李雷，張慧，沙長(zhǎng)濤，張紅

（中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院，北京 100176）

0 引言

微機(jī)電系統(tǒng)（Micro-Electro-Mechanical System，MEMS）發(fā)展于二十世紀(jì)九十年代，是在微電子制造技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)上隨著精密微型機(jī)械制造技術(shù)的發(fā)展而成長(zhǎng)起來(lái)的。基于MEMS技術(shù)的器件具有體積小、精度高、智能化、成本低和可批量生產(chǎn)等特點(diǎn)，在航空航天、生物醫(yī)學(xué)、汽車、電子等眾多領(lǐng)域的應(yīng)用日漸廣泛和深入。MEMS技術(shù)作為一項(xiàng)重要的軍民兩用技術(shù)，是二十一世紀(jì)最有發(fā)展前途的技術(shù)之一［1-3］。

經(jīng)過(guò)二十年的發(fā)展，相較于集成電路（Integrated Circuit，IC）產(chǎn)業(yè)，MEMS產(chǎn)業(yè)依舊不太成熟。不同于IC產(chǎn)業(yè)，MEMS產(chǎn)品跨越機(jī)械、電磁、光學(xué)、化學(xué)、生物等多個(gè)領(lǐng)域，MEMS的計(jì)量測(cè)試研究工作不能僅僅在原有IC計(jì)量研究上做簡(jiǎn)單的改進(jìn)，需要綜合電子、機(jī)械、材料、信息、物理、化學(xué)、光學(xué)以及生物醫(yī)學(xué)等多個(gè)學(xué)科與技術(shù)，根據(jù)MEMS自身的特點(diǎn)開展MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)研究。

近年來(lái)，世界各國(guó)加強(qiáng)了對(duì)MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)的研究，適用于MEMS的計(jì)量測(cè)試方法和儀器不斷涌現(xiàn)。學(xué)習(xí)和借鑒國(guó)外的MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)，對(duì)我國(guó)MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)的發(fā)展具有重要的指引作用。

1 國(guó)外MEMS計(jì)量測(cè)試研究機(jī)構(gòu)及技術(shù)現(xiàn)狀

1.1 美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院

美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院（National Institute of Standards and Technology，NIST）專門設(shè)置了微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）和納機(jī)電系統(tǒng)（Nano-Electro-mechanical System，NEMS）項(xiàng)目，旨在推進(jìn)MEMS/NEMS測(cè)量技術(shù)的創(chuàng)新，以支持未來(lái)MEMS/NEMS的發(fā)展。其主要從以下幾個(gè)方面開展工作：開發(fā)用于MEMS/NEMS的高級(jí)測(cè)量工具和方法；使用這些工具和方法研究MEMS/NEMS器件的物理特性，尤其是傳感器的性能限制；開發(fā)可追溯的MEMS/NEMS傳感器，用于NIST及更高級(jí)別的精密測(cè)量；領(lǐng)導(dǎo)制定MEMS/NEMS計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)。

2009年，NIST發(fā)布的NISTIR（National Institute of Standards and Technology Interagency Report）7604《半導(dǎo)體微電子和納電子計(jì)劃》在“器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和表征”中，將MEMS/NEMS計(jì)量作為一個(gè)章節(jié)進(jìn)行闡述。在該節(jié)中主要闡述了NIST開發(fā)測(cè)試結(jié)構(gòu)、測(cè)試方法和標(biāo)準(zhǔn)樣片來(lái)表征MEMS/NEMS的制造工藝過(guò)程，有四個(gè)重大標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目：①開發(fā)MEMS五合一標(biāo)準(zhǔn)樣片RM8096和RM8097［4］，如圖1所示，包括楊氏模量（Youngs Modulus）、殘余應(yīng)力（Residual Strain）、應(yīng)變梯度（Strain Gradient）、臺(tái)階高度（Step Height）、面內(nèi)長(zhǎng)度（In-Plane Length）；②開發(fā)SEMI（Semiconductor Equipment and Materials International）標(biāo) 準(zhǔn)MS5-0813、晶圓鍵合強(qiáng)度的微人字形測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試方法和利用標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法開發(fā)微人字形標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)；③微流量系統(tǒng)的尺寸計(jì)量；④引導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)化工作的尖端機(jī)器人技術(shù)的研究和開發(fā)。

