姚如嬌，龐駿德，景加榮，陳 元，朱勇勇，蔣公羽，肖 育

(上海衛(wèi)星裝備研究所，上海 200240)

小型化質(zhì)譜儀是當(dāng)前質(zhì)譜儀研究的一個重要分支[1-3]，其兼具了良好的質(zhì)量分析性能和輕小型的特點，在原位分析和在線實時監(jiān)測等領(lǐng)域具有獨特的優(yōu)勢。離子阱質(zhì)量分析器具有較高的靈敏度和良好的質(zhì)量分辨率，同時還具備離子存儲和串聯(lián)質(zhì)譜分析的功能，在質(zhì)譜小型化過程中扮演著重要的角色[4-6]。三維(3D)離子阱從離子進(jìn)樣至最終譜圖出現(xiàn)的時間很短，分析效率高[7]。然而，其內(nèi)部離子云被囚禁于中心點，易受空間電荷效應(yīng)的影響，因此對外部離子的存儲效率很低(通常只有1%～10%)[8]，限制了質(zhì)量分析的動態(tài)范圍。線性離子阱(linear ion trap,LIT)是一種二維離子阱，其內(nèi)部的離子云沿軸向中心線呈長條狀排列，顯著提高了離子存儲量和存儲效率，得到了廣泛的關(guān)注[9]。

傳統(tǒng)的線性離子阱一般由2組柱狀電極圍成中心質(zhì)量分析區(qū)域，通常是上下電極為一組，左右電極為另一組，在2組電極上施加幅值相同、相位相反的射頻信號，形成束縛離子的四極場[10]。由于電極數(shù)量的固定，射頻電壓RF的施加方式較為單一。近年來，新型多電極線性離子阱的研究逐漸興起。Jiang等[11]報道了由2對矩形印刷線路板(PCB)和1對平面端蓋電極組成的印刷線路板離子阱(printed circuit board ion trap,PCBIT)，其中，PCB板上繪制多個導(dǎo)電條，通過改變導(dǎo)電條上的分壓比可優(yōu)化修正離子阱內(nèi)部電場，改善質(zhì)量分辨率等重要性能指標(biāo)，其作用類似于采用多個電極，通過對多個電極上電壓值的精確調(diào)節(jié)，修正過度簡化的平面電極造成的四極場畸變。當(dāng)掃描速度為199 Th/s時，PCBIT分析利血平離子(m/z609)獲得的半峰寬(full width at half maximum,FWHM)可達(dá)0.41。Li等[12]在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步增加了導(dǎo)電條的數(shù)量，提出了陣列離子阱質(zhì)量分析器(ion trap array,ITA)，通過在導(dǎo)電條上施加特定的射頻電壓形成多路分析通道，極大地提高了離子分析通量。Wu等[13]提出一種新型線離子阱(linear wire ion trap,LWIT)，僅由2個鉆孔塑料板固定多根金屬細(xì)線組成，加工和裝配精度低，極大地減輕了質(zhì)量，采用多根金屬絲結(jié)構(gòu)取代傳統(tǒng)電極開槽的情況，可避免離子出射過程中受槽口射頻電壓缺失的影響。

本研究團(tuán)隊在之前的報道[14]中提出了由8個相同的柱狀電極圍成中心質(zhì)量分析區(qū)域的新型八電極線性離子阱(octa-electrode linear ion trap,OeLIT)，以斜邊電極為例，配合特定的不平衡射頻RF電壓施加方式，m/z610離子的質(zhì)量分辨率最高可達(dá)3 660，離子單向出射效率最高達(dá)到91%。在后續(xù)的研究中，進(jìn)一步模擬了3種電極結(jié)構(gòu)發(fā)生偏移的情況，在不改變結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，僅通過優(yōu)化射頻電壓參數(shù)就可實現(xiàn)性能自修復(fù)，分析性能與最優(yōu)結(jié)構(gòu)參數(shù)時的結(jié)果相當(dāng)。理論研究表明，OeLIT對自身電極加工和裝配精度的要求較低，可應(yīng)用于多振動等惡劣工作場景，為復(fù)雜環(huán)境的現(xiàn)場應(yīng)急檢測提供了新思路[15]。

