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        C 波段垂直極化全向天線(xiàn)設(shè)計(jì)

        2022-08-20 01:55:12趙國(guó)棟周洪澄朱雙雙嚴(yán)仲明
        電子元件與材料 2022年7期

        趙國(guó)棟,周洪澄,朱雙雙,王 豫,嚴(yán)仲明

        (西南交通大學(xué) 電氣工程學(xué)院,四川 成都 611756)

        全向天線(xiàn)通常應(yīng)用于移動(dòng)通信以及多點(diǎn)通信,且常用垂直極化形式以降低信號(hào)能量在傳輸過(guò)程中的衰減程度[1-2]。根據(jù)具體應(yīng)用要求,垂直極化全向天線(xiàn)在形式上有多種類(lèi)型,包括雙錐天線(xiàn)[3-4]、盤(pán)錐天線(xiàn)[5]、平面單極子天線(xiàn)[6]、微帶陣列天線(xiàn)[7]等。雖然通過(guò)上述設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了全向垂直極化輻射,但對(duì)于平面結(jié)構(gòu),很難在寬帶范圍內(nèi)保持良好的全向性;而對(duì)于立體結(jié)構(gòu),存在幾何尺寸較大、饋電結(jié)構(gòu)復(fù)雜的問(wèn)題。

        套筒天線(xiàn)是單極子天線(xiàn)的一種變體[8],相對(duì)傳統(tǒng)的垂直極化全向天線(xiàn),具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、質(zhì)量相對(duì)較輕、方向圖穩(wěn)定和帶寬較寬等優(yōu)點(diǎn),其適用范圍也逐漸從短波、超短波天線(xiàn)發(fā)展到微波頻段[9]。目前為了滿(mǎn)足套筒天線(xiàn)寬頻段可靠增益的要求,通常的辦法是加粗振子[10]、端部加載[11]、雙套筒結(jié)構(gòu)[12]、加載短路環(huán)[13]。Thomas 等[10]通過(guò)加粗輻射振子,然后調(diào)節(jié)饋電點(diǎn)的位置以達(dá)到一定的阻抗匹配程度,但是該天線(xiàn)需要較大的金屬地面,導(dǎo)致天線(xiàn)整體尺寸過(guò)大。劉楠楠等[11]通過(guò)在套筒低端加載環(huán)氧樹(shù)脂板和銅板,相當(dāng)于引入一個(gè)電容,對(duì)天線(xiàn)輸入阻抗的虛部起到了抵消的作用,在一定程度上拓展了天線(xiàn)的阻抗帶寬,然而該天線(xiàn)工作于57~103 MHz,將該技術(shù)運(yùn)用到微波頻段設(shè)計(jì)套筒天線(xiàn)時(shí),由于天線(xiàn)尺寸較小,在端部加載環(huán)氧樹(shù)脂板和銅板的難度較大,會(huì)增大加工誤差。Yuan 等[12]采用的雙套筒結(jié)構(gòu)通過(guò)引入一個(gè)新套筒可以增加天線(xiàn)的容性,改善高頻段時(shí)饋電點(diǎn)區(qū)域的阻抗匹配,擴(kuò)寬工作帶寬,但同時(shí)也會(huì)使低頻段的匹配程度變差。Yang 等[13]所設(shè)計(jì)的套筒天線(xiàn)通過(guò)在內(nèi)套筒和外套筒之間加載距離外套筒底部一定高度的短路環(huán),當(dāng)頻率變高時(shí),天線(xiàn)輻射體上將會(huì)出現(xiàn)電壓波腹(反向電流),短路環(huán)會(huì)在一定的頻率范圍內(nèi)抑制這種波腹點(diǎn),從而可以抑制高頻反向電流作用,使得天線(xiàn)在高頻段水平方向有一定的增益。然而這種技術(shù)是基于雙套筒結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的,當(dāng)運(yùn)用到微波段的套筒天線(xiàn)設(shè)計(jì)時(shí),由于天線(xiàn)尺寸較小,短路環(huán)難以固定,對(duì)加工精度要求較高。

