賀天任 ，高 宇 ，劉曉航 ，3，張 瑞 ，4

（1.天津大學(xué)電氣自動(dòng)化與信息工程學(xué)院，天津 300072；2.深圳供電局有限公司，深圳 518000；3.國(guó)網(wǎng)遼寧省電力有限公司，鐵嶺 112000；4.國(guó)網(wǎng)山東省電力公司，濟(jì)寧 272200）

隨著城市高速發(fā)展，工業(yè)用地日漸緊缺，以及電力系統(tǒng)額定電壓等級(jí)不斷升高，更高電壓等級(jí)的氣體絕緣變電站GIS（gas insulated substation）逐漸成為基建主流。在對(duì)GIS中的開(kāi)關(guān)裝置進(jìn)行操作時(shí)，產(chǎn)生過(guò)電壓及過(guò)電流的電磁暫態(tài)問(wèn)題越來(lái)越嚴(yán)重[1，2]。當(dāng)隔離開(kāi)關(guān)進(jìn)行分合空載母線時(shí)，容易引起特快速暫態(tài)過(guò)電壓VFTO（very fast transient overvoltage），其主要成因是隔離開(kāi)關(guān)不像斷路器一樣具有滅弧裝置，本身觸頭的分合速度較慢，所以在觸頭間隙中產(chǎn)生多次重燃[3]。這不僅影響站內(nèi)一次設(shè)備安全運(yùn)行，還可能導(dǎo)致二次設(shè)備受到干擾，嚴(yán)重威脅電力系統(tǒng)的可靠運(yùn)行。因此，深入認(rèn)識(shí)VF-TO的特點(diǎn)并提出合理的抑制措施對(duì)保障電力系統(tǒng)運(yùn)行安全具有重要意義[4-6]。

近年來(lái)，國(guó)內(nèi)外科研人員對(duì)VFTO進(jìn)行了大量的研究。劉德東等[3-4]改進(jìn)了實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)電弧模型，研究了VFTO的產(chǎn)生過(guò)程，發(fā)現(xiàn)該模型能較好地模擬電弧電阻的變化；滕輝等[7]建立了基于能量平衡方程的Cassie-Mary電弧模型，通過(guò)改進(jìn)的歐拉算法提高了模型的仿真精度；Rodrigues Filho等[8]統(tǒng)計(jì)了VFTO產(chǎn)生過(guò)程中的幅值、頻率、包絡(luò)線等波形特征，提出在建模時(shí)應(yīng)考慮對(duì)比經(jīng)驗(yàn)值更大的頻率范圍；詹花茂等[1，9]采用蒙特卡羅方法模擬了隔離開(kāi)關(guān)操作初始相位和擊穿特性的隨機(jī)分布對(duì)VFTO統(tǒng)計(jì)特性的影響，得到了最小電弧電阻與間隙距離和氣壓正相關(guān)的規(guī)律；舒印彪等[10]通過(guò)統(tǒng)計(jì)方法發(fā)現(xiàn)，開(kāi)關(guān)速度較低的隔離開(kāi)關(guān)在斷開(kāi)和閉合操作期間產(chǎn)生的VFTO幅度更低；Pathak等[11]認(rèn)為RC濾波技術(shù)對(duì)VFTO的抑制作用有限，采用分流電阻器比其他方法效果更好。另外，在GIS母線與主變壓器之間連接架空線[12-13]、加裝由鏤空螺線管及與之并聯(lián)的電阻組成的阻尼母線[14-15]、一次系統(tǒng)和二次防護(hù)配合[16]等方法都有助于抑制VFTO[17-19]。但是，現(xiàn)階段研究對(duì)于主接線形式為3/2接線的變電站涉及較少，對(duì)于變壓器入口電容、主變進(jìn)線支路長(zhǎng)度等因素影響VFTO特點(diǎn)的機(jī)理尚不清晰，缺乏對(duì)超高壓等級(jí)GIS中VFTO的有效抑制措施的探討，亟需開(kāi)展深入系統(tǒng)的研究。

本文選取深圳某550 kV的GIS變電站為研究對(duì)象，采用電磁暫態(tài)程序EMTP/ATP（electro-magnetic transient program/alternative transient program）研究分析隔離開(kāi)關(guān)切合母線時(shí)產(chǎn)生的VFTO特點(diǎn)及變壓器入口電容等參數(shù)的影響，比較了阻波器和鐵氧體磁環(huán)抑制VFTO的效果，給出了VFTO的有效抑制措施。