前期關(guān)于OeLIT的研究都是基于理論模擬進(jìn)行的，并沒有經(jīng)過實驗驗證。本研究將根據(jù)前期模擬研究中所得的最優(yōu)參數(shù)模型，設(shè)計加工并組裝八電極線性離子阱實物，搭建電噴霧電離源質(zhì)譜儀系統(tǒng)，在施加傳統(tǒng)的平衡射頻電壓模式下，驗證其質(zhì)量分辨率、靈敏度以及離子碰撞誘導(dǎo)解離等分析性能。

1 實驗部分

1.1 八電極線性離子阱的設(shè)計加工與組裝

本實驗室前期對斜邊八電極線性離子阱進(jìn)行了充分的理論模擬研究，得到具有優(yōu)秀分析性能的參數(shù)模型[14]，示于圖1a。八電極線性離子阱由8個斜邊柱狀電極和1對金屬端蓋電極組成，斜邊柱狀電極的長度為40 mm，同側(cè)2個斜邊電極組成的角度α為140°，間距d為0.8 mm，場半徑r0為5 mm，據(jù)此結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計加工該線性離子阱。斜邊柱狀電極選用耐腐蝕性極好的316L不銹鋼材料，采用慢走絲、半精加工和精加工等相結(jié)合的方式加工成型，尺寸公差在5 μm以內(nèi)，表面粗糙度≤0.8 μm。端蓋電極采用厚度0.5 mm的不銹鋼片慢走絲加工而成，平面度公差0.01 mm。固定斜邊電極的氧化鋯陶瓷固定座是斜邊電極安裝的基準(zhǔn)，采用磨床加工成型，尺寸公差10 μm，各形位公差0.01 mm。通過聚醚醚酮(PEEK)材質(zhì)的安裝座保證透鏡與阱的安裝精度，PEEK具有良好的可加工性和電絕緣性能，同時在真空環(huán)境中揮發(fā)性低，可避免對真空環(huán)境和實驗過程的污染。

裝配精度直接影響斜邊八電極線性離子阱的總體精度，從而影響分析性能，因此裝配過程的精度控制十分重要[16]。8個斜邊柱狀電極間的位置公差通過高精度的氧化鋯陶瓷固定座進(jìn)行定位，通過定制的工裝將斜邊柱狀電極與陶瓷固定座精密配合固定，整個安裝過程均在無塵的大理石平臺上完成，并使用精密杠桿千分尺對各個柱狀電極進(jìn)行輔助定位。完成柱狀電極部分的安裝后，再通過工裝定位將端蓋電極連接到斜邊柱狀電極的兩端。端蓋電極為帶圓孔的圓片，其中圓片上方存在一個細(xì)長凸起，用于導(dǎo)線連接。端蓋電極用PEEK絕緣件上的圓孔進(jìn)行定位，并保證與柱狀電極的兩端平行。離子阱的最外側(cè)支架采用6061-T6鋁材料加工，用于將離子阱固定在腔體上。組裝完成的離子阱示于圖1b，整個八電極線性離子阱尺寸為62 mm×36 mm×44 mm，同側(cè)2個斜邊電極的間距d為(0.8±0.005) mm，場半徑r0為(5±0.01) mm。

注：a.截面圖；b.實物圖圖1 斜邊八電極線性離子阱Fig.1 Octa-electrode linear ion trap featuring bevel shaped electrodes

1.2 電噴霧電離源質(zhì)譜儀系統(tǒng)

為了測試八電極線性離子阱的分析性能，本實驗室自行設(shè)計搭建了電噴霧電離源(electrospray ionization,ESI)質(zhì)譜儀系統(tǒng)，其結(jié)構(gòu)示于圖2，整機(jī)長寬高分別為800、640和588 mm，采用三級差分抽氣的不銹鋼真空系統(tǒng)。第一級真空腔使用機(jī)械泵VDN401(ULVAC公司產(chǎn)品)進(jìn)行抽取，抽速為11.17 L/s，真空度為80～200 Pa；第二級和第三級真空腔均使用hipace300分子泵(普發(fā)公司產(chǎn)品)進(jìn)行抽氣，抽速約為 300 L/s，真空腔的真空度分別可達(dá)10-1、10-3Pa。

圖2 電噴霧電離源質(zhì)譜儀系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖Fig.2 Instrument set of the electrospray ionization source-based mass spectrometer