圖1 MEMS五合一標(biāo)準(zhǔn)樣片F(xiàn)ig.1 MEMS5-in-1 standard reference materials

由于MEMS領(lǐng)域涉及范圍廣，NIST研究的領(lǐng)域主要有：MEMS/NEMS的運(yùn)動(dòng)測(cè)量、微型和納米光子傳感器、用于傳感和定時(shí)的射頻MEMS/NEMS、生物MEMS和微流體、光學(xué)和電子生物傳感、晶圓鍵合計(jì)量。

1.2 歐洲國(guó)家計(jì)量機(jī)構(gòu)協(xié)會(huì)

2007年，在歐盟第七框架計(jì)劃經(jīng)費(fèi)的支持下，歐洲國(guó)家計(jì)量機(jī)構(gòu)協(xié)會(huì)（The European Association Of National Metrology Institutes，EURAMET）開 啟了歐洲計(jì)量聯(lián)合研究計(jì)劃（European Metrology Research Programme，EMRP）［5-6］。在2011年新技術(shù)項(xiàng)目中，由英國(guó)國(guó)家物理實(shí)驗(yàn)室（National Physical Laboratory，NPL）主持的項(xiàng)目《Metrology with/for NEMS》（簡(jiǎn)稱：MetNEMS）針對(duì)MEMS/NEMS計(jì)量開展了相關(guān)的研究工作。

MetNEMS項(xiàng)目的首要目標(biāo)是在幾個(gè)歐洲計(jì)量院中開發(fā)關(guān)鍵技術(shù)，以滿足NEMS開發(fā)的需求。該項(xiàng)目開發(fā)了針對(duì)計(jì)量和工業(yè)應(yīng)用的新型、高頻、高性能NEMS諧振器和執(zhí)行器，解決了“超越經(jīng)典計(jì)量”、納米技術(shù)、超低損耗新材料和單個(gè)實(shí)體計(jì)量等問(wèn)題，反過(guò)來(lái)也促進(jìn)了生物、安全、電信和傳感領(lǐng)域等可追溯測(cè)量要求的提出。為納米尺度的質(zhì)量、力、位移和溫度傳感，單光子、單分子測(cè)量提供了改進(jìn)的超靈敏、可追溯計(jì)量測(cè)試技術(shù)，促進(jìn)了片上、超穩(wěn)定的小型化電壓基準(zhǔn)的生產(chǎn)。

該項(xiàng)目還廣泛研究了一系列新材料，如石墨烯（一種具有廣泛前景的獨(dú)特新2D材料）、氮化鋁（一種特別適用于薄膜器件開發(fā)以及計(jì)量應(yīng)用的新型壓電材料））和二硼化鎂（高溫常規(guī)超導(dǎo)體）等，來(lái)開展NEMS的優(yōu)化使用，開發(fā)高性能NEMS諧振器。同時(shí)，該項(xiàng)目開發(fā)了新的微波激發(fā)和檢測(cè)方案，以及納入納米級(jí)計(jì)量的光學(xué)干涉方法，用于NEMS諧振器激發(fā)和讀出，用這些NEMS諧振器來(lái)開展可追蹤的電磁測(cè)量和高精度測(cè)量等計(jì)量工作。

MetNEMS項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)了五個(gè)具體目標(biāo)如下：①優(yōu)化用于高性能NEMS的新材料；②NEMS諧振器激發(fā)和讀出的新方法；③可追溯電磁計(jì)量和精密測(cè)量的NEMS；④NEMS傳感器：使測(cè)量打破經(jīng)典熱力學(xué)的極限；⑤制作和優(yōu)化SQUID（低溫超導(dǎo)量子干涉裝置）-NEMS組合，使NEMS諧振器的操作接近熱平衡量子極限。

此外，MetNEMS聯(lián)盟整理了項(xiàng)目開展期間的聯(lián)盟合作伙伴的投入以及行業(yè)/學(xué)術(shù)界反饋，制定了2015版MEMS/NEMS計(jì)量路線圖，如圖2所示。

