李祺煒，何兆紅，李 軍，鄧立生，曾 濤，黃宏宇*

(1 中國(guó)科學(xué)院大學(xué)，北京 100049；2 中國(guó)科學(xué)院廣州能源研究所，廣州 510640；3 南方海洋科學(xué)與工程廣東省實(shí)驗(yàn)室(廣州)，廣州 511458)

有序介孔材料是近幾十年興起的新型納米材料，具有比表面積高、孔徑可調(diào)等特征，其中SBA-15是一種有序六邊形排列介孔二氧化硅材料，孔徑5～30 nm可調(diào)，具有較好的熱穩(wěn)定性[1-2]，比化學(xué)組成相同的硅膠吸附量大、脫附溫度低。目前已經(jīng)有較多關(guān)于調(diào)控有序介孔材料形貌和性能的研究[3]，在吸附分離[4]、催化[5]、導(dǎo)電[6]和磁性[7]等領(lǐng)域也有較多應(yīng)用，因吸水量大、脫附溫度低，可應(yīng)用于吸附式制冷領(lǐng)域。

制備過程中合成溫度、脫除模板劑溫度等參數(shù)調(diào)控是影響材料特性的重要因素。Benamor等[8]研究發(fā)現(xiàn)合成過程時(shí)的溫度、攪拌速度等參數(shù)會(huì)影響材料形貌，使用微波加熱會(huì)影響模板劑的聚集形態(tài)從而獲得有更小壁厚和更大比表面積的材料。Dan等[9]使用不同類型的酸為介質(zhì)、以石英粉為硅源，制備出孔徑279～361 nm的SBA-15，其具備較好的鈾吸附性能。脫除模板劑是制備有序介孔二氧化硅的必要步驟，不同脫除方法所獲得材料的性能不同。目前常用的模板劑脫除方法有焙燒法和萃取法，也有研究者采用超臨界流體萃取法[10]、微波輔助法[11]、紫外線輻射法[12]、超聲波輔助萃取法[13]等，可以根據(jù)材料需求選擇合適的模板劑脫除方法。煅燒法是目前最常用的模板劑脫除方法，操作簡(jiǎn)單，脫除徹底，但因煅燒溫度較高，易損失材料表面羥基，甚至引起孔道的坍塌，使水蒸氣吸附性能變差[14]，同時(shí)高溫煅燒過程中，材料骨架會(huì)產(chǎn)生結(jié)構(gòu)收縮，甚至導(dǎo)致孔道坍塌和潰縮。采用200～300 ℃的低溫煅燒法脫除模板劑能夠減輕對(duì)骨架的損傷[15-17]。Benamor等[18]采用感應(yīng)加熱裝置，利用快速誘導(dǎo)煅燒法脫除模板劑，實(shí)現(xiàn)了快速、徹底的模板劑脫除，在300 ℃下、15 min即可徹底脫除模板劑，獲得親水性較好的材料。Yang等[19]使用分步煅燒的方法，采用硫酸萃取與低溫煅燒相結(jié)合的方式脫除模板劑，獲得了介孔孔徑更大，微孔體積更大的SBA-15材料。萃取也是一種重要的模板劑脫除方法，對(duì)骨架結(jié)構(gòu)和表面羥基的影響較小，但多次萃取最多能脫除約60%～80%的模板劑[17]。Thielemann等[20]發(fā)現(xiàn)萃取時(shí)，乙醇與水按一定比例混合后萃取所得的材料具有更大的比表面積，但孔道的有序程度會(huì)因此下降。萃取法雖能保護(hù)骨架結(jié)構(gòu)和表面羥基，但無法徹底脫除模板劑[21]，考慮與煅燒法結(jié)合使用能夠更徹底地脫除模板劑。

典型SBA-15的孔道相互平行，長(zhǎng)度1～3 μm[21]，而更短的孔道長(zhǎng)度可以減少吸附/脫附過程中分子擴(kuò)散的路徑長(zhǎng)度，降低傳質(zhì)阻力[22]。結(jié)合吸附式制冷系統(tǒng)對(duì)吸附劑的要求，本工作制備了短通道(500～700 nm)、條棒狀的有序介孔二氧化硅，考察不同模板劑脫除方式對(duì)介孔二氧化硅水蒸氣吸附性能影響，獲得強(qiáng)化介孔二氧化硅水蒸氣吸附性能方法。

