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        一種光可調(diào)的多功能太赫茲幾何相位超表面

        2022-11-03 14:05:34樊俊鵬王小召張建新胡啟勇
        應(yīng)用光學(xué) 2022年5期
        關(guān)鍵詞:結(jié)構(gòu)

        樊俊鵬,王小召,張建新,張 震,孫 偲,胡啟勇

        (中國(guó)兵器工業(yè)集團(tuán)江山重工研究院有限公司,湖北襄陽(yáng)441057)

        引言

        隨著5G 技術(shù)的普及,頻譜資源日益緊張,對(duì)太赫茲(THz)頻譜的開(kāi)發(fā)是拓展通信頻帶的有效方法。由于自然界中大多數(shù)材料很難在THz 頻段產(chǎn)生有效響應(yīng),導(dǎo)致了THz 發(fā)展遇到研究理論和THz 源的瓶頸,THz 器件的研究在國(guó)內(nèi)外仍處起步階段[1-2]。超表面的出現(xiàn)為T(mén)Hz 器件設(shè)計(jì)提供了更多的選擇。超表面由亞波長(zhǎng)人工單元結(jié)構(gòu)組成,對(duì)光波具有調(diào)控能力,擁有天然材料所不具備的奇特性質(zhì),如:負(fù)折射率、負(fù)介電常數(shù)、負(fù)磁導(dǎo)率等[3-5]。通過(guò)在二維平面上合適地排列這種人工單元結(jié)構(gòu),還可以引入不連續(xù)的相位突變,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電磁波波前的任意調(diào)控。超表面一經(jīng)提出就引起了各界強(qiáng)烈的關(guān)注,國(guó)內(nèi)外學(xué)者提出了各種基于超表面的THz 器件,如THz 超透鏡[6-8]、軌道角動(dòng)量產(chǎn)生器[9-12]、THz 吸波器[13]等。

        幾何相位是超表面調(diào)控圓極化波前的一種重要方式,通過(guò)旋轉(zhuǎn)單元結(jié)構(gòu),對(duì)于反射或透射的圓極化波可以產(chǎn)生2 倍旋轉(zhuǎn)角度的相位差。由于幾何相位超表面具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工作頻帶寬等優(yōu)點(diǎn),得到了廣泛的應(yīng)用[14]。Li 等人在THz 頻段提出一種幾何相位超表面,可以在寬頻帶上產(chǎn)生高純度的軌道角動(dòng)量[15]。Fan 等人提出了一種全空間幾何超表面,在2 個(gè)THz 頻點(diǎn)上可分別實(shí)現(xiàn)透射、反射波前的操控[16]。但大多數(shù)金屬結(jié)構(gòu)超表面的工作性質(zhì)依賴于物理參數(shù),即效率、頻率、功能等性質(zhì)因結(jié)構(gòu)參數(shù)的確定而受到限制[17-20]。因此,設(shè)計(jì)靈活可調(diào)的超表面具有十分重要的意義。隨著材料科學(xué)的進(jìn)步,越來(lái)越多的可調(diào)控材料被應(yīng)于超表面設(shè)計(jì)。Huang 等人利用石墨烯的電可調(diào)性質(zhì),設(shè)計(jì)了一種石墨烯超透鏡,在超表面上加載石墨烯層,并通過(guò)改變石墨烯的費(fèi)米能級(jí)實(shí)現(xiàn)焦距可調(diào)的透鏡[21]。Liu 等人利用溫敏材料二氧化釩(VO2),設(shè)計(jì)了一種隨溫度變化的動(dòng)態(tài)全息超表面[22]。上述超表面均通過(guò)引入可調(diào)材料實(shí)現(xiàn)靈活的電磁調(diào)控,但實(shí)現(xiàn)方式較復(fù)雜,例如特定形狀單層石墨烯的工藝制造以及InSb 或VO2材料的降溫成本等,這些因素均限制了其實(shí)際應(yīng)用[23]。光敏硅是一種光可調(diào)材料,通過(guò)改變光照強(qiáng)度可改變其電導(dǎo)率,由于其調(diào)控方式簡(jiǎn)單,受到了人們的廣泛關(guān)注。目前,光敏硅超表面的應(yīng)用大都集中在吸波器件方面,因此,設(shè)計(jì)一種光可調(diào)的波前操控器件對(duì)于實(shí)際應(yīng)用具有重要意義[24]。