圖2 2015版MEMS/NEMS計(jì)量路線圖Fig.2 2015 metrology roadmap with/for MEMS&NEMS

1.3 英國(guó)國(guó)家物理實(shí)驗(yàn)室

2006年12月，NPL發(fā)布了《MEMS傳感器及其制造的計(jì)量要求概述》，該項(xiàng)目是DTI國(guó)家測(cè)量系統(tǒng)工程測(cè)量計(jì)劃2005～2008年“先進(jìn)傳感器計(jì)量”資助項(xiàng)目的一部分，主要關(guān)注MEMS行業(yè)和當(dāng)前計(jì)量的局限性。

該項(xiàng)目研究了當(dāng)前的MEMS制造和計(jì)量測(cè)試技術(shù)，評(píng)估了MEMS行業(yè)的計(jì)量要求，并重點(diǎn)介紹計(jì)量學(xué)如何影響某些關(guān)鍵類型的MEMS傳感器（壓力傳感器、加速度計(jì)、陀螺儀、射頻傳感器和微流體）。評(píng)估的計(jì)量測(cè)試技術(shù)包括輪廓測(cè)定法、微坐標(biāo)測(cè)量機(jī)、電子顯微鏡、光學(xué)顯微鏡、白光干涉測(cè)量法和激光多普勒測(cè)速儀等。重點(diǎn)關(guān)注了MEMS的尺寸測(cè)量（包括靜態(tài)和動(dòng)態(tài)測(cè)量），通過(guò)測(cè)量結(jié)構(gòu)尺寸和尺寸變化來(lái)進(jìn)行相應(yīng)的應(yīng)力和應(yīng)變測(cè)量。

同時(shí)，該項(xiàng)目還與英國(guó)主要公司，包括AML，BAE Systems，Epigem，ETB，GE Sensing，MEMSSTAR，QinetiQ，CMF，STS，Tecan等，對(duì)MEMS的計(jì)量需求進(jìn)行討論，總結(jié)歸納了英國(guó)MEMS行業(yè)的計(jì)量要求：包括晶圓厚度/平整度、高深高比測(cè)量、側(cè)壁粗糙度、振動(dòng)測(cè)量、殘余壓力、測(cè)量遠(yuǎn)距離的小特征、微尺度材料表征、高空間分辨力溫度測(cè)量、硅斷裂分析、測(cè)量抗粘連薄膜的磨損/硬度、無(wú)創(chuàng)壓力測(cè)量等。

該項(xiàng)目和其他NPL正在進(jìn)行的MEMS測(cè)量和表征工作一起，將有助于確保英國(guó)MEMS傳感器行業(yè)克服當(dāng)前制造階段的一些計(jì)量問(wèn)題，保持英國(guó)在全球MEMS傳感器市場(chǎng)的份額。

1.4 國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖

50多年來(lái)，半導(dǎo)體行業(yè)一直按照摩爾定律的步伐前進(jìn)，這一趨勢(shì)使得投資需求不斷增長(zhǎng)，進(jìn)而促進(jìn)了相關(guān)工業(yè)聯(lián)盟、研發(fā)機(jī)構(gòu)、協(xié)會(huì)和其他形式合作的誕生。為了指導(dǎo)這些項(xiàng)目研發(fā)，1998年，由美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)提議，邀請(qǐng)了歐洲、日本、韓國(guó)和臺(tái)灣等國(guó)家和地區(qū)共同參與，對(duì)美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖進(jìn)行了更新，最終形成了1999年的第一版國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖（The International Technology Roadmap for Semiconductors，ITRS）。

2010年，ITRS成立了MEMS技術(shù)工作組（MEMSTechnology Working Group，MEMSTWG），并于2011年發(fā)布了第一版ITRS路線圖——《MEMS》，包括加速度計(jì)、陀螺儀、慣性測(cè)量單元、麥克風(fēng)、射頻MEMS諧振器、電流開關(guān)和變?nèi)荻O管。2014年4月，ITRS委員會(huì)宣布重組ITRS路線圖，將其轉(zhuǎn)變?yōu)镮TRS2.0，以更好地滿足行業(yè)需求。2015年發(fā)布的ITRS2.0版中，MEMSTWG重點(diǎn)支持《Heterogeneous-Components》（異構(gòu)組件）。