1 實(shí)驗(yàn)材料與方法

1.1 試劑

正硅酸乙酯(TEOS，上海阿拉丁生化科技有限公司)，EO20PO70EO20(P123，Sigma-Aldrich)，超純水(實(shí)驗(yàn)室自制)，濃鹽酸(分析純，廣州化學(xué)試劑廠),無水乙醇(分析純，天津市百世化工有限公司)，SBA-15(6 nm孔徑，南京吉倉(cāng)納米科技有限公司)。

1.2 材料的制備

取4 g P123加入120 mL超純水和20 mL的濃鹽酸(質(zhì)量分?jǐn)?shù)37%)，所得溶液在35 ℃下攪拌均勻至P123完全溶解，隨后逐滴滴加TEOS 9 mL，在35 ℃下攪拌24 h(攪拌速度2400 r·min-1)，將溶液倒入聚四氟乙烯內(nèi)襯的反應(yīng)釜內(nèi)，密閉于100 ℃下水熱48 h(攪拌速度1000 r·min-1)，最后進(jìn)行抽濾、干燥，獲得未脫除模板劑的材料。材料制備方法如圖1所示。

圖1 短通道SBA-15的制備Fig.1 Preparation of short channel SBA-15

1.2.1 煅燒脫除模板劑方式

取5份未脫除模板劑的材料，采用煅燒法脫除模板劑。在空氣氛圍下以1 ℃·min-1的溫升速率，分別在150，250，350，450，550 ℃下煅燒6 h，獲得在5種不同溫度下煅燒脫除模板劑的材料。

1.2.2 萃取脫除模板劑方式

取5份未脫除模板劑的材料，采用萃取法脫除模板劑。使用50 ℃的無水乙醇75 mL浸泡1.25 g材料1 h后抽濾，干燥后完成一次萃取流程。將5份材料分別萃取1，2，3，4，5次，獲得5種不同萃取次數(shù)脫除模板劑的材料。

1.2.3 萃取與低溫煅燒相結(jié)合脫除模板劑方式

分別取5份萃取1，2，3，4，5次脫除模板劑后的材料，在空氣氛圍下以1 ℃·min-1的溫升速率，升溫至250 ℃煅燒6 h，獲得5種萃取與煅燒法結(jié)合脫除模板劑的材料。

1.3 樣品的表征

采用JEM-2100F型透射電子顯微鏡觀察樣品的孔結(jié)構(gòu)；采用SU-70熱場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡觀察樣品的形貌；使用NOVA 2000e比表面積及孔徑分析儀在液氮溫度下測(cè)量材料氮?dú)馕降葴鼐€，使用BET模型計(jì)算得到樣品的比表面積；采用X’ Pert Pro MPD X射線衍射儀分析了典型樣品的小角度X射線衍射，了解材料的有序程度。使用Nicolet 6700傅里葉紅外光譜儀對(duì)比了不同模板劑脫除方式下材料的表面基團(tuán)。水蒸氣吸附實(shí)驗(yàn)利用恒溫恒濕箱提供恒溫恒濕環(huán)境，采用高精度電子天平稱量質(zhì)量，取少量樣品于培養(yǎng)皿中，置于120 ℃的真空干燥箱內(nèi)干燥后，放入30 ℃相對(duì)濕度80%的恒溫恒濕箱中進(jìn)行水蒸氣吸附實(shí)驗(yàn)，每0.5 min記錄一次樣品的質(zhì)量數(shù)據(jù)，獲得材料的水蒸氣吸附性能曲線。使用TGA/DSC 3+熱重分析儀在氮?dú)夥諊聹y(cè)得萃取后低溫煅燒脫除模板劑法的模板劑殘留量，樣品在150 ℃干燥30 min，然后從150 ℃加熱至800 ℃，溫升速率為5 ℃·min-1。

2 結(jié)果與討論

2.1 TEM分析

短通道介孔材料與商品SBA-15的透射電子顯微鏡照片如圖2所示，其中圖2(a)中的介孔二氧化硅材料，采用較為常用的550 ℃煅燒脫除模板劑，圖2(b)為商品SBA-15?？梢钥闯?，制備出的短通道介孔二氧化硅材料，具有SBA-15典型的二維六方有序結(jié)構(gòu)。

圖2 兩種材料的透射電鏡圖(a)短通道介孔材料；(b)商品SBA-15Fig.2 TEM images of two materials(a)short-channel mesoporous materials;(b)commodity SBA-15

