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        智能物聯(lián)電能表用嵌入式操作系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)程序檢測(cè)技術(shù)研究

        2022-04-12 01:25:04王爽段曉萌趙婷王曉東李文文
        電測(cè)與儀表 2022年4期
        關(guān)鍵詞:測(cè)試軟件物聯(lián)驅(qū)動(dòng)程序

        王爽,段曉萌,趙婷,王曉東,李文文

        (1.中國(guó)電力科學(xué)研究院有限公司,北京 100192; 2.國(guó)網(wǎng)冀北電力有限公司計(jì)量中心,北京 102208)

        0 引 言

        基于IR46標(biāo)準(zhǔn)和我國(guó)能源互聯(lián)網(wǎng)建設(shè)需求[1-3],國(guó)家電網(wǎng)公司在原來(lái)智能電能表的基礎(chǔ)上新增加了停電主動(dòng)上報(bào)、高效通信、電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)等功能,研制了適應(yīng)不同業(yè)務(wù)需求的智能物聯(lián)電能表[4-6]。

        新研制的智能物聯(lián)電能表主要由計(jì)量模組、管理模組以及擴(kuò)展模組構(gòu)成。計(jì)量模組承擔(dān)法制計(jì)量的基本功能,管理模組從計(jì)量模組獲取電源和原始數(shù)據(jù),擴(kuò)展模組為通信或計(jì)算模組,如圖1所示。

        圖1 智能物聯(lián)電能表硬件框圖

        為了滿足電能表新增的非計(jì)量功能需求,智能物聯(lián)電能表中采用嵌入式操作系統(tǒng)設(shè)計(jì)理念,在管理模組部署了實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)(RTOS)[7-9]。嵌入式操作系統(tǒng)將底層硬件與頂層應(yīng)用APP功能剝離,實(shí)現(xiàn)了APP的靈活可換[10-13]。由于RTOS的驅(qū)動(dòng)與管理模組硬件和其他模組的接口深度綁定,驅(qū)動(dòng)程序運(yùn)行的安全性、穩(wěn)定性等與硬件密切關(guān)聯(lián),因此,對(duì)驅(qū)動(dòng)程序各項(xiàng)指標(biāo)的測(cè)試顯得尤為重要[14-17]。

        由于智能物聯(lián)電能表嵌入式專(zhuān)用實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)是一項(xiàng)首次提出的技術(shù),不同于國(guó)際上一些操作系統(tǒng)應(yīng)用理念,因此目前行業(yè)內(nèi)暫無(wú)針對(duì)電能表驅(qū)動(dòng)程序的測(cè)試方法,無(wú)法實(shí)現(xiàn)對(duì)于電能表驅(qū)動(dòng)程序功能符合性以及性能可靠性的驗(yàn)證。而常規(guī)的嵌入式軟件通用測(cè)試方法,只能孤立的對(duì)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行一般測(cè)試,缺少針對(duì)具體硬件實(shí)例的測(cè)試[18-20]。

        為了實(shí)現(xiàn)建設(shè)一個(gè)開(kāi)放式、跨硬件的智能電能表軟件生態(tài)系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)電能表頂層APP的完全可互換,文中研究智能物聯(lián)電能表RTOS的驅(qū)動(dòng)測(cè)試方法,并對(duì)不同廠家的智能物聯(lián)電能表管理模組進(jìn)行驅(qū)動(dòng)程序測(cè)試。

        1 驅(qū)動(dòng)程序檢測(cè)技術(shù)及裝置研究

        由于RTOS內(nèi)核與驅(qū)動(dòng)IP均以閉源方式發(fā)布,無(wú)法采用傳統(tǒng)的白盒測(cè)試方法對(duì)驅(qū)動(dòng)程序的功能符合性、實(shí)時(shí)性和健壯性等指標(biāo)進(jìn)行檢測(cè)。為了解決上述問(wèn)題,文中采用在管理模組中植入嵌入式測(cè)試代理子系統(tǒng),該子系統(tǒng)與外設(shè)仿真子系統(tǒng)(仿真計(jì)量模組和擴(kuò)展模組)共同進(jìn)行驅(qū)動(dòng)程序測(cè)試。

        文中研發(fā)設(shè)計(jì)的電能表專(zhuān)用實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)測(cè)試裝置的框圖如圖2所示,該測(cè)試裝置包含外設(shè)仿真子系統(tǒng)、測(cè)試軟件子系統(tǒng)和嵌入式測(cè)試代理子系統(tǒng)三部分,可完成智能物聯(lián)電能表驅(qū)動(dòng)程序的自動(dòng)測(cè)試。

