弛峰一般出現(xiàn)在101—103Hz.轉(zhuǎn)向極化受到分子熱運(yùn)動(dòng)、電場(chǎng)的作用以及分子間相互作用的影響,松弛峰一般出現(xiàn)在102—106Hz.介電模量譜能夠?yàn)椴牧系臉O化和弛豫提供有效的信息[26],圖3 為PDLC薄膜的介電模量譜虛部,可以發(fā)現(xiàn)在低頻、中頻和高頻段出現(xiàn)3 個(gè)松弛峰.結(jié)合不同極化類型松弛峰出現(xiàn)的頻段,認(rèn)為峰A 對(duì)應(yīng)于熱離子極化過(guò)程,其中,熱離子來(lái)源于液晶中存在的雜質(zhì)離子.以所使用的液晶材料E7 為例,雜質(zhì)離子濃度在1015cm–3數(shù)量級(jí)[27].而雜質(zhì)離子為弱聯(lián)系離子,在無(wú)外施電場(chǎng)時(shí)均勻分布,不呈現(xiàn)宏觀偶極矩;施加電場(chǎng)后,具有單一方向的直流電場(chǎng)破壞了離子隨機(jī)的均勻分布,形成宏觀偶極矩,發(fā)生熱離子極化.峰B 為界面極化過(guò)程.在薄膜制備過(guò)程中,液晶微滴會(huì)析出并被聚合物網(wǎng)絡(luò)包絡(luò)形成豐富的不均勻界面,在電場(chǎng)的作用下,內(nèi)部的自由電荷在界面處積聚,發(fā)生界面極化.峰C 對(duì)應(yīng)于轉(zhuǎn)向極化,薄膜中的轉(zhuǎn)向極化主要來(lái)源于具有偶極特性的液晶分子,是影響PDLC 薄膜電光性能的主要因素.

介電損耗譜中損耗峰峰值的大小反映該類型極化程度的大小,由于低頻處電導(dǎo)損耗較大會(huì)掩蓋熱離子極化的損耗峰,因此選取25 ℃和–40 ℃下PDLC 薄膜的介電損耗譜,分別研究液晶含量對(duì)界面極化和轉(zhuǎn)向極化的影響,結(jié)果如圖4 所示.從圖4(a)可以看出,25 ℃下界面極化的損耗峰峰值隨液晶含量的增大從0.64 下降到0.47,這是由于液晶含量增大,PDLC 薄膜中液晶微滴尺寸增大,比表面積減小,與聚合物基體形成的界面減小,導(dǎo)致薄膜中界面極化強(qiáng)度的降低.轉(zhuǎn)向極化的損耗峰峰值隨液晶含量的增大從0.069 增大到0.087,這是由于轉(zhuǎn)向極化主要來(lái)源于PDLC 薄膜中的液晶分子,液晶含量增大,導(dǎo)致薄膜中轉(zhuǎn)向極化程度增大.值得注意的是,在圖4(b)所示的–40 ℃下轉(zhuǎn)向極化損耗峰的高頻方向存在一個(gè)特征峰,這是結(jié)構(gòu)損耗引起的,結(jié)構(gòu)損耗一般存在于高頻低溫處.

圖4 (a) 25 ℃和(b)–40 ℃下不同液晶含量PDLC 薄膜的介電損耗譜Fig.4.Dielectric loss spectrum of PDLC films with different liquid crystal content at (a) 25 ℃ and (b)–40 ℃.

極化活化能能夠反映極化發(fā)生的難易程度,以上分析的3 個(gè)松弛峰都隨溫度的升高向高頻方向移動(dòng),屬于類德拜松弛過(guò)程.其特征峰頻率與溫度符合Arrhenius 公式,在介電模量譜中可以通過(guò)松弛峰對(duì)應(yīng)的弛豫時(shí)間來(lái)計(jì)算活化能,計(jì)算公式如下[28]:

其中,τ為不同溫度T下的弛豫時(shí)間,τ0為最大概率值的松弛時(shí)間,μ為活化能,kB為玻爾茲曼常數(shù).在特征峰峰值處滿足:

其中,fm為介電模量譜中特征峰對(duì)應(yīng)的頻率.將(2)式代入(1)式可以得到:

