祝禮佳,劉桂華,林 杰
(西南科技大學(xué) 信息工程學(xué)院,綿陽 621010)
永磁直流電機(jī)的使用的永磁材料由磁瓦加工而成,磁瓦的質(zhì)量直接影響直流電機(jī)的質(zhì)量[1]。在復(fù)雜的生產(chǎn)與加工過程中難以避免產(chǎn)出一些表面帶有缺陷的劣質(zhì)磁瓦工件。為了保證磁瓦以及基于磁瓦二次加工產(chǎn)品的質(zhì)量,磁瓦質(zhì)量監(jiān)測(cè)是磁瓦生產(chǎn)工藝中不可缺少的一部分。傳統(tǒng)人工缺陷檢測(cè)存在工作效率不高、檢測(cè)結(jié)果主觀化、工件二次損傷等問題,進(jìn)而有許多學(xué)者基于機(jī)器視覺進(jìn)行磁瓦表面缺陷識(shí)別與檢測(cè)。
基于傳統(tǒng)機(jī)器視覺的方法進(jìn)行磁瓦表面缺陷檢測(cè),檢測(cè)精度較低且通用性較差。Li X等人[2]利用快速離散曲波變換重構(gòu)低噪聲圖像,并使用邊緣檢測(cè)算法在重構(gòu)的低噪聲圖像上實(shí)現(xiàn)磁瓦裂紋缺陷檢測(cè),該算法在圖像采集過程中需要嚴(yán)格的光照條件。Yang C等人[3]結(jié)合平穩(wěn)小波變換和自適應(yīng)閾值分割算法提取磁瓦表面缺陷,該算法可以應(yīng)用于不同的光照條件,但是對(duì)細(xì)小裂紋缺陷檢測(cè)困難,檢測(cè)精度較低。后[4]又提出結(jié)合非下采樣的小波變換和包絡(luò)灰度梯度算法實(shí)現(xiàn)磁瓦裂紋檢測(cè),只能檢測(cè)單一的裂紋缺陷。
結(jié)合手工提取特征和傳統(tǒng)機(jī)器學(xué)習(xí)的方法,針對(duì)不同圖像需要人為地提取不同的有效特征。劉洪生等人[5]提取圖像特征(面積、周長(zhǎng)和中心幾何距離)并輸入高斯混合模型進(jìn)行磁瓦好壞的判別,準(zhǔn)確率為80%。杜柳青等人[6]通過提取多項(xiàng)特征輸入支持向量機(jī)分類器進(jìn)行磁瓦表面缺陷分類,該算法平均識(shí)別精度約為92%。
卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)具有強(qiáng)大的特征自主提取能力,逐漸取代了手工提取特征,并成功應(yīng)用于目標(biāo)檢測(cè)[7,8]、圖像識(shí)別[9,10]、圖像分割[11]等多個(gè)研究領(lǐng)域。王昕鈺等人通過改進(jìn)VGG16全連接層實(shí)現(xiàn)了高鐵接觸網(wǎng)定位管開口銷缺陷檢測(cè)[12]。李啟南等人改進(jìn)B-CNN實(shí)現(xiàn)了軌枕?yè)跫缌鸭y圖像細(xì)粒度分類,識(shí)別精度約93.89%[13]。目前,基于深度學(xué)習(xí)的磁瓦表面缺陷檢測(cè)研究并不多。Yibin Huang等人通過分析磁瓦圖像的缺陷特征計(jì)算顯著圖,并融合顯著圖和原圖像輸入改進(jìn)的U-net網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)缺陷自動(dòng)檢測(cè),該算法對(duì)裂紋和氣孔兩類缺陷有較好的檢測(cè)效果[14]。孫夢(mèng)鴿提出基于密集生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)獲得缺陷語義分割圖像,并統(tǒng)計(jì)分割圖像中的缺陷區(qū)域面積判定磁瓦的好壞,該算法需要人為設(shè)定分類閾值[15]。劉暢等人結(jié)合改進(jìn)的U-net網(wǎng)絡(luò)和分類神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)磁瓦裂紋、斷角等缺陷的自動(dòng)檢測(cè)識(shí)別,平均識(shí)別精度為94%[16]。
