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        離子色譜在元器件腐蝕失效分析中的應(yīng)用研究*

        2022-06-02 14:41:10石延輝蔡金寶甘卿忠何勝宗
        電子器件 2022年1期
        關(guān)鍵詞:案例污染分析

        石延輝 ,蔡金寶 ,甘卿忠 ,何勝宗* ,牛 崢

        (1.中國南方電網(wǎng)有限責(zé)任公司超高壓輸電公司廣州局,廣東 廣州 510663;2.工業(yè)和信息化部電子第五研究所,廣東 廣州 510610)

        戶外使用的電力、通信、軍用電子產(chǎn)品外部環(huán)境復(fù)雜,污染導(dǎo)致的腐蝕失效是電子元器件常見的失效方式之一[1-4]。引起電子元器件污染、腐蝕的源頭和過程較為復(fù)雜,包括元器件自身的制造工藝殘留物,生產(chǎn)組裝過程中的工藝殘留物、人體污染,應(yīng)用環(huán)境中的大氣污染[3-4]、海水[5,7-8]、灰塵、微生物污染[6],以及產(chǎn)品自身材料的非正常釋放。

        在工程應(yīng)用中,污染、腐蝕失效通常是指產(chǎn)品在生產(chǎn)、組裝、使用過程中,工藝殘留物、外來異物污染導(dǎo)致產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)、質(zhì)量發(fā)生變化,或因?yàn)槲廴疚飻y帶可導(dǎo)電離子,引入附加導(dǎo)電通道,導(dǎo)致元器件的金屬材料發(fā)生腐蝕、遷移,從而影響元器件的性能、功能[9-10]。例如:銅線鍵合點(diǎn)Cl-腐蝕導(dǎo)致鍵合界面拉脫造成開路失效[11];晶體振蕩器內(nèi)部石英晶片外來有機(jī)異物引起頻率偏移甚至停振;PCB 表面殘留的Na+、K+可導(dǎo)電離子引起漏電、電化學(xué)遷移失效[10]等。電子元器件污染、腐蝕失效通常具有微量化、難以定位來源的特點(diǎn),給失效分析以及預(yù)防控制工作造成極大的困難。因此,如何檢驗(yàn)、識別、定位失效電子元器件的污染源,成為元器件腐蝕失效分析中的關(guān)鍵。

        在電子產(chǎn)品失效分析領(lǐng)域,傳統(tǒng)腐蝕失效分析手段主要包括形貌特征分析、絕緣阻抗測試、微區(qū)X 射線能譜分析(Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy,EDS)以及紅外光譜分析[12]。EDS 是利用各種元素具有獨(dú)特的X 射線特征波長,對高分子、陶瓷、礦物、金屬材料的表面微區(qū)成分進(jìn)行定性和半定量分析。然而,EDS 元素成分檢測精度相對較低,對有機(jī)腐蝕、離子腐蝕的辨別能力有限。作為一種傳統(tǒng)的液相色譜檢測、分析手段,離子色譜操作簡便、快速,靈敏度高、選擇性好[13],能夠同時測定多種組分,目前主要用在石化、冶金、環(huán)保、醫(yī)藥、衛(wèi)生防疫、半導(dǎo)體制造業(yè)等領(lǐng)域[14],但在電子元器件失效分析中的應(yīng)用并不多見[15]。

        本文主要研究離子色譜在元器件腐蝕失效分析中的應(yīng)用。通過幾種不同類別電子產(chǎn)品失效案例,研究離子色譜檢測在板面殘留、工藝輔料、產(chǎn)品包封料、環(huán)境異物中污染腐蝕源的檢驗(yàn)和分析方法,并利用傳統(tǒng)的形貌觀察、絕緣阻抗測試、EDS 成分分析、環(huán)境試驗(yàn)等方式對結(jié)果進(jìn)行有效性驗(yàn)證。同時,明確離子色譜檢驗(yàn)方法在電子元器件腐蝕失效分析中的應(yīng)用場景、取樣方法和結(jié)果分析方法。

