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        高可靠強防護配電保護關(guān)鍵技術(shù)研究

        2022-07-16 09:09:22劉子俊潘明俊賁安然
        技術(shù)與市場 2022年7期
        關(guān)鍵詞:電源模塊板卡機箱

        馬 帥,劉子俊,潘明俊,賁安然

        (1.深圳供電局有限公司,廣東 深圳 518000;2.南京南瑞繼保電氣有限公司,江蘇 南京 211102)

        0 引言

        配電網(wǎng)是城市電網(wǎng)的關(guān)鍵環(huán)節(jié),發(fā)揮著電能消費最后一公里的作用,不同于主網(wǎng)保護,配電保護運行環(huán)境復(fù)雜多變,給傳統(tǒng)保護裝置內(nèi)部各類電子元器件的正常運行帶來較大挑戰(zhàn)。深圳地處沿海地區(qū),鹽霧濃度和空氣濕度均高于內(nèi)地,戶外配電保護裝置運行環(huán)境更為惡劣。據(jù)統(tǒng)計,戶外配電保護裝置缺陷率相較于戶內(nèi)保護裝置更高。

        為提高供電服務(wù)質(zhì)量,近年來深圳地區(qū)配電自動化水平大幅提升,配電保護也有了更為廣闊的應(yīng)用范圍,快速的故障隔離和智能的自愈功能極大地提升了供電可靠性。因此,研究適應(yīng)于配電網(wǎng)復(fù)雜運行環(huán)境的配電保護裝置,以提升配電保護抵御惡劣自然環(huán)境的能力,提高其運行可靠性和穩(wěn)定性,對保障高水平供電有著十分重要的意義。本文研究了高可靠、強防護配電保護裝置的設(shè)計架構(gòu)體系,相應(yīng)地提出了高于現(xiàn)行配電保護裝置技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的指標(biāo)要求。

        1 高可靠強防護配電保護裝置整體設(shè)計思路

        1)提高配電保護裝置運行可靠性,即以通過提升保護裝置內(nèi)部電源模塊、CPU模塊、開入開出模塊、A/D采樣模塊、人機交互模塊的性能,實現(xiàn)配電保護裝置的低功耗、長壽命、高冗余度和免維護。

        2)加強配電保護裝置的防護水平,即以通過優(yōu)化機箱材質(zhì)、改進機箱制作工藝、改進機箱和把座連接方式、提升內(nèi)部板卡防護水平,實現(xiàn)配電保護裝置能夠在惡劣自然環(huán)境和強電磁環(huán)境中正常運行。

        通過以上兩方面的優(yōu)化設(shè)計,有效提升了高可靠強防護配電保護裝置的運行指標(biāo)。

        2 提高配電保護運行可靠性的設(shè)計要點

        2.1 電源模塊

        為提升電源模塊的可靠性,延長電源模塊使用壽命,需要降低電源的發(fā)熱,提高電源模塊的效率。配電保護裝置電源模塊的開關(guān)器件一般采用常規(guī)MOS管,由于其導(dǎo)通電阻存在“硅限”,在額定負載下其開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗相對較高,高可靠設(shè)計方案采用超結(jié)MOS管,超結(jié)MOS管可打破硅限,相比常規(guī)MOS管,在相同的芯片面積上導(dǎo)通電阻可降低80%~90%,并且具有更高的開關(guān)速度,使得電源模塊發(fā)熱降低,效率提高。

        此外,常規(guī)電源模塊額定負載效率一般在80%左右,在輕載情況下的效率可低至50%,為提升電源模塊在輕載情況下的工作效率,高可靠設(shè)計方案在提高MOS管性能的同時,采用輕載降頻控制技術(shù),即在檢測出負載電流較小時實時調(diào)節(jié)MOS管的開關(guān)頻率,進一步降低電源模塊在輕載情況下的工作效率。

        通過選用超結(jié)MOS管和輕載降頻技術(shù),可有效提升電源模塊工作效率指標(biāo),即在額定負載時工作效率達90%以上,輕載時工作效率達80%以上。

        2.2 CPU模塊

        為提升CPU模塊的可靠性,高可靠設(shè)計方案主要進行以下三方面提升:選用高性能工業(yè)級CPU芯片;改進軟件算法以降低CPU功耗;采用冗余雙CPU芯片設(shè)計。