        圖2 驅(qū)動(dòng)程序測(cè)試系統(tǒng)框圖

        外設(shè)仿真子系統(tǒng)完成計(jì)量模組和擴(kuò)展模組仿真。它接收測(cè)試軟件的指令,控制仿真模塊產(chǎn)生指令行為,在指令流執(zhí)行過(guò)程中與測(cè)試軟件實(shí)時(shí)交互。測(cè)試結(jié)束后,將結(jié)論和數(shù)據(jù)明細(xì)上傳給測(cè)試軟件。

        測(cè)試軟件子系統(tǒng)分為客戶端和測(cè)試服務(wù)端兩部分,服務(wù)端依次接收客戶端下發(fā)的測(cè)試項(xiàng),完成測(cè)試執(zhí)行功能,客戶端完成測(cè)試方案,實(shí)驗(yàn)結(jié)論、實(shí)驗(yàn)明細(xì)和報(bào)告管理,并且具備操作和展示的人機(jī)界面功能。

        嵌入式測(cè)試代理子系統(tǒng)由驅(qū)動(dòng)、操作系統(tǒng)和APP(包括代理APP和測(cè)試APP)組成。其中,代理APP完成系統(tǒng)自檢和初始化、測(cè)試APP的安裝和運(yùn)行、測(cè)試APP與上位機(jī)轉(zhuǎn)發(fā)通信、測(cè)試APP運(yùn)行資源監(jiān)控、測(cè)試結(jié)論和明細(xì)的生成和上報(bào)等功能。

        1.1 外設(shè)仿真子系統(tǒng)設(shè)計(jì)

        外設(shè)仿真子系統(tǒng)框圖如圖3所示。

        圖3 外設(shè)仿真子系統(tǒng)框圖

        由圖3可知,外設(shè)仿真子系統(tǒng)主要包括四個(gè)核心模塊:

        (1)電源仿真模塊:完成管理模組電源仿真功能,產(chǎn)生15 V和5 V時(shí)序可控的電源;

        (2)計(jì)量模組仿真模塊:完成計(jì)量模組數(shù)據(jù)通信仿真功能。它與上位機(jī)通信模塊通過(guò)uart口交互,接收測(cè)試軟件下發(fā)的計(jì)量數(shù)據(jù)并保存,通過(guò)SPI口與管理模組進(jìn)行數(shù)據(jù)通信。同時(shí),它還支持通過(guò)uart口轉(zhuǎn)發(fā)功能,即:由上位機(jī)直接模擬計(jì)量模組數(shù)據(jù)與管理模組通信;

        (3)擴(kuò)展模組仿真模塊:完成uart口轉(zhuǎn)發(fā)功能。即:由上位機(jī)直接模擬擴(kuò)展模組與管理模組進(jìn)行通信;

        (4)I/O仿真模塊:完成計(jì)量模組、擴(kuò)展模組與管理模組之間I/O模擬功能。該模塊可根據(jù)主控命令產(chǎn)生不同頻率和占空比的PWM輸出,也可對(duì)輸入進(jìn)行脈寬和頻率的捕捉。

        外設(shè)仿真子系統(tǒng)除四個(gè)核心模塊外,還包括上位機(jī)通信模塊和主控。上位機(jī)通信模塊將軟件測(cè)試系統(tǒng)的以太網(wǎng)接口轉(zhuǎn)換為多路uart口,完成與測(cè)試軟件與四個(gè)核心模塊和主控之間的通信。主控接收測(cè)試軟件下發(fā)的指令,根據(jù)指令控制四個(gè)核心模塊。

        1.2 測(cè)試軟件子系統(tǒng)架構(gòu)

        測(cè)試軟件子系統(tǒng)包括測(cè)試服務(wù)端和客戶端兩部分。服務(wù)端與客戶端之間通過(guò)TCP建立“請(qǐng)求-響應(yīng)”(SocketA)和“通知-確認(rèn)”(SocketB)兩條通道。應(yīng)用層數(shù)據(jù)單元采用靈活且易于閱讀的JSON編碼。測(cè)試軟件子系統(tǒng)架構(gòu)框圖如圖4所示。