        本文針對(duì)上述問(wèn)題,結(jié)合多種微波天線(xiàn)寬帶化方案[14-16],在輻射體頂端加載金屬圓盤(pán)、調(diào)節(jié)輻射體高度與金屬圓柱套筒高度比例、增加金屬圓柱套筒厚度,設(shè)計(jì)出一種新型的套筒天線(xiàn)。該天線(xiàn)僅由金屬圓盤(pán)、金屬圓柱套筒、SMA 接頭三部分組成,工作頻帶為3.75~8.31 GHz(相對(duì)帶寬為75.6%),完全覆蓋C 波段。最終通過(guò)樣品加工和測(cè)試,測(cè)試結(jié)果與仿真結(jié)果吻合。

        1 天線(xiàn)的設(shè)計(jì)

        1.1 天線(xiàn)結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)思路

        首先,根據(jù)傳統(tǒng)套筒天線(xiàn)設(shè)計(jì)方法建立一個(gè)初步模型,然后在輻射體上加載金屬圓盤(pán),相當(dāng)于引入一個(gè)分布電容用于改善阻抗匹配,可以在不改變其他參數(shù)的情況下降低天線(xiàn)輻射體高度。同時(shí),由于套筒天線(xiàn)的輻射與阻抗特性主要取決于輻射體高度與金屬圓柱套筒高度的比值,可以通過(guò)調(diào)節(jié)金屬圓柱套筒的高度,使輻射體高度和金屬圓柱套筒高度達(dá)到合適的比例,從而提升阻抗匹配程度。最后,通過(guò)增加金屬圓柱套筒的厚度代替雙套筒設(shè)計(jì)方案,降低加工難度。

        圖1 為天線(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖,主要由金屬圓盤(pán)、金屬套筒、標(biāo)準(zhǔn)SMA 接頭三部分組成。天線(xiàn)的金屬輻射體頂端與金屬圓盤(pán)的底面連接,底端與同軸饋線(xiàn)的內(nèi)導(dǎo)體相連接,輻射體的高度為l1,為了盡量簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),令其直徑與饋電同軸線(xiàn)的外徑相同,因此可以將金屬輻射體視為SMA 接頭的一部分。金屬圓柱套筒內(nèi)徑為r2,長(zhǎng)度為l2,厚度為t2,套筒直接與金屬地板連接。天線(xiàn)所用接頭型號(hào)為SMA-RKF4-p12.7-c1.7-d0.6-f8.6,法蘭盤(pán)邊長(zhǎng)p為12.7 mm,為確保仿真與測(cè)試結(jié)果盡量一致,仿真過(guò)程使用的SMA 接頭參數(shù)與最終加工的實(shí)物接頭參數(shù)保持一致。

        圖1 天線(xiàn)結(jié)構(gòu)圖Fig.1 Antenna structure diagram

        1.2 仿真與優(yōu)化設(shè)計(jì)

        圖2 為傳統(tǒng)的無(wú)金屬圓盤(pán)套筒天線(xiàn)與加載金屬圓盤(pán)后并不斷減小輻射體高度l1的回波損耗S11曲線(xiàn),可以看出在加載金屬圓盤(pán)后,隨著l1減小,工作頻段逐漸拓寬,在l1=9 mm 時(shí),l1相對(duì)于無(wú)圓盤(pán)時(shí)減小了約50%。

        圖2 有/無(wú)金屬圓盤(pán)對(duì)天線(xiàn)S11的影響Fig.2 Influence of metal disk on S11 of the antenna