隨著MEMS功能和性能的提升，測(cè)試成本持續(xù)上升，但系統(tǒng)集成商期望異構(gòu)組件的價(jià)格保持不變或更低，這與預(yù)期相反。因?yàn)镸EMS添加更多功能和提高性能需要額外的、更高精度的測(cè)試，還需要標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試協(xié)議來(lái)定義器件的性能參數(shù)。目前因缺乏標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)致系統(tǒng)集成商無(wú)法權(quán)衡制造商之間的成本和性能。在ITRS2.0的“異構(gòu)組件”中，針對(duì)MEMS的測(cè)試和標(biāo)準(zhǔn)的需求，MEMS和傳感器行業(yè)組建立了標(biāo)準(zhǔn)部門來(lái)滿足這一需求，專注開發(fā)設(shè)備參數(shù)性能術(shù)語(yǔ)和設(shè)備性能測(cè)試協(xié)議，還通過(guò)擴(kuò)展當(dāng)前的內(nèi)置集成電路（Inter-Integrated Circuit，I2C）通信協(xié)議來(lái)開發(fā)設(shè)備通信的新標(biāo)準(zhǔn)。

1.5 國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)

國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)（International Electrotechnical Commission，IEC）非常重視MEMS標(biāo)準(zhǔn)化工作，將MEMS器件的標(biāo)準(zhǔn)歸口在半導(dǎo)體器件委員會(huì)（Technical Committee 47，TC47）下。2008年從IEC/TC47中獨(dú)立出來(lái)一個(gè)新的MEMS分技術(shù)委員會(huì)—Sub-Technical Committee 47F，簡(jiǎn)稱SC47F，負(fù)責(zé)制定MEMS器件標(biāo)準(zhǔn)［7］。

該分技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)制定MEMS的設(shè)計(jì)、制造、使用過(guò)程對(duì)環(huán)境無(wú)害的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，包括術(shù)語(yǔ)和定義、字母符號(hào)、基本額定值和特性、測(cè)量方法、可靠性試驗(yàn)方法和材料測(cè)試方法等。下設(shè)有三個(gè)工作組：術(shù)語(yǔ)和圖形符號(hào)工作組、結(jié)構(gòu)材料性能測(cè)試方法工作組、器件和封裝工作組，還設(shè)有一個(gè)維護(hù)組。目前，該技術(shù)委員會(huì)已發(fā)布38項(xiàng)MEMS標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)容涵蓋了MEMS的術(shù)語(yǔ)和定義、通用規(guī)范、材料性能評(píng)價(jià)及測(cè)試方法等。已發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn)見(jiàn)表1。

表1 IEC已經(jīng)發(fā)布的MEMS標(biāo)準(zhǔn)清單Tab.1 List of MEMSstandards published by IEC

1.6 半導(dǎo)體工藝和設(shè)備技術(shù)委員會(huì)

半導(dǎo)體工藝和設(shè)備技術(shù)委員會(huì)（Semiconductor Equipment and Mterials International，SEMI）創(chuàng)立于1970年，是服務(wù)于微電子和納電子行業(yè)制造供應(yīng)鏈的全球高科技領(lǐng)域?qū)I(yè)行業(yè)協(xié)會(huì)。自20世紀(jì)90年代后期以來(lái)，SEMI一直致力于開發(fā)用于制造MEMS器件材料的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法，包括應(yīng)變、膜厚度、彈性模量和粘合強(qiáng)度的測(cè)量。SEMI設(shè)立了MEMS/NEMS全球技術(shù)委員會(huì)來(lái)從事MEMS標(biāo)準(zhǔn)的制定。目前在SEMI的標(biāo)準(zhǔn)中，有10項(xiàng)關(guān)于MEMS器件的標(biāo)準(zhǔn)，包括MEMS技術(shù)術(shù)語(yǔ)、封裝和微流量器件等。由于SEMI在半導(dǎo)體設(shè)備材料方面具有強(qiáng)大的影響力，其標(biāo)準(zhǔn)多作為業(yè)內(nèi)主流的生產(chǎn)工藝規(guī)范，被廣泛應(yīng)用在MEMS工藝線上指導(dǎo)產(chǎn)品的生產(chǎn)，標(biāo)準(zhǔn)目錄見(jiàn)表2。