ESI是一種大氣壓電離源(atmospheric pressure ionization,API)，相對于其他API源，不僅能產(chǎn)生多電荷離子，還能與液相色譜、毛細(xì)管電泳聯(lián)用，且接口較為簡單[17-18]。目前，幾乎所有具有API源接口的商業(yè)儀器均提供ESI源。離子傳輸毛細(xì)管位于第一級真空腔，用于離子傳輸。傳輸毛細(xì)管長度為105 mm，內(nèi)徑為0.5 mm，其溫度在25～200 ℃范圍內(nèi)可調(diào)。傳輸毛細(xì)管的后方設(shè)有1個不銹鋼采樣錐，錐孔內(nèi)徑為2 mm。第二級真空腔內(nèi)采用六極桿進(jìn)行離子傳輸。離子阱電極上方設(shè)置1個電子倍增器，檢測質(zhì)量分析過程中彈出的離子。

液體樣品由液相流動蠕動泵注入ESI產(chǎn)生噴霧，在真空腔與大氣壓之間氣壓差的作用下進(jìn)入傳輸毛細(xì)管中加熱去溶劑化，產(chǎn)生的離子通過采樣錐孔進(jìn)入第二級真空腔。第二級真空腔內(nèi)的離子導(dǎo)引對離子束進(jìn)一步的聚焦和傳輸，使其進(jìn)入第三級真空腔。在第三級真空腔中，八電極線性離子阱前端蓋電極的前方設(shè)有2個透鏡(L1、L2)傳輸離子，可以調(diào)整優(yōu)化離子進(jìn)入離子阱的初始運(yùn)動狀態(tài)。在八電極離子阱一側(cè)上方安裝電子倍增器，其正常工作電壓設(shè)置為-1 300 V。

實驗過程中，離子光學(xué)透鏡上施加的直流電壓固定為經(jīng)過系統(tǒng)優(yōu)化后的最佳值，其參數(shù)列于表1。此外，設(shè)置離子源溫度50 ℃，傳輸毛細(xì)管溫度140 ℃；采用傳統(tǒng)的模擬射頻掃描模式，即通過掃描射頻RF的幅值實現(xiàn)質(zhì)量分析。

表1 離子光學(xué)透鏡電壓參數(shù)Table 1 Voltage parameters of ion optical lens

1.3 電路系統(tǒng)

ESI質(zhì)譜儀的電路系統(tǒng)主要包括測控系統(tǒng)、射頻(radio frequency,RF)電源、輔助共振激發(fā)(auxiliary excitation,AC)電路、直流高壓電源和數(shù)據(jù)采集模塊等。測控系統(tǒng)采用ARM和FPGA進(jìn)行設(shè)計，主要實現(xiàn)氣路系統(tǒng)控制、射頻幅度掃描控制、質(zhì)量分析時序控制、數(shù)據(jù)采集和傳輸?shù)裙δ?。測控系統(tǒng)還包含12路直流輸出信號，每路直流信號輸出的幅值可調(diào)，分別施加于離子透鏡，實現(xiàn)離子的傳輸與聚焦。

質(zhì)譜儀所用的射頻電源、直流高壓電源和數(shù)據(jù)采集模塊均為本實驗室自行研制，其中射頻電源包括離子導(dǎo)引射頻電源和八電極離子阱驅(qū)動射頻電源，輸出的射頻信號皆為正弦波，頻率分別為1.113和0.96 MHz。本實驗中，八電極線性離子阱驅(qū)動射頻電源輸出傳統(tǒng)的平衡射頻電壓信號，示于圖3。上下2對電極和左右2對電極分別施加幅值相同、相位相反的RF信號，在八電極線性離子阱內(nèi)部形成四極場以束縛離子。離子共振激發(fā)采用偶極激發(fā)模式，共振激發(fā)AC信號由測控系統(tǒng)給出，通過2個完全相同的次級線圈耦合到射頻RF上，從而施加到離子阱電極，主要用于實現(xiàn)離子出射、碎裂、質(zhì)量選擇性隔離與質(zhì)量選擇性彈出。

圖3 射頻電壓和共振激發(fā)電壓的施加方式Fig.3 Radio frequency power supply and auxiliary resonance excitation signal connection

直流高壓電源系統(tǒng)控制3路高壓模塊輸出，分別施加于電噴霧電離源、打拿極和電子倍增器。數(shù)據(jù)采集模塊包括前級放大和數(shù)模轉(zhuǎn)換兩塊電路，將采集到的電流信號直接放大107倍，經(jīng)過低通濾波器濾波后進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)化(采樣率100 kps)，最終采集到的數(shù)據(jù)傳輸至測控系統(tǒng)，由測控系統(tǒng)反饋給計算機(jī)，得到質(zhì)譜圖。