        圖4 測(cè)試軟件子系統(tǒng)框架圖

        測(cè)試軟件子系統(tǒng)工作前,需配置外設(shè)仿真系統(tǒng)的接口波特率、通信超時(shí)時(shí)間和初始狀態(tài)等參數(shù),并保存到數(shù)據(jù)庫(kù);然后,編制測(cè)試方案,并保存到數(shù)據(jù)庫(kù)。測(cè)試方案是由多個(gè)測(cè)試項(xiàng)組成,單個(gè)測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試指令流程和對(duì)應(yīng)的測(cè)試APP是相同的,對(duì)指令流和APP的運(yùn)行參數(shù)進(jìn)行不同的配置形成多個(gè)測(cè)試點(diǎn)。測(cè)試軟件子系統(tǒng)工作流程如下:

        (1)客戶端從數(shù)據(jù)庫(kù)獲取編制好的測(cè)試方案,依次將測(cè)試項(xiàng)、對(duì)應(yīng)APP和測(cè)試點(diǎn)參數(shù)通過(guò)SocketA下發(fā)到服務(wù)端,請(qǐng)求服務(wù)端執(zhí)行測(cè)試;

        (2)服務(wù)端收到任務(wù)后,刪除管理模組的APP和數(shù)據(jù),恢復(fù)初始狀態(tài)后,將收到的測(cè)試APP安裝到管理芯;

        (3)服務(wù)端按測(cè)試點(diǎn)參數(shù)啟動(dòng)APP,并按測(cè)試項(xiàng)依次指令流,并將測(cè)試數(shù)據(jù)和日志實(shí)時(shí)上報(bào)到客戶端。指令流執(zhí)行完成后,生成測(cè)試結(jié)論和整理明細(xì)數(shù)據(jù),并上報(bào)給客戶端;

        (4)客戶端保存測(cè)試項(xiàng)結(jié)論和明細(xì)數(shù)據(jù),繼續(xù)請(qǐng)求服務(wù)器執(zhí)行下一測(cè)試項(xiàng)。方案中所有項(xiàng)目完成后生成總結(jié)論整理所有項(xiàng)目測(cè)試明細(xì),并生成測(cè)試報(bào)告。

        1.3 嵌入式測(cè)試代理子系統(tǒng)架構(gòu)和技術(shù)

        寄宿在管理模組內(nèi)的嵌入式測(cè)試代理子系統(tǒng)軟件架構(gòu)框圖如圖5所示。

        圖5 嵌入式測(cè)試代理子系統(tǒng)軟件架構(gòu)

        圖5中,測(cè)試APP和代理APP之間通過(guò)通道和共享內(nèi)存兩種內(nèi)部IPC機(jī)制進(jìn)行通信。代理APP與上位機(jī)之間采用DL/T 698.45協(xié)議進(jìn)行通信。測(cè)試APP和代理APP通過(guò)SYSTEM_CALL操作系統(tǒng)接口調(diào)用系統(tǒng)和驅(qū)動(dòng)功能。

        代理APP是驅(qū)動(dòng)測(cè)試的核心技術(shù),是測(cè)試前預(yù)置在系統(tǒng)中,不可卸載。執(zhí)行測(cè)試APP前,代理APP首先執(zhí)行APP卸載、數(shù)據(jù)清理和碎片整理、操作系統(tǒng)與上位機(jī)精確對(duì)時(shí)等操作;然后檢測(cè)系統(tǒng)主頻、心跳、定時(shí)器等是否工作在準(zhǔn)確頻率上,確保APP運(yùn)行前系統(tǒng)處于相同狀態(tài)。代理APP將監(jiān)控測(cè)試APP運(yùn)行前后的內(nèi)存使用狀態(tài)和時(shí)間戳,實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)內(nèi)存泄漏檢測(cè)和資源使用后未釋放的檢測(cè),同時(shí)可對(duì)相同測(cè)試項(xiàng)在不同廠家上測(cè)試運(yùn)行時(shí)間進(jìn)行橫向?qū)Ρ取?/p>

        驅(qū)動(dòng)測(cè)試的另一個(gè)核心技術(shù)是驅(qū)動(dòng)接口函數(shù)性能測(cè)試方法。由于物聯(lián)表操作系統(tǒng)是實(shí)時(shí)操作系統(tǒng),在無(wú)事件發(fā)生時(shí)CPU處于idle狀態(tài)。測(cè)試驅(qū)動(dòng)性能時(shí),代理APP和測(cè)試APP均進(jìn)入阻塞態(tài),不占用CPU時(shí)間。CPU只在測(cè)試APP和內(nèi)核間切換。通過(guò)將調(diào)用驅(qū)動(dòng)前后時(shí)間戳相減可測(cè)得驅(qū)動(dòng)性能數(shù)據(jù)。測(cè)試驅(qū)動(dòng)的時(shí)序圖如圖6所示。