        1 典型污染腐蝕源

        電子元器件污染具有隨機(jī)性和批次特征,通常是在制造、組裝過程中因工藝殘留、交叉污染導(dǎo)致的,主要有四種類型:

        (1)工藝殘留:通常是生產(chǎn)工藝中使用了化學(xué)品,因清洗處理不干凈而殘留在產(chǎn)品上,包括殘留和工序交叉污染;

        (2)外來物污染:工藝過程中對外來物控制不到位引起的污染,如塵埃及其他顆粒;

        (3)人體污染:作業(yè)過程人體接觸引入人體特有的污染,如汗水、飛沫、皮屑等;

        (4)環(huán)境污染:環(huán)境中有害氣體、液體的侵蝕,微生物污染,如SO2、H2S、HCl 氣體、酸雨、鹽霧以及微生物糞便、尸體等。如果污染源攜帶了腐蝕性離子,通??赡苓M(jìn)一步發(fā)展為腐蝕。

        元器件腐蝕主要有三種類型:

        (1)有害元素(或離子)接觸元器件的金屬部分,直接腐蝕,如氧氣直接腐蝕;

        (2)有水共同作用的腐蝕:腐蝕性元素在水的作用下對元器件的金屬進(jìn)行的腐蝕,如Cl-對金屬的腐蝕,首先是Cl-與金屬作用形成氯化物,氯化物水解后Cl-又可以參與新的腐蝕過程,持續(xù)不斷;

        (3)電化學(xué)腐蝕:金屬電極在電場、水、離子(可電離)的條件下,陽極金屬被逐步腐蝕。包括化學(xué)原電池腐蝕和外電場作用的腐蝕。

        在工程失效分析案例中,電子元器件污染、腐蝕失效具有普遍性和隨機(jī)性,隨著電子元器件集成化、小型化,工藝復(fù)雜化,微量的污染或者吸附都能夠?qū)υ骷男阅墚a(chǎn)生影響[15],通常在初期難以被識別和檢驗(yàn)出來,而是隨元器件使用一段時間后才逐漸表現(xiàn)出來。這給產(chǎn)品失效分析特別是外場失效分析工作帶來極大困難。

        2 失效案例

        2.1 分析樣品

        電子元器件污染腐蝕失效出現(xiàn)部位較為廣泛,主要包括元器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)、不同材料界面、產(chǎn)品表面以及外部環(huán)境導(dǎo)致的污染;另一方面,污染腐蝕來源也具有復(fù)雜性,為了所研究的污染腐蝕失效問題具有代表性,選取以下四個典型失效案例作為分析對象,來研究離子色譜檢測的具體應(yīng)用過程。

        (1)案例A:塑封集成電路腐蝕。某型號塑封集成電路在可靠性環(huán)境試驗(yàn)、應(yīng)用過程中,出現(xiàn)一定比例因內(nèi)部芯片金屬化鋁條腐蝕導(dǎo)致的失效,腐蝕性元素為氯。被腐蝕的金屬化鋁條位于芯片玻璃鈍化層下方,部位微??;另一方面,塑封器件屬于非密封器件,外部水汽、氣體可以滲透至芯片表面,腐蝕發(fā)生在金屬化鋁條上,腐蝕源可能與芯片流片、封裝工藝有關(guān)系。因此,分析難點(diǎn)在于明確腐蝕源頭及腐蝕機(jī)理。

        (2)案例B:貼片電阻遷移。某型號貼片厚膜電阻在市場使用一段時間后,出現(xiàn)焊料遷移失效的比例較高。因失效電阻位于三防漆下方,三防漆、電阻包封層等都可以起到保護(hù)作用,但仍出現(xiàn)焊料遷移,需要查找導(dǎo)致遷移的離子,并查找來源。分析難點(diǎn)在于辨別離子的種類及其來源。