        本文提出一種光可調(diào)的多功能波前操控超表面,將光敏硅與金屬銅相連接,在不同光照下可對(duì)超表面的透射效率實(shí)現(xiàn)靈活調(diào)控。設(shè)計(jì)的超表面由兩層中心對(duì)稱的金屬銅-光敏硅連接環(huán)和中間介質(zhì)層構(gòu)成,通過(guò)旋轉(zhuǎn)兩層連接環(huán)結(jié)構(gòu),可實(shí)現(xiàn)透射圓極化波2π 范圍的相位覆蓋。通過(guò)合適地排列單元結(jié)構(gòu),本文實(shí)現(xiàn)了異常折射、聚焦透鏡、軌道角動(dòng)量等功能。利用光敏硅的獨(dú)特性質(zhì),在不同光照下設(shè)計(jì)的器件表現(xiàn)出不同的效率。在低光照度和高光照度兩種光照條件下,設(shè)計(jì)的器件分別表現(xiàn)出開(kāi)關(guān)的特性,即透射效率分別接近1 和0。本文設(shè)計(jì)的光可調(diào)超表面在光電、通信、傳感等領(lǐng)域存在較大的潛在應(yīng)用價(jià)值,提出的設(shè)計(jì)方法為可調(diào)超表面的設(shè)計(jì)提供了新思路。

        1 單元結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與仿真

        本文提出一種光可調(diào)的幾何相位超表面,單元結(jié)構(gòu)對(duì)相位、振幅具有獨(dú)立調(diào)控的能力,并對(duì)其按特定方式排列,可實(shí)現(xiàn)多功能波束賦形,如圖1所示。當(dāng)光敏硅在強(qiáng)光照下,入射的圓極化波被完全反射;在弱光照下,入射的圓極化波將被轉(zhuǎn)換為正交極化的透射波,并可對(duì)其波前進(jìn)行調(diào)控,如圖1(a)所示。單元結(jié)構(gòu)的頂層和底層是光敏硅-金屬?gòu)?fù)合結(jié)構(gòu),中間層是對(duì)THz 波有傳輸能力的介質(zhì)材料,如圖1(b)和圖1(c)所示。其中,金屬結(jié)構(gòu)是開(kāi)口諧振環(huán)(SRR),其開(kāi)口角度為90°,在SRR 的開(kāi)口處填充光敏硅(介電常數(shù)為11.7),形成了閉合的圓環(huán)。圓環(huán)內(nèi)徑(ri)和外徑(ro)分別為33μm、40μm,且頂層和底層SRR 的開(kāi)口方向相反。我們采用CST Microwave Studio 2016 頻域求解器對(duì)超表面單元結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真和優(yōu)化。其中x和y方向?yàn)閡nit cell 邊界條件,模擬重復(fù)無(wú)限大的單元平面;z方向設(shè)置為open 邊界,模擬電磁波在真空中傳播。在仿真中,金屬結(jié)構(gòu)采用電導(dǎo)率為σ=5.8×107S/m 的銅,其厚度為0.2μm;介質(zhì)層是厚度為25μm 的聚酰亞胺(polyimide),其介電常數(shù)為3.5,損耗正切是0.002 7。

        圖1 超表面示意圖Fig.1 Schematic diagram of metasurface

        光敏硅作為一種對(duì)光照強(qiáng)度有明顯響應(yīng)的材料,與金屬結(jié)構(gòu)拼接,將會(huì)產(chǎn)生奇特的效果[25]。當(dāng)選用中心波長(zhǎng)為800 nm 近紅外光源激發(fā)光敏硅的載流子時(shí),實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,其電導(dǎo)率σSi隨著入射光的能流密度增大而增大,且當(dāng)外界沒(méi)有光照時(shí)(光源功率為0μJ/cm2),σSi=20 S/m,當(dāng)光源功率調(diào)到最大(600μJ/cm2)時(shí),σSi=200 000 S/m[25]。因此,當(dāng)沒(méi)有光照時(shí),光敏硅可以表現(xiàn)出介質(zhì)的性質(zhì),SRR 不具備導(dǎo)通效果;當(dāng)光照達(dá)到最大時(shí),光敏硅表現(xiàn)出金屬性質(zhì),SRR 導(dǎo)通,呈現(xiàn)閉環(huán)效果。

