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        氮摻雜對金紅石二氧化鈦光電特性影響的理論研究

        2022-06-20 09:23:42高成娟吳希喆資雪池楊海征閆宇星
        無機鹽工業(yè) 2022年6期
        關(guān)鍵詞:虛部金紅石折射率

        侯 艷,高成娟,吳希喆,資雪池,謝 露,楊海征,閆宇星

        (曲靖師范學(xué)院化學(xué)與環(huán)境科學(xué)學(xué)院,云南曲靖655011)

        TiO2是一種帶隙約為3.02 eV、對應(yīng)吸收窗口約為390 nm[1]的半導(dǎo)體材料,具有廉價、無毒、易于處理的特性,自20 世紀(jì)早期應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)以來,因生物相容性和環(huán)境友好性已在能源和環(huán)境領(lǐng)域大放異彩[2-3]。此外,TiO2的研究也成為了一個焦點,通過對其進行改性,其在光電[4-5]、光催化[6-7]、光電致變色和傳感器[8]等領(lǐng)域也有很大的應(yīng)用前景[9]。

        TiO2作為高效、環(huán)境友好的光催化劑,廣泛用于各種污染物的光降解,其光催化反應(yīng)機理得到廣泛研究[10-14]。一般認(rèn)為TiO2的光催化活性主要與其比表面積和粒徑有關(guān),高溫處理通??梢蕴岣逿iO2的結(jié)晶度,反之可以誘導(dǎo)小的納米粒子聚集和降低表面積[2]。但是,未改性的TiO2晶體帶隙較寬,僅對占自然光總能量4%的紫外光響應(yīng),對可見光的利用率較低[15-16]。為改善這種狀態(tài),帶隙調(diào)控的思路逐漸得到大批科研人員的認(rèn)可。ASAHI等[17]發(fā)現(xiàn)N的摻雜降低了銳鈦礦TiO2的帶隙寬度,能明顯提升TiO2的可見光響應(yīng),并用實驗驗證了N 的摻雜使該體系產(chǎn)生了紅移的事實。YAN 等[18]用燒結(jié)法對TiO2體系進行C摻雜研究,也出現(xiàn)了紅移現(xiàn)象,光轉(zhuǎn)化率得到了提升。趙宗彥等[19]研究表明,在銳鈦礦TiO2體系中摻入S 元素,能夠極大地改善TiO2對可見光的響應(yīng)范圍。董明慧等[20]研究發(fā)現(xiàn),P 的摻入雖然使銳鈦礦TiO2體系的帶隙寬度變大,但是對可見光的響應(yīng)明顯增強,原因與摻雜P 形成雜質(zhì)能級有關(guān)。銳鈦礦TiO2的種種表現(xiàn)表明,利用摻雜方式調(diào)控帶隙,在提升其光響應(yīng)能力方面有積極的作用。但是,銳鈦礦在自然狀態(tài)下穩(wěn)定性較差,不利于生產(chǎn)應(yīng)用。相對而言,金紅石相TiO2[10-11]較為穩(wěn)定,適合大范圍應(yīng)用。近年來,對金紅石TiO2體系的研究逐漸成為熱點。LIU等[21]與CHEN 等[22]通過構(gòu)建銳鈦礦/金紅石-TiO2(AR-TiO2)異質(zhì)結(jié)界面使光捕獲和光生電子-空穴對的分離得到改善,顯著提升了光催化效率。此外,金紅石TiO2通過N 摻雜[15]、Co-Cr[16]或N-Rh共摻雜[23]的改性處理,也表現(xiàn)出較好的光電特性。

        基于此,筆者試圖通過構(gòu)建金紅石相TiO2-xNx(x=0.062 5、0.125、0.25)體系,并利用第一性原理方法深入研究摻N濃度對其光電性能的影響。