2 結(jié)果與討論

2.1 質(zhì)量分辨率

本實驗采用利血平(reserpine,m/z609，上海阿拉丁試劑有限公司產(chǎn)品)為樣品，以50%甲醇-50%水(加入0.1%甲酸)為溶劑，配制10 mg/m3的溶液。采用自動注射泵進(jìn)樣，推注速度為10 μL/min。線性動態(tài)范圍實驗中，樣品為25羥基維生素D2梯度濃度標(biāo)準(zhǔn)溶液(25-OH-D2,m/z413，江蘇汭博醫(yī)療科技有限公司產(chǎn)品)。

為保證實驗測試的準(zhǔn)確性，采用利血平的2個碎片離子m/z397、577作為基準(zhǔn)進(jìn)行質(zhì)量軸標(biāo)定，對2個點的電壓值和質(zhì)量數(shù)做線性擬合，將整個x軸電壓值轉(zhuǎn)化為質(zhì)量數(shù)，標(biāo)定后對照分子離子峰，確定質(zhì)量標(biāo)定的準(zhǔn)確性。

電噴霧電離源質(zhì)譜儀的工作過程主要包括離子引入、離子冷卻、質(zhì)量分析和離子清空4個階段。離子引入階段時間為50 ms，射頻電壓RF幅值為400 V(p-p)，八電極線性離子阱前端蓋電極上的電壓為-1.3 V，此時獲得的離子強(qiáng)度最高。離子冷卻階段持續(xù)10 ms，射頻電壓RF幅值保持400 V(p-p)不變，前端蓋電壓拉高至60 V，與后端蓋電壓保持一致。質(zhì)量掃描階段，射頻電壓RF幅值從1 400 V(p-p)掃描至1 800 V(p-p)，共振激發(fā)信號AC的頻率為0.235 MHz，對應(yīng)的離子出射q值為0.629。AC幅值為優(yōu)化后的最佳值，由 0.3 V逐漸增加至0.8 V。整個分析過程中，后端蓋電壓始終固定為60 V。

質(zhì)量分辨率是判別離子阱質(zhì)量分析器性能優(yōu)劣的重要指標(biāo)之一，直觀反映離子阱分析物質(zhì)的準(zhǔn)確性和精度。影響質(zhì)量分辨率的因素很多，如射頻電壓掃描速度、離子阱機(jī)械加工精度、電極結(jié)構(gòu)參數(shù)和電壓參數(shù)配置等[10]。其中，射頻電壓幅值的掃描速度對離子阱的質(zhì)量分辨率影響尤為顯著，通常降低射頻電壓掃描速度可以有效地提升質(zhì)量分辨率。在射頻電壓幅值掃描范圍固定的情況下，可以通過改變質(zhì)量分析階段的時間來改變掃描速度，掃描時間越短，掃描速度越快。在不同掃描速度下，產(chǎn)生的利血平質(zhì)譜圖示于圖4，對應(yīng)的掃描速度分別為765、6 400、12 400 u/s。為消除單張譜圖存在的隨機(jī)性誤差，本實驗采用5次數(shù)據(jù)采集平均后的譜圖作為最終顯示結(jié)果。當(dāng)掃描速度為765 u/s時，利血平離子峰(m/z609)與其同位素峰(m/z610)的峰寬較細(xì)，且兩峰大致在10%處分開。m/z609離子峰的FWHM為0.3，可以計算得到對應(yīng)的分辨率為2 030，優(yōu)于結(jié)構(gòu)類似的三角形電極離子阱(triangular-electrode linear ion trap,TeLIT)的實驗分析結(jié)果[20]。這得益于八電極線性離子阱將傳統(tǒng)單側(cè)一整塊電極改成2塊離散電極的形式，可以更方便地調(diào)整離散電極距離，優(yōu)化阱內(nèi)電場分布，進(jìn)而弱化了離子引出槽帶來的不良影響[15]。隨著掃描速度的提高，分辨率逐漸降低，尤其當(dāng)掃描速度提升至124 00 u/s時，兩峰已完全無法分開，此時計算分辨率也毫無意義。在正弦波掃幅模式中，較慢的掃描速度意味著離子在阱中運(yùn)動的時間越長，有更充分的時間被依次移出穩(wěn)定區(qū)出射，從而提高質(zhì)量分辨率。正如之前的報道[21]指出，在質(zhì)量不穩(wěn)定的掃描模式下，離子阱的質(zhì)量分辨率與離子在共振激發(fā)場中相互作用的時間成正比。

