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        參數(shù)自適應(yīng)誤差自校準的Sigma-Delta閉環(huán)微機械陀螺儀*

        2023-03-22 04:52:26周景川熊瑞宏
        飛控與探測 2023年5期
        關(guān)鍵詞:模態(tài)信號

        周景川,熊瑞宏,陳 方

        (1.中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 傳感技術(shù)聯(lián)合國家重點實驗室·上?!?00050;2. 中國科學(xué)院大學(xué)·北京·100049)

        0 引 言

        Sigma-delta調(diào)制 (ΣΔM) 技術(shù)被廣泛用于高分辨率模數(shù)轉(zhuǎn)換器(Analog-to-Digital Converter,ADC)。當前,隨著MEMS技術(shù)的發(fā)展,基于ΣΔM技術(shù)的微機電力平衡閉環(huán)測控機制已被用于MEMS慣性傳感器中,實現(xiàn)了高精度和大動態(tài)范圍的工作性能,在MEMS加速度計[1]、MEMS陀螺儀[2-3]和MEMS洛倫茲力磁力計[4]中均得到了驗證。先進的微機電ΣΔM閉環(huán)測控技術(shù)能夠同時實現(xiàn)靜電力平衡反饋控制和傳感器信號的模數(shù)轉(zhuǎn)換,是實現(xiàn)高精度單芯片、低成本片上系統(tǒng)集成的有效技術(shù)手段。

        級聯(lián)式多級噪聲整形(Multi Stage Noise Shaping,MASH)ΣΔM技術(shù)也在高精度ADC中廣泛使用,其由多個低階ΣΔM調(diào)制器和數(shù)字濾波器級聯(lián)組成。與高階串聯(lián)ΣΔM結(jié)構(gòu)相比,MASH結(jié)構(gòu)ΣΔM調(diào)制器由于都由低階ΣΔM調(diào)制器級聯(lián)組成,更穩(wěn)定且能承受更大范圍的輸入信號[8]。英國南安普敦大學(xué)Kraft等人率先研究了MASH 2-2和MASH 2-0架構(gòu)的微機電ΣΔM加速度計[9-10],整個電路包括了一個2階的微機電閉環(huán)回路和級聯(lián)的ΣΔM調(diào)制器,實現(xiàn)了MEMS加速度計的高精度測控。

        本文創(chuàng)新性地提出一種參數(shù)自適應(yīng)的誤差在線自校準MASH-ΣΔM閉環(huán)電路設(shè)計,用于上海微系統(tǒng)所研發(fā)的高真空MEMS音叉陀螺中,該MEMS芯片采用的是雙質(zhì)量體音叉諧振結(jié)構(gòu)設(shè)計,陀螺驅(qū)動模態(tài)和敏感模態(tài)相互解耦,采用先進的真空鍵合SOI工藝技術(shù)完成了MEMS批量制造和測試。電路系統(tǒng)采用雙量化式MASH2-0調(diào)制器架構(gòu)設(shè)計,在相同噪聲整形級數(shù)下,該架構(gòu)相比于傳統(tǒng)高階串聯(lián)式電路架構(gòu)能夠獲得整體更大的動態(tài)范圍,即保證MEMS陀螺電路更高的穩(wěn)定性。在軟件中進行了系統(tǒng)建模和電路參數(shù)優(yōu)化,采用最高有效位(Most Significant Bit,MSB)來實現(xiàn)MEMS陀螺敏感模態(tài)的閉環(huán)力反饋測控,同時用專用數(shù)據(jù)位來標記電路中的量化誤差。該技術(shù)通過在量化器之前引入偽隨機測試信號來跟蹤并消除誤差,在基于FPGA的模數(shù)混合電路平臺進行算法試驗,以驗證電路的誤差自校準能力。