        1 結(jié)構(gòu)模型和計算方法

        1.1 結(jié)構(gòu)模型

        金紅石TiO2為四方晶系,Pbcn(43)空間群,其中a=b=0.459 4 nm,c=0.295 9 nm[24]。利用VESTA 構(gòu)建TiO2-xNx模型,在2×2×2的TiO2超晶胞中分別用2、4、8 個N 原子替換O 原子獲得(即x=0.062 5、0.125、0.25)(見圖1)。

        圖1 TiO2-xNx體系的晶格結(jié)構(gòu):x=0(a)、0.062 5(b)、0.125(c)、0.25(d)Fig.1 Lattice structure of TiO2-xNx system:x=0(a),0.062 5(b),0.125(c),0.25(d)

        1.2 計算方法

        利用Materials Studio 2017 軟件的CASTEP 軟件包[25-26],采用廣義梯度近似(GGA)中的PBE泛函,電子組態(tài)為Ti:3p43d24s2、O:2s22p4、N:2s22p4。K點為3×3×4,截斷能為340 eV,經(jīng)優(yōu)化得到能量最低后,進而分析TiO2-xNx的能帶、態(tài)密度及光電特性。

        2 結(jié)果討論

        2.1 電子結(jié)構(gòu)

        圖2給出了N 摻雜TiO2-xNx體系的能帶結(jié)構(gòu)圖,將費米能級設(shè)為能量零點。由圖2a可知,TiO2價帶頂與導(dǎo)帶底均在G點,為直接帶隙半導(dǎo)體,Eg為3.047 eV。而隨著N的摻入TiO2-xNx體系導(dǎo)帶底下移(見圖2b~d),并在導(dǎo)帶底和費米能級之間引入了兩條雜質(zhì)能級,屬于無電子占據(jù)的空能級,有效減小了TiO2的帶隙寬度,說明N 的摻雜可以減小金紅石TiO2的禁帶寬度。根據(jù)電子能帶理論的認(rèn)知,N 摻雜形成的TiO2-xNx表現(xiàn)為p簡并半導(dǎo)體特征。從圖2看出,N 摻雜將會在TiO2中引入相對獨立的雜質(zhì)能級,這樣電子-空穴對的復(fù)合概率降低,使TiO2的光催化活性顯著提高。簡單來說,帶隙寬度的減小和雜質(zhì)能級的引入,使電子從價帶躍遷到雜質(zhì)能級,即吸收了長波光子,導(dǎo)致TiO2吸收光譜產(chǎn)生紅移,有利于金紅石TiO2的可見光響應(yīng)范圍[20,27]。

        圖2 TiO2-xNx體系的能帶結(jié)構(gòu):x=0(a)、0.062 5(b)、0.125(c)、0.25(d)Fig.2 Band gap structure of TiO2-xNx system:x=0(a),0.0625(b),0.125(c),0.25(d)

        分析了TiO2-xNx體系的態(tài)密度,如圖3所示。從圖3a 看出,未摻雜TiO2體系的導(dǎo)帶主要是由Ti-3d軌道和部分O-2p 軌道構(gòu)成,而價帶主要由O-2p 軌道和部分Ti-3d 軌道雜化耦合而成。從圖3b、c、d看出,在費米能級附近出現(xiàn)一個新的態(tài)密度峰值,這個峰值恰好是由N 原子的摻雜引起,由N-2p 軌道引起的新態(tài)密度峰值增強了TiO2的態(tài)密度分布。N 摻雜的TiO2-xNx體系中O-2p、Ti-3d、N-2p 軌道相互協(xié)同作用,提高了N 摻雜后TiO2體系的光催化活性[28]。

        綜上所述,當(dāng)用可見光照射TiO2-xNx體系時,載流子在帶間將發(fā)生遷移。而摻雜引入的雜質(zhì)能級降低了空穴和電子之間的再結(jié)合概率,從而改善了材料的光催化性能。

        2.2 光電特性

        2.2.1 介電函數(shù)