2.2 SEM分析

圖3為制備的材料與商品SBA-15的掃描電子顯微鏡照片。其中圖3(a)為商品SBA-15，呈長(zhǎng)條形蠕蟲狀，孔徑孔壁尺寸均勻，有較長(zhǎng)的孔道長(zhǎng)度，約1.5～2 μm。550 ℃下煅燒6 h脫除模板劑是目前常用的模板劑脫除方法，圖3(b)為550 ℃下脫除模板劑的介孔二氧化硅材料，形貌呈短條棒狀，孔徑孔壁尺寸均勻，有較短的孔道長(zhǎng)度約500～700 nm。可以看出，本研究的制備方法制備出具有“短通道”特性的材料，短通道特性有助于降低材料的傳質(zhì)阻力。

圖3 商品SBA-15(a)與短通道介孔材料(b)的SEM圖Fig.3 SEM images of commodity SBA-15(a) and short-channel mesoporous material(b)

采用萃取4次與低溫煅燒結(jié)合脫除模板劑的材料SEM圖，如圖4所示。采用萃取4次、250 ℃低溫煅燒所得材料形貌并未受到影響，將圖4中材料與圖3(b)材料相比，整體結(jié)構(gòu)與材料形貌接近，無明顯孔道坍塌，說明采用萃取后低溫煅燒法不會(huì)破壞材料形貌和孔道結(jié)構(gòu)。

圖4 采用萃取4次、250 ℃煅燒脫除模板劑的短通道介孔材料Fig.4 Short-channel mesoporous materials with extraction 4 times, 250 ℃ calcination removal of templating agent

2.3 XRD分析

圖5為幾種典型材料的小角度X射線衍射圖。從圖5可知采用煅燒、萃取、萃取后煅燒等方法脫除模板劑的材料與商品SBA-15的3個(gè)特征衍射峰位置相吻合，說明采用不同模板劑脫除方法均能獲得二維六方有序的SBA-15[21]。

圖5 不同材料的小角度X射線衍射圖Fig.5 Small angle X-ray diffraction patterns of different materials

2.4 孔結(jié)構(gòu)分析

由氮?dú)馕降葴鼐€計(jì)算所得材料的孔徑、比表面積、孔容積數(shù)據(jù)見表1，對(duì)應(yīng)材料的氮?dú)馕降葴鼐€見圖6。由表1可知，未脫除模板劑的材料孔容積、孔徑和比表面積較小，在萃取或煅燒脫除模板劑后，孔容積、孔徑和比表面較大。具有較大比表面積和孔容積的材料在理論上具有更好的水蒸氣吸附性能。

表1 不同材料的孔結(jié)構(gòu)參數(shù)Table 1 Pore structure parameters of different materials

圖6 不同材料的氮?dú)馕降葴鼐€Fig.6 Nitrogen adsorption isotherms of various materials

2.5 模板劑脫除方式對(duì)介孔二氧化硅的水蒸氣吸附性能影響

采用不同脫除方式脫除模板劑的材料具有不同的特性，煅燒法是目前常用的模板劑脫除方法，可以徹底脫除模板劑，但煅燒溫度過高時(shí)表面基團(tuán)也會(huì)發(fā)生變化[14-17]，需要根據(jù)所需材料特性確定合適的煅燒溫度。萃取相比煅燒法可以更好地保護(hù)材料的孔道和表面活性[13,19]，但萃取無法完全脫除模板劑，需要根據(jù)需求確定合適的萃取方案。本研究為考察不同模板劑脫除方式對(duì)介孔二氧化硅水蒸氣吸附性能的影響，開展靜態(tài)吸附性能實(shí)驗(yàn)研究，考察了材料的吸附速率和平衡吸附量。

2.5.1 煅燒對(duì)介孔二氧化硅水蒸氣吸附性能的影響

煅燒過程的溫度對(duì)材料的孔結(jié)構(gòu)和表面基團(tuán)有影響，高溫煅燒會(huì)破壞材料表面羥基，低溫煅燒能夠減輕對(duì)表面羥基的損傷[15-17]。羥基對(duì)材料的水蒸氣平衡吸附量、吸附速率影響大[14,22]。低溫煅燒雖然可以保護(hù)材料的結(jié)構(gòu)和表面基團(tuán)，但過低的煅燒溫度可能無法徹底將模板劑脫除[14]。本研究使用管式爐在空氣氛圍下分別在150，250，350，450，550 ℃ 5個(gè)不同溫度下煅燒6 h脫除模板劑，將所得煅燒材料在100 ℃的真空干燥箱中干燥后，置于30 ℃、相對(duì)濕度80%的恒溫恒濕箱中，獲得不同溫度煅燒材料的水蒸氣吸附曲線。