針對(duì)傳統(tǒng)機(jī)器視覺算法檢測(cè)磁瓦缺陷類別較為單一,機(jī)器學(xué)習(xí)算法識(shí)別率低的問題,提出基于深度學(xué)習(xí)進(jìn)行多類別磁瓦表面缺陷識(shí)別。深度學(xué)習(xí)應(yīng)用于磁瓦表面缺陷識(shí)別存在以下兩個(gè)難點(diǎn):1)磁瓦缺陷類圖像樣本量少,應(yīng)用于深度卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)容易導(dǎo)致過擬合現(xiàn)象。2)磁瓦圖像受到光照、角度、噪聲等干擾因素較大,多類別的磁瓦表面缺陷識(shí)別算法的精確度與泛化能力有待提高。針對(duì)上述問題,本文提出結(jié)合改進(jìn)的輕量級(jí)NASNet網(wǎng)絡(luò)[16]與雙線性模型[17]構(gòu)建磁瓦表面缺陷識(shí)別網(wǎng)絡(luò),并且優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)化函數(shù)與激活函數(shù)提高模型收斂速度與識(shí)別精度;同時(shí)利用Dropout、樣本增強(qiáng)和遷移學(xué)習(xí)技術(shù)解決小樣本難以訓(xùn)練深度卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的問題,進(jìn)而提高模型泛化能力。
最新提出的NASNet網(wǎng)絡(luò)在1000類的ImageNet數(shù)據(jù)集上可達(dá)82.7%的Top-1識(shí)別精度和96.2%的Top-5識(shí)別精度;其輕量級(jí)版本的NASNet在ImageNet數(shù)據(jù)集上也達(dá)到了74%的Top-1識(shí)別率和91.6%的Top-5識(shí)別精度[17]。表明NASNet網(wǎng)絡(luò)對(duì)復(fù)雜場(chǎng)景中的多類別目標(biāo)具有較強(qiáng)的分辨能力??紤]輕量級(jí)網(wǎng)絡(luò)更加適合小樣本學(xué)習(xí),故選擇輕量級(jí)NASNet網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行磁瓦表面缺陷識(shí)別研究。
磁瓦表面缺陷圖像具有缺陷區(qū)域與非缺陷區(qū)域外觀差異小的特點(diǎn),存在缺陷類別之間具有高度相似性的現(xiàn)象,導(dǎo)致部分缺陷樣本識(shí)別難度大。研究表明,雙線性模型能夠捕捉細(xì)粒度圖像的類間差異,有效提高細(xì)粒度圖像的識(shí)別率[18]。為了提高磁瓦表面缺陷的識(shí)別率,在輕量級(jí)NASNet卷積網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)上,引入雙線性模型構(gòu)建磁瓦表面缺陷識(shí)別網(wǎng)絡(luò)。
磁瓦表面缺陷識(shí)別網(wǎng)絡(luò)采用兩個(gè)完全對(duì)稱的、改進(jìn)的輕量級(jí)NASNet網(wǎng)絡(luò)模型(去除頂層分類層)組成雙線性模型實(shí)現(xiàn)5類磁瓦圖像的自動(dòng)分類,網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)如圖1所示,這種對(duì)稱的雙線性模型只需要進(jìn)行一次卷積網(wǎng)絡(luò)評(píng)估,運(yùn)行速度快。模型分為兩個(gè)階段,第一階段基于改進(jìn)的輕量級(jí)NASNet網(wǎng)絡(luò)提取圖像特征,第二階段基于雙線性模型實(shí)現(xiàn)圖像特征交互。
圖1 磁瓦表面缺陷識(shí)別網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)
1.1.1 基于改進(jìn)的輕量級(jí)NASNet提取磁瓦圖像缺陷特征
