郭宏亮,薛 超,孫 強(qiáng),劉如彬
(中國電子科技集團(tuán)公司第十八研究所,天津 300384)
隨著礦物能源的消耗,可再生能源變得越來越重要,太陽能是其中重要的一部分。同時(shí),太陽能也是空間衛(wèi)星主要的能量來源。單結(jié)太陽電池只能充分利用太陽光譜很小的一部分,為了提高太陽光譜利用率,采用多結(jié)太陽電池結(jié)構(gòu)是最為有效的途徑。多結(jié)電池帶來的多級光譜吸收提高了光譜利用率,但同時(shí)也帶來設(shè)計(jì)上的難題。多結(jié)電池結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)需要考慮的因素遠(yuǎn)多于單結(jié)電池,包括晶格常數(shù)限制條件、電流匹配條件、發(fā)光耦合以及多單元協(xié)同設(shè)計(jì)等。在此情況下,仿真技術(shù)顯得尤為重要,通過物理建模和仿真計(jì)算選擇合適的材料、帶隙、厚度等參數(shù),實(shí)現(xiàn)對太陽光譜的最大利用。
伴隨著電池效率升高,電池的結(jié)構(gòu)也越來越復(fù)雜,其中最典型的特征是電池結(jié)數(shù)越來越多。從最初的GaAs 單結(jié)、GaAs/Ge 電池到航天應(yīng)用的晶格匹配三結(jié)GaInP/GaAs/Ge 電池。目前為了進(jìn)一步提高光電轉(zhuǎn)換效率,同時(shí)保持電池抗輻照性能以及工藝兼容性,失配的UMM3J(upright metamorphic 3J,正向晶格失配三結(jié))電池近期逐漸發(fā)展并可能取代現(xiàn)有晶格匹配電池成為主流產(chǎn)品[1-3]。在UMM3J 電池中,頂電池和中電池之間滿足晶格匹配,底電池為鍺電池。隨著失配度增加,電池理論效率增加,然而考慮到晶格失配帶來的應(yīng)力問題,效率實(shí)現(xiàn)因子降低。UMM3J 仿真需要材料模型和器件仿真進(jìn)行組合,目前仿真軟件尚不具有這一能力。在近年出現(xiàn)的III-V/Si 電池中,發(fā)光耦合是影響其性能的重要因素[4-6],然而針對發(fā)光耦合的仿真研究仍較為缺乏。減反射膜作為電池主要組成部分之一,其設(shè)計(jì)需要綜合考慮子電池的復(fù)雜結(jié)構(gòu)以及電流匹配情況,而目前針對這一現(xiàn)象計(jì)算的程序仍然缺失。上述問題都需要結(jié)合多結(jié)電池仿真技術(shù)來突破。
針對上述問題,本文利用Python 語言以及Solcore 程序包[7],首先以UMM3J電池為對象,計(jì)算不同失配度下電池的理論和預(yù)測轉(zhuǎn)換效率,然后分析III-V/Si 中的發(fā)光耦合效應(yīng)及其對測試過程和結(jié)果分析的影響。最后,將減反射膜和太陽電池結(jié)構(gòu)進(jìn)行一體化仿真。通過上述研究,解決了當(dāng)前太陽電池設(shè)計(jì)仿真中存在的問題,為高效電池的設(shè)計(jì)提供理論支撐。
計(jì)算基于Anconda 平臺,首先需要導(dǎo)入Solcore 計(jì)算模塊。Solcore 包涵了多種太陽電池計(jì)算模型,例如細(xì)致平衡、雙二極管模型等。各種模型對應(yīng)不同的仿真需求。在導(dǎo)入Solcore 模塊的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步導(dǎo)入Layer、Junction、SolarCell、LightSource 和solar_cell_solver 五個(gè)類,分別對應(yīng)于層、結(jié)、電池、光源和求解器。