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        潛手印常溫化學(xué)鍍鎳顯現(xiàn)技術(shù)研究

        2022-08-02 08:30:52張曉順
        電鍍與涂飾 2022年13期
        關(guān)鍵詞:硫酸鎳紋線化學(xué)鍍

        張曉順

        (中國(guó)刑事警察學(xué)院,遼寧 沈陽(yáng) 110035)

        手印是案件現(xiàn)場(chǎng)常見(jiàn)的痕跡物證,對(duì)分析案情、提供訴訟證據(jù)具有重要的作用?,F(xiàn)場(chǎng)手印是通過(guò)手指或手掌部位乳突紋線上沾附的中間介質(zhì)遺留在客體表面而形成的。乳突紋線上的中間介質(zhì)多為汗液、油脂、皮屑等無(wú)色物質(zhì),肉眼難以觀察到客體表面的潛在手印。有效地發(fā)現(xiàn)并提取到現(xiàn)場(chǎng)手印是潛手印在案件偵破和司法訴訟中發(fā)揮作用的前提。因此,潛手印的顯現(xiàn)方法一直是刑事科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域研究的重點(diǎn),在手印顯現(xiàn)領(lǐng)域已經(jīng)開(kāi)發(fā)了許多有效的技術(shù)方法。隨著科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展和學(xué)科之間的交叉融合,越來(lái)越多的自然科學(xué)技術(shù)和手段被應(yīng)用到手印顯現(xiàn)中,納米技術(shù)、生物技術(shù)、稀土熒光技術(shù)等都已經(jīng)顯示出各自的優(yōu)勢(shì),解決了很多手印顯現(xiàn)技術(shù)難題。利用其他領(lǐng)域的先進(jìn)科技手段解決傳統(tǒng)痕跡檢驗(yàn)技術(shù)問(wèn)題,是刑事科學(xué)技術(shù)發(fā)展的方向,也是新形勢(shì)下學(xué)科融合的必然趨勢(shì)[1]。

        金屬沉積是腐蝕防護(hù)與表面涂飾工業(yè)中的重要技術(shù),通過(guò)控制金屬離子在金屬客體表面的沉積過(guò)程,也有可能成為解決潛手印顯現(xiàn)問(wèn)題的一種手段。筆者曾詳細(xì)探討過(guò)金屬沉積方法顯現(xiàn)手印的原理,通過(guò)電沉積和化學(xué)鍍銀試驗(yàn)驗(yàn)證了金屬沉積技術(shù)應(yīng)用于多種金屬客體表面潛手印顯現(xiàn)的可行性[2-3],并通過(guò)摻雜稀土熒光材料進(jìn)行共沉積的方式增強(qiáng)了顯出手印的識(shí)別效果[4]。但以往采用的電化學(xué)顯現(xiàn)技術(shù)需要在電解槽中操作,不適用于案件現(xiàn)場(chǎng)?;瘜W(xué)鍍銀價(jià)格昂貴且鍍液穩(wěn)定性較差,也限制了其在實(shí)際工作中的應(yīng)用?;瘜W(xué)鍍鎳是應(yīng)用最廣、最成熟的化學(xué)鍍工藝之一。化學(xué)鍍鎳無(wú)需外接電源,操作簡(jiǎn)便,鎳鍍層與案件現(xiàn)場(chǎng)的銅制門(mén)把手、銅線纜等色差明顯且鍍液價(jià)格相對(duì)低廉,與電化學(xué)顯現(xiàn)技術(shù)、化學(xué)鍍銀等金屬沉積顯現(xiàn)技術(shù)相比具有很大的優(yōu)勢(shì)。本文通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究了化學(xué)鍍鎳顯現(xiàn)潛手印的可行性,并結(jié)合案件現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境條件,通過(guò)分析化學(xué)鍍過(guò)程的極化曲線,探討了常溫化學(xué)鍍鎳顯現(xiàn)技術(shù)的熱力學(xué)可能性,通過(guò)試驗(yàn)研究得到了常溫化學(xué)鍍鎳顯現(xiàn)潛手印的工藝條件,為今后繼續(xù)探索金屬沉積技術(shù)在刑事科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域中的應(yīng)用打下基礎(chǔ)。

        1 實(shí)驗(yàn)