        圖6 驅(qū)動(dòng)測(cè)試時(shí)序圖

        首先,測(cè)試APP調(diào)用讀取系統(tǒng)時(shí)間戳函數(shù),記錄驅(qū)動(dòng)接口調(diào)用前的時(shí)間:其次,調(diào)用驅(qū)動(dòng)接口函數(shù),驅(qū)動(dòng)功能執(zhí)行完后返回到APP;再次,測(cè)試APP再次調(diào)用讀取系統(tǒng)時(shí)間戳函數(shù);最后,將開(kāi)始和結(jié)束時(shí)間戳相減就是驅(qū)動(dòng)運(yùn)行時(shí)間(即性能)。

        然而,該方法計(jì)算的驅(qū)動(dòng)運(yùn)行時(shí)間中包含返回讀系統(tǒng)時(shí)間戳函數(shù)的時(shí)間、調(diào)用和返回驅(qū)動(dòng)接口函數(shù)(進(jìn)出內(nèi)核態(tài))的時(shí)間、內(nèi)核取時(shí)間戳的時(shí)間,使得測(cè)得的驅(qū)動(dòng)運(yùn)行時(shí)間比實(shí)際時(shí)間長(zhǎng)。

        下面通過(guò)時(shí)序分析設(shè)計(jì)時(shí)間補(bǔ)償方法。從圖6可知,進(jìn)系統(tǒng)調(diào)用到內(nèi)核獲取時(shí)間戳的時(shí)間為T(mén)3-T2和T9-T8,該時(shí)間應(yīng)該由OS性能參數(shù)給出。此處假設(shè)T3-T2=T9-T8,無(wú)抖動(dòng)或抖動(dòng)可忽略。則廣義的驅(qū)動(dòng)運(yùn)行時(shí)間為T(mén)9-T3,而實(shí)際驅(qū)動(dòng)運(yùn)行時(shí)間為T(mén)6-T5。編寫(xiě)不執(zhí)行任何操作的驅(qū)動(dòng)代碼,使得T6-T5=0,此時(shí),補(bǔ)償時(shí)間即為T(mén)9-T3的數(shù)值。然后計(jì)算驅(qū)動(dòng)實(shí)際執(zhí)行時(shí)間,即為(T9-T3)-補(bǔ)償時(shí)間。為了較準(zhǔn)確的估計(jì)進(jìn)入tick服務(wù)的時(shí)刻,在測(cè)試每個(gè)驅(qū)動(dòng)接口前,通過(guò)系統(tǒng)延時(shí)的方法使得測(cè)試開(kāi)始時(shí)間與tick同步,確保最先的連續(xù)200 ms內(nèi)不會(huì)進(jìn)入tick服務(wù)。通過(guò)連續(xù)1萬(wàn)次補(bǔ)償時(shí)間測(cè)試均為8 μs~28 μs之間,證明T3-T2基本等于T9-T8,抖動(dòng)可忽略的假設(shè)成立。

        2 測(cè)試用例和測(cè)試數(shù)據(jù)

        文中研究的測(cè)試系統(tǒng)分別針對(duì)1類(lèi)通信模組、2類(lèi)通信模組、EEPROM、FLASH、ESAM、背光等智能物聯(lián)電能表的驅(qū)動(dòng)程序進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試用例如表1所示。

        表1 驅(qū)動(dòng)測(cè)試用例

        基于文中研究的測(cè)試方法和測(cè)試系統(tǒng),對(duì)A、B、C電能表廠家生產(chǎn)的單相智能物聯(lián)電能表驅(qū)動(dòng)程序進(jìn)行測(cè)試,驅(qū)動(dòng)測(cè)試界面如圖7所示。

        圖7 驅(qū)動(dòng)測(cè)試軟件界面

        由圖8測(cè)試結(jié)果可知,廠家A、B、C操作系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)程序功能測(cè)試均滿足要求,但是不同廠家的性能指標(biāo)卻差距較大。