圖7為不同溫度煅燒的材料水蒸氣吸附性能曲線圖，為便于比較，加入了商品SBA-15的水蒸氣吸附曲線。如圖7所示，不同溫度煅燒所得材料水蒸氣平衡吸附量均小于0.4 g·g-1，與商品SBA-15相比，不同溫度煅燒的材料水蒸氣平衡吸附量?jī)H達(dá)到商品SBA-15的53.06%～69.39%。從250 ℃開始，隨著煅燒溫度的升高，材料的水蒸氣平衡吸附量依次減小，550 ℃時(shí)的水蒸氣平衡吸附量?jī)H為0.26 g·g-1。理論上，采用550 ℃的高溫煅燒會(huì)導(dǎo)致材料表面的羥基損失較多，不利于獲得水蒸氣吸附性能強(qiáng)的材料。圖7中150 ℃煅燒的材料比250 ℃煅燒所得材料平衡吸附量低，主要因?yàn)?50 ℃溫度過低無法將模板劑P123脫除凈，殘留模板劑占據(jù)了孔道空間，因此還需要適當(dāng)提升煅燒溫度[14]。在350，450，550 ℃煅燒所得的材料，隨煅燒溫度升高，材料的水蒸氣吸附性能變差。

圖7 不同溫度煅燒的材料水蒸氣吸附性能Fig.7 Water vapor adsorption performance of materials calcined at different temperatures

250 ℃煅燒所得材料的水蒸氣吸附量最大，性能均優(yōu)于其他溫度煅燒的材料。因此采用空氣氛圍下250 ℃(升溫速率1 ℃·min-1)低溫煅燒法脫除模板劑可以獲得性能較好的材料，但直接煅燒所得材料的性能與商品SBA-15相比仍有較大差距，因此有必要進(jìn)一步研究模板劑的脫除方式。

2.5.2 萃取對(duì)介孔二氧化硅水蒸氣吸附性能的影響

煅燒過程會(huì)使材料的表面羥基減少，導(dǎo)致材料水蒸氣吸附性能變差，而萃取是一種低溫脫除模板劑的方式，能夠確?？捉Y(jié)構(gòu)和表面基團(tuán)不受損傷[21]。但萃取可能無法完全脫除模板劑[21]，需要通過實(shí)驗(yàn)確定合適的萃取方法，以降低萃取過程的成本，節(jié)省時(shí)間。本工作采用乙醇為溶劑，在50 ℃的條件下分別萃取材料1～5次，萃取后置于100 ℃的真空干燥箱內(nèi)干燥后，置于30 ℃相對(duì)濕度80%的恒溫恒濕箱中，獲得不同萃取次數(shù)材料的水蒸氣吸附曲線。

圖8為萃取材料的水蒸氣吸附曲線，并加入了商品SBA-15的吸附曲線用以比較。從圖8可以看出，隨著萃取次數(shù)增多，材料水蒸氣吸附平衡量隨之變高。但是萃取4次與5次的材料水蒸氣吸附性能差別不大，考慮耗時(shí)、成本等因素最終選擇萃取4次的模板劑脫除方法。萃取4，5次材料的平衡吸附量約為0.48 g·g-1，達(dá)到商品SBA-15的97.96%，兩者水蒸氣吸附性能較為接近但仍有差距，需要繼續(xù)對(duì)模板劑的脫除方式進(jìn)行研究。萃取法獲得的材料水蒸氣吸附性能優(yōu)于煅燒所得材料，表面羥基數(shù)量遠(yuǎn)大于采用煅燒法的材料[21]，與本研究中的紅外光譜表征結(jié)果一致，采用萃取的材料羥基峰強(qiáng)于經(jīng)過煅燒的另外3種材料，具有最豐富的的羥基。

圖8 萃取次數(shù)對(duì)材料水蒸氣吸附性能的影響Fig.8 Water vapor adsorption performance of materials with different extraction times