        1.1 客體制作

        將黃銅板裁剪成邊長(zhǎng)4 ~ 5 cm的正方形,用指頭按壓銅片中央位置,形成潛手印。

        1.2 配制化學(xué)鍍鎳液

        按硫酸鎳(NiSO4·6H2O)質(zhì)量濃度為20 ~ 40 g/L、次磷酸鈉(NaH2PO4·H2O)質(zhì)量濃度為10 ~ 40 g/L及檸檬酸鈉(Na3C6H5O7·2H2O)質(zhì)量濃度為10 g/L的配比,采用去離子水配制化學(xué)鍍鎳液。

        1.3 顯現(xiàn)操作

        將化學(xué)鍍液放入水浴鍋中加熱,待溫度恒定后將遺留有潛手印的黃銅片放入化學(xué)鍍液中,一定時(shí)間后取出,觀察顯現(xiàn)效果。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 化學(xué)鍍鎳法顯現(xiàn)潛手印的可行性分析

        多數(shù)化學(xué)鍍鎳工藝需要在高溫下才能進(jìn)行。手印的主要成分為汗液和油脂,長(zhǎng)時(shí)間處于高溫下可能會(huì)溶解,影響紋線細(xì)節(jié)特征的識(shí)別。因此固定鍍液溫度為90 ℃,考察鍍液主鹽濃度和反應(yīng)時(shí)間不同的情況下潛手印的顯現(xiàn)效果。

        2.1.1 不同主鹽質(zhì)量濃度時(shí)潛手印的顯現(xiàn)效果

        在次磷酸鈉質(zhì)量濃度為10 g/L、檸檬酸鈉質(zhì)量濃度為10 g/L不變的情況下,分別配制主鹽質(zhì)量濃度不同的化學(xué)鍍液,在90 ℃水浴溫度下對(duì)手印試樣顯現(xiàn)操作30 s后取出,效果如圖1所示。

        圖1 硫酸鎳質(zhì)量濃度對(duì)潛手印高溫化學(xué)鍍鎳顯現(xiàn)效果的影響 Figure 1 Effect of mass concentration of nickel sulfate on visualization of latent fingerprint by electroless nickel plating at high temperature

        由圖1可知,硫酸鎳質(zhì)量濃度為20 g/L時(shí),顯現(xiàn)操作30 s后潛手印輪廓周?chē)薪饘貼i沉積,靠近潛手印邊緣的個(gè)別小犁溝中雖然有Ni沉積,但沉積量較少,只顯現(xiàn)出潛手印輪廓。增大硫酸鎳質(zhì)量濃度至60 g/L時(shí),小犁溝部位開(kāi)始出現(xiàn)金屬鎳,但沉積量依舊不足,與乳突紋線的色差不明顯,顯出的手印紋線較模糊。繼續(xù)增大主鹽質(zhì)量濃度至100 g/L時(shí),經(jīng)過(guò)30 s的顯現(xiàn),基體表面已經(jīng)形成致密的Ni鍍層,小犁溝部位也形成光亮的Ni鍍層,乳突紋線與鍍覆Ni部位的色澤差異明顯,潛手印被清晰顯出,手印中各種細(xì)節(jié)特征清晰明顯,能滿足檢驗(yàn)鑒定的要求。