        (3)案例C:功率模塊燒毀。某電機(jī)驅(qū)動板使用一段時間后出現(xiàn)炸機(jī)失效,內(nèi)部芯片燒毀形貌,初步EDS 分析燒毀部位及板面存在Cl、Na 等異常元素成分。因驅(qū)動板元器件及相關(guān)材料較多,組裝過程中涉及到人員裝配過程,使用過程中也可能由外部環(huán)境引入污染,因此查找異常元素來源相對困難。

        (4)案例D:電控板腐蝕。電控板為廚房電器控制板,失效樣品電控表面出現(xiàn)液漬殘留、銅箔發(fā)暗、電阻發(fā)黑等明顯污染腐蝕的形貌特征,導(dǎo)致電控失效。分析難點(diǎn)在于明確液漬與銅箔變色的關(guān)系,并查找污染、腐蝕物的來源。

        2.2 實(shí)驗(yàn)方法

        為了呈現(xiàn)污染、腐蝕的形貌特征,表征相應(yīng)的失效模式(即電性能失效表現(xiàn)),查找引起污染、腐蝕的源頭,利用以下幾種方法對腐蝕失效案例開展分析,同時進(jìn)行綜合對比。

        (1)形貌特征觀察。通常的污染腐蝕失效案例中,都會呈現(xiàn)出不同程度的污染、腐蝕的形貌特征,因此可以利用光學(xué)立體或金相顯微鏡、掃描電子顯微鏡對腐蝕部位進(jìn)行宏觀、微觀形貌特征觀察,以此初步判斷腐蝕部位、腐蝕產(chǎn)物等特征;

        (2)電性能測試。通常包括:阻值測試、漏電流測試、絕緣電阻測試。通過被污染、腐蝕的元器件的關(guān)鍵數(shù)據(jù),以辨別污染、腐蝕的程度;

        (3)EDS 成分分析。利用微區(qū)元素分析成分可以定性、半定量地對腐蝕產(chǎn)物、可疑異物進(jìn)行元素分析。為進(jìn)一步開展紅外光譜、離子色譜分析提供依據(jù)。

        (4)紅外光譜分析。利用物質(zhì)的紅外吸收光譜差異,對物質(zhì)的分子進(jìn)行分析和鑒定,通常被應(yīng)用于有機(jī)物的鑒別上。在電子產(chǎn)品領(lǐng)域,通常被用于三防漆、助焊劑、灌封膠等工藝材料的分析和鑒別。

        (5)離子色譜分析(Ion Chromatography,IC)。利用離子交換原理,連續(xù)對共存的多種陰離子或陽離子進(jìn)行分離、定性和定量的方法。在失效分析領(lǐng)域,主要是對腐蝕部位以及可疑材料進(jìn)行陰、陽離子檢測,以識別可導(dǎo)電性的離子種類及相對濃度??梢詸z測物體表面、顆粒物或粉末、液體的離子。在本研究中,對表面污染腐蝕采用有機(jī)溶劑萃取法制取檢測試劑;對于固體材料則先進(jìn)行研磨粉碎后,再利用有機(jī)溶劑進(jìn)行溶解、浸泡萃取檢測試劑。

        3 結(jié)果與討論

        3.1 分析結(jié)果

        污染、腐蝕案例的失效分析過程通常是利用上述方法,逐一對可疑的污染源進(jìn)行鑒別、分析,從而找出引起產(chǎn)品失效的機(jī)理過程和根本原因。對前述四個典型案例的分析結(jié)果如表1 所示。