注：a.765 u/s；b.6 400 u/s；c.12 400 u/s圖4 不同掃描速度時，八電極線性離子阱質(zhì)量分辨率Fig.4 Mass resolutions of OeLIT with different scan rates

2.2 靈敏度

靈敏度通常指相對靈敏度，是反映質(zhì)譜儀整體性能的一項指標(biāo)，通過一定濃度樣品產(chǎn)生的信號強(qiáng)度(S)和噪聲信號強(qiáng)度(N)的比值S/N來體現(xiàn)[10]。本實驗采用10 mg/m3的利血平(m/z609)標(biāo)準(zhǔn)樣品，初步測試了八電極線性離子阱的靈敏度，示于圖5。m/z609的離子峰信號強(qiáng)度約為5 500，背景噪音峰的最高強(qiáng)度約為120，計算出靈敏度為45.8。

圖5 利血平質(zhì)譜圖Fig.5 Mass spectrum of reserpine

對于離子阱質(zhì)譜儀而言，靈敏度與質(zhì)量分辨率成反比關(guān)系，隨著質(zhì)量分辨率的提高，靈敏度會顯著下降。較慢的掃描速度在提高質(zhì)量分辨率的同時，會降低離子阱的靈敏度。因為離子在施加激發(fā)場的離子阱中運(yùn)動時間越長，越容易發(fā)生碰撞解離或碰撞電極丟失，導(dǎo)致離子信號強(qiáng)度降低[21]。本研究中，設(shè)置掃描速度分別為483、580、725、967、1 450、2 900 u/s。掃描速度與離子信號強(qiáng)度的變化關(guān)系示于圖6，由圖可見，掃描速度與離子豐度成正比，掃描速度越快，離子豐度越高，意味著靈敏度越高。因此，實際分析中需要綜合考慮質(zhì)量分辨率與靈敏度，以選擇合適的掃描速度。

圖6 掃描速度與離子豐度的關(guān)系Fig.6 Relationship between scanning rate and ion intensity

2.3 離子碰撞誘導(dǎo)解離

串聯(lián)質(zhì)譜分析是離子阱質(zhì)譜最顯著的特征[22]，可以在單一質(zhì)譜儀上獲得樣品組成和分子結(jié)構(gòu)等多重信息[23]。由于部分離子可能存在多電荷狀態(tài)，相同質(zhì)荷比的不同離子只有通過串聯(lián)質(zhì)譜分析才能進(jìn)一步區(qū)分。碰撞誘導(dǎo)解離(collision-induced dissociation,CID)是一種常用的離子阱產(chǎn)生碎片離子的有效方法，根據(jù)碎片離子可以準(zhǔn)確推斷母離子結(jié)構(gòu)。

本研究選用利血平(m/z609)進(jìn)行碰撞誘導(dǎo)解離實驗，碎裂前后的質(zhì)譜圖示于圖7。CID階段時間為100 ms，射頻電壓RF的幅值為1 200 V，共振激發(fā)電壓AC的頻率為0.168 MHz，幅值為0.32 V。母離子在RF和AC的共同作用下，運(yùn)動加劇并與緩沖氣發(fā)生碰撞，使母離子的動能轉(zhuǎn)化為內(nèi)能，發(fā)生碎裂產(chǎn)生子離子。母離子m/z609數(shù)量減少，產(chǎn)生豐度較高的子離子峰，得到m/z365、397、436、448、577碎片離子，其中m/z448的子離子峰最高，示于圖7b。此碎裂子離子的譜圖與之前報道[25-26]的利用電噴霧離子阱質(zhì)譜儀進(jìn)行利血平的碰撞誘導(dǎo)解離結(jié)果一致。本實驗分別對碰撞前的母離子峰和碰撞后產(chǎn)生的子離子峰面積進(jìn)行積分，計算出子離子與母離子強(qiáng)度之比為36%，即CID效率為36%。CID實驗結(jié)果表明，八電極線性離子阱具備串聯(lián)質(zhì)譜分析的能力。