其中solar_cell_solver 類整合了多種模型算法?;靖袷綖椋簊olar_cell_solver (solar_cell,task,user_options),其中solar_cell 為上文提到的SolarCell 類,規(guī)定了電池結(jié)構(gòu),task 為計(jì)算任務(wù),包括QE 和I-V。User_option 為用戶定義參數(shù),包括電壓范圍、光源、是否包含發(fā)光耦合等。求解器求解得到的電池參數(shù)包括多結(jié)電池的I-V曲線、各子電池的I-V曲線、發(fā)光耦合I-V曲線(僅當(dāng)啟用發(fā)光耦合模式后)、電池的主要指標(biāo)(開路電壓、短路電流、最大功率、最大功率點(diǎn)電壓和電流、轉(zhuǎn)換效率)、電池反射率、透過率、外量子效率、內(nèi)量子效率等。
利用Solcore 程序包,搭建新的太陽電池仿真程序,實(shí)現(xiàn)對單結(jié)/多結(jié)電池光、電等多種任務(wù)的計(jì)算仿真。
細(xì)致平衡條件[8]是指太陽電池材料能夠充分吸收光子并產(chǎn)生過剩載流子,并且輻射復(fù)合是其唯一的復(fù)合形式。這一條件為理想條件,常被用于計(jì)算電池的效率上限。根據(jù)細(xì)致平衡條件計(jì)算UMM3J 電池的最佳帶隙設(shè)計(jì),首先需要得到上兩結(jié)電池晶格匹配條件:GaInP 和GaInAs 均為立方晶系,從文獻(xiàn)[9]可知晶格常數(shù)a隨In 含量x的變化函數(shù)為:
求解上式可得GaInP 與GaAs 晶格匹配的條件為:
式中:x為GaInP 中的In 含量;y為GaInAs 中的In 含量。
GaInP 和GaInAs 晶格帶隙E與In 含量的關(guān)系為[9]:
按照流程框圖搭建計(jì)算程序,流程圖見圖1。圖1 中xmax=0.035,Δx為計(jì)算步長0.001。
圖1 電池效率計(jì)算流程圖
圖2 為計(jì)算的AM0 光譜下UMM3J 電池失配度-效率圖,由圖可知,隨著失配度的增加,太陽電池轉(zhuǎn)換效率先增后降。當(dāng)失配度達(dá)到1.45%時(shí)效率達(dá)到最高(38.6%),對應(yīng)InGaAs 的In 含量為20%,帶隙為1.12 eV;InGaP 的In 含量為68%,帶隙為1.66 eV。
圖2 細(xì)致平衡計(jì)算三結(jié)電池正向失配度與效率曲線
失配度增加,頂電池、中電池帶隙降低,有助于提升整體電池的短路電流,同時(shí)降低了Ge 底電池的過剩電流,提高了光譜利用率。當(dāng)失配度繼續(xù)增加,底電池成為限流子電池,此時(shí)效率隨失配度增加而降低。進(jìn)一步提升轉(zhuǎn)換效率需要設(shè)計(jì)更多結(jié)、引入四元化合物或者提高底電池的帶隙等。
然而相比于真實(shí)電池,該計(jì)算效率偏高,造成結(jié)果偏高的原因主要有兩方面:一是細(xì)致平衡理論只考慮輻射復(fù)合效率為100%的情況,這顯然要高于實(shí)際值;二是細(xì)致平衡理論假定吸收范圍內(nèi)光子完全吸收,這也與實(shí)際情況不符,特別是對于頂電池,基于抗輻射要求,頂電池厚度往往很薄,使得其光吸收能力降低。因此需要考慮實(shí)際情況來進(jìn)一步優(yōu)化多結(jié)電池設(shè)計(jì)。