萃取法無法將模板劑除凈但能較好地保護(hù)材料表面基團(tuán)。而低溫煅燒法可以在較好地保護(hù)表面基團(tuán)的同時(shí)更徹底脫除模板劑。為獲得模板劑脫除更徹底、水蒸氣吸附性能更強(qiáng)的材料，考慮萃取與低溫煅燒結(jié)合的方法脫除模板劑是有必要的。

2.5.3 萃取-低溫煅燒法對(duì)介孔二氧化硅水蒸氣吸附性能的影響

采用萃取的方式脫除模板劑可以最大程度保護(hù)表面羥基和孔道結(jié)構(gòu)，但會(huì)在孔道內(nèi)殘留部分模板劑[21]。250 ℃低溫煅燒的方法對(duì)材料的表面羥基影響較小，同時(shí)可以更徹底地脫除模板劑。為獲得水蒸氣吸附性能更強(qiáng)的材料，要求材料表面羥基豐富、孔結(jié)構(gòu)完整、模板劑脫除徹底，本研究考慮使用萃取與低溫煅燒結(jié)合的方法脫除模板劑，分別取萃取1，2，3，4，5次的材料，在250 ℃空氣氛圍下煅燒6 h，最終獲得萃取后低溫煅燒的材料，在100 ℃的真空干燥箱內(nèi)干燥后，置于30 ℃相對(duì)濕度80%的恒溫恒濕箱內(nèi)，獲得材料的水蒸氣吸附曲線。圖9為萃取后低溫煅燒所得材料的水蒸氣吸附曲線，為便于比較，圖中加入了商品SBA-15的水蒸氣吸附曲線。如圖9所示，隨著材料萃取次數(shù)的增加，材料的水蒸氣平衡吸附量得到提升，萃取2，3，4，5次+低溫煅燒的材料水蒸氣平衡吸附量均大于商品SBA-15的水蒸氣平衡吸附量。萃取4次后250 ℃煅燒和萃取5次后250 ℃煅燒所得材料的水蒸氣吸附平衡量相差較小，平衡吸附量均為0.73 g·g-1，平衡吸附量高于其他方式脫除模板劑的材料。萃取后使用低溫煅燒獲得的材料有更強(qiáng)的水蒸氣吸附性能。可見材料的表面羥基數(shù)量及其水蒸氣吸附性能與模板劑脫除過程的溫度直接相關(guān)。

圖9 萃取不同次數(shù)后低溫煅燒材料的水蒸氣吸附性能Fig.9 Water vapor adsorption performance of low-temperature calcined materials after different extraction times

表2為3種不同方法所得材料的水蒸氣吸附性能參數(shù)，由表2可知，采用萃取后低溫煅燒的材料水蒸氣平衡吸附量高于煅燒法與萃取法獲得的材料，高溫煅燒會(huì)導(dǎo)致材料表面羥基受損，水蒸氣吸附平衡量下降。萃取法雖能較好保護(hù)材料的羥基，但因不完全萃取，殘留在孔道內(nèi)的模板劑會(huì)導(dǎo)致水蒸氣吸附性能的下降。萃取-低溫煅燒法獲得的材料有較高的水蒸氣吸附性能，萃取后經(jīng)過250 ℃低溫煅燒，除去殘留在孔道內(nèi)的模板劑，材料的水蒸氣吸附性能進(jìn)一步提升?？紤]耗時(shí)、成本等因素，采用萃取4次、250 ℃低溫度煅燒的模板劑脫除方法，所得材料具有較強(qiáng)的水蒸氣吸附性能，吸附量和吸附速率均高于其他材料，平衡吸附量為商品SBA-15的1.49倍，平衡吸附時(shí)間為7.5 min，是商品SBA-15的78.95%。

表2 不同材料的水蒸氣吸附性能Table 2 Water vapor adsorption performance of different materials

2.6 萃取-低溫煅燒法脫除模板劑的失重分析

為進(jìn)一步研究萃取與低溫煅燒相結(jié)合的方法脫除模板劑的殘留量，采用熱重(TG-DSC)對(duì)萃取-低溫煅燒材料進(jìn)行熱失重表征，模板劑殘留量見表3。

表3 萃取-低溫煅燒法脫除模板劑的殘留量Table 3 Residual amount of template agent by extraction-low temperature calcination method

