英飛凌科技

以萬物互聯(lián)、高效清潔能源、綠色智能個性化出行為代表的低碳化、數(shù)字化長期發(fā)展趨勢是未來十年塑造世界的主要力量，會逐漸滲透到各個行業(yè)，推動著半導體需求的持續(xù)增長。

2022年對于英飛凌來說是創(chuàng)紀錄的一年。由于敏銳地抓住了低碳化發(fā)展和數(shù)字化轉型的趨勢，基于正確的戰(zhàn)略性定位，英飛凌在過去幾年營收和利潤持續(xù)增長，2022財年錄得營收142.18億歐元，同比增長29%，創(chuàng)下了新高。

數(shù)字化、低碳化的發(fā)展趨勢還在進一步加速，所以，現(xiàn)在正是設定一個更具雄心的目標運營模式的時機。英飛凌上調了其長期財務目標，預計2023財年的總營收將達到155億元左右，增長率約為10%。

不僅如此，英飛凌正在通過計劃投資建設新工廠，持續(xù)貫徹公司的戰(zhàn)略，并前瞻性地為公司的持續(xù)盈利性增長夯實基礎。我們計劃繼續(xù)擴大其300 mm 晶圓制造能力，以滿足預期的模擬/混合信號和功率半導體加速增長的需求。新工廠計劃落址于德國的德累斯頓。該工廠計劃總投資50億歐元，是英飛凌歷史上最大的單筆投資。這也將增強英飛凌作為一家全球功率系統(tǒng)半導體領導企業(yè)的地位。

有鑒于2022年的走勢，供應鏈在2023年依然會面臨較大挑戰(zhàn)，但主要呈現(xiàn)的是結構性特點。對于一些產(chǎn)品來說，短缺仍然存在，這種緊缺狀況很可能持續(xù)到2023年。然而，由于疫情導致的高需求產(chǎn)品的繁榮階段如消費電子、支持居家工作的設備等即將結束，個人電腦、消費電子和智能手機等市場的需求正在減弱。因此，某些技術節(jié)點的產(chǎn)能預計會有一些緩解，更多產(chǎn)能被重新分配給汽車和工業(yè)產(chǎn)品。

總的來說，緊缺狀況在 2022 年有所改善，并預計在 2023 年有進一步的改善。但仍然需要密切關注整個市場呈現(xiàn)出的結構性異步波動的特點，并對產(chǎn)能提前做出科學研判和精準規(guī)劃。

在英飛凌的目標市場上，低碳化和數(shù)字化的趨勢越發(fā)強勁。電動出行、可再生能源、數(shù)據(jù)中心和物聯(lián)網(wǎng)領域的應用在未來幾年將繼續(xù)強勁和可持續(xù)地增長，對半導體的結構性需求正在增加。堅持英飛凌的戰(zhàn)略定位，我們將在這一趨勢中取得長足的發(fā)展。

以“讓生活更便利、更安全、更環(huán)?！睘槭姑?，英飛凌的氣候戰(zhàn)略建立在兩個支柱之上：一方面，我們通過提高能源利用率實現(xiàn)低碳制造，使用清潔能源，減少直接碳排放，并促進資源循環(huán)利用。我們目標是到 2025年，將二氧化碳排放量較 2019 年減少 70%，到 2030 年實現(xiàn)碳中和；另一方面，我們通過提供更高能效的產(chǎn)品和解決方案，幫助整個社會實現(xiàn)節(jié)能減排。經(jīng)統(tǒng)計，英飛凌的高能效產(chǎn)品廣泛應用于新能源發(fā)電等各類應用中，在 2022 財年為整個社會帶來的二氧化碳減排量達1 億 t。而英飛凌在 2022 財年的二氧化碳排放量僅為300 萬 t，比率為 33：1，這意味著英飛凌每 1 t 的碳排放，能夠撬動起 33 t 的碳減排。

英飛凌在SiC方面的競爭優(yōu)勢

SiC是新材料，新技術，所以從材料、供應鏈到應用的成熟需要一個過程。英飛凌花了 30 年時間不斷進行技術打磨和沉淀，而且取得了重大突破。

英飛凌自 1998 年開始在 2 英寸晶圓上制造碳化硅二極管，2010 年采用 4 英寸，2015 年跨入 6 英寸量產(chǎn)，今天我們已經(jīng)走向 8 英寸。我們在芯片、器件和應用上都積累了豐富經(jīng)驗，在創(chuàng)新的技術的基礎上，2017 年推出了溝槽柵SiC MOSFET。

1）英飛凌是第 1 個采用溝槽柵做SiC MOSFET 的企業(yè)，這一創(chuàng)新的技術很好地解決了柵極氧化層的可靠性問題，也提高了SiC MOSFET 的性能，而且每個晶圓可以比平面柵多產(chǎn)出 30% 芯片。

2）英飛凌還在積極投資一些創(chuàng)新的技術，從而能夠更好的成就我們的生產(chǎn)效率和良率的提升。 2018 年我們收購了一家擁有碳化硅冷切割技術的高科技公司Siltectra。這種冷切割的芯片切割技術，對于碳化硅來說，非常高的價值在于它可以大大的減少對硅錠的原材料的浪費，所以我們可以用同樣數(shù)量的原材料切割成加倍的晶圓來供生產(chǎn)，也降低晶圓生產(chǎn)過程中的單位能耗，這一技術可以切割成遠薄于 350 μm 的晶圓。有了冷切割技術，我們 8 英寸SiC的產(chǎn)量大大提高。

3）我們在有非常高效散熱，高功率密度的封裝，寄生電感非常低的模塊封裝，我們基于增強型SiCMOSFET芯片技術單管，采用 .XT 技術的單管，最大規(guī)格低至 7 mΩ；也有低至 2 mΩ的 Easy3B 半橋模塊；1.7 kV 和 2 kV 芯片技術及其產(chǎn)品。

4）我們產(chǎn)品定義與開發(fā)，需要對應用的需要和客戶的需求非常了解。英飛凌功率半導體在工業(yè)和汽車應用中已經(jīng)積累了幾十年的經(jīng)驗，我們已經(jīng)建立起豐富的標準化產(chǎn)品，也有為客戶為應用定制的產(chǎn)品。

碳化硅市場的增長是強勁的。最初，需求主要由工業(yè)應用驅動，例如太陽能和電動汽車充電等，到現(xiàn)在，這一需求正日益被汽車應用的高需求所超越。例如，在新能源汽車相關領域，續(xù)航里程和電池裝機量是關鍵，SiC技術能夠顯著的提升續(xù)航里程，或者相同續(xù)航里程下，降低電池裝機量和成本。因此，SiC正在越來越多地被采用，特別是在牽引主逆變器、車載充電機 OBC以及高低壓 DC-DC 轉換器中。