        在線性響應(yīng)范圍內(nèi),半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)(吸收系數(shù)、折射系數(shù)和反射系數(shù)等)與介電函數(shù)有關(guān),可用ε(ω)=ε1(ω)+iε2(ω)來描述。它們可由以下關(guān)系得到[15,29]:

        式中:ε(ω)為介電函數(shù);ε1(ω)為介電實部;ε2(ω)為介電虛部;ω為波角頻率函數(shù);ω′為波角頻率函數(shù)微分項;p為積分的主值。

        介電函數(shù)一般為能量特征和光譜性質(zhì)之間的橋梁,因此光譜性質(zhì)可由介電函數(shù)結(jié)合材料的能帶和態(tài)密度來解釋。圖4 為TiO2-xNx體系的介電函數(shù)。從圖4a 看出,在波長為300~800 nm TiO2-xNx體系的介電函數(shù)先增加后緩慢降低,當(dāng)N 元素摻雜量增加時體系的介電函數(shù)會隨之增加一定的范圍,而當(dāng)x=0.062 5 時其介電值變化最為明顯。說明摻雜N 元素能使體系的極化能力增強,因此光電強度也同步增加、光電載流子在晶體中的運動速度變快、束縛電荷的能力增強。

        圖4 TiO2-xNx體系的介電函數(shù):實部(a),虛部(b)Fig.4 Dielectric function of TiO2-xNx system:real part(a),imaginary part(b)

        與未摻雜TiO2體系相比,對于介電虛部而言,在波長為300~500 nm,隨著N 元素的摻入體系的光躍遷強度發(fā)生改變,其中x=0.062 5 時光躍遷強度最大。說明摻雜一定量的N 元素能夠使TiO2-xNx體系的電子在可見光譜范圍內(nèi)的光學(xué)躍遷增強,并且x=0.125時躍遷效果更為明顯。在圖4b中,在整個可見光區(qū)域內(nèi)純TiO2的光吸收開始位置在380 nm左右,在波長大于380 nm范圍內(nèi)光吸收就變得比較微弱,甚至接近于零,與實驗結(jié)果相一致;而其余3種N摻雜體系都不同程度地提高了介電函數(shù)虛部的值,表明這3 種體系對可見光都具有良好的響應(yīng)效果[30]。對比這3種摻雜情況可以得出,當(dāng)x=0.062 5時對提高材料對可見光的響應(yīng)能力優(yōu)于其他TiO2-xNx體系。從圖3 看出,O-2p 軌道和N-2p 軌道構(gòu)成了2Π 軌道,電子在其軌道與導(dǎo)帶中的電子軌道之間躍遷而產(chǎn)生了TiO2-xNx材料的第一峰。

        2.2.2 反射率與折射率函數(shù)

        電子自發(fā)地從高能級躍遷到低能級的過程稱為光的反射,用反射率表示。反射率越高就會有越多的電子釋放能量回到低能級,也就是說從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)的電子數(shù)量越多,對可見光的利用率越高[31]。圖5為TiO2-xNx體系的反射率函數(shù)。從圖5看出,在波長為660~800 nm純TiO2表面對可見光的反射率不高,反射率僅為0.151左右。N摻雜TiO2體系的反射率在波長為300~400 nm 明顯增大,在400~800 nm 緩慢降低。x=0.062 5 時在波長為360 nm 處出現(xiàn)一個反射峰,峰值為0.342,反射能力最強,與介電函數(shù)分析結(jié)果相一致。

        圖5 TiO2-xNx體系的反射率函數(shù)Fig.5 Reflectance function of TiO2-xNx system

        反射率(R)與復(fù)折射率(N)之間有如下關(guān)系:

        式中:R為反射率;N為復(fù)折射率;n為折射率(復(fù)折射率實部);k為消光系數(shù)(復(fù)折射率虛部)。

        由公式n2-k2=ε1和2nk=ε2可以得出TiO2-xNx材料的折射率(n)和消光系數(shù)(k)[32]。圖6 為TiO2-xNx體系的折射率函數(shù)。從圖6a 可知,隨著N 元素摻雜,各波長范圍內(nèi)的折射率指數(shù)增加,x=0.062 5 時折射率最大,在489 nm 處出現(xiàn)一個吸收峰,峰值為3.33。但是,其光子能量和指數(shù)的對應(yīng)關(guān)系不受影響,這是因為折射率指數(shù)主要與O-2p 軌道和Ti-3d軌道有關(guān)。并且摻雜N元素對材料的整體構(gòu)型無太大影響,N和O是同周期相鄰元素,原子最外層電子組態(tài)結(jié)構(gòu)近似。

        圖6 TiO2-xNx體系的折射率函數(shù):實部(a),虛部(b)Fig.6 Refractive index function of TiO2-xNx system(a)real part and(b)imaginary part

        2.2.3 吸收率函數(shù)

        吸收率函數(shù)和介電函數(shù)的關(guān)系為:

        式中:α(ω)為吸收率。

        由公式(1)(2)(5)可知,光吸收系數(shù)α(ω)主要與介電函數(shù)虛部ε2(ω)相關(guān),如圖4b 所示。對摻雜前后體系的光學(xué)吸收系數(shù)進行分析,結(jié)果見圖7。從圖7 看出,在波長為300~800 nm 純TiO2的吸收系數(shù)逐漸降低,直至降為零,對可見光的吸收能力較差。相較于純TiO2體系,在可見光區(qū)內(nèi)N 摻雜的TiO2-xNx體系的吸收系數(shù)明顯增大,均處于零以上,因此N 的摻入會增大TiO2對可見光的吸收利用率,其吸收系數(shù)α的大小順序為αx=0.0625>αx=0.25>αx=0.125>αx=0,與介電函數(shù)的分析結(jié)果吻合。這間接證實了TiO2的光電特性與介電函數(shù)相關(guān)聯(lián),故利用介電函數(shù)的實部和虛部闡述TiO2表面對可見光的反射和吸收過程的合理性[33]。

        圖7 TiO2-xNx體系的吸收率函數(shù)Fig.7 Absorption rate function of TiO2-xNx system

        2.2.4 能量損失函數(shù)

        電子能量損失譜描述了帶電粒子以恒定速度通過物質(zhì)時的能量損失,其定義為負的介電函數(shù)的倒數(shù)虛部[34-35],即:

        式中:E(ω)為能量損失函數(shù)。

        圖8為能量損失函數(shù)圖,該能量損失過程與吸收過程相似,純的TiO2體系在波長為500~800 nm能量損失趨近于零,對可見光響應(yīng)不明顯。而從300~800 nm 可見光范圍來看,N 摻雜的TiO2體系均出現(xiàn)了能量損失迅速減小的現(xiàn)象,這與出現(xiàn)了特征吸收有關(guān)。

        圖8 TiO2-xNx體系的能量損失函數(shù)Fig.8 Energy loss function of TiO2-xNx system

        3 結(jié)論

        采用第一性原理的方法對TiO2-xNx(x=0.062 5、0.125、0.25)的能帶結(jié)構(gòu)、態(tài)密度、介電函數(shù)、折射率函數(shù)、吸收率函數(shù)等進行了理論研究,得出以下結(jié)論。

        1)N 的摻雜使TiO2-xNx(x=0.062 5、0.125、0.25)體系的帶隙寬度減小,同時在其中引入雜質(zhì)能級,利于電子的二次躍遷降低了電子從價帶躍遷到導(dǎo)帶所需的能量,顯著提高了該體系對可見光的響應(yīng)范圍,并且雜質(zhì)能級能夠使電子-空穴對的復(fù)合概率降低,從而增強TiO2材料的光催化活性。

        2)TiO2-xNx(x=0.062 5、0.125、0.25)體系由O-2p、Ti-3d 和N-2p 軌道雜化而成,當(dāng)x=0.062 5 時體系的極化能力最強,對提高材料對可見光的響應(yīng)能力較強。

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