通過(guò)一次函數(shù)擬和lnfm與1/T可以求得活化能.由于測(cè)試頻率并非連續(xù)變化,兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)之間存在間隔,峰的位置可能出現(xiàn)在兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)之間.同時(shí),由于峰A 和峰B 相鄰較近,且峰B 的值較大,對(duì)峰A 的干擾較強(qiáng),因此采用高斯分峰的方法確定峰A 和峰B 的位置.不同液晶含量PDLC 薄膜3 個(gè)松弛峰活化能的擬合結(jié)果如圖5(a)—(c)所示,其中熱離子極化的活化能最大,轉(zhuǎn)向極化次之,界面極化最小.活化能隨液晶含量的變化趨勢(shì)如圖5(d)所示,隨著液晶含量的增大,熱離子極化的活化能增大,界面極化與轉(zhuǎn)向極化的活化能減小,且減小趨勢(shì)相仿.需要特別注意的是,轉(zhuǎn)向極化作為影響液晶分子轉(zhuǎn)向的重要因素,其活化能從0.88 eV 減小到0.83 eV.相關(guān)前期研究表明,液晶微滴的尺寸會(huì)隨液晶含量的增大而增大[12],從而導(dǎo)致聚合物網(wǎng)絡(luò)的錨定作用減弱,轉(zhuǎn)向極化活化能的減小為其提供了直接的實(shí)驗(yàn)證據(jù).

圖5 PDLC 薄膜的極化活化能 (a) 50%,(b) 60%,(c) 70%和(d)極化活化能隨液晶含量的變化趨勢(shì)Fig.5.Polarization activation energy of PDLC films: (a) 50%,(b) 60%,(c) 70%,and (d) variation trend of polarization activation energy with liquid crystal content.

3.2 PDLC 薄膜的電光性能

在液晶/聚合物共混體系中,受制于聚合物網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的阻礙作用,液晶分子的轉(zhuǎn)向程度取決于所施加的電場(chǎng)的大小,50 Hz 交流電場(chǎng)下PDLC 薄膜的電場(chǎng)強(qiáng)度-透過(guò)率變化曲線如圖6(a)所示.50%,60%和70%液晶含量PDLC 薄膜的最大透過(guò)率分別為75.0%,74.1%和72.9%,這是由于隨著液晶含量的增大,形成的液晶微滴尺寸增大,對(duì)光的散射增強(qiáng),從而導(dǎo)致最大透過(guò)率發(fā)生微弱下降.定義最大透過(guò)率的10%和90%對(duì)應(yīng)的電場(chǎng)強(qiáng)度為PDLC薄膜中液晶分子發(fā)生轉(zhuǎn)向的閾值場(chǎng)強(qiáng)(Eth)和飽和場(chǎng)強(qiáng)(Esat),其統(tǒng)計(jì)結(jié)果如圖6(b)所示,隨著液晶含量的增大,Eth和Esat下降,這是由于液晶含量的增大導(dǎo)致轉(zhuǎn)向極化活化能降低,聚合物的錨定作用減弱,液晶分子更容易在電場(chǎng)的作用下發(fā)生轉(zhuǎn)向.

圖6 交流電場(chǎng)下,不同液晶含量PDLC 薄膜 (a)電場(chǎng)強(qiáng)度-透過(guò)率關(guān)系;(b)閾值場(chǎng)強(qiáng)和飽和場(chǎng)強(qiáng)Fig.6.(a) E-T relationship and (b) Eth and Esat of different liquid crystal content PDLC films under AC electric field.