細(xì)致平衡計(jì)算結(jié)果偏高,為了使得計(jì)算結(jié)果更加貼合實(shí)際情況,可以采用雙二極管(2D)模式代替細(xì)致平衡(DB)模式進(jìn)行求解。在細(xì)致平衡模式下僅考慮輻射復(fù)合電流,雙二極管模式[10-11]在輻射復(fù)合電流基礎(chǔ)上增添了非輻射復(fù)合電流,對應(yīng)計(jì)算得到的效率更貼近真實(shí)值。在2D 模式中,需要定義參考點(diǎn)電流jeff和參考輻射復(fù)合效率reff。參考輻射復(fù)合效率指的是當(dāng)電池輸入電流為參考點(diǎn)電流時(shí),參與電池輻射發(fā)光的電流與總輸入電流的比值。在實(shí)際電池中,由于晶格缺陷、邊緣復(fù)合、表面復(fù)合等因素,使得參考輻射復(fù)合效率小于100%。在這種情況下,電池內(nèi)部非輻射復(fù)合消耗能量,使得電池整體光電轉(zhuǎn)換效率降低。在計(jì)算過程中設(shè)置reff=0.01,jeff=1。隨著非輻射復(fù)合引入,電池的轉(zhuǎn)換效率明顯下降,且下降主要來源于開路電壓的降低。設(shè)在開壓點(diǎn)的輻射復(fù)合效率為roc,則開路電壓會(huì)降低ΔVoc。式(4)中前面的數(shù)字3 表示三個(gè)子電池串聯(lián)。
式中:kB為玻爾茲曼常數(shù);T為溫度;q為電子電量。
此外,為了更好地反應(yīng)電池抗輻射設(shè)計(jì)的需求,頂電池吸收率設(shè)置為80%,中電池吸收率設(shè)置為95%。計(jì)算不同失配度下的電池效率,結(jié)果如圖3 所示,由圖可知當(dāng)失配度達(dá)到1.2%時(shí)效率達(dá)到極值35.4%,相比于細(xì)致平衡模型結(jié)果明顯偏低。
圖3 雙二極管近似計(jì)算三結(jié)電池正向失配度與效率曲線
需要說明此處盡管此處已經(jīng)考慮復(fù)合、抗輻射等實(shí)際因素,然而其計(jì)算結(jié)果相比于試驗(yàn)結(jié)果仍偏高,其主要原因是此處未考慮并聯(lián)電阻、串聯(lián)電阻、電極遮蓋、邊緣效應(yīng)等因素影響。對于失配電池,還應(yīng)考慮穿透位錯(cuò)帶來的影響。計(jì)算晶格匹配(失配度為0%)條件下電池效率為32.4%,該取值接近于Spectrolab 生產(chǎn)的晶格匹配電池BOL 32.2%的效率[12]。
發(fā)光耦合,是指電池在工作過程中產(chǎn)生的輻射復(fù)合并未逃離電池,而是被其它子電池吸收進(jìn)而轉(zhuǎn)換為電流的過程[13-14]。發(fā)光耦合的意義在于完成了一個(gè)“光子循環(huán)”過程,即“光-電-光-電的轉(zhuǎn)換過程。目前發(fā)光耦合主要發(fā)生在III-V 電池中,這主要與III-V材料低缺陷密度、直接帶隙等特征相關(guān)。
在電池中電-光轉(zhuǎn)換伴隨著光子的釋放,其功率為:
式中:V為發(fā)光子電池兩側(cè)電壓;ΦLC為光子釋放功率;Φbb為黑體輻射功率。
子電池發(fā)光等價(jià)于一個(gè)新的光源。由上式可知,子電池發(fā)光功率具有強(qiáng)的電壓相關(guān)性,這意味著子電池的工作狀態(tài)會(huì)對上述過程產(chǎn)生影響。對于兩個(gè)串聯(lián)連接的子電池A 和B,A 輻射復(fù)合引起B(yǎng) 電流增加,進(jìn)而又反饋到A 影響其工作電壓和輻射復(fù)合強(qiáng)度。對于三結(jié)及更多結(jié)電池,發(fā)光耦合存在形式更為復(fù)雜。
大多數(shù)的光伏仿真程序不具備發(fā)光耦合計(jì)算功能,而Solcore 提供了相應(yīng)的功能。發(fā)光耦合計(jì)算,需要在solar_cell_solver 中options定義radiative coupling :True.由 于模型的限制,目前發(fā)光耦合只適用于2D 和DB 模式。