1 GIS中的VFTO計(jì)算模型及參數(shù)設(shè)置

在計(jì)算VFTO的過(guò)程中，建立恰當(dāng)?shù)腉IS等效模型以及選取合適的參數(shù)對(duì)計(jì)算結(jié)果正確性有著重要影響。GIS中組件有變壓器、母線、斷路器、隔離開(kāi)關(guān)、接地刀閘、電壓互感器等。在仿真計(jì)算中，只需要考慮那些對(duì)結(jié)果影響較大的因素，而影響較小的因素如接地刀閘、套管和避雷器[20]，可以忽略。GIS母線采用三相分相式，相互獨(dú)立參數(shù)一致，計(jì)算時(shí)只選取其中一相進(jìn)行仿真[21]。

在GIS變電站相同結(jié)構(gòu)間隔內(nèi)，單變單機(jī)供電是產(chǎn)生最嚴(yán)重的VFTO的供電方式[22]。本文選取變電站主接線形式為3/2接線，如圖1所示，3臺(tái)主變?nèi)萘糠謩e為250 MV·A。本文針對(duì)全站斷路器和隔離開(kāi)關(guān)均處于斷開(kāi)、操作主變側(cè)隔離開(kāi)關(guān)為母線充電的情況進(jìn)行研究。

圖1 深圳某550 kV GIS變電站電氣主接線圖Fig.1 Main electrical wiring diagram of a 550 kV GIS substation in Shenzhen

計(jì)算中，變壓器選取等值入口電容模型，變壓器等效為并聯(lián)的電感和對(duì)地電容，電容取5 000 pF，電感取100 mH，交流電壓源提供變電器電壓等級(jí)的穩(wěn)定激勵(lì)[23，24]。將斷路器的斷開(kāi)狀態(tài)等效視為540 pF的斷口間均壓電容，隔離開(kāi)關(guān)的斷開(kāi)狀態(tài)用動(dòng)靜觸頭側(cè)的對(duì)地電容等效模擬[20-21]。燃弧狀態(tài)時(shí)，隔離開(kāi)關(guān)用對(duì)地電容等效兩端動(dòng)靜觸頭，燃弧電阻采用指數(shù)函數(shù)形式表示為

式中：Ra為靜態(tài)電弧電阻，Ra=0.5 Ω；R0為起弧前隔離開(kāi)關(guān)電阻，R0=1×1012Ω；T為時(shí)間常數(shù)，T=1 ns[25-26]。GIS內(nèi)波速設(shè)置為296 m/μs，電流在套管內(nèi)傳播時(shí)間要大于步長(zhǎng)，步長(zhǎng)設(shè)置為1×10-9s。GIS內(nèi)主要組件仿真計(jì)算參數(shù)如表1所示。

表1 主要組件仿真計(jì)算參數(shù)Tab.1 Numerical simulation parameters of main components

在ATP-DRAW中搭建仿真模型，如圖2所示。

圖2 單間隔仿真計(jì)算模型Fig.2 Numerical simulation model at single interval

3 仿真結(jié)果分析

3.1 隔離開(kāi)關(guān)處VFTO的基本特征

GIS內(nèi)主要設(shè)備上的VFTO幅值如表2所示。可見(jiàn)，在操作隔離開(kāi)關(guān)時(shí)，變壓器、隔離開(kāi)關(guān)、斷路器、母線端部側(cè)產(chǎn)生幅值不同的VFTO。操作隔離開(kāi)關(guān)處的VFTO幅值最大，而母線端部的VFTO幅值最小。隔離開(kāi)關(guān)處VFTO的典型波形為一高頻振蕩的暫態(tài)電壓波形，如圖3所示，其最高可達(dá)2.16 p.u.，波前時(shí)間約為250 ns。該VFTO時(shí)域波形對(duì)應(yīng)的頻率分布如圖4所示，可見(jiàn)，過(guò)電壓波的能量主要集中在3個(gè)頻率段，分別為直流分量0 MHz、15 MHz和25 MHz，說(shuō)明VFTO暫態(tài)波形分布在較寬的頻率范圍。

表2 GIS內(nèi)主要設(shè)備上VFTO的幅值Tab.2 Amplitude of VFTO on main equipment in GIS

圖3 隔離開(kāi)關(guān)處VFTO波形Fig.3 Waveform of VFTO at isolating switch

圖4 隔離開(kāi)關(guān)處VFTO頻率分布Fig.4 Frequency distribution of VFTO at isolating switch

3.2 變壓器入口電容對(duì)VFTO的影響

變壓器入口電容與變壓器的電壓等級(jí)、容量和結(jié)構(gòu)有關(guān)。電壓等級(jí)越高，額定容量越大，入口電容也隨之增大，進(jìn)而影響VFTO的特征。入口電容對(duì)各設(shè)備處VFTO幅值的影響如圖5所示。

圖5 變壓器入口電容不同時(shí)各處元件的VFTO的幅值Fig.5 Amplitude of VFTO of various components when the transformer inlet capacitances are different