        表1 失效分析結(jié)果匯總

        3.2 分析案例討論

        3.2.1 塑封器件注塑材料檢測

        案例A 呈現(xiàn)的是集成電路內(nèi)部金屬化腐蝕,因塑封料和玻璃鈍化層的隔離保護(hù)作用,金屬化鋁條發(fā)生腐蝕需要腐蝕源、水汽(鈍化層保護(hù)失效)、電場(加速失效過程)綜合作用[16-17]。因SEM 檢測到玻璃鈍化層已經(jīng)破裂,塑料中的水汽可以入侵,因此查找腐蝕源成為分析的關(guān)鍵。與腐蝕源相接觸的材料和工序包括:芯片流片、封裝工序以及塑封材料等。元素EDS 能譜分析能夠檢測到極低含量的異常Cl 元素(1.26% wt),再通過將失效批次(F1、F2、F3)和參考批次(R1、R1)集成電路的塑封料進(jìn)行搗碎、粉末化,將粉碎后的塑封料置入有機(jī)溶劑中進(jìn)行陰、陽離子萃取,在相同的溶質(zhì)溶劑條件下進(jìn)行離子濃度含量檢測,結(jié)果如表2 所示。根據(jù)離子濃度檢測結(jié)果,觀察到問題批次的Cl-離子濃度明顯高于參考批次。

        表2 不同批次塑封料陰陽離子檢測結(jié)果

        圖1 案例A 腐蝕形貌及EDS 圖譜

        3.2.2 板面殘留物質(zhì)檢測

        案例B 呈現(xiàn)的是貼片厚膜電阻遷移失效案例。位于三防漆下方的電阻被腐蝕遷移,其可疑污染源包括三防漆、板面殘留、電阻包封層以及外部環(huán)境污染。本例是首先通過對變色區(qū)域進(jìn)行紅外光譜分析,發(fā)現(xiàn)變色區(qū)域的紅外光譜吸收峰峰位與有機(jī)酸鹽的紅外光譜吸收峰峰位一致,說明變色區(qū)域存在有機(jī)酸鹽。同時,電鏡觀察結(jié)果表明銅箔變色是由于表面發(fā)生腐蝕,而能譜分析和紅外光譜分析結(jié)果顯示導(dǎo)致銅箔腐蝕的物質(zhì)有可能是有機(jī)酸、Cl-和Br-等。因此,為了確定失效樣品板面是否存在離子和有機(jī)酸,對失效模塊F1#板面進(jìn)行離子色譜分析,發(fā)現(xiàn)板面只含有少量的Cl-、Br-等離子;采用機(jī)械方法將F2#樣品局部的三防漆去除,暴露出焊點(diǎn)及綠油后再對該位置進(jìn)行離子色譜分析,發(fā)現(xiàn)該位置含有較高的己二酸、丁二酸兩種有機(jī)酸,以及Cl-、Br-等離子。為了檢測全新模塊是否也存在離子和有機(jī)酸,對全新樣品G1#和G2#,采用機(jī)械方法將其相同位置焊點(diǎn)區(qū)域的三防漆去除,并對該區(qū)域進(jìn)行離子色譜分析,結(jié)果顯示全新樣品三防漆下也存在有機(jī)酸、Cl-和Br-等。各樣品的離子色譜分析結(jié)果見表3。

        表3 樣品離子色譜分析結(jié)果

        因此,上述離子色譜檢測結(jié)果表明,模塊板面去除三防漆后發(fā)現(xiàn)較高含量的有機(jī)酸及Cl-、Br-離子,同時全新模塊板面也存在較高含量的這些物質(zhì),說明這些物質(zhì)是在三防漆涂覆前引入的,并非后期產(chǎn)品使用環(huán)境中引入。有機(jī)酸、Cl-和Br-一般作為活性物質(zhì)而添加于助焊劑中,因此可以推斷樣品板面殘留的有機(jī)酸、Cl-和Br-離子來源于助焊劑。

        3.2.3 固體材料摻雜及外來污染物檢測

        案例C 展示的是結(jié)構(gòu)件對電子元器件可靠性的影響。該案例中,除了功率模塊燒毀之外,也出現(xiàn)了板面燒毀、腐蝕,電測板面銅箔的絕緣阻抗,存在明顯下降的現(xiàn)象,通過EDS 元素成分檢測到異常的Na 元素,但受限于可對比的材料紅外光譜特征的缺失,未能通過紅外光譜法識別到可疑污染源。通過對電控板上的塑料結(jié)構(gòu)件進(jìn)行研磨、萃取,制取待檢測溶液,最終檢測到異常的Na+離子。本案例仍然是在EDS 能譜分析結(jié)果的基礎(chǔ)上,通過離子色譜檢驗(yàn)識別到污染源的來源。典型形貌見圖3。