表2 SEMI制定的MEMS標(biāo)準(zhǔn)清單Tab.2 List of MEMSstandards established by SEMI

1.7 美國(guó)國(guó)家航空航天局

美國(guó)國(guó)家航空航天局（National Aeronautics and Space Administration，NASA）火箭發(fā)射中心針對(duì)MEMS可靠性問(wèn)題發(fā)布了JPLPUB 99-1《宇航用MEMS可靠性保證指南》，該指南詳細(xì)介紹了與MEMS相關(guān)的材料屬性、故障機(jī)理、生產(chǎn)工藝技術(shù)、器件組織結(jié)構(gòu)以及封裝技術(shù)，并站在用戶的角度提出了用于空間環(huán)境的MEMS器件質(zhì)量和可靠性的評(píng)價(jià)方法，解決了空間環(huán)境應(yīng)用的MEMS器件標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量評(píng)價(jià)問(wèn)題?！队詈接肕EMS可靠性保證指南》推薦的合格評(píng)定方法如圖3所示。

圖3 《宇航用MEMS可靠性保證指南》推薦的合格評(píng)定方法Fig.3 Recommended conformity assessment methods in"MEMSReliability Assurance Guidelines for Space Application"

1.8 美國(guó)桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室

美國(guó)桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室（Sandia National Laboratories，SNL）在美國(guó)國(guó)防高級(jí)研究計(jì)劃局（Defense Advanced Research Projects Agency，DARPA）支持下，詳細(xì)研究了MEMS的可靠性問(wèn)題，并發(fā)布了《MEMS可靠性：基本單元、測(cè)試結(jié)構(gòu)、試驗(yàn)和失效模式》。該報(bào)告以失效分析為基礎(chǔ)，建立MEMS的合格評(píng)定模式，如圖4所示。同時(shí)，該報(bào)告闡述了在MEMS器件上開發(fā)測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行可靠性試驗(yàn)的重要性，并設(shè)計(jì)、表征了可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)。此外，該報(bào)告還研究了MEMS器件的失效模式，特別是在不同環(huán)境（濕度、溫度、沖擊、振動(dòng)和儲(chǔ)存）中的失效模式，建立了未來(lái)MEMS器件的可靠性設(shè)計(jì)規(guī)則。

圖4 基于失效分析的合格評(píng)定模式Fig.4 Conformity assessment model based on failure analysis

2 我國(guó)MEMS計(jì)量測(cè)試的參考借鑒

2.1 計(jì)量測(cè)試規(guī)劃方面

我國(guó)必須遵守IEC國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)、SEMI標(biāo)準(zhǔn)等，目前，我國(guó)MEMS計(jì)量測(cè)試在發(fā)展規(guī)劃方面可以從以下幾個(gè)方面參考借鑒國(guó)外MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)：

1）國(guó)際計(jì)量組織和機(jī)構(gòu)花費(fèi)大量精力專注于MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)研究，相應(yīng)的資料可以為我們參考借鑒；

2）借鑒國(guó)外MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)，結(jié)合我國(guó)MEMS計(jì)量測(cè)試建設(shè)的具體情況，加強(qiáng)MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)的發(fā)展規(guī)劃布局；

3）參考EURAMET的“2015版MEMS/NEMS計(jì)量路線圖”，研究制定我國(guó)的“MEMS/NEMS計(jì)量路線圖”，建立適應(yīng)我國(guó)MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)發(fā)展的“MEMS計(jì)量體系表”；

4）結(jié)合我國(guó)現(xiàn)在快速發(fā)展的MEMS產(chǎn)業(yè)需求，對(duì)未來(lái)二十年內(nèi)MEMS產(chǎn)品需要的微材料特性測(cè)量方法、微結(jié)構(gòu)測(cè)量方法、標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)等方面做出全面、詳細(xì)的規(guī)劃；

5）結(jié)合國(guó)內(nèi)MEMS產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和發(fā)展要求，制定一批具有指導(dǎo)意義的產(chǎn)品規(guī)范、測(cè)試方法和計(jì)量規(guī)范，有力支撐我國(guó)MEMS產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

2.2 計(jì)量測(cè)試技術(shù)方面

MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)的重點(diǎn)工作是跟蹤國(guó)際MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)的前沿動(dòng)態(tài)，同時(shí)結(jié)合我國(guó)成熟的MEMS產(chǎn)品，及時(shí)對(duì)MEMS器件測(cè)試方法、規(guī)范進(jìn)行修訂，建立完善的MEMS器件計(jì)量測(cè)試技術(shù)體系。