        光敏硅在兩種不同狀態(tài)下的單元結(jié)構(gòu)交叉極化透射曲線t-+(t-+為透射的右旋圓極化波入射的左旋極化波之比)如圖2所示。當(dāng)σSi=20 S/m 時(shí),t-+在1.06 THz 達(dá)到0.8,說(shuō)明入射的左旋圓極化波垂直入射超表面后,基本被轉(zhuǎn)換為右旋極化的透射波。當(dāng)σSi=200 000 S/m 時(shí),t-+在1.06 THz 處 小于0.05,超表面完全抑制了極化轉(zhuǎn)換。為了理解其物理機(jī)制,本文仿真了1.06 THz 時(shí),單元結(jié)構(gòu)的表面電流分布圖,如圖3所示。當(dāng)σSi=20 S/m 時(shí),單元結(jié)構(gòu)頂層和底層的表面電流分布圖如圖3(a)和3(b)所示,可以明顯看出,其電流完全分布在金屬SRR 上,并且頂層、底層的流動(dòng)方向相反,形成了磁偶極子諧振,此時(shí)增強(qiáng)了極化轉(zhuǎn)換效率。當(dāng)σSi=200 000 S/m 時(shí)的電流分布如圖3(c)和3(d)所示,可以看到頂層、底層的電流很弱,分布在金屬和光敏硅上,此時(shí)金屬SRR 和光敏硅形成了通環(huán),不能產(chǎn)生磁偶極子諧振,抑制了極化轉(zhuǎn)換[26]。因此,可以通過(guò)改變外界光照強(qiáng)度,對(duì)超表面的交叉極化透射系數(shù)進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)控。

        圖2 兩種電導(dǎo)率下單元結(jié)構(gòu)透射系數(shù)隨入射頻率變化曲線Fig.2 Variation curves of transmission coefficient of unit structure with incident frequency under two conductivities

        圖3 不同光照條件下的超表面單元結(jié)構(gòu)表面電流分布Fig.3 Surface current distribution of metasurface structure under different illumination conditions

        通常利用幾何相位原理對(duì)圓極化波相位調(diào)控,通過(guò)改變超表面的單元結(jié)構(gòu)旋轉(zhuǎn)角度,可以引入其旋轉(zhuǎn)角2 倍的附加相位,從而實(shí)現(xiàn)任意波前操控。當(dāng)一束平面波垂直入射到超表面上時(shí),可以用傳輸矩陣來(lái)描述圓極化波的透射系數(shù)[16]:

        式中:tij是線極化透射系數(shù),第1 個(gè)下標(biāo)是入射極化,第2 個(gè)下標(biāo)是出射極化。當(dāng)金屬-光敏硅復(fù)合結(jié)構(gòu)繞z軸逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)角度α后,傳輸矩陣變?yōu)?/p>

        由(3)式可以看出,出射波的右旋極化分量攜帶了2α相位因子,而左旋圓極化沒(méi)有。因此,基于幾何相位原理,超表面可以將入射的圓極化波轉(zhuǎn)換為交叉極化波,并且通過(guò)旋轉(zhuǎn)單元結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)出射相位2π 范圍覆蓋。

        圖4 給出了單元結(jié)構(gòu)在8 個(gè)旋轉(zhuǎn)角度下的透射幅度和相位。從圖4 可以看出,8 個(gè)旋轉(zhuǎn)角度的交叉極化透射幅度在1.06 THz 附近保持在0.7 以上,說(shuō)明本文的復(fù)合型超表面具有良好的極化轉(zhuǎn)換效率,并且其相位分布在寬頻帶上呈線性關(guān)系,滿足2π 范圍覆蓋。因此,在寬頻帶上可實(shí)現(xiàn)波前調(diào)控。