        1 MEMS陀螺電路設(shè)計與分析

        擬設(shè)計的誤差自校準MEMS陀螺系統(tǒng)框圖如圖1所示。該MEMS陀螺儀由單個驅(qū)動回路保持穩(wěn)幅穩(wěn)頻諧振,且對MEMS陀螺的寄生模態(tài)頻率具有抑制性,同時輸出低相位噪聲時鐘基準信號;敏感檢測模態(tài)采用ΣΔM數(shù)字力平衡閉環(huán)方案,該閉環(huán)電路通過ΣΔM調(diào)制的數(shù)字流信號來平衡外界角速度,確保慣性質(zhì)量單元一直位于中心位置[11]。通過電路中的正交誤差校正環(huán)路消除MEMS陀螺的正交誤差,該正交誤差的消除進一步提高了MEMS陀螺的性能[6]。整體系統(tǒng)如圖1所示,圖1(a)為陀螺儀驅(qū)動模態(tài)系統(tǒng)框圖,電容變化量通過模擬前端電路轉(zhuǎn)化為電壓變化量,進入數(shù)字電路。電壓信號通過鎖相環(huán)和幅度控制器后負反饋回到陀螺儀驅(qū)動模態(tài)的驅(qū)動端,實現(xiàn)穩(wěn)幅穩(wěn)頻控制。鎖相環(huán)中的壓控振蕩器輸出載波信號及自時鐘信號,兩種信號被設(shè)定為陀螺諧振頻率的倍頻并用于電路控制中。圖1(b)中將MEMS陀螺敏感模態(tài)嵌入到ΣΔM調(diào)制器回路形成二階微機電ΣΔM調(diào)制單元,同時二階環(huán)路中加入自適應(yīng)數(shù)字濾波器形成MASH2-0架構(gòu),在量化器之前引入的噪聲被設(shè)計的自適應(yīng)數(shù)字濾波器跟蹤標記并最終消除。

        (a)MEMS陀螺驅(qū)動回路設(shè)計

        (b) 自適應(yīng)自校準MASH2-0 EM-ΣΔM陀螺敏感模態(tài)閉環(huán)模型圖1 誤差自校準MEMS陀螺系統(tǒng)框圖Fig.1 Self-calibrating MEMS gyroscope system diagram

        MEMS陀螺中的多比特量化噪聲(Q1)和單比特量化噪聲(Q2)可以用增益常數(shù)(Kq1,Kq2)和噪聲信號的疊加來描述;陀螺前置C/V電路可以用增益常數(shù)(Kpo,Kbst和Kfb)固定的信號放大電路來描述,其中量化噪聲Q2用比例KR,KS來處理,然后經(jīng)過數(shù)字濾波器(D1和D2)進行自適應(yīng)校準?;陂]環(huán)系統(tǒng)傳遞函數(shù)推導(dǎo)MEMS陀螺的二階ΣΔM和MASH2-0系統(tǒng)輸出分別如下所示

        YSD2=STFSD2(Fin+B)+ENTFSD2E+
        Q1NTFSD2Q1+Q2NTFSD2Q2

        (1)

        YMASH=STFMASH2-0(Fin+B)+ENTFMASH2-0E+

        Q1NTFMASH2-0Q1+Q2NTFMASH2-0Q2

        (2)

        其中,STF,Q1NTF,Q2NTF和ENTF分別為MEMS陀螺科里奧利信號(有效信號)、單比特量化噪聲、多比特量化噪聲和電學(xué)噪聲傳遞函數(shù)。為了消除量化噪聲,QNTF必須接近零。盡管MASH2-0閉環(huán)電路提供了相應(yīng)的高階噪聲整形,但電路仍然對MEMS陀螺儀機械參數(shù)敏感,這導(dǎo)致在輸出端產(chǎn)生額外的量化誤差,從而降低MEMS陀螺儀的性能。