NASNet卷積網(wǎng)絡(luò)復(fù)制堆疊性能最好的卷積單元應(yīng)用于ImageNet數(shù)據(jù)集,卷積單元包括普通卷積單元(Normal Cell)和下采樣卷積單元(Reduction Cell),設(shè)置普通卷積單元重復(fù)次數(shù)N=4獲得輕量級(jí)NASNet網(wǎng)絡(luò)模型,其網(wǎng)絡(luò)層級(jí)信息如表1所示,由數(shù)據(jù)輸入層、卷積層、普通卷積單元和下采樣卷積單元、全局平均池化層和全連接層構(gòu)成。NASNet-A架構(gòu)下的卷積單元性能最佳,如圖2所示。每個(gè)卷積單元由5個(gè)模塊組成,每個(gè)模塊包含2次基本構(gòu)件操作(卷積或者池化)和1次特征圖融合操作(逐點(diǎn)相加或者向量拼接)。普通卷積單元輸出的特征圖與輸入圖像尺寸相同;下采樣卷積單元輸出的特征圖,其高度和寬度相比輸入圖像縮減2倍。
表1 輕量級(jí)NASNet網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)表
圖2 最佳卷積單元結(jié)構(gòu)(NASNet-A)
為了減少磁瓦表面缺陷識(shí)別網(wǎng)絡(luò)的參數(shù)量,同時(shí)減少特征提取后續(xù)操作的計(jì)算量,改進(jìn)輕量級(jí)NASNet網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),對(duì)輸出卷積特征進(jìn)行降維處理。如表1所示,在普通卷積單元12后增加一層普通卷積層,卷積核尺寸為1,卷積核的數(shù)量為512,步長(zhǎng)為1。在卷積操作前使用激活函數(shù)激活輸入特征,在卷積操作后進(jìn)行批量標(biāo)準(zhǔn)化處理。磁瓦圖像尺寸調(diào)整為224×224×3,輸入改進(jìn)的輕量級(jí)NASNet卷積網(wǎng)絡(luò)獲得尺寸為7×7×512的磁瓦缺陷特征。
1.1.2 基于雙線性模型實(shí)現(xiàn)圖像特征交互
磁瓦表面缺陷識(shí)別的雙線性模型B數(shù)學(xué)表達(dá)式為一個(gè)四元數(shù)函數(shù),如式(1)所示,其中fA和fB表示特征函數(shù),P是池化函數(shù),F(xiàn)是分類函數(shù)。
雙線性模型通過矩陣外積聚集fA和fB特征獲得圖像每一個(gè)位置的雙線性特征bilinear,如式(2)所示,I表示輸入圖像,l表示圖像上的空間位置。其中,fA和fB的特征圖尺寸必須相等且大于1。磁瓦表面缺陷識(shí)別的雙線性模型中,特征函數(shù)fA和fB是改進(jìn)的輕量級(jí)NASNet網(wǎng)絡(luò)輸出的卷積特征,其維度是7×7×512。
為了進(jìn)一步獲得圖像特征描述符,池化函數(shù)P聚集了圖像上所有位置的雙線性特征。如式(3)所示,L表示圖像的所有位置集合,求和池化函數(shù)計(jì)算圖像所有位置的雙線性特征之和。假設(shè)fA和fB輸出的特征維度分別為c×M和c×N,雙線性模型圖像特征描述符Φ(I)維度為M×N。磁瓦表面缺陷識(shí)別的雙線性模型中獲得的圖像描述符Φ(I)維度為512×512。
圖像描述符Φ(I)調(diào)整為1×5122的特征向量v,并進(jìn)行有符號(hào)平方根和L2范數(shù)歸一化。最后,分類函數(shù)F利用Softmax函數(shù)實(shí)現(xiàn)磁瓦表面缺陷的自動(dòng)分類。雙線性模型結(jié)構(gòu)導(dǎo)致特征向量維度升高,為了避免小樣本訓(xùn)練過擬合,在特征向量輸出與全連接層之間增加一層Dropout層。Dropout層在網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練階段以概率p隨機(jī)失活神經(jīng)元,本文p取值0.5。
從直觀的角度來看,雙線性模型利用矩陣外積使得fA和fB卷積特征相互微調(diào),相互約束,相互補(bǔ)充。磁瓦表面缺陷識(shí)別網(wǎng)絡(luò)是對(duì)稱的雙線性模型結(jié)構(gòu),即利用卷積特征的二階信息豐富網(wǎng)絡(luò)的紋理等缺陷特征,提高磁瓦表面缺陷的分類精度。
