田國(guó)瑞
(揚(yáng)州市職業(yè)大學(xué),江蘇 揚(yáng)州 225009)
DOI 10.16221/j.cnki.issn1671-1084.2022.08.030
晶體管電路分析的復(fù)雜性在于其特性的非線(xiàn)性,如果在一定條件下將其特性線(xiàn)性化,即用線(xiàn)性電路來(lái)描述非線(xiàn)性特性,建立線(xiàn)性模型,就可以用線(xiàn)性電路的分析方法來(lái)分析晶體管電路。針對(duì)應(yīng)用場(chǎng)合不同和所分析問(wèn)題的不同,同一只晶體管有不同的等效模型。
為分析晶體管電路,不管是手算還是計(jì)算機(jī)計(jì)算,都需要晶體管的等效電路模型及數(shù)學(xué)模型。晶體管等的研究方法如圖1所示,包括半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體技術(shù)等。通過(guò)晶體管等的研究方法,可以討論二極管、三極管及場(chǎng)效應(yīng)管等組成的電路。
圖1 晶體管等的研究方法
雙極晶體管(如NPN三極管)如圖2所示,它有三個(gè)摻雜濃度不同的擴(kuò)散區(qū)和兩個(gè)PN結(jié),這兩個(gè)結(jié)距離非常接近,足以使兩個(gè)結(jié)之間發(fā)生相互作用。E-M(Ebers-Moll)模型是雙極晶體管的典型模型之一[1],該模型的理論基礎(chǔ)是兩個(gè)PN結(jié)相互作用,它可以應(yīng)用于任何工作模式(正向有源、反向有源、飽和、截止)下的晶體管中,如圖3所示。該模型與超導(dǎo)電性中的約瑟夫森結(jié)的討論有相似之處。
圖2 NPN型雙極晶體管
圖3 晶體管的工作模式
圖2中的“++”號(hào)和“+”號(hào)表明了通常情況下雙極晶體管三個(gè)區(qū)摻雜濃度的相對(duì)大小,其中,“++”號(hào)表示非常重的摻雜,而“+”號(hào)表示中等程度的摻雜。發(fā)射區(qū)摻雜濃度最高,集電區(qū)摻雜濃度最低。
根據(jù)圖3可以討論晶體管的放大特性和開(kāi)關(guān)特性。[2]
E-M模型的等效電路圖如圖4所示,它由兩個(gè)二極管和兩個(gè)受控電流源組成,并且反映了兩個(gè)PN結(jié)之間的關(guān)聯(lián)。
圖4 E-M模型的等效電路圖
由圖4可知:
計(jì)算機(jī)輔助電路分析程序,例如PSPICE,通常都采用這些方程或方程的變化形式來(lái)對(duì)直流工作點(diǎn)的變量進(jìn)行求解,并建立雙極結(jié)型晶體管(BJT)器件特性。[3]
通過(guò)它們還可以討論溫度及外推到0開(kāi)爾文時(shí)的禁帶寬度對(duì)它們的影響。[4]
2.1.1 靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算
由晶體管共射放大電路的直流通路如圖5所示。
圖5 直流通路圖
由圖5可知:
其中,為共射直流電流放大系數(shù)。
在已知晶體管的輸入特性、輸出特性以及放大電路中其他元件參數(shù)的情況下,利用作圖的方法對(duì)放大電路進(jìn)行分析的方法即為圖解法。
由三極管的輸入特性曲線(xiàn)及輸出特性曲線(xiàn)求靜態(tài)工作點(diǎn)Q的圖解法如圖6、圖7所示。
圖6 三極管的輸入特性曲線(xiàn)
圖7 三極管的輸出特性曲線(xiàn)
2.1.2 直流模型
三極管的直流模型如圖8、圖9、圖10所示。其中,Uon為開(kāi)啟電壓。
圖8 三極管的直流模型
圖9 三極管直流模型的輸入特性曲線(xiàn)
圖10 三極管直流模型的輸出特性曲線(xiàn)
其中,圖9是三極管直流模型的輸入特性曲線(xiàn)折線(xiàn)化,圖10是三極管直流模型的輸出特性曲線(xiàn)理想化。
晶體管的直流模型是晶體管在靜態(tài)時(shí)工作在放大狀態(tài)的模型,它的適用條件是:UBE大于UON,且UCE大于等于UBE。
晶體管共射放大電路如圖11所示。
圖11 晶體管共射放大電路圖
在晶體管中,各極電壓、電流滿(mǎn)足如下關(guān)系[5]:
其中,BEU、CEU、BI、CI為各參數(shù)的瞬時(shí)總量。
對(duì)于小信號(hào)低頻h參量等效電路,取全微分得:
其等效電路圖如圖12所示。
圖12 小信號(hào)低頻h參量微變等效電路
此為不含獨(dú)立源的線(xiàn)性二端口網(wǎng)絡(luò)。等效電路中h參數(shù)的大小與靜態(tài)工作點(diǎn)有關(guān),只有在靜態(tài)工作點(diǎn)確定之后,各h參數(shù)才有具體數(shù)值。
將(4)(5)代入(2),與(3)聯(lián)立,得:
將(4)(5)(16)代入(1),得:
再將(2)(4)(5)代入(3),兩邊取微分,再將(18)代入,得:
其中,c1、c2為相關(guān)系數(shù)。
然后,將(4)(5)代入(1),兩邊取微分,再將(18)及(17)的微分代入,得:
其中,c3、c4為相關(guān)系數(shù)。
最后,將(19)(20)與(14)(15)進(jìn)行比較,可得兩組類(lèi)似的線(xiàn)性方程。并且,把靜態(tài)工作點(diǎn)的參數(shù)代入,可以近似地得到相關(guān)的系數(shù)的數(shù)值,如放大系數(shù)等。另外,還可以對(duì)它們進(jìn)行仿真、比較。[6]
對(duì)于微變量(小信號(hào))來(lái)說(shuō),三極管可以近似看做是一個(gè)線(xiàn)性元件,可以用一個(gè)與之等效的線(xiàn)性電路來(lái)表示。放大電路的交流通路就可以轉(zhuǎn)換成一個(gè)線(xiàn)性電路,可以與E-M模型進(jìn)行對(duì)比。通過(guò)分析,給出了E-M模型與小信號(hào)低頻h參量等效電路模型的相通之處,擴(kuò)大了E-M模型的適用范圍,為E-M模型的進(jìn)一步研究提供了相應(yīng)的依據(jù),并且為其他模型的討論提供了切實(shí)可行的方法。
柳州職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)報(bào)2022年4期