發(fā)光耦合效應(yīng)在III-V/Si 太陽電池較為顯著。根據(jù)電極連接方式的不同可以分為兩種情況:一是III-V/Si 兩端疊層電池;二是III-V/Si 四端電池。
在四端電池中,利用雙二極管模型,設(shè)III-V 材料中輻射的光子有50%概率到達(dá)硅電池,則其電流增益為:
式中:VB為砷化鎵電池的電壓,小于疊層電池的電壓VM;IM為多結(jié)電池的電流;Irad為輻射復(fù)合電流;ILC為輻射復(fù)合電流。
VT和V的對應(yīng)關(guān)系可以通過solar_cell_solver 求解后的SolarCell 類中的元素進(jìn)行提取。上式中r(VM)表示輻射復(fù)合效率為:
式中:J01和J02分別為輻射復(fù)合電流和非輻射復(fù)合電流的指前因子。
由于III-V 輻射復(fù)合引起硅電池功率增益ΔPSi為:
式中:ISi和PSi為不考慮發(fā)光耦合效應(yīng)時(shí)硅電池的電流和功率。
因此,累計(jì)輸出最大功率為:
式中:PT為多結(jié)電池的電流。
兩種結(jié)構(gòu)的計(jì)算流程圖見圖4。
圖4 兩種結(jié)構(gòu)的計(jì)算流程圖
計(jì)算包含和不包含發(fā)光耦合的III-V/Si 疊層電池I-V曲線如圖5 所示。圖中子電池的I-V曲線對應(yīng)于各個(gè)子電池獨(dú)立存在時(shí)的I-V曲線。當(dāng)不考慮發(fā)光耦合時(shí)多結(jié)電池電流受限于最小電流子電池。受發(fā)光耦合影響,GaAs 電池輻射復(fù)合產(chǎn)生的光子進(jìn)入硅材料,引起額外的電流。這一額外電流導(dǎo)致Si 電池實(shí)際電流高于其短路電流,由于硅電池同時(shí)為電流限制子電池,因此,三結(jié)電池電流隨之增加??紤]發(fā)光耦合后光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到33.1%,而沒有考慮發(fā)光耦合時(shí)效率僅為28.6%。對比圖5(a)、5(b)可知,發(fā)光耦合主要貢獻(xiàn)是提高了多結(jié)電池的短路電流,開路電壓也存在較小提升。這主要是得益于Si 電池電流的提高。
圖5 III-V/Si電池I-V曲線
對于四端電池,頂部III-V 疊層電池發(fā)光耦合取決于自身電壓值,而與硅電池工作狀態(tài)無關(guān);因此,可以視III-V 疊層電池為獨(dú)立光源。顯然,當(dāng)III-V 疊層電池處于開路狀態(tài)時(shí),式(6)達(dá)到最大,Si 電池獲得其最大功率;當(dāng)III-V 電池處于短路狀態(tài)時(shí),Si 電池電流最小,可以得到的最大功率也最小。因此,必然存在最優(yōu)位置,使得兩個(gè)電池輸出功率之和達(dá)到最大。
圖6 為計(jì)算獲得的不同GaInP/GaAs 疊層電池電壓VT下的PT(V)、ΔPB(V)以及PT(V)+ΔPB(V)。由圖可知,當(dāng)GaInP/GaAs 疊層電池工作在最大功率點(diǎn)時(shí)系統(tǒng)效率達(dá)到最高;當(dāng)疊層電池電壓高于最大功率點(diǎn),盡管硅電池輸出功率增加,但仍不能彌補(bǔ)III-V 疊層電池由于偏離最大功率點(diǎn)所引起的損耗量。以上計(jì)算也說明,在測量III-V/Si 四端電池效率時(shí),需要將上下兩個(gè)電池分別置于各自的最大功率點(diǎn),獲得最為準(zhǔn)確的系統(tǒng)光電轉(zhuǎn)換效率。
圖6 不同VT下的PT(V)、ΔPB以及PT(V)+ΔPB(V)