在MEMS器件參數(shù)測(cè)試方面，借鑒IEC，SEMI等標(biāo)準(zhǔn)，研究MEMS器件微材料特性、微結(jié)構(gòu)（微器件）特性的測(cè)量方法［8-9］，結(jié)合我國(guó)主導(dǎo)制定的IEC62047-25，IEC62047-41等，研究適用于MEMS器件的具體測(cè)量方法，分析微材料特性、微結(jié)構(gòu)參數(shù)變化對(duì)MEMS器件性能和質(zhì)量可靠性的影響，為MEMS器件產(chǎn)品質(zhì)量評(píng)定標(biāo)準(zhǔn)、失效分析標(biāo)準(zhǔn)以及制造過(guò)程質(zhì)量保證方法提供基礎(chǔ)［10-11］。

在MEMS器件可靠性和壽命評(píng)價(jià)方面，借鑒NASA，SNL指南要求，研究基于失效分析的質(zhì)量保證方法，開展MEMS器件失效機(jī)理研究，建立失效模型，研究動(dòng)態(tài)環(huán)境（振動(dòng)、沖擊、高低溫）下帶電工作的MEMS器件實(shí)時(shí)性能測(cè)試方法，開展MEMS器件加速壽命試驗(yàn)方法研究等方面的壽命評(píng)價(jià)。

在MEMS器件晶圓級(jí)測(cè)試方面，借鑒NIST的五合一標(biāo)準(zhǔn)樣片，盡快制定MEMS器件晶圓級(jí)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)及綱要，盡快推進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程。引導(dǎo)行業(yè)內(nèi)部開發(fā)統(tǒng)一接口，統(tǒng)一測(cè)試方法，搭建通用MEMS器件晶圓級(jí)測(cè)試平臺(tái)，完善模塊化的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試平臺(tái)手段，研制符合不同激勵(lì)信號(hào)測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)，提升我國(guó)MEMS器件晶圓級(jí)測(cè)試的整體水平。

2.3 計(jì)量測(cè)試協(xié)同方面

MEMS技術(shù)有許多共有特點(diǎn)，在進(jìn)行軍用MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)研發(fā)的同時(shí)，也要積極促進(jìn)相關(guān)民用領(lǐng)域MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)的進(jìn)步，共同推進(jìn)我國(guó)的MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)的發(fā)展。在整個(gè)MEMS行業(yè)內(nèi)充分發(fā)揮計(jì)量測(cè)試技術(shù)的基礎(chǔ)作用，加快技術(shù)到應(yīng)用的進(jìn)程、縮短產(chǎn)品周期、提升產(chǎn)品質(zhì)量、降低設(shè)計(jì)、生產(chǎn)等各個(gè)環(huán)節(jié)的成本，進(jìn)而打破一些行業(yè)壁壘、提升產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境、促進(jìn)上下游協(xié)同創(chuàng)新，推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。

借鑒NIST，NPL等計(jì)量機(jī)構(gòu)的先進(jìn)成果，積極推進(jìn)我國(guó)MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)研究，加強(qiáng)軍工部門與高校、科院院所、民間計(jì)量機(jī)構(gòu)的合作，推進(jìn)MEMS計(jì)量基礎(chǔ)技術(shù)的研究開發(fā)工作，同時(shí)加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研三方合力，共同推進(jìn)MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)的發(fā)展。

3 結(jié)論

MEMS技術(shù)在國(guó)民生產(chǎn)和國(guó)防軍工中的使用日益廣泛，然而，MEMS的計(jì)量測(cè)試技術(shù)仍然停留在后端測(cè)量，不能深入到MEMS器件的設(shè)計(jì)與生產(chǎn)環(huán)節(jié)，制約了其進(jìn)一步發(fā)展。隨著MEMS技術(shù)的使用，本文在跟蹤和研究國(guó)外MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)的基礎(chǔ)上，探索新時(shí)期我國(guó)MEMS計(jì)量測(cè)試需求，提出我國(guó)MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)發(fā)展建議，對(duì)提升我國(guó)MEMS計(jì)量測(cè)試技術(shù)具有廣泛的借鑒作用。