        2.1.2 不同反應(yīng)時(shí)間內(nèi)潛手印的顯現(xiàn)效果

        分別在硫酸鎳質(zhì)量濃度為40 g/L和100 g/L的條件下對(duì)潛手印顯現(xiàn)操作不同時(shí)間,以探究反應(yīng)不同時(shí)間后潛手印的顯現(xiàn)效果。如圖2和圖3所示,反應(yīng)時(shí)間對(duì)潛手印的顯現(xiàn)效果有一定影響。無(wú)論硫酸鎳質(zhì)量濃度是40 g/L還是100 g/L,隨著反應(yīng)時(shí)間的延長(zhǎng),小犁溝和基體部位沉積的金屬鎳都增加,在適宜的反應(yīng)時(shí)間內(nèi)形成最佳色差,清晰地顯出潛手印。硫酸鎳質(zhì)量濃度為40 g/L時(shí),由于單位時(shí)間內(nèi)被還原的Ni較少,短時(shí)間內(nèi)無(wú)法在小犁溝部位形成均勻的鍍層,使得乳突紋線部位的汗液和油脂不能夠被有效固定,在90 ℃高溫下乳突紋線的附著物逐漸溶解變形,手印外圍系統(tǒng)左側(cè)因手印物質(zhì)溶解而變得模糊,影響鑒定中對(duì)細(xì)節(jié)特征的觀察。硫酸鎳質(zhì)量濃度為100 g/L時(shí),由于金屬沉積速率高,在手印物質(zhì)溶解前小犁溝和基體表面已經(jīng)形成均勻的鍍層,阻止了乳突紋線部位的變形,在反應(yīng)30 s時(shí)鍍層與乳突紋線之間的色差已經(jīng)非常明顯,潛手印 顯現(xiàn)效果極佳。繼續(xù)延長(zhǎng)反應(yīng)時(shí)間,Ni沉積量雖然更高,但從反應(yīng)300 s的顯現(xiàn)效果來(lái)看,手印的乳突紋線表面也沉積了鎳,使紋線部位、基體和小犁溝部位都呈銀白色,反而降低了色差,影響對(duì)手印細(xì)節(jié)特征的觀察。

        圖2 硫酸鎳質(zhì)量濃度為40 g/L時(shí)反應(yīng)不同時(shí)間后潛手印的顯現(xiàn)效果 Figure 2 Visualization effectiveness of latent fingerprint by electroless nickel plating at nickel sulfate concentration of 40 g/L for different time

        圖3 硫酸鎳質(zhì)量濃度為100 g/L時(shí)反應(yīng)不同時(shí)間后潛手印的顯現(xiàn)效果 Figure 3 Visualization effectiveness of latent fingerprint by electroless nickel plating at nickel sulfate concentration of 100 g/L for different time

        2.2 化學(xué)鍍鎳顯現(xiàn)潛手印的反應(yīng)熱力學(xué)研究

        雖然在高溫條件下通過(guò)次磷酸鈉還原體系化學(xué)鍍鎳能夠有效顯出手印,但案件現(xiàn)場(chǎng)無(wú)法滿足高溫的要求。為提高化學(xué)鍍鎳顯現(xiàn)技術(shù)在各類(lèi)刑事案件現(xiàn)場(chǎng)的實(shí)用性,有必要探究常溫化學(xué)鍍鎳顯現(xiàn)工藝。

        在Gamry Reference 600電化學(xué)工作站上分別采用玻碳電極、石墨和飽和甘汞電極(SCE)作為工作電極、輔助電極和參比電極,測(cè)量不同溫度下含0.1 mol/L NaH2PO4·H2O或0.1 mol/L NiSO4·6H2O溶液中的陰極極化曲線(掃描速率10 mV/s),以分析鎳離子自催化還原沉積的電化學(xué)條件,作為次磷酸鈉還原體系能否實(shí)現(xiàn)常溫化學(xué)鍍顯現(xiàn)潛手印的熱力學(xué)判據(jù),結(jié)果如圖4所示。采用Cview軟件擬合圖4,獲得不同溫度下次磷酸鈉還原體系化學(xué)鍍鎳的各項(xiàng)參數(shù),結(jié)果見(jiàn)表1。其中φe,R是次磷酸鈉的氧化電位,φe,M是鎳離子的還原電位,Δφ是氧化還原電位差(Δφ=φe,M-φe,R),φdep是化學(xué)鍍的沉積電位,jdep是化學(xué)鍍的沉積電流密度[5]。

        表1 陰極極化曲線的擬合參數(shù) Table 1 Parameters obtained by fitting the cathodic polarization curves

        圖4 不同溶液在不同溫度下的陰極極化曲線 Figure 4 Cathodic polarization curves for different solutions at different temperatures

        從表1可知,鎳離子在90 °C高溫下的還原電位遠(yuǎn)高于室溫下的還原電位,說(shuō)明升溫有利于提高鎳離子的氧化性,增強(qiáng)其被還原的熱力學(xué)傾向,即從熱力學(xué)角度來(lái)看,在高溫下更容易實(shí)現(xiàn)化學(xué)鍍鎳。前文的實(shí)驗(yàn)也表明,在高溫下鎳離子容易發(fā)生自催化還原反應(yīng),從而在較短的時(shí)間內(nèi)沉積得到Ni鍍層,完成潛手印顯現(xiàn)。