        傳統(tǒng)套筒天線(xiàn)的輻射與阻抗特性主要取決于輻射體的高度與金屬圓柱套筒高度的比例,即l1/l2,一般取值會(huì)大于1.5[17]。但是通過(guò)加載金屬圓盤(pán),等效加大了天線(xiàn)輻射體的長(zhǎng)度,因此l1的取值需要減小。為了確定加載金屬圓盤(pán)后金屬圓柱套筒高度l2的最優(yōu)值,圖3 給出了在輻射體高度l1=9 mm 的情況下金屬圓柱套筒高度l2對(duì)天線(xiàn)S11的影響。結(jié)果表明,l2逐漸從13 mm 減小到10 mm 時(shí),天線(xiàn)高頻諧振點(diǎn)的頻率越來(lái)越高,且天線(xiàn)的S11≤-10 dB 的頻段明顯變寬,但是當(dāng)l2接近10 mm 時(shí),中間頻段的S11值接近-10 dB。因此加載金屬圓盤(pán)后,為了具有更寬的工作頻段且阻抗匹配特性較好,l1/l2的比值應(yīng)略小于1。

        圖3 金屬圓柱套筒高度l2對(duì)天線(xiàn)S11的影響Fig.3 Influence of metal sleeve height on S11 of the antenna

        在套筒天線(xiàn)的設(shè)計(jì)中,需要考慮套筒外徑和輻射體半徑的比值對(duì)阻抗匹配程度的影響,前文曾提及可通過(guò)雙套筒結(jié)構(gòu)并加載短路環(huán)來(lái)抑制高頻處表面電流分布,從而提升阻抗帶寬,但是此方案加工難度太大。下面研究金屬套筒厚度t2對(duì)天線(xiàn)回波損耗S11的影響,如圖4 所示。結(jié)果表明,套筒厚度t2從5 mm 逐漸減小到3.5 mm 時(shí),低頻段的匹配程度更深,同時(shí)工作頻段也向高頻拓寬。當(dāng)t2變化到3 mm 時(shí),中間頻段會(huì)產(chǎn)生失配,這可能是由于金屬套筒厚度的影響相當(dāng)于天線(xiàn)輻射體附加一個(gè)分布電容,當(dāng)厚度太小時(shí),分布電容補(bǔ)償不夠,從而產(chǎn)生較大的反射。由于t2=4.5 mm 時(shí),天線(xiàn)的回波損耗S11在C 波段內(nèi)滿(mǎn)足小于-10 dB 的指標(biāo),且諧振點(diǎn)在C 波段的中心頻點(diǎn)附近,因此在最終加工過(guò)程中,取t2=4.5 mm。綜上可得,通過(guò)調(diào)整套筒厚度,可以提供附加分布電容用來(lái)抵消天線(xiàn)電抗,從而改善阻抗匹配,同時(shí)在一定程度上避免設(shè)計(jì)雙套筒結(jié)構(gòu)帶來(lái)的加工難度。

        圖4 金屬套筒厚度t2對(duì)天線(xiàn)S11的影響Fig.4 Influence of metal sleeve thickness on S11 of the antenna

        最終通過(guò)對(duì)天線(xiàn)模型的綜合優(yōu)化,得到天線(xiàn)的尺寸參數(shù)如表1 所示,仿真得到端口阻抗如圖5 所示,可以看出在4~8 GHz 阻抗的虛部接近零,實(shí)部在50 Ω附近,阻抗匹配良好,因此在C 波段內(nèi)超過(guò)50%頻帶其回波損耗S11小于-20 dB。

        表1 套筒天線(xiàn)尺寸參數(shù)Tab.1 The dimensions of sleeve antenna mm

        圖5 天線(xiàn)波端口阻抗曲線(xiàn)Fig.5 Antenna wave port impedance curves

        2 仿真與實(shí)測(cè)結(jié)果分析

        根據(jù)最終優(yōu)化的模型進(jìn)行樣品加工與測(cè)試,加工的樣品由標(biāo)準(zhǔn)SMA 接頭、鍍金圓柱套筒、鍍金圓盤(pán)焊接而成,如圖6 所示。采用Keysight N5224B 矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試天線(xiàn)回波損耗S11曲線(xiàn),同時(shí)在微波暗室中測(cè)試4,6,8 GHz 三個(gè)頻點(diǎn)E 面、H 面的增益方向圖。