直流電場(chǎng)和交流電場(chǎng)下PDLC 薄膜的透過(guò)率對(duì)比如圖7 所示,聯(lián)立圖8(a)所示的直流電場(chǎng)下不同液晶含量PDLC 薄膜的電場(chǎng)強(qiáng)度-透過(guò)率曲線,發(fā)現(xiàn)相比于交流電場(chǎng),直流電場(chǎng)下PDLC 薄膜在相同電場(chǎng)強(qiáng)度下的透過(guò)率明顯下降.其產(chǎn)生機(jī)制是薄膜中的熱離子極化導(dǎo)致雜質(zhì)離子在直流電場(chǎng)作用下發(fā)生定向移動(dòng),形成與外加電場(chǎng)方向相反的內(nèi)建電場(chǎng),使作用于液晶分子的有效電場(chǎng)降低,從而導(dǎo)致透過(guò)率下降.值得注意的是,透過(guò)率的下降隨著液晶含量的增大更為明顯,以15 kV/mm 下的透過(guò)率為例,50%,60%,70%液晶含量的復(fù)合薄膜透過(guò)率分別下降22%,37%,61%,這是由于液晶含量越高,雜質(zhì)離子越多,熱離子極化程度越大,形成的內(nèi)建電場(chǎng)越大,最終導(dǎo)致更為明顯的透過(guò)率下降.如圖8(b)所示,內(nèi)建電場(chǎng)也導(dǎo)致直流電場(chǎng)下薄膜的Eth和Esat大幅增大,但與交流電場(chǎng)下不同,其Esat隨液晶含量的上升而增大,這是由于此時(shí)形成的內(nèi)建電場(chǎng)較大,其對(duì)飽和場(chǎng)強(qiáng)的影響大于轉(zhuǎn)向極化活化能減小帶來(lái)的影響.

圖7 直流電場(chǎng)和交流電場(chǎng)下PDLC 薄膜的透過(guò)率對(duì)比圖Fig.7.Transmittance comparison of PDLC films in DC and AC electric fields.

圖8 直流電場(chǎng)下,不同液晶含量PDLC 薄膜 (a)電場(chǎng)強(qiáng)度-透過(guò)率關(guān)系;(b)閾值場(chǎng)強(qiáng)和飽和場(chǎng)強(qiáng)Fig.8.(a) E-T relationship and (b) Eth and Esat of different liquid crystal content PDLC films under DC electric field.

圖9(a),(b)分別為PDLC 薄膜在15 kV/mm的交流和直流電場(chǎng)下的透過(guò)率響應(yīng)特性,交流電場(chǎng)下薄膜在施加電場(chǎng)時(shí)透過(guò)率快速增大并保持穩(wěn)定,撤掉電場(chǎng)時(shí)透過(guò)率恢復(fù)且不再變化,展現(xiàn)出快速且穩(wěn)定的響應(yīng)特性.與交流電場(chǎng)下不同的是,直流電場(chǎng)下在施加和撤去外施電場(chǎng)時(shí)透過(guò)率都存在一個(gè)明顯的響應(yīng)峰,且此響應(yīng)峰的弛豫時(shí)間可達(dá)數(shù)秒之久.此響應(yīng)峰來(lái)源于 PDLC 薄膜中的熱離子極化,電場(chǎng)施加初期薄膜的透過(guò)率先達(dá)到最大值,隨后熱離子極化過(guò)程在直流電場(chǎng)下建立內(nèi)建電場(chǎng),隨著外加電場(chǎng)的持續(xù)施大,內(nèi)建電場(chǎng)幅值不斷增大,導(dǎo)致作用于液晶分子的有效電場(chǎng)不斷減小.此極化完全建立后,薄膜中形成穩(wěn)定的內(nèi)建電場(chǎng),透過(guò)率不再發(fā)生變化.同時(shí),發(fā)現(xiàn)內(nèi)建電場(chǎng)的建立時(shí)間隨液晶含量的增大而增長(zhǎng),由圖2(a)可知,室溫下熱離子極化出現(xiàn)的頻率在10–1—100Hz,內(nèi)建電場(chǎng)的建立時(shí)間和熱離子極化的弛豫時(shí)間一致,進(jìn)一步證實(shí)了PDLC 薄膜中熱離子極化的存在.撤掉直流外施電場(chǎng)后,在透過(guò)率迅速衰減至關(guān)斷態(tài)時(shí),內(nèi)建電場(chǎng)的作用導(dǎo)致透過(guò)率小幅上升,之后,伴隨著正負(fù)雜質(zhì)離子的復(fù)合,透過(guò)率最終降低至關(guān)態(tài)值.而在交流電場(chǎng)下,電場(chǎng)變化的周期為0.02 s,遠(yuǎn)小于熱離子極化的弛豫時(shí)間,導(dǎo)致雜質(zhì)離子的移動(dòng)跟不上電場(chǎng)方向的變化,內(nèi)建電場(chǎng)不能完全建立,因此對(duì)透過(guò)率的變化影響很小.