圖10為萃取-低溫煅燒脫除模板劑的材料熱重曲線圖，為便于比較加入了未經(jīng)脫除模板劑的SBA-15熱重曲線。介孔二氧化硅中的模板劑的主要失重區(qū)間在150～550 ℃，模板劑脫除量為37.29%。萃取-低溫煅燒材料的模板劑殘留量均小于5%，其中萃取5次后低溫煅燒的材料模板劑殘留量?jī)H為0.69%，萃取4次后低溫煅燒的材料模板劑及殘留量?jī)H為1.91%，說明采用萃取后低溫煅燒的模板劑脫除方式可以較為徹底地脫除模板劑。

圖10 萃取后低溫煅燒法脫除模板劑的材料TG曲線Fig.10 TG curves of materials for removing the template agent by low temperature calcination after extraction

2.7 模板劑脫除溫度對(duì)表面羥基的影響

表面羥基的存在，有利于提升材料的平衡吸附量和吸附速率。為提升材料的水蒸氣吸附性能，需考察模板劑脫除過程溫度對(duì)材料羥基的影響。因此，分別對(duì)比了萃取、高溫煅燒、萃取后250 ℃煅燒、萃取后550 ℃煅燒材料的紅外光譜。圖11為不同溫度脫除模板劑的材料紅外光譜。3300～3645 cm-1為O—H的伸縮振動(dòng)峰譜帶。萃取4次的材料在3300～3645 cm-1有最高的峰，其次是萃取后250 ℃煅燒、550 ℃煅燒、萃取后550 ℃煅燒，說明模板劑脫除過程的溫度越高，3300～3645 cm-1處的紅外峰更弱，材料的羥基數(shù)量較少。

萃取4次、萃取4次后250 ℃煅燒和萃取4次后550 ℃煅燒的材料在3300～3645 cm-1的紅外光譜峰值依次遞減，說明煅燒后羥基比未煅燒的材料少，且煅燒溫度越高，羥基損失越多。萃取4次與550 ℃煅燒脫除模板劑的材料相比，在3610～3670 cm-1處的峰強(qiáng)度更高，羥基數(shù)量更多，說明采用萃取4次比550 ℃煅燒脫除模板劑的材料羥基數(shù)量更多。由圖11可知，萃取4次后250 ℃低溫煅燒的羥基峰要顯著高于550 ℃煅燒的羥基峰，說明模板劑脫除過程溫度越低，材料羥基越多，對(duì)應(yīng)的紅外峰更高。

模板劑脫除過程的溫度會(huì)影響材料羥基的濃度，模板劑脫除過程溫度越高，羥基損失多，水蒸氣吸附性能差。因此，為保護(hù)材料的羥基，提升材料水蒸氣吸附性能，需要在較低溫度下脫除模板劑。萃取4次和萃取后低溫煅燒所得的材料有更豐富的羥基，也有較好的水蒸氣吸附性能。其中，萃取4次后低溫煅燒的材料因其表面具有豐富的羥基，與萃取4次的材料相比，模板劑脫除更徹底，因此有最優(yōu)的水蒸氣吸附速率和平衡吸附量，7.5 min達(dá)到吸附平衡，平衡吸附量為0.73 g·g-1。

圖11 不同溫度脫除模板劑的材料紅外吸光度光譜Fig.11 Infrared absorbance spectra of materials for removing the template at different temperatures

3 結(jié)論

(1)通過調(diào)控制備過程中的溫度、攪拌速度等參數(shù)，使用低溫煅燒與萃取相結(jié)合的方法脫除模板劑，獲得一種適用于吸附式制冷和除濕的短通道有序介孔二氧化硅吸附劑，其材料表面羥基豐富，親水性強(qiáng)、孔道短。

(2)對(duì)比不同溫度下脫除模板劑獲得的材料特性發(fā)現(xiàn)，溫度是影響材料表面羥基濃度的直接因素，高溫脫除模板劑會(huì)導(dǎo)致材料羥基的減少和水蒸氣吸附性能的下降。

(3)萃取4次、250 ℃低溫煅燒的模板劑脫除方式可以獲得表面羥基豐富、水蒸氣吸附性能較好的材料，在30 ℃、相對(duì)濕度80%的環(huán)境中，平衡吸附時(shí)間約為7.5 min，是高品SBA-15的78.95%,平衡吸附量約為0.73 g·g-1，是商品SBA-15平衡吸附量的1.49倍。萃取-低溫煅燒的模板劑脫除方式所得的材料表面羥基豐富，是制備有較高水蒸氣吸附性能的介孔二氧化硅材料的重要方式。