        圖2 案例B 腐蝕形貌及EDS 圖譜

        圖3 案例C 腐蝕、燒毀典型形貌

        案例D 展示的電控板在受到微生物尿液污染后失效的案例,同樣地,在EDS 能譜的基礎(chǔ)上,借助于離子色譜最終確定板面殘留的Na+、Cl-、K+、離子來源于昆蟲類微生物尿液成分。

        4 方法有效性分析與討論

        對于污染、腐蝕分析案例,形貌特征觀察通常較為直觀,通過肉眼或者光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡能夠識別到部分典型形貌特征,但是,在一些污染、腐蝕案例中,不一定能夠完全通過形貌特征觀察到(案例D)。類似形貌特征觀察,電性能測試也只是作為一種確認(rèn)污染、腐蝕失效模式的輔助手段。

        EDS 成分分析在已知分析對象組成成分時,可以快速排查有無引起污染和腐蝕的可疑元素成分,為確認(rèn)該失效模式提供直接依據(jù)。但是,EDS 成分分析只能識別元素,不能夠識別導(dǎo)電性離子,且檢測精度相對較低(質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.5% wt),在一些微量離子污染、腐蝕的案例中,檢驗(yàn)效果有限。

        紅外光譜分析作為一種快速的檢驗(yàn)手段,能夠在已知物質(zhì)紅外光譜特征的場合,通過對比得出結(jié)果,因此在電子制造領(lǐng)域,特別是電子輔料等有機(jī)物引起的污染、腐蝕案例中,效果不錯。但是,對于未知物質(zhì)的引起的污染和腐蝕,則存在識別不足。

        離子色譜分析是一種高靈敏度的微量離子檢測手段[18],在上述分析案例中,不論是固體類的塑封材料、支架,還是液體殘留(助焊劑、微生物尿液等),離子色譜檢驗(yàn)都表現(xiàn)出極高的靈敏度和識別率。與紅外光譜分析法相比,離子色譜不需要獲知待分析材料的紅外光譜成分,可以直接從引起污染和腐蝕的離子著手,因此應(yīng)用更加廣泛。

        在元器件腐蝕失效分析領(lǐng)域,因?yàn)殡x子色譜檢測精度高,可以用較稀的樣品溶液進(jìn)行檢測,因此通常對未知的被測對象,建議先按一定比例稀釋后進(jìn)行分析[18],再根據(jù)所得結(jié)果選擇適當(dāng)?shù)南♂尡稊?shù),這樣可以減少超柱容量和強(qiáng)保留組分對超柱的污染,增加分離度,可減輕基體離子的干擾,也能夠過濾去除顆粒物。

        5 結(jié)論

        離子色譜是一種分析電子元器件污染、腐蝕失效的有效技術(shù)手段。在因元器件自身材料、板面工藝殘留以及外部環(huán)境污染引入的離子導(dǎo)致污染、腐蝕的應(yīng)用場合,對于準(zhǔn)確查找污染源具有重要作用。另一方面,離子色譜檢測對離子的載體沒有特別具體要求,對表面殘留、液體物質(zhì)可以通過萃取、稀釋進(jìn)行取樣;對固體或者顆粒物則可以通過粉粹、浸泡后進(jìn)行取樣。

        隨著關(guān)鍵元器件國產(chǎn)化步伐不斷推進(jìn),元器件應(yīng)用過程中污染腐蝕失效頻發(fā)。本研究對于離子色譜分析在元器件污染腐蝕失效分析應(yīng)用中起到示范作用,也借此呼吁企業(yè)與行業(yè)協(xié)會對電子材料內(nèi)部可腐蝕離子加強(qiáng)管控,并建立行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

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