選擇一個(gè)好的優(yōu)化算法可以有效提高網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練階段的收斂速度與平穩(wěn)性。輕量級(jí)NASNet模型的優(yōu)化算法是RMSProp,具有處理非平穩(wěn)目標(biāo)的優(yōu)點(diǎn)[19]。該算法引入衰減系數(shù)控制梯度平方和,避免了Adagrad算法隨著迭代次數(shù)增加梯度平方和變大造成梯度快速下降趨近0,過早結(jié)束網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練的問題;但是,衰減系數(shù)通常取值接近于1,容易導(dǎo)致訓(xùn)練初期梯度步長(zhǎng)過大,進(jìn)而造成目標(biāo)損失在下降過程中產(chǎn)生大幅度震蕩的問題,Adam算法通過增加初始化偏差修正解決了該問題。如圖3所示,實(shí)驗(yàn)對(duì)比了上述三種優(yōu)化算法對(duì)磁瓦表面缺陷識(shí)別網(wǎng)絡(luò)性能的影響。與Adagrad算法相比,利用RMSProp算法與Adam算法網(wǎng)絡(luò)識(shí)別率得到提升。其次,與RMSProp算法,Adam算法相比減小了損失值訓(xùn)練初期振蕩的幅度,且損失值降到更低。故采用Adam算法作為磁瓦表面缺陷識(shí)別網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)化算法,改善網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練過程。
圖3 優(yōu)化算法對(duì)模型性能的影響
激活函數(shù)是神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中非常重要的一部分,實(shí)現(xiàn)神經(jīng)元的非線性映射。輕量級(jí)NASNet模型的激活函數(shù)是ReLU函數(shù),該激活函數(shù)是最常用的,也是深度學(xué)習(xí)成功的重要原因之一[20]。ReLU激活函數(shù)是非飽和函數(shù),抑制了Sigmoid和tanh激活函數(shù)容易出現(xiàn)的“梯度彌散”現(xiàn)象。其公式定義(4),x是非線性激活函數(shù)的輸入。但是當(dāng)x小于0時(shí),ReLU激活函數(shù)無法激活神經(jīng)元,進(jìn)而容易導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練不收斂。Leaky ReLU激活函數(shù)[21]利用一個(gè)較小的權(quán)值保留部分信息解決了上述問題,其定義如式(5)所示。
實(shí)驗(yàn)比較了ReLU、Leaky ReLU激活函數(shù)對(duì)磁瓦表面缺陷識(shí)別網(wǎng)絡(luò)性能的影響,如圖4所示,與ReLU激活函數(shù)相比,Leaky ReLU激活函數(shù)在識(shí)別精度與損失值都有更好的表現(xiàn),且收斂速度更快。本文選擇Leaky ReLU函數(shù)作為磁瓦表面缺陷識(shí)別網(wǎng)絡(luò)的激活函數(shù),提高模型的魯棒性。
圖4 激活函數(shù)對(duì)模型性能的影響
實(shí)驗(yàn)使用的計(jì)算機(jī)CPU型號(hào)是Inter(R) Xeon(R) E5-2620 v4@2.1GHz,GPU型號(hào)為TITAN Xp,顯存大小為12G,實(shí)驗(yàn)采用了NVIDIA提高計(jì)算加速方案;軟件開發(fā)平臺(tái)使用PyCharm集成開發(fā)環(huán)境,利用keras深度學(xué)習(xí)框架搭建磁瓦表面缺陷識(shí)別網(wǎng)絡(luò),實(shí)驗(yàn)操作系統(tǒng)為Ubuntu 16.04 。
利用中科院自動(dòng)化所收集的磁瓦表面缺陷數(shù)據(jù)集[14],從中選取了常見的4類缺陷樣本(裂紋、斷角、氣孔、磨損)和一類無缺陷樣本,如圖5所示。原始數(shù)據(jù)集裂紋缺陷、斷角缺陷、氣孔缺陷、磨損缺陷與無缺陷樣本數(shù)量分別為57張、85張、115張、32張、952張。原始數(shù)據(jù)集磁瓦表面缺陷類樣本數(shù)量少,且存在嚴(yán)重的數(shù)據(jù)不平衡問題。