        如圖1所示,本文通過在有用信號進入量化器之前輸入標定信號來實現(xiàn)連續(xù)自檢,并使用最小均方(Least Mean Square,LMS)自適應(yīng)算法來同時消除自檢信號和誤差信號。前提是自檢信號位于有用信號帶寬外,不會破壞檢測到的有效陀螺信號。自適應(yīng)測控算法流程如下:首先,通過計算標定信號與MASH2-0陀螺輸出之間的相關(guān)性來估計誤差泄漏狀態(tài);其次,在估算結(jié)果的基礎(chǔ)上不斷更新LMS系數(shù);最后,自適應(yīng)濾波器進行參數(shù)調(diào)制并將標定信號和量化誤差同時消除。為了證明其有效性,進行了模型仿真驗證,結(jié)果如圖2所示??梢娫贛EMS陀螺機械參數(shù)誤差變化為10%的前提下,所提出的自適應(yīng)MASH2-0系統(tǒng)在大約4500次迭代后收斂,系統(tǒng)內(nèi)噪聲誤差趨近于0。圖2中對LMS濾波器迭代的效果可以看出,整個測控電路對陀螺誤差進行估計,并完全消除泄露誤差;電路中自適應(yīng)濾波器參數(shù)逐漸收斂于最佳值,陀螺信噪比提高到118dB。

        (a) MASH2-0自適應(yīng)MEMS陀螺輸出信噪比

        (b) 相關(guān)噪聲泄漏誤差

        (c) 自適應(yīng)濾波器參數(shù)調(diào)整圖2 仿真結(jié)果Fig.2 Simulation results

        圖3為MEMS陀螺的ΣΔM(SD2)輸出YSD2頻譜密度曲線(紅色)和MASH2-0輸出頻譜密度曲線(藍色)。其中MEMS陀螺YSD2通過噪聲整形實現(xiàn)了-100dB的輸出本底噪聲,而自適應(yīng)MASH2-0通過誤差自校準使得MEMS陀螺在64Hz的帶寬內(nèi)本底噪聲降低了40dB,達到-140dB 的本底噪聲水平,仿真結(jié)果初步驗證了本設(shè)計的可行性。

        圖3 MEMS陀螺SD2和自適應(yīng)MASH2-0輸出噪聲譜Fig.3 The output noise spectrum of MEMS gyroscope SD2 output and MASH2-0 output

        2 MEMS陀螺敏感結(jié)構(gòu)設(shè)計與制造

        MEMS陀螺敏感結(jié)構(gòu)設(shè)計和完成的MEMS芯片掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Micros-cope,SEM)照片分別如圖4所示。其中MEMS陀螺結(jié)構(gòu)為雙質(zhì)量體音叉式諧振結(jié)構(gòu),驅(qū)動諧振方向和敏感檢測方向分別為水平X軸和Y軸,角速度輸入方向為垂直Z軸,并在有限元仿真軟件中完成了MEMS陀螺的有限元建模與結(jié)構(gòu)的諧振模態(tài)仿真;其次,MEMS芯片采用了上海微系統(tǒng)所先進的60μm SOI工藝和高真空硅-硅鍵合工藝進行了流片制造;最后,通過引線鍵合將MEMS陀螺芯片封裝到LCC管殼內(nèi),并進一步進行了真空排氣操作,確保MEMS陀螺的高真空度。

        (a)陀螺模態(tài)仿真結(jié)果

        (b)MEMS陀螺結(jié)構(gòu)示意圖和SEM照片圖4 陀螺模態(tài)仿真結(jié)果,MEMS陀螺結(jié)構(gòu)示意圖及SEM照片F(xiàn)ig.4 Modal analysis of gyroscope,schematic diagram and SEM image of MEMS gyroscope

        3 試驗與結(jié)果

        設(shè)計的MEMS陀螺原理樣機如圖5所示,主要包括高真空MEMS陀螺敏感表頭、前置C/V電路、ADC量化電路、FPGA數(shù)字電路和DAC反饋加載電路,其中數(shù)字電路由XILINX公司的XC7A100T芯片構(gòu)成,其他則采用標準分立式電子器件搭建而成。環(huán)路SD2中前置C/V電路首先進行陀螺敏感模態(tài)信號電容/電壓轉(zhuǎn)換,在經(jīng)過ADC采樣之后再由ΣΔM量化器進行量化(量化頻率625kHz),量化信號經(jīng)過ΣΔM調(diào)制再由DAC控制反饋電壓加載到反饋電極上形成閉環(huán);而誤差自校準環(huán)路是自適應(yīng)數(shù)字濾波器回路,包括自適應(yīng)濾波器和數(shù)字濾波器,以數(shù)字形式在FPGA中實現(xiàn)。陀螺整機尺寸6cm×3cm,使用+5V的單電源供電。