        圖6 套筒天線(xiàn)實(shí)物Fig.6 The physical diagram of sleeve antenna

        2.1 S 參數(shù)

        圖7 為套筒天線(xiàn)回波損耗S11仿真與實(shí)測(cè)曲線(xiàn)??梢钥闯?實(shí)物天線(xiàn)在3.73~8.48 GHz 頻段內(nèi)S11≤-10 dB,相對(duì)帶寬為77.8%,與仿真結(jié)果3.75~8.31 GHz(相對(duì)帶寬75.6%)幾乎一致,均完全覆蓋C 波段。由于實(shí)際加工誤差以及測(cè)試環(huán)境的影響,實(shí)物天線(xiàn)的阻抗匹配程度不如仿真時(shí),但是諧振點(diǎn)附近S11已經(jīng)接近-30 dB,可以認(rèn)為完全匹配。

        圖7 天線(xiàn)的S11仿真與實(shí)測(cè)曲線(xiàn)Fig.7 Simulated and measured S11 curves of the antenna

        2.2 輻射特性

        圖8 為套筒天線(xiàn)仿真和實(shí)測(cè)的增益曲線(xiàn),可以看出在C 波段內(nèi)兩者基本上是隨頻率升高而增大,實(shí)測(cè)比仿真的增益低1 dBi 左右,這種差異可能源于接頭損耗、焊接誤差以及測(cè)試環(huán)境因素。圖9 給出了套筒天線(xiàn)在C 波段下限頻率4 GHz,中心頻率6 GHz和上限頻率8 GHz 三個(gè)頻段關(guān)于水平面(H 面)和垂直面(E 面)的仿真及實(shí)際測(cè)試歸一化遠(yuǎn)場(chǎng)輻射方向圖。從仿真曲線(xiàn)可以看出天線(xiàn)表現(xiàn)出和單極子一樣的輻射特性,E 面呈現(xiàn)規(guī)則的“8” 字型,由于金屬地尺寸較小,在高頻端出現(xiàn)方向圖下傾,在H 面具有較好的全向輻射特性。實(shí)測(cè)過(guò)程中使用法國(guó)MVG公司設(shè)計(jì)的球面測(cè)試系統(tǒng),測(cè)得的8 GHz 處的E 面方向圖存在傾斜,可能是波長(zhǎng)隨頻率上升而減小,套筒外沿厚度對(duì)電磁波有向上反射的效應(yīng),但是從H 面方向圖可以看出,全向輻射特性良好,具備實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。

        圖8 仿真和實(shí)測(cè)的天線(xiàn)增益Fig.8 Simulated and measured gain curves of the antenna

        圖9 仿真和實(shí)測(cè)的天線(xiàn)方向圖Fig.9 Simulated and measured antennas patterns

        3 結(jié)論

        本文基于套筒天線(xiàn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)一種微波段的全向天線(xiàn)。首先在輻射體頂部加載一個(gè)金屬圓盤(pán),引入分布電容,使輻射體高度降低約50%。然后通過(guò)優(yōu)化套筒高度提升阻抗匹配程度,并給出頂端加載金屬圓盤(pán)后輻射體高度與套筒高度比值的合適范圍。最后通過(guò)調(diào)節(jié)套筒厚度改善天線(xiàn)在C 波段的匹配程度,最終設(shè)計(jì)的天線(xiàn)可以在3.75~8.31 GHz 頻段內(nèi)實(shí)現(xiàn)回波損耗S11≤-10 dB(相對(duì)帶寬為75.6%),可廣泛應(yīng)用于移動(dòng)基站這類(lèi)要求天線(xiàn)具有水平全向輻射特性的場(chǎng)景。

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