圖5 磁瓦表面缺陷示例
針對(duì)磁瓦數(shù)據(jù)集樣本量少的問題,本文選擇樣本離線增強(qiáng)方法。每類缺陷樣本隨機(jī)選擇翻轉(zhuǎn)、旋轉(zhuǎn)、尺度縮放、裁剪4種常用的樣本增強(qiáng)方式。最后,通過樣本增強(qiáng)技術(shù)每類缺陷樣本擴(kuò)充至500張。針對(duì)數(shù)據(jù)不平衡問題,對(duì)無缺陷樣本進(jìn)行欠采樣,從952張的無缺陷樣本中隨機(jī)抽取500張圖像。實(shí)驗(yàn)磁瓦數(shù)據(jù)集由5類樣本組成,總共2500張樣本,隨機(jī)抽取2000張作為訓(xùn)練集,剩下500張作為測(cè)試集。每類樣本訓(xùn)練集400張圖像,測(cè)試集100張圖像。
針對(duì)磁瓦數(shù)據(jù)集樣本數(shù)量少,深度卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)參數(shù)量大,直接利用磁瓦圖像訓(xùn)練深度卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)容易導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)過擬合;進(jìn)而出現(xiàn)在訓(xùn)練集上樣本識(shí)別率高,在測(cè)試集上樣本識(shí)別率低的現(xiàn)象。遷移學(xué)習(xí)可以有效減少小樣本數(shù)據(jù)集應(yīng)用于深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的過擬合現(xiàn)象,并提高網(wǎng)絡(luò)的泛化性[22]。因此,提出基于遷移學(xué)習(xí)的磁瓦表面缺陷識(shí)別網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練策略。
基于遷移學(xué)習(xí)的磁瓦表面缺陷識(shí)別網(wǎng)絡(luò)的訓(xùn)練分為兩個(gè)階段過程。第一訓(xùn)練階段,利用在大數(shù)據(jù)集ImageNet預(yù)先訓(xùn)練得到的權(quán)重參數(shù)初始化磁瓦識(shí)別網(wǎng)絡(luò)的特征提取層(不包含分類頂層),并凍結(jié)特征提取層,然后利用磁瓦訓(xùn)練集驅(qū)動(dòng)學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)分類頂層的權(quán)重參數(shù)。第二訓(xùn)練階段,解凍特征提取層,然后利用磁瓦訓(xùn)練集微調(diào)網(wǎng)絡(luò)的所有參數(shù)。
網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化算法為Adam,激活函數(shù)為L(zhǎng)eaky ReLU,目標(biāo)函數(shù)采用交叉損失熵,學(xué)習(xí)率為0.0001,樣本批量大小batch_size為8,迭代周期epoch為50,其中第一訓(xùn)練階段freeze_epoch設(shè)置為25。網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練過程中的精度變化曲線與損失變化曲線如圖6所示。模型訓(xùn)練過程平穩(wěn),收斂速度快,約15個(gè)周期收斂。測(cè)試集識(shí)別精度接近訓(xùn)練集識(shí)別精度,未出現(xiàn)過擬合現(xiàn)象。
圖6 模型精度與損失變化曲線