隨著入口電容從2 000 pF增大至5 000 pF，各設(shè)備處的VFTO幅值均呈現(xiàn)增大趨勢(shì)。以隔離開(kāi)關(guān)處的VFTO為例，其幅值從0.861 MV增大至0.972 MV，說(shuō)明變壓器入口電容越大，越容易形成較大的VFTO。導(dǎo)致這一結(jié)果的原因是：在預(yù)擊穿階段，入口電容會(huì)存儲(chǔ)能量，并在擊穿發(fā)生時(shí)將能量釋放。入口電容越大，存儲(chǔ)的能量越多，VFTO的幅值也越高。因此，欲降低VFTO的幅值，可減小變壓器的入口電容。

3.3 主變進(jìn)線支路長(zhǎng)度對(duì)VFTO的影響

GIS母線及支路均存在電抗，電抗值與支路長(zhǎng)度密切相關(guān)，因此支路長(zhǎng)度也將對(duì)VFTO產(chǎn)生影響。本文保持其他支路長(zhǎng)度不變，主變進(jìn)線支路長(zhǎng)度在7～19 m范圍內(nèi)變化，計(jì)算分析支路長(zhǎng)度對(duì)VFTO的波形及幅值的影響。

主變進(jìn)線支路長(zhǎng)度為7 m和19 m時(shí)，隔離開(kāi)關(guān)處的VFTO典型波形如圖6和圖7所示。可見(jiàn)，當(dāng)支路長(zhǎng)度較短時(shí)，隔離開(kāi)關(guān)處的VFTO波形振蕩劇烈，高頻分量豐富；當(dāng)支路長(zhǎng)度較長(zhǎng)時(shí)，隔離開(kāi)關(guān)處的VFTO波形振蕩變?nèi)?，高頻分量減少。這說(shuō)明主變進(jìn)線支路長(zhǎng)度對(duì)VFTO波形的頻率分量有顯著影響。

圖6 主變進(jìn)線支路長(zhǎng)度為7 m時(shí)隔離開(kāi)關(guān)處VFTO波形Fig.6 Waveform of VFTO at isolating switch when the length of transformer incoming branch is 7 m

圖7 主變進(jìn)線支路長(zhǎng)度為19 m時(shí)隔離開(kāi)關(guān)處VFTO波形Fig.7 Waveform of VFTO at isolating switch when the length of transformer incoming branch is 19 m

主變進(jìn)線的支路長(zhǎng)度對(duì)各設(shè)備處VFTO幅值的影響如圖8所示。隨著支路長(zhǎng)度的增大，各設(shè)備處VFTO幅值的變化規(guī)律具有明顯差異。在隔離開(kāi)關(guān)和斷路器處，VFTO的幅值整體呈現(xiàn)增大趨勢(shì)；在母線端部位置，VFTO的幅值整體呈現(xiàn)減小趨勢(shì)。導(dǎo)致這一現(xiàn)象的原因是，由于VFTO波前時(shí)間較短，其在GIS內(nèi)以行波形式傳播。在波阻抗突變處發(fā)生復(fù)雜的折射和反射現(xiàn)象，支路長(zhǎng)度決定了VFTO在發(fā)生折、反射后，與后續(xù)產(chǎn)生的VFTO發(fā)生疊加，增強(qiáng)或削弱VFTO的幅值。由于VFTO傳播速度極快、波長(zhǎng)極短，支路長(zhǎng)度小幅改變就會(huì)對(duì)VFTO的波形產(chǎn)生很大的影響。因此，從VFTO的幅值和頻率兩個(gè)方面考慮，選擇合適的支路長(zhǎng)度將有助于抑制設(shè)備處的VFTO。

圖8 主變進(jìn)線支路長(zhǎng)度不同時(shí)各處元件的VFTO的幅值Fig.8 Amplitude of VFTO of various components when the lengths of transformer incoming branches are different

3.4 VFTO的抑制措施分析

3.4.1 采用鐵氧體磁環(huán)抑制VFTO

將鐵氧體磁環(huán)加裝在隔離開(kāi)關(guān)處，相當(dāng)于在隔離開(kāi)關(guān)分合觸頭和空載母線之間串聯(lián)上等效阻抗，利用鐵氧體磁環(huán)的高頻特性，降低VFTO的幅值及頻率。

加裝鐵氧體磁環(huán)的單間隔VFTO仿真計(jì)算模型如圖9所示，鐵氧體磁環(huán)等效電阻取母線的波阻抗，等效電感取值為0.05 mH。

圖9 加裝鐵氧體磁環(huán)的單間隔VFTO仿真計(jì)算模型Fig.9 Numerical simulation model of VFTO at single interval with ferrite magnetic ring

