蔣燕飛,黃 濤,2,周曉東,寧遠(yuǎn)濤,2,張延順,2,陳 琦,2
(1.上海裕達(dá)實(shí)業(yè)有限公司,上海 200240; 2.上海衛(wèi)星裝備研究所,上海 200240; 3.上海航天技術(shù)研究院,上海 200240)
分子泵作為實(shí)現(xiàn)高真空環(huán)境設(shè)備的主要組成部分,被廣泛應(yīng)用在航天航空、光學(xué)工程等領(lǐng)域的教學(xué)和科研中[1]。電機(jī)是分子泵實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)速,將轉(zhuǎn)子動(dòng)能傳輸給氣體分子進(jìn)而被壓縮排出的核心動(dòng)力部件[2]。目前,真空領(lǐng)域的分子泵,以應(yīng)用無刷直流電機(jī)作為核心動(dòng)力部件最為廣泛,對(duì)電機(jī)的轉(zhuǎn)速要求常常達(dá)到每分鐘數(shù)萬轉(zhuǎn),且要求在此轉(zhuǎn)速下運(yùn)行平穩(wěn),保障穩(wěn)定的抽氣性能。與此同時(shí),真空環(huán)境下,電機(jī)的散熱條件差,對(duì)電機(jī)穩(wěn)定工作時(shí)的效率提出了更高的要求[3]。
電機(jī)溫升是電機(jī)設(shè)計(jì)時(shí)關(guān)心的綜合指標(biāo),電機(jī)所用的銅線、絕緣材料等按絕緣等級(jí)有耐溫要求,過高的溫升會(huì)導(dǎo)致絕緣失效,永磁體矯頑力降低而導(dǎo)致不可逆退磁。為了降低溫升,常常從提高電機(jī)的效率或者改善散熱方式兩方面去優(yōu)化。通??梢杂盟錂C(jī)殼、風(fēng)扇等方式,加快熱交換,盡快將熱量帶走的方式來對(duì)電機(jī)進(jìn)行降溫,以使電機(jī)溫升維持在合理的范圍[4-7]。但是,對(duì)于真空環(huán)境而言,顯然無法通過增加空氣對(duì)流的方式來對(duì)電機(jī)進(jìn)行降溫,而用水冷降溫的方式將會(huì)使得電機(jī)的體積增加,系統(tǒng)變得更加復(fù)雜。因此,在真空環(huán)境下,只能通過提高電機(jī)本身的性能,降低損耗,提升運(yùn)行效率來降低控制電機(jī)溫升。關(guān)于提高永磁同步電機(jī)工作效率的方法,已有大量研究,主要從降低銅耗和鐵耗兩個(gè)方面進(jìn)行電磁場(chǎng)優(yōu)化設(shè)計(jì)[8-9]。不同工況下,優(yōu)化設(shè)計(jì)的方向不同。
本文以上海衛(wèi)星裝備研究所某型儀器用分子泵用無刷直流電機(jī)為原型,實(shí)測(cè)并分析了其溫升過高產(chǎn)生的根本原因,根據(jù)其實(shí)際使用工況,在不改變現(xiàn)有電機(jī)體積、不增加成本,不增加加工工藝難度的基礎(chǔ)上,著重對(duì)電機(jī)的鐵耗進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。與此同時(shí),針對(duì)目前電機(jī)槽滿率過高導(dǎo)致的加工工藝性差的問題,也進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。仿真分析及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證表明,優(yōu)化設(shè)計(jì)方案準(zhǔn)確有效。這對(duì)整個(gè)分子泵系統(tǒng)的自主化研制具有非常重要的意義。
該型復(fù)合分子泵用40 mm口徑的無刷直流電機(jī),其電機(jī)截面圖如圖1所示,電機(jī)采用12槽,2極結(jié)構(gòu),永磁體為環(huán)形結(jié)構(gòu)。從內(nèi)向外依次為轉(zhuǎn)軸、單對(duì)極磁環(huán)、碳纖維護(hù)套、定子鐵心。定子槽型為平底槽,電機(jī)具體參數(shù)如表1所示。
圖1 無刷直流電機(jī)截面圖
表1 電機(jī)主要參數(shù)