        選用高性能工業(yè)級CPU芯片,其核心處理器架構(gòu)采用集成處理器,以自主FPGA替代網(wǎng)絡(luò)接口芯片,在保證與常規(guī)配電保護裝置性能一致的前提下降低功耗,同時工業(yè)級的芯片可適應(yīng)更寬泛的運行環(huán)境。改進軟件算法,在被保護設(shè)備正常運行時,CPU不再進行模擬量高級運算,進入低功耗運行模式,進一步降低CPU功耗。對于冗余雙CPU芯片設(shè)計,常規(guī)配電保護采用單CPU芯片,雙CPU芯片分別負責(zé)裝置起動和故障計算,有效避免因CPU故障導(dǎo)致的保護誤動。

        通過選用高性能工業(yè)級CPU芯片、改進軟件算法以降低CPU功耗。采用冗余雙CPU芯片,可有效提升CPU模塊的運行指標(biāo),即將CPU功耗由常規(guī)配電保護的10 W降低為3.5 W,可適應(yīng)的運行環(huán)境由-25℃~55℃提升至-40℃~70℃。配電保護CPU和FPGA的SOC芯片構(gòu)建方式如圖1所示。

        圖1 配電保護CPU和FPGA的SOC芯片構(gòu)建方式

        2.3 開入開出模塊

        傳統(tǒng)開入模塊一般采用光耦器件,其工作穩(wěn)定性易受溫度變化影響,容易老化,高可靠設(shè)計方案采用磁耦技術(shù),通過磁耦數(shù)據(jù)通道實現(xiàn)開關(guān)量的高效傳輸和強弱電的隔離,解決了光耦器件易老化的問題,同時采用脈沖式的動作功率電路,降低采集電路的電阻功耗。通過以上技術(shù),可使開入模塊的功耗相比于常規(guī)開入模塊降低30%。

        傳統(tǒng)開出模塊選用的出口繼電器,其出口接點通流能力一般不超過5 A,考慮到出口接點有拉弧的可能,高可靠設(shè)計方案選用通流能力更高的出口繼電器以提升冗余程度,出口繼電器通流能力可提升至16 A。

        2.4 A/D采樣模塊

        為提升A/D采樣模塊的運行可靠性,高可靠設(shè)計方案主要從以下兩方面進行提升:一是采用雙A/D采樣校核設(shè)計,二是設(shè)置A/D采樣低功耗運行模式。

        常規(guī)配電保護采用單A/D采樣芯片,采樣芯片故障后保護裝置極易出現(xiàn)不正確動作的事件,高可靠設(shè)計方案采用雙A/D采樣配置,兩路采樣同步校核,有效提升運行可靠性。此外,在軟件層面增設(shè)低功耗采樣模式,在被保護設(shè)備正常運行時降低A/D芯片工作電壓,降低采樣頻率,可將A/D芯片功率降低至0.1 W以下。

        2.5 人機交互模塊

        常規(guī)配電保護裝置采用液晶屏幕承載人機交互功能,液晶屏幕屬于易損件,難以適應(yīng)配網(wǎng)復(fù)雜的運行環(huán)境,且影響整機防護水平。高可靠設(shè)計方案采用取消液晶屏幕,而以藍牙無線技術(shù)實現(xiàn)配電裝置與移動客戶端的通訊及數(shù)據(jù)交互。藍牙通信速率可達2 Mbit/s,滿足傳輸要求,且具有連接穩(wěn)定性高,傳輸延時低,運行功耗較低的優(yōu)點。而移動客戶端可實現(xiàn)采樣查看、報告查詢、定值整定、錄波召喚等高級應(yīng)用,使無線運維更加智能。

        同時,移動客戶端通過與Web服務(wù)器安全認證系統(tǒng)交互信息以完成使用者身份認證,移動客戶端與配電保護裝置之間的數(shù)據(jù)采用國標(biāo)規(guī)范要求進行加密校驗,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和安全性。

        3 加強配電保護對惡劣自然環(huán)境防護水平設(shè)計要點

        3.1 提升外殼密封水平

        常規(guī)配電保護外殼防護等級為IP20~IP54 ,強防護設(shè)計方案采用一體化成型外殼,減少外殼拼接,外殼拼接處采用硅膠密封圈進行密封,而配電裝置與外部回路連接采用密封航插連接。