        圖4 不同旋轉(zhuǎn)角的透射幅度和透射相位Fig.4 Transmission amplitude and phase of unit structure at different rotation angles

        2 多功能可調(diào)波前操控

        2.1 可調(diào)的異常折射現(xiàn)象

        本文首先研究可調(diào)的異常折射現(xiàn)象。把超表面單元結(jié)構(gòu)分為8 種,按順序排列在x軸方向上,其中每相鄰單元結(jié)構(gòu)之間旋轉(zhuǎn)角度相差22.5°,因此其相位差約為45°。這樣,8 個(gè)單元在x方向上形成了相位梯度,可以有效改變電磁波的傳播方向。根據(jù)廣義Snell 定律,求出異常折射角度的理論值為

        式中:λ0為入射波長(zhǎng);p為單元結(jié)構(gòu)周期大??;N為每個(gè)周期中單元結(jié)構(gòu)的個(gè)數(shù),本文N取值為8。

        在仿真中,使用右旋圓極化平面波作為激勵(lì),并沿著-z方向傳播。在x、y方向使用周期邊界條件,模擬無(wú)限大重復(fù)周期結(jié)構(gòu);z 方向設(shè)為open 邊界條件,模擬開(kāi)放的真空環(huán)境。1 THz 時(shí)不同光照強(qiáng)度下的電場(chǎng)分布圖如圖5所示。從圖5 可以看出,在無(wú)光環(huán)境下,出射波方向發(fā)生了明顯的偏折,折射角度為22°,與理論值22°一致。在強(qiáng)光照射條件下,出射波的電場(chǎng)強(qiáng)度接近為0,對(duì)透射有完全屏蔽的作用。

        圖5 不同光照條件下的透射電場(chǎng)分布Fig.5 Simulated transmission electric field distribution under different illumination conditions

        2.2 可調(diào)的聚焦透鏡

        聚焦透鏡在光學(xué)系統(tǒng)中具有重要的作用,研究高性能、可調(diào)的聚焦透鏡十分必要。通過(guò)在超表面上引入合適的相位梯度,可將入射的平面波轉(zhuǎn)換為拋物面波,并匯聚到焦點(diǎn)處。超表面上每個(gè)位置的相位補(bǔ)償為[18]

        式中:x、y 為超表面單元結(jié)構(gòu)在xoy平面上的坐標(biāo),且超表面中心點(diǎn)為(0,0);f 為預(yù)設(shè)的焦距。在仿真中,將焦距預(yù)設(shè)為1.25 mm,根據(jù)上述公式,可求出超表面上每個(gè)單元結(jié)構(gòu)的補(bǔ)償相位,如圖6所示。圖6(a)是計(jì)算出的相位分布,圖6(b)是對(duì)應(yīng)的超透鏡模型,本文選取的透鏡使用了23×23 個(gè)單元,保證了良好的聚焦效果。圖6(c)和6(d)展示了在無(wú)、有光照情況下的電場(chǎng)分布。在無(wú)光情況下,光敏硅表現(xiàn)出介質(zhì)性質(zhì),超表面有很高的透射效率,并將透射波匯聚到了焦點(diǎn)處;在有強(qiáng)光照射情況下,光敏硅的電導(dǎo)率升高,表現(xiàn)出金屬性質(zhì),超表面抑制了透射,因此在透射面上電場(chǎng)幾乎為0。圖6(e)和6(f)給出了在x、z方向上的電場(chǎng)分布,可以很清晰地看到,x方向上電場(chǎng)最大值在0 處,表現(xiàn)出良好的準(zhǔn)直性;在z方向上,電場(chǎng)最大值在1 300μm 處,與預(yù)設(shè)的焦距1 250μm 接近。仿真結(jié)果表明,通過(guò)改變光敏硅的電導(dǎo)率,可實(shí)現(xiàn)效率可調(diào)的亞波長(zhǎng)聚焦透鏡功能,在高集成化光電系統(tǒng)中,有潛在的利用價(jià)值。