分子泵如圖2所示,其轉(zhuǎn)速為72 000 r/min,電機(jī)為無刷直流電機(jī)。經(jīng)測(cè)試,該分子泵各項(xiàng)性能指標(biāo)均能滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)技術(shù)要求,但與國(guó)外同類產(chǎn)品測(cè)試時(shí)對(duì)比發(fā)現(xiàn),其溫升明顯偏高。分析可知,分子泵工作過程中,其發(fā)熱來源主要為電機(jī)和軸承,為了解溫升源頭,在電機(jī)及軸承處分別安裝溫度傳感器,測(cè)試數(shù)據(jù)如表2所示,結(jié)果表明溫升差異主要來源于電機(jī)。
圖2 分子泵實(shí)物圖
表2 兩款泵溫升測(cè)試對(duì)比
由于溫度升高對(duì)電機(jī)的絕緣和使用壽命有很大影響,會(huì)降低分子泵產(chǎn)品可靠性,因此,本文主要研究一種降低真空環(huán)境分子泵電機(jī)溫升的設(shè)計(jì)方法,并做出優(yōu)化方案,最終保證分子泵整體發(fā)熱不高于對(duì)標(biāo)國(guó)外品牌分子泵(即不超過20 ℃)。
電機(jī)損耗主要由三部分組成:定轉(zhuǎn)子鐵心損耗(鐵耗)、電氣損耗(銅耗)、機(jī)械損耗。由于該款分子泵中電機(jī)定子和轉(zhuǎn)子直接分別安裝于泵體機(jī)殼內(nèi)及轉(zhuǎn)軸上,電機(jī)無獨(dú)立軸承支承,因此本方案不考慮機(jī)械損耗。
定轉(zhuǎn)子鐵心損耗主要是主磁場(chǎng)在鐵心內(nèi)發(fā)生變化時(shí)所產(chǎn)生的磁滯損耗和渦流損耗。
磁滯損耗ph是鐵磁物質(zhì)內(nèi)由交變磁化作用引起的磁滯損耗,它與磁場(chǎng)的磁通密度B以及交變的頻率f有關(guān),即:
ph=σ′hfBa
(1)
式中:σ′h為取決于材料性能的常數(shù);a一般取1.6~2.2。
鐵心中磁場(chǎng)變化產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)引起感生電流,這種渦流引起的損耗稱為渦流損耗[10]。渦流損耗pe可由下式計(jì)算得到:
(2)
式中:pe與磁通密度B、頻率f及材料厚度ΔFe的二次方成正比,與電阻率ρ和鋼片密度dFe成反比。
電氣損耗在無刷直流電機(jī)主要為繞組中的電氣損耗,簡(jiǎn)稱銅耗。根據(jù)焦耳-楞次定律,繞組電氣損耗與繞組中電流的平方與電阻的乘積成正比,即:
pCu=mI2R
(3)
式中:I為繞組電流;R為繞組電阻。
電機(jī)溫度的升高是由于電機(jī)運(yùn)行過程中產(chǎn)生的各種損耗轉(zhuǎn)化成了熱能、這些熱能來不及耗散而引起的。通常,電機(jī)傳熱方式有三種:傳導(dǎo)、對(duì)流和輻射。然而,電機(jī)定、轉(zhuǎn)子分別安裝于分子泵腔體內(nèi),正常工作狀態(tài)時(shí),腔體內(nèi)部處于高真空狀態(tài),電機(jī)無法以熱對(duì)流的方式進(jìn)行散熱,僅能以熱傳導(dǎo)和熱輻射的形式將熱量散發(fā)出去,散熱的效率非常低[11]。
因此,分子泵電機(jī)溫度場(chǎng)問題可以描述如下:
(4)
式中:Kx,Ky,Kz分別為電機(jī)各介質(zhì)x、y、z方向的導(dǎo)熱系數(shù);T為物體溫度;q為熱源密度;c為比熱容;γ為材料密度;τ為時(shí)間;S1為電動(dòng)機(jī)絕緣邊界面;S2為電機(jī)的散熱邊界面;K為S1和S2面法向?qū)嵯禂?shù);α為S2面的散熱系數(shù);Te為S2周圍介質(zhì)的溫度時(shí)間函數(shù);Qi-j是由平面i到平面j傳遞的熱量;Ai是平面i的面積;Fij為兩個(gè)平面的角系數(shù);ε是平面的總發(fā)射率;Ti、Tj分別為兩個(gè)平面的溫度[11]。
為全面了解分子泵電機(jī)實(shí)際工況,運(yùn)用電機(jī)設(shè)計(jì)軟件Motor CAD對(duì)現(xiàn)有電機(jī)進(jìn)行電磁場(chǎng)仿真計(jì)算。