        通過以上設(shè)計,可使配電保護裝置外殼防護水平達到IP67,大幅提升戶外運行情況下的可靠性。

        3.2 提升配電保護抗震水平

        常規(guī)配電保護裝置內(nèi)部板卡采用與機箱固定聯(lián)接的形式,抗震等級為Ⅰ級,強防護設(shè)計方案采用將板卡與機箱通過軟排線聯(lián)接的柔性聯(lián)接方式,而板卡通過灌膠工藝固定在機箱內(nèi)部,同時機箱與板卡之間采用氯丁橡膠發(fā)泡材料進行緩沖,該材料具有耐燃、耐油、耐腐蝕的優(yōu)異特性。

        通過以上緩沖設(shè)計,可將配電保護裝置的抗震性能提升至Ⅱ級。

        3.3 提升配電保護耐腐蝕水平

        為提升配電保護耐腐蝕水平,強防護設(shè)計方案在機箱材質(zhì)選擇、機箱處理工藝、內(nèi)部PCB板處理方面進行了改進優(yōu)化。

        在機箱材質(zhì)選擇方面,選取5系列鋁材,該材料具有電渡性好、抗腐蝕能力強、韌性強、不變形等優(yōu)點。在機箱處理工藝方面,對鋁合金表面進行陽極氧化處理,去除表面自然氧化膜、油脂和雜質(zhì),便于鋁合金表面形成規(guī)則致密的氧化防護膜層。之后在機箱表面噴戶外塑粉,進一步提升耐腐蝕能力。在內(nèi)部板卡處理方面,對PCB板進行三防處理,保護線路板及其相關(guān)設(shè)備免受環(huán)境,增強核心單元電路板的防潮、防鹽霧、防霉性能。

        通過以上耐腐蝕處理,可將配電保護的耐鹽度等級由常規(guī)保護的A1級提升至A3級,將耐腐蝕度等級由常規(guī)保護的C1級提升至C5級。

        4 加強配電保護對強電磁環(huán)境防護水平設(shè)計要點

        4.1 裝置級防護

        在裝置級層面,強防護設(shè)計方案采取以下舉措:①采用一體成型殼體,構(gòu)建更為嚴(yán)密的電磁屏蔽,同時配置防雷器件。②將各部件良好搭接,確保導(dǎo)電連續(xù)性和低阻抗。③布板時在信號層之間加入內(nèi)電層,降低信號環(huán)路面積,提升集成電路魯棒性。

        4.2 板卡級防護

        在板卡級層面,強防護設(shè)計方案采取以下舉措:①采用多級絕緣加強方式,增加電氣間隙和爬電距離,增大高壓信號與配電保護殼體、高壓信號與FGND接地端子之間的絕緣距離。②采用三級組合式防護電路設(shè)計加強電源端口防護,第一級抑制共模和差模信號,第二級抑制浪涌電流快速變化帶來的電壓抬長,第三級降低干擾對后級直流變換電路的影響。

        4.3 連接器防護

        在連接器層面,強防護設(shè)計方案采取以下舉措:①連接器采用全密封航插形式,提升電磁屏蔽性能。②航插內(nèi)部增設(shè)導(dǎo)電墊片,保證航插底座和殼體可靠接觸。③將航插外殼可靠接地,使航插連接器與配電保護電位保持一致,抑制共模電壓激勵產(chǎn)生的共模電流干擾。

        通過以上強防護設(shè)計,可有效提升配電保護裝置對強電磁環(huán)境的防護水平,具體指標(biāo)提升如表1所示。

        表1 強防護配電保護電磁防護水平

        5 結(jié)語

        現(xiàn)階段日益提升的供電可靠性對配電保護安全穩(wěn)定運行提出了更高的要求,因運行環(huán)境復(fù)雜,常規(guī)配電保護裝置存在防護水平不足,部分場景下運行穩(wěn)定性不高的問題。本文提出了一種高可靠強防護配電保護的設(shè)計方案,提升配電保護運行可靠性的同時兼顧經(jīng)濟性和運維的便利性,以該方案試制的配電保護設(shè)備已在深圳地區(qū)試點運用,取得了良好的運行效果。

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