        圖5 制造的雙質(zhì)量音叉陀螺SEM圖和自校準MASH2-0陀螺儀原型樣機照片F(xiàn)ig.5 SEM picture of a manufactured dual-mass tuning fork gyroscope and self-calibrating MASH2-0 gyroscope prototype photo

        首先將MEMS陀螺原理樣機固定在雙軸轉(zhuǎn)臺上,在250(°)/s角速率輸入下,MEMS陀螺電路輸出數(shù)字信號的功率譜密度如圖6所示。從中均可以看到明顯的高階ΣΔM噪聲整形特征,與理論設(shè)計一致。將MEMS陀螺分別配置為自校準MASH2-0閉環(huán)和單環(huán)4階SD4、單環(huán)2階SD2閉環(huán)控制,陀螺敏感模態(tài)閉環(huán)輸出的1bit數(shù)字信號頻譜結(jié)果分別進行比較,SD4(綠色)和SD2(紅色)輸出的底噪大約為-100dB和-90dB,而本文提出的自校準MASH2-0(藍色)底噪達到了-130dB,使該MEMS陀螺的信噪比提升了30dB,且與仿真結(jié)果十分相近。

        在以往的ΣΔM陀螺電路中,有效信號提取往往受到MEMS敏感結(jié)構(gòu)寄生諧振模態(tài)的影響,而本文提出的自適應(yīng)自校準MASH2-0閉環(huán)測控回路不僅可以有效地實現(xiàn)陀螺信號帶寬內(nèi)的噪聲整形,而且將寄生模態(tài)和陀螺敏感工作模態(tài)進行了一個高效的區(qū)分,將寄生模態(tài)完全濾除。根據(jù)測試輸出的功率譜圖(圖6)所示,MEMS陀螺的輸出諧波失真已經(jīng)完全消除,可以證明采用此方法之后諧波失真將不再是影響ΣΔM陀螺精度的因素。

        圖6 MEMS陀螺敏感模態(tài)自校準MASH2-0,SD4和SD2閉環(huán)控制下輸出頻譜圖Fig.6 Output spectrogram of MEMS gyroscope sense mode under self-calibrating MASH2-0,SD4 and SD2 closed-loop control

        與以往模擬PID閉環(huán)控制來增大MEMS陀螺動態(tài)范圍不同,微機電ΣΔM閉環(huán)測控機制靈活,并且可以消除MEMS陀螺敏感結(jié)構(gòu)間的自吸附現(xiàn)象。對同一個MEMS陀螺敏感芯片,分別使用自校準MASH2-0閉環(huán)和單環(huán)4階SD4閉環(huán)控制下的動態(tài)范圍測試結(jié)果如圖7所示,其中本文提出的自校準MASH2-0閉環(huán)控制最大動態(tài)范圍可達112dB,而SD4閉環(huán)系統(tǒng)最大僅為90dB。采集的零漂數(shù)據(jù)Allan方差曲線也如圖7所示,MEMS陀螺零偏不穩(wěn)定性從1(°)/h降低到了0.4(°)/h,進一步驗證了該技術(shù)的有效性。

        圖7 SD4和MASH2-0艾倫方差曲線Fig.7 Allen variance curve of SD4 and MASH2-0 system

        4 結(jié) 論

        介紹并實現(xiàn)了一種MEMS陀螺片上誤差自校準微機電ΣΔM閉環(huán)測控技術(shù),通過內(nèi)置連續(xù)標定信號和自適應(yīng)算法來實現(xiàn)陀螺誤差自校準,并建立其相應(yīng)的仿真模型進行仿真驗證,最后在FPGA硬件平臺中驗證該技術(shù)的有效性,對該MEMS陀螺主要指標進行了測試。測試結(jié)果證明,在經(jīng)過誤差自校準之后MEMS陀螺底噪降低了30dB,與仿真結(jié)果十分接近;同時,MEMS陀螺的零偏不穩(wěn)定性由1(°)/h降低到了0.4(°)/h,同時其動態(tài)范圍擴大。

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