        下面以EEPROM測(cè)試、UL_URT回環(huán)測(cè)試和FLASH固定字節(jié)數(shù)讀寫(xiě)測(cè)試為例,分析各廠家性能指標(biāo)情況。

        (1)EEPROM測(cè)試:對(duì)EEPROM寫(xiě)入數(shù)據(jù)、讀取后比較,測(cè)試點(diǎn)參數(shù)如表2所示。其中讀寫(xiě)字節(jié)數(shù):200字節(jié),測(cè)試輪次:64次。

        圖8 驅(qū)動(dòng)測(cè)試結(jié)果界面

        由表2可知,測(cè)試平均值和最小值之間相差很小,平均值和最大值之間因?yàn)檫M(jìn)入tick或驅(qū)動(dòng)存在定時(shí)器操作原因偶爾拉長(zhǎng)時(shí)間。廠家C open接口測(cè)試時(shí),最小值和平均值比較接近,但是最大值卻出現(xiàn)比較大的波動(dòng),這是由于是驅(qū)動(dòng)性能存在偶發(fā)性能下降。

        表2 EEPROM驅(qū)動(dòng)測(cè)試用例測(cè)試數(shù)據(jù)

        再進(jìn)一步分析,由于操作系統(tǒng)tick設(shè)計(jì)為200 ms,廠家A的200次open調(diào)用總時(shí)間為15 452 μs,因此未進(jìn)入tick服務(wù),最長(zhǎng)時(shí)間-最短時(shí)間=8 μs;200次read接口總時(shí)間為869 952,進(jìn)入4次tick服務(wù),最長(zhǎng)時(shí)間-最短時(shí)間=38 μs。按此邏輯分析得到數(shù)據(jù)如表3所示。

        表3 EEPROM測(cè)試數(shù)據(jù)

        A廠家open和close測(cè)試過(guò)程中未進(jìn)入tick服務(wù),每次性能測(cè)試時(shí)間最多8 μs誤差。A廠家read和write測(cè)試過(guò)程中有進(jìn)入過(guò)tick服務(wù),性能測(cè)試時(shí)間存在38 μs誤差,即:tick服務(wù)時(shí)間約為30 μs。再次證明驅(qū)動(dòng)性能測(cè)試數(shù)據(jù)誤差極小,且最長(zhǎng)時(shí)間也較為準(zhǔn)確。

        由于B廠家和C廠家驅(qū)動(dòng)程序中開(kāi)啟了定時(shí)器,使得最長(zhǎng)和最短時(shí)間差拉大;

        (2)UL_URT回環(huán)測(cè)試:測(cè)試軟件控制擴(kuò)展模塊模擬器將收發(fā)轉(zhuǎn)接,進(jìn)行管理模組1類(lèi)擴(kuò)展模塊通信口回環(huán)測(cè)試。測(cè)試點(diǎn)參數(shù):通信波特率:9 600 bps,收發(fā)字節(jié)數(shù):200字節(jié),測(cè)試輪次:5次。

        由表4可知,廠家A、B、C的測(cè)試結(jié)果差異很大,特別是UL_ULT回環(huán)測(cè)試的write接口,測(cè)試時(shí)長(zhǎng)相差巨大。因此,雖然智能物聯(lián)電能表的功能測(cè)試均滿足要求,但是其性能指標(biāo)還存在較大差異,這些性能指標(biāo)的差異可能會(huì)導(dǎo)致現(xiàn)場(chǎng)運(yùn)行時(shí)死機(jī)、數(shù)據(jù)無(wú)法及時(shí)讀取等故障;

        表4 UL_URT回環(huán)測(cè)試數(shù)據(jù)

        (3)FLASH固定字節(jié)數(shù)讀寫(xiě)測(cè)試:編寫(xiě)測(cè)試FLASH驅(qū)動(dòng)APP,以open/lseek/write/lseek /read/close的順序進(jìn)行測(cè)試,使用隨機(jī)值對(duì)寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行初始化,比較寫(xiě)入數(shù)據(jù)是否與讀取數(shù)據(jù)相同,并統(tǒng)計(jì)各接口調(diào)用的時(shí)間開(kāi)銷(xiāo)。按上位機(jī)對(duì)測(cè)試點(diǎn)配置的參數(shù)進(jìn)行兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)的測(cè)試。

        測(cè)試點(diǎn)1參數(shù)配置:固定字節(jié)數(shù):64字節(jié),測(cè)試輪次100次;測(cè)試點(diǎn)2參數(shù)配置:固定字節(jié)數(shù):6字節(jié),測(cè)試輪次128次。測(cè)試數(shù)據(jù)如表5所示。