傳統(tǒng)的減反射膜設(shè)計(jì)主要是使得某波段的透過率達(dá)到最大化,其目標(biāo)函數(shù)為特定波長(區(qū)間)的透過率。對于太陽電池,其減反射膜設(shè)計(jì)存在如下兩個(gè)特征,一是多結(jié)電池結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜,存在多種不同組分比的III-V 材料;二是最終的目標(biāo)并非簡單的光通量而是電池效率。這使得簡單基于光學(xué)的減反射膜仿真程序無法滿足電池設(shè)計(jì)需求。
Solcore 求解光傳輸過程主要是基于傳輸矩陣(TMM)算法,它可以將電池和減反射膜綜合起來,構(gòu)成一個(gè)整體進(jìn)行光傳輸計(jì)算。Solcore 提供的III-V 材料數(shù)據(jù)庫,可以給出各層材料的介電常數(shù),從而避免傳統(tǒng)光學(xué)軟件復(fù)雜的材料建模過程。
Solcore 在求解光場分布后將計(jì)算結(jié)果代入電性能計(jì)算。通過這一連接,可以將減反膜設(shè)計(jì)與電池輸出性能之間連接起來,大幅簡化了迭代過程。設(shè)兩層減反射膜厚度為D1和D2,D1,min和D1,max為D1的計(jì)算范圍,D2,min和D2,max為D2的計(jì) 算范圍。ΔD1和ΔD2為計(jì)算步長。減反射膜和電池一體化計(jì)算流程圖見圖7。
圖7 減反射膜和電池一體化計(jì)算流程圖
以AM1.5G 下的IMM 三結(jié)電池為例進(jìn)行計(jì)算,電池結(jié)構(gòu)為InGaP/GaAs/InGaAs。如果使用傳統(tǒng)的針對晶格匹配電池的減反射膜結(jié)構(gòu),紅外區(qū)段會(huì)具有較高的反射率造成InGaAs 子電池限流。在這種情況下需要對減反射膜進(jìn)行重新設(shè)計(jì)。設(shè)兩層減反射膜的材料分別為Al2O3和TiO2[15],厚度分別為D1和D2,分別計(jì)算不同D1、D2組合下的電池轉(zhuǎn)換效率。電池轉(zhuǎn)換效率結(jié)果見圖8。
圖8 減反射一體化計(jì)算不同材料厚度電池轉(zhuǎn)換效率等高線
圖中,可以看到當(dāng)D1=97 nm,D2=46 nm 時(shí)取最大值33.6%(AM1.5G,2D 模型)。
針對多結(jié)電池設(shè)計(jì)研發(fā)中的實(shí)際問題,本文計(jì)算了晶格失配多結(jié)電池理想狀態(tài)以及非理想狀態(tài)下的光電轉(zhuǎn)換效率,開展了兩端/四端III-V/Si 電池發(fā)光耦合作用分析以及減反射膜電池一體化設(shè)計(jì)。在晶格限制條件約束下,理想條件下電池的最佳帶隙組合為[1.66,1.12]eV,對應(yīng)失配度為1.45%,轉(zhuǎn)換效率為38.6%。考慮非輻射復(fù)合情況后,最大轉(zhuǎn)換效率降為35.4%,對應(yīng)的失配度降低為1.20%。發(fā)光耦合造成光能的再分配,在III-V/Si 兩端電池中,發(fā)光耦合補(bǔ)充了Si 電池的短路電流,疊層電池效率提升4.5%,在III-V/Si 四端電池中,發(fā)光耦合行為提高了硅電池的效率,當(dāng)III-V 電池工作在最大功率點(diǎn)時(shí)系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率可以達(dá)到最大。采用光電一體化仿真技術(shù)設(shè)計(jì)了針對反向失配三結(jié)GaInP/GaAs/InGaAs 電池的減反射膜,預(yù)測電池的光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到33.6%。