        圖6 超透鏡模型及其特性Fig.6 Proposed model of metalens and its characteristics

        2.3 可調(diào)的軌道角動(dòng)量產(chǎn)生器

        軌道角動(dòng)量是電磁波攜帶角動(dòng)量的軌道部分,是能量繞光軸旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的。攜帶軌道角動(dòng)量波束的波前呈渦旋狀,所以這類波束也稱為渦旋波束。由于渦旋波束攜帶的軌道角動(dòng)量的特征態(tài)是相互正交的,因此不同的模態(tài)可提供獨(dú)立的信道傳輸數(shù)據(jù),從而提升通信性能。本文利用提出的超表面,設(shè)計(jì)了一種軌道角動(dòng)量產(chǎn)生器。

        渦旋波束在橫截面上的相位分布可表示為eimφ,其中m和φ分別是拓?fù)潆姾蓴?shù)和方位角[18]。在超表面特定位置上可產(chǎn)生攜帶軌道角動(dòng)量的渦旋波束,為入射波提供補(bǔ)償相位。其相位補(bǔ)償可表示為

        式中x、y分別是超表面平面上的坐標(biāo)。本文設(shè)計(jì)了拓?fù)潆姾傻扔? 時(shí)的渦旋波束產(chǎn)生器。把超表面分為8 個(gè)區(qū)域,每個(gè)區(qū)域的相位相等,且相鄰區(qū)域相位間隔為45°,這樣設(shè)計(jì)可以滿足一周的相位有2π 覆蓋。此外,用同樣的方法設(shè)計(jì)了n階渦旋波束產(chǎn)生器,只需把平面分為8×n個(gè)區(qū)域,且一周的相位滿足n×2π 覆蓋,如圖7所示。當(dāng)n足夠大時(shí),相應(yīng)的超表面也變大,以滿足設(shè)計(jì)所需。圖7(a)為相位補(bǔ)償分布和設(shè)計(jì)的超表面,圖7(b)和7(c)為無(wú)光照條件下產(chǎn)生的渦旋波束的相位分布和強(qiáng)度分布??梢钥闯?,出射波的相位攜帶一個(gè)自旋臂,并且繞著順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn),電場(chǎng)強(qiáng)度呈現(xiàn)“甜甜圈”形狀,中心電場(chǎng)為0,是渦旋波束的特征奇點(diǎn)。根據(jù)傅里葉公式,求得渦旋波束的模式純度,如圖7(d)所示[31]??梢钥闯?,1 階(主模)的模式純度接近0.8,遠(yuǎn)超各次模的權(quán)值,表現(xiàn)出良好的特性。如圖7(e)和7(f)分別為光敏硅在高光照條件下產(chǎn)生的渦旋波束的電場(chǎng)強(qiáng)度分布和純度。此時(shí),電場(chǎng)強(qiáng)度在整個(gè)平面上接近為0,體現(xiàn)了超表面效率可調(diào)的功能,但其純度仍在1 階,接近0.75,說(shuō)明超表面僅對(duì)入射波的振幅進(jìn)行了調(diào)控,其相位仍符合幾何相位原理。

        圖7 不同條件下的渦旋波束特性Fig.7 Vortex beam characteristics under different conditions

        3 結(jié)論

        本文提出了一種可調(diào)的幾何相位超表面,利用光敏硅的電導(dǎo)率隨光照強(qiáng)度變化而變化的特性,通過(guò)改變外界光強(qiáng)調(diào)控超表面的透射效率?;趲缀蜗辔辉?,通過(guò)旋轉(zhuǎn)單元結(jié)構(gòu),可對(duì)透射圓極化波的相位進(jìn)行調(diào)控。在此基礎(chǔ)上,本文實(shí)現(xiàn)了可調(diào)的異常折射、聚焦透鏡和軌道角動(dòng)量產(chǎn)生器,提出的可調(diào)超表面在光電、通信領(lǐng)域具有較高的潛在應(yīng)用價(jià)值。

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