        表5 FLASH固定字節(jié)數(shù)讀寫(xiě)測(cè)試

        1)Open接口:A廠家平均耗時(shí)17 ms,B廠家平均耗時(shí)5 ms。原因是A廠家在每次open時(shí)均對(duì)底層硬件進(jìn)行初始化,而B(niǎo)廠家只在上電時(shí)初始化一次,所以最終導(dǎo)致了差3倍速度;

        2)lseek接口:該接口的功能是定位讀寫(xiě)地址,常識(shí)考慮不對(duì)FLASH進(jìn)行操作,應(yīng)該速度很快,但實(shí)際由于lseek需要對(duì)緩存在RAM的數(shù)據(jù)進(jìn)行FLASH回寫(xiě),產(chǎn)生了寫(xiě)入時(shí)間開(kāi)銷(xiāo),最大達(dá)到160 ms,對(duì)于APP會(huì)出現(xiàn)明顯卡頓。lseek多次調(diào)用耗時(shí)不同,當(dāng)無(wú)緩存數(shù)據(jù)回寫(xiě)時(shí)只耗時(shí)40 μs,幾乎可忽略;

        3)Close接口:該接口是關(guān)閉設(shè)備功能,常識(shí)考慮不對(duì)FLASH進(jìn)行操作,應(yīng)該速度很快。但同樣由于關(guān)閉設(shè)備時(shí)需要回寫(xiě),導(dǎo)致了很長(zhǎng)的時(shí)間開(kāi)銷(xiāo);

        4)Write接口:該接口是向FLASH寫(xiě)入數(shù)據(jù),常識(shí)考慮應(yīng)該是需要很大時(shí)間開(kāi)銷(xiāo)的。在測(cè)試點(diǎn)1時(shí),由于單次寫(xiě)入數(shù)據(jù)較長(zhǎng),無(wú)法完全RAM緩存,導(dǎo)致寫(xiě)入操作,所以最短時(shí)間開(kāi)銷(xiāo)也需要10 ms,而測(cè)試點(diǎn)2寫(xiě)入數(shù)據(jù)較短,可RAM緩存,最短時(shí)間0.5 ms;

        5)Read接口:該接口是從FLASH讀取數(shù)據(jù),可反映FLASH底層SPI物理接口的速度,從測(cè)試數(shù)據(jù)分析B廠家的SPI速度約是A廠家的2倍~3倍。

        FLASH驅(qū)動(dòng)存在細(xì)節(jié)較多,雖然能完成功能,但在性能上各廠家差異很大,最大160 ms的開(kāi)銷(xiāo)過(guò)大,導(dǎo)致APP設(shè)計(jì)較困難。

        3 結(jié)束語(yǔ)

        文中針對(duì)智能物聯(lián)電能表的驅(qū)動(dòng)程序,提出了功能、性能和健壯性檢測(cè)方法。開(kāi)發(fā)了驅(qū)動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),可應(yīng)用于智能物聯(lián)電能表驅(qū)動(dòng)程序檢測(cè),并具備擴(kuò)展功能。但由于底層驅(qū)動(dòng)的接口規(guī)范的開(kāi)放性,接口參數(shù)較多,調(diào)用方式靈活。驅(qū)動(dòng)完成所有參數(shù)要求的接口功能和各種調(diào)用方法是不可能的,各表廠所實(shí)現(xiàn)的功能和所能達(dá)到的性能也參差不齊。還需針對(duì)物聯(lián)電能表需求規(guī)范接口參數(shù)和調(diào)用方法。同時(shí),由于物聯(lián)電能表性能指標(biāo)沒(méi)有判定標(biāo)準(zhǔn),當(dāng)前只針對(duì)功能進(jìn)行合格判定。另外,文中裝置僅測(cè)試了驅(qū)動(dòng)的基本功能和調(diào)用方法。后續(xù)應(yīng)根據(jù)完善的物聯(lián)電能表驅(qū)動(dòng)接口和規(guī)范,按照文中系統(tǒng)框架進(jìn)行全面的測(cè)試。再根據(jù)測(cè)試的性能明細(xì)數(shù)據(jù)進(jìn)行評(píng)估,制定驅(qū)動(dòng)性能指標(biāo)要求,同時(shí)對(duì)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行性能合格判定。

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