圖9 (a)交流電場(chǎng)和(b)直流電場(chǎng)下PDLC 薄膜的響應(yīng)特性Fig.9.Response characteristics of PDLC films under (a) AC and (b) DC electric field.

綜上,通過(guò)對(duì)PDLC 薄膜極化特性的研究,解釋了其在不同液晶含量和不同電場(chǎng)類型下的電光性能的調(diào)控機(jī)理.隨著液晶含量的增大,聚合物的錨定作用減弱,PDLC 薄膜中轉(zhuǎn)向極化的活化能降低,在電場(chǎng)的作用下液晶分子轉(zhuǎn)向變得更加容易,引起閾值場(chǎng)強(qiáng)和飽和場(chǎng)強(qiáng)的降低;另一方面,PDLC 薄膜中液晶含量的提升,會(huì)引入較多的雜質(zhì)離子,PDLC 薄膜的熱離子極化增強(qiáng),內(nèi)建電場(chǎng)增大,最大透過(guò)率下降.直流電場(chǎng)下,雜質(zhì)離子定向移動(dòng)形成與外施電場(chǎng)方向相反的內(nèi)建電場(chǎng),使作用于液晶分子的有效電場(chǎng)強(qiáng)度減小,導(dǎo)致閾值場(chǎng)強(qiáng)和飽和場(chǎng)強(qiáng)增大,且此種熱離子極化的弛豫過(guò)程會(huì)導(dǎo)致響應(yīng)時(shí)間的延長(zhǎng);交流電場(chǎng)下,由于熱離子極化的弛豫時(shí)間遠(yuǎn)大于外施電場(chǎng)的變化周期,內(nèi)建電場(chǎng)較難建立,對(duì)電光性能的影響很小.

4 結(jié)論

通過(guò)對(duì)PDLC 薄膜介電性能和電光性能的測(cè)試,研究了薄膜的極化特性及其對(duì)電光性能的調(diào)控規(guī)律和機(jī)制.

1) PDLC 薄膜在10–1—106Hz 頻率范圍內(nèi)存在3 種松弛極化,在低頻、中頻、高頻段分別為熱離子極化、界面極化、轉(zhuǎn)向極化.熱離子極化主要來(lái)源于液晶材料中的雜質(zhì)離子,界面極化主要來(lái)源于液晶微滴與聚合物網(wǎng)絡(luò)形成的界面,轉(zhuǎn)向極化主要來(lái)源于液晶分子本身.

2)根據(jù)Arrhenius 公式計(jì)算了各極化過(guò)程的活化能,隨著液晶含量的增大,轉(zhuǎn)向極化的活化能降低,表明聚合物網(wǎng)絡(luò)對(duì)液晶微滴的錨定作用減弱,導(dǎo)致PDLC 薄膜中液晶分子轉(zhuǎn)向的閾值場(chǎng)強(qiáng)和飽和場(chǎng)強(qiáng)減小.

3)直流電場(chǎng)下,薄膜中的熱離子極化過(guò)程形成內(nèi)建電場(chǎng),使作用于液晶分子的有效電場(chǎng)減小,導(dǎo)致其轉(zhuǎn)向的閾值場(chǎng)強(qiáng)和飽和場(chǎng)強(qiáng)增大,而極化弛豫時(shí)間的延長(zhǎng)導(dǎo)致響應(yīng)時(shí)間的延長(zhǎng).

4)結(jié)合PDLC 薄膜極化特性與電光性能的研究結(jié)果,可以通過(guò)提高液晶材料的純度,削弱內(nèi)建電場(chǎng)的形成,提高最大透過(guò)率,降低閾值場(chǎng)強(qiáng)和飽和場(chǎng)強(qiáng),并顯著改善PDLC 薄膜在直流電場(chǎng)下的電光特性,進(jìn)而擴(kuò)大PDLC 薄膜的許用場(chǎng)強(qiáng)范圍,提升其電響應(yīng)靈敏度.