加裝鐵氧體磁環(huán)后，各設(shè)備處的VFTO幅值如表3所示，可見(jiàn)，VFTO幅值明顯降低。

表3 加裝鐵氧體磁環(huán)前后各處元件VFTO幅值對(duì)比Tab.3 Comparison of VFTO amplitudes of various components before and after ferrite magnetic ring is installed MV

以隔離開(kāi)關(guān)處為例，其VFTO幅值從0.972 MV下降至0.777 MV，降低比例為17.3%。該處的VFTO典型波形和頻率分布分別如圖10和圖11所示?？梢?jiàn)，VFTO的波形出現(xiàn)明顯衰減振蕩，與未加裝磁環(huán)前的波形有顯著區(qū)別。此外，VFTO在15 MHz處的幅值也顯著降低，說(shuō)明磁環(huán)在抑制高頻振蕩方面具有較好效果。

圖10 加裝鐵氧體磁環(huán)后隔離開(kāi)關(guān)處VFTO波形Fig.10 Waveform of VFTO at isolating switch after ferrite magnetic ring is installed

圖11 加裝鐵氧體磁環(huán)后隔離開(kāi)關(guān)處VFTO頻率分布Fig.11 Frequency distribution of VFTO at isolating switch after ferrite magnetic ring is installed

3.4.2 采用阻波器抑制VFTO

本文設(shè)計(jì)一種新型阻波器，將其置于變壓器處，利用阻波器對(duì)高頻電流呈高阻抗對(duì)工頻電流只有很小的阻抗的諧振原理，降低VFTO的幅值及頻率。阻波器的電路模型如圖12所示，主線圈等效電感為L(zhǎng)；調(diào)諧裝置由電感L1和電容C組成；保護(hù)裝置等效成電阻R。各元件參數(shù)為：L=1 mH，L1=1 mH，C=1 μF ，R=500 Ω 。

圖12 阻波器仿真模型Fig.12 Simulation model of wave trap

搭建的加裝阻波器的單間隔VFTO仿真計(jì)算模型如圖13所示。

圖13 加裝阻波器的單間隔VFTO仿真計(jì)算模型Fig.13 Numerical simulation model of VFTO at single interval with wave trap

加裝阻波器前后，各設(shè)備處的VFTO幅值如表5所示?？梢?jiàn)，加裝阻波器能夠大幅降低VFTO的幅值。仍以隔離開(kāi)關(guān)處為例，其VFTO幅值從0.972 MV減小至0.615 MV，降低比例為36.7%。這一抑制效果比前述的加裝鐵氧體磁環(huán)更顯著。

表4 加裝阻波器前后各處元件的VFTO的幅值對(duì)比Tab.4 Comparison of VFTO amplitudes of various components before and after wave trap is installed MV

圖14和圖15分別顯示了加裝阻波器后，隔離開(kāi)關(guān)處的VFTO波形和頻率分布。對(duì)比圖10和圖11可知，加裝阻波器后VFTO的波形振蕩衰減更為劇烈，在5 μs內(nèi)將至穩(wěn)態(tài)值，說(shuō)明阻波器起到了較好的阻尼作用。另外，VFTO的高頻分量被顯著削弱，與圖4中結(jié)果相比，其在15MHz和25 MHz處的分量幾乎衰減為0，展現(xiàn)了阻波器良好的高頻抑制作用。綜上所述，阻波器對(duì)VFTO具有明顯的抑制效果，在降低幅值以及削弱高頻分量方面強(qiáng)于鐵氧體磁環(huán)。

圖14 加裝阻波器后隔離開(kāi)關(guān)處VFTO波形Fig.14 Waveform of VFTO at isolating switch after wave trap is installed

圖15 加裝阻波器后隔離開(kāi)關(guān)處VFTO頻率分布Fig.15 Frequency distribution of VFTO at isolating switch after wave trap is installed

4 結(jié)論

本文選取深圳某550 kV GIS變電站為研究對(duì)象，仿真分析了隔離開(kāi)關(guān)在合空載母線時(shí)的VFTO特征及影響因素，探討了抑制VFTO的方法。主要結(jié)論如下。

（1）隨著入口電容值的增大，VFTO的幅值增大；隨著主變進(jìn)線長(zhǎng)度延長(zhǎng)，VFTO波形中的高頻分量減少，隔離開(kāi)關(guān)和斷路器處的VFTO幅值總體呈增大趨勢(shì)。

（2）采用鐵氧體磁環(huán)和阻波器均可有效抑制隔離開(kāi)關(guān)處的VFTO。二者相比，阻波器在VFTO幅值和高頻分量上的抑制效果更優(yōu)。