        從次磷酸鈉的氧化電位來(lái)看,溫度升高反而降低了次磷酸鈉的還原能力,理論上不利于鎳離子的自催化還原反應(yīng),這與化學(xué)鍍鎳的實(shí)踐矛盾。然而,化學(xué)鍍鎳反應(yīng)的熱力學(xué)依據(jù)除了氧化電位和還原電位外,更重要的是氧化還原電位差,Δφ> 0是化學(xué)鍍反應(yīng)的必要條件。Δφ越大,表示化學(xué)鍍反應(yīng)傾向越大,反之表示反應(yīng)傾向越小。此外,還要結(jié)合沉積電流密度來(lái)判斷化學(xué)鍍鎳反應(yīng)的速率,jdep越高表示沉積速率越高,反之表示沉積速率越低。室溫下次磷酸鈉與鎳的電位差和沉積電流密度都比90 °C時(shí)低,說(shuō)明金屬鎳在室溫下自催化還原的反應(yīng)熱力學(xué)傾向和沉積速率都比高溫時(shí)低。但室溫下Δφ> 0,依舊具備化學(xué)鍍的熱力學(xué)條件,下文通過(guò)化學(xué)鍍?cè)囼?yàn)探索該體系在常溫下顯現(xiàn)潛手印的具體條件。

        2.3 潛手印常溫化學(xué)鍍鎳顯現(xiàn)技術(shù)研究

        保持硫酸鎳質(zhì)量濃度為100 g/L不變,在不同次磷酸鈉質(zhì)量濃度下對(duì)潛手印試樣常溫顯現(xiàn)反應(yīng)1 800 s。由圖5可知,潛手印常溫顯現(xiàn)效果受還原劑質(zhì)量濃度的影響較大。次磷酸鈉質(zhì)量濃度為10 g/L時(shí),經(jīng)過(guò)1 800 s的顯現(xiàn)操作,僅在基體表面形成了鍍層,潛手印的中間介質(zhì)在反應(yīng)過(guò)程中已溶解,手印輪廓已經(jīng)無(wú)法識(shí)別。增大還原劑質(zhì)量濃度對(duì)手印的顯現(xiàn)效果有明顯改善。當(dāng)次磷酸鈉質(zhì)量濃度為20 g/L時(shí),顯現(xiàn)相同時(shí)間后能夠識(shí)別潛手印外圍系統(tǒng)和根基系統(tǒng)的紋線特征,但反應(yīng)活性相對(duì)較差的內(nèi)部未能在反應(yīng)的初始階段形成小犁溝鍍層,手印物質(zhì)沒(méi)有被鍍層充分固定而逐漸溶解。增大次磷酸鈉質(zhì)量濃度至40 g/L時(shí),潛手印的顯現(xiàn)效果最佳,能夠清晰地顯出手印的細(xì)節(jié)特征。

        圖5 次磷酸鈉質(zhì)量濃度對(duì)潛手印常溫化學(xué)鍍鎳顯現(xiàn)效果的影響 Figure 5 Effect of mass concentration of sodium hypophosphite on visualization of latent fingerprint by electroless nickel plating at room temperature

        3 結(jié)論

        (1) 化學(xué)鍍鎳可以應(yīng)用于手印顯現(xiàn),采用硫酸鎳質(zhì)量濃度為100 g/L、次磷酸鈉質(zhì)量濃度為10 g/L的鍍液,在90 ℃下反應(yīng)30 s即可清晰地顯現(xiàn)出滿足鑒定要求的潛手印。

        (2) 室溫下鎳離子氧化和次磷酸鈉還原的電位差Δφ雖然低于90 ℃時(shí)兩者的電位差,但仍達(dá)到52.03 mV,滿足鎳離子沉積的熱力學(xué)條件(即Δφ> 0),說(shuō)明常溫化學(xué)鍍鎳顯現(xiàn)技術(shù)在理論上可行。

        (3) 在常溫下通過(guò)化學(xué)鍍鎳顯現(xiàn)潛手印所需時(shí)間較長(zhǎng),并且受還原劑質(zhì)量濃度的影響較大。次磷酸鈉質(zhì)量濃度為40 g/L時(shí),常溫反應(yīng)1 800 s可以實(shí)現(xiàn)潛手印的顯現(xiàn),滿足刑事案件現(xiàn)場(chǎng)勘查實(shí)際工作的需要。

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