本文算法與VGG16[23]、BCNN[18]、輕量級(jí)NASNet[17]、輕量級(jí)NASNet結(jié)合BCNN算法進(jìn)行比較。模型性能評(píng)價(jià)指標(biāo)選擇精確率、召回率、F1值、模型大小和運(yùn)行時(shí)間。精確率也叫查準(zhǔn)率,表示網(wǎng)絡(luò)檢測(cè)正確的樣本占所有檢測(cè)為正樣本的比例;召回率也叫查全率,表示檢測(cè)正確的正樣本占所有檢測(cè)為正樣本的比例;F1值將精確率和召回率統(tǒng)一起來,值越大代表網(wǎng)絡(luò)性能越好。針對(duì)多分類任務(wù),依次取一類作為正樣本,其余的類別作為負(fù)樣本計(jì)算性能指標(biāo),最后計(jì)算所有類別精確率、召回率和F1值的平均值和中值作為衡量網(wǎng)絡(luò)性能的指標(biāo)。
網(wǎng)絡(luò)模型性能對(duì)比結(jié)果如表2所示,輕量級(jí)NASNet結(jié)合B-CNN構(gòu)建的網(wǎng)絡(luò)模型大小為38.46M,本文算法模型大小為23.92M,模型大小降低了37.8%。本文通過改進(jìn)輕量級(jí)NASNet模型結(jié)構(gòu),大大減少了模型參數(shù)量,利于小樣本學(xué)習(xí)。引入雙線性模型增強(qiáng)了模型特征表達(dá)力,提高了網(wǎng)絡(luò)的識(shí)別精度。VGG16結(jié)合雙線性模型識(shí)別率提高3.42%;輕量級(jí)NASNet結(jié)合雙線性模型識(shí)別率提高1.24%。本文算法結(jié)合改進(jìn)的輕量級(jí)NASNet與雙線性模型,并進(jìn)一步優(yōu)化激活函數(shù)與優(yōu)化算法,精確率、召回率、F1值的均值為98.80%、98.84%、98.80%,實(shí)現(xiàn)了多類別磁瓦表面缺陷的高精度識(shí)別。
表2 模型性能對(duì)比
磁瓦表面缺陷的分類結(jié)果如表3所示,氣孔與裂紋容易誤檢為無缺陷,這是因?yàn)椴糠謿饪兹毕菖c裂紋缺陷特征表現(xiàn)不明顯。本文算法在斷角、磨損以及無缺陷類別識(shí)別率都達(dá)到了100%;氣孔類、裂紋類缺陷識(shí)別率為97%。與輕量級(jí)NASNet網(wǎng)絡(luò)模型相比,氣孔類缺陷識(shí)別率提高了7.77%,斷角類缺陷識(shí)別率提高了2.04%,磨損類缺陷識(shí)別率提高了4.16%,算法平均識(shí)別率提升約2.49%。
算法平均一張圖像識(shí)別所耗時(shí)間如表3所示,輕量級(jí)NASNet結(jié)合雙線性模型識(shí)別一張圖像大約需要51.93ms,本文算法識(shí)別一張圖像大約需要50.01ms,大約減少了3.70%。本文通過改進(jìn)NASNet模型結(jié)構(gòu)降低了模型計(jì)算量,提高了模型的運(yùn)行速度。本文算法識(shí)別所耗時(shí)間相比VGG16網(wǎng)絡(luò)較長(zhǎng),但滿足工業(yè)需求。
表3 算法識(shí)別時(shí)間對(duì)比
綜上所述,本文算法實(shí)現(xiàn)了小樣本多類別磁瓦表面缺陷的高精度識(shí)別。
針對(duì)磁瓦表面缺陷圖像背景噪聲大,亮度不均勻,缺陷特征不明顯導(dǎo)致缺陷識(shí)別困難的問題,結(jié)合改進(jìn)的輕量級(jí)NASNet和雙線性模型構(gòu)建網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)磁瓦表面缺陷的自動(dòng)分類。算法改進(jìn)了輕量級(jí)NASNet的模型結(jié)構(gòu),模型參數(shù)降低了約37.8%,模型運(yùn)行時(shí)間減少了約3.70%;并優(yōu)化了網(wǎng)絡(luò)模型的優(yōu)化算法與激活函數(shù),改善了網(wǎng)絡(luò)訓(xùn)練階段的收斂過程,有效提高了算法的識(shí)別精度。其次,針對(duì)數(shù)據(jù)集樣本量少,引用遷移學(xué)習(xí)、Dropout技術(shù)以及數(shù)據(jù)增強(qiáng)技術(shù),實(shí)驗(yàn)表明,未出現(xiàn)過擬合現(xiàn)象,本文算法在5類磁瓦數(shù)據(jù)集實(shí)現(xiàn)了高精度識(shí)別。