圖7 利血平(m/z 609)的母離子(a)和碎片離子(b)質(zhì)譜圖Fig.7 Mass spectra of precursor ion (a) and fragment ions (b) for reserpine (m/z 609)

本實驗最終獲得的CID效率不高，一方面是因為實驗中并未通入緩沖氣，僅靠背景氣體、離子與離子之間的相互碰撞發(fā)生碎裂，造成碰撞不充分；另一方面，由于離子阱存在低質(zhì)量截止值(low mass cutoff,LMCO)[27-28]，低于m/z300的離子無法被觀測到，使得低質(zhì)量碎片產(chǎn)物無法被計算在內(nèi)。進(jìn)一步通入緩沖氣，并采用降低碰撞q值[27]、三重四極聯(lián)用[29]或者脈沖q值解離[30]等可降低碎片離子測量過程中低質(zhì)量截止效應(yīng)的方法，可以獲得更多有關(guān)母離子結(jié)構(gòu)的信息，提升離子碎裂效率。

2.4 線性動態(tài)范圍

為了驗證八電極線性離子阱的定量分析能力，本研究選取標(biāo)準(zhǔn)濃度的25羥基維生素D2(m/z413)作為測試樣品。選取的濃度分別為50、100、1 000、3 000、10 000 mg/m3，考慮到注推泵進(jìn)樣精度不夠的問題，使用了精度更高的液相色譜(SHIMADZU UFLC XR)來完成單次進(jìn)樣，設(shè)置單次進(jìn)樣體積為1 μL，不通過色譜柱。在分析過程中，如果對25羥基維生素D2母離子的離子流峰面積進(jìn)行積分定量，容易造成定量誤差，因為可能存在與被測樣品相同質(zhì)荷比的雜質(zhì)。為了排除該類干擾，本研究采用監(jiān)測特征子離子的方式，通過計算子離子的峰面積進(jìn)行定量。

實驗中，首先將25羥基維生素D2進(jìn)行碰撞誘導(dǎo)解離，各電壓信號參數(shù)設(shè)置基本不變，觀察碎片離子質(zhì)譜圖，得出特征子離子。m/z413母離子產(chǎn)生的碎片離子峰譜圖示于圖8，其中m/z377的子離子豐度最強(qiáng)，因此選擇其作為監(jiān)測對象進(jìn)行積分定量。對不同濃度的25羥基維生素D2進(jìn)樣后，發(fā)生碰撞誘導(dǎo)解離，產(chǎn)生總離子流，抽提其中m/z377的子離子流并對其峰面積進(jìn)行積分。以濃度(x)對應(yīng)峰面積(y)進(jìn)行線性擬合，得到的擬合曲線示于圖9。在50～10 000 mg/m3區(qū)間內(nèi)，不同濃度水平測得的標(biāo)準(zhǔn)曲線能夠保持良好的線性關(guān)系，線性回歸方程為y=734.2x+285 285，線性相關(guān)系數(shù)r=0.997，線性動態(tài)范圍可達(dá)4個數(shù)量級。

圖8 25羥基維生素D2(m/z 413)的碎片離子質(zhì)譜圖Fig.8 Mass spectrum of fragment ions for 25-OH-D2 (m/z 413)

圖9 不同濃度25羥基維生素D2的定量線性曲線Fig.9 Quantitative linear curve of 25-OH-D2 with different concentrations

3 結(jié)論

本文以模擬分析結(jié)果為基礎(chǔ)，開展了八電極線性離子阱實物的加工和組裝工作，并在自主搭建的電噴霧電離源質(zhì)譜儀平臺上驗證其質(zhì)量分析性能。研究掃描速度對質(zhì)量分辨率和靈敏度的影響，實現(xiàn)了離子碰撞誘導(dǎo)解離，獲得了良好的質(zhì)量分辨率、靈敏度，并完成了4個數(shù)量級范圍內(nèi)的線性定量。本研究采用傳統(tǒng)的平衡射頻電壓施加方式，八電極離子阱的質(zhì)量分辨率優(yōu)于類似結(jié)構(gòu)的三角形電極離子阱在相同電壓施加模式下的實驗結(jié)果，表明八電極離子阱結(jié)構(gòu)有利于提升質(zhì)量分析性能。下一步將開展施加非平衡射頻電壓下八電極線性離子阱的性能研究，進(jìn)一步完善實驗結(jié)果與模擬結(jié)果一致性的驗證。