同時(shí),對(duì)分子泵從起動(dòng)開始加速至額定轉(zhuǎn)速72 000 r/min及穩(wěn)速后的實(shí)際工作過程進(jìn)行監(jiān)測(cè),記錄輸入電壓、電流及電機(jī)轉(zhuǎn)速等監(jiān)測(cè)參數(shù),效率Map圖如圖3所示,模擬出電機(jī)工作T-n-t曲線,如圖4所示。
圖3 原電機(jī)效率Map圖
圖4 電機(jī)實(shí)際工況曲線
由圖4可知,分子泵電機(jī)最大轉(zhuǎn)矩工作點(diǎn)位于起動(dòng)瞬間,此時(shí)電機(jī)轉(zhuǎn)速較低;當(dāng)達(dá)到額定轉(zhuǎn)速72 000 r/min時(shí),電機(jī)功率達(dá)到最大值,整個(gè)起動(dòng)加速時(shí)間約為1.5 min;當(dāng)轉(zhuǎn)速穩(wěn)定后,轉(zhuǎn)矩大幅下降后保持穩(wěn)定,分子泵在該狀態(tài)下長(zhǎng)期工作。此時(shí)電機(jī)負(fù)載很輕,相電流很小,鐵耗約為2.37 W,銅耗約為0.11 W,鐵耗遠(yuǎn)大于銅耗,為引起分子泵溫升高的主要原因。因此,考慮以降低鐵耗作為主要優(yōu)化方向。
由式(1)、式(2)可知,電機(jī)鐵耗與材料厚度、磁通密度、電機(jī)頻率、電阻率、鋼片密度有關(guān)。電機(jī)頻率受電機(jī)最小極對(duì)數(shù)限制,已經(jīng)是最低1對(duì)極。已有分子泵系統(tǒng)選用的電機(jī)硅鋼片厚度為0.2 mm,若選用更薄的硅鋼片(0.1 mm)可有效降低鐵耗,但該硅鋼片原材料價(jià)格提升10倍,從經(jīng)濟(jì)性方面暫不考慮更換該材料。在材料不改變的情況下,降低磁通密度可以降低鐵耗。
對(duì)原無刷直流電機(jī)進(jìn)行電磁場(chǎng)有限元分析,額定工作時(shí)磁云圖如圖5(a)所示,從圖5(a)中可以分析得到齒部及軛部磁密分別約為0.75 T、0.93 T,適當(dāng)增加齒部寬度及軛部寬度,選用更低牌號(hào)的磁鋼來降低齒部及軛部磁密,從而降低鐵耗。此外,原方案電機(jī)槽滿率較高,繞線難度較大,嚴(yán)重增加了電機(jī)的生產(chǎn)難度和次品率。根據(jù)實(shí)測(cè)工況,分子泵長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作時(shí),電機(jī)輸出轉(zhuǎn)矩小,銅耗較小,可以適當(dāng)降低槽滿率,提高穩(wěn)定工作時(shí)的電流密度。優(yōu)化后的電機(jī)磁云分布圖如圖5(b)所示。其齒部磁密為0.65 T,軛部磁密為0.6 T。綜合性能對(duì)比如表3所示。
圖5 優(yōu)化前后電機(jī)磁云圖
表3 額定工況電機(jī)參數(shù)對(duì)比
根據(jù)上節(jié)設(shè)計(jì)的電機(jī)參數(shù),結(jié)合分子泵實(shí)際工作環(huán)境,確定各部分散熱系數(shù)。對(duì)優(yōu)化前后的兩款電機(jī)溫升進(jìn)行有限元分析計(jì)算,得到的結(jié)果如圖6所示。
圖6 優(yōu)化前后電機(jī)定子溫升仿真結(jié)果
從圖6中可以看出,優(yōu)化后,電機(jī)定子部位溫升明顯降低。優(yōu)化前,電機(jī)工作1 h左右,電機(jī)溫度不再升高,達(dá)到熱平衡狀態(tài),最大溫升為26 ℃。優(yōu)化后電機(jī)工作0.5 h左右,達(dá)到熱平衡狀態(tài),最大溫升為18.5 ℃,比優(yōu)化前降低7.5 ℃,優(yōu)化效果顯著。
圖7 分子泵工作狀態(tài)圖
為驗(yàn)證仿真模型的正確性與仿真結(jié)果的準(zhǔn)確性,將優(yōu)化后的電機(jī)裝入分子泵內(nèi),如圖7所示,并用內(nèi)置傳感器監(jiān)測(cè)的方式對(duì)電機(jī)溫升進(jìn)行監(jiān)控記錄,將得到的結(jié)果與上述仿真結(jié)果進(jìn)行對(duì)比,如表4所示。
表4 電機(jī)實(shí)測(cè)值與仿真結(jié)果對(duì)比
通過表4可以看出,電機(jī)溫升實(shí)測(cè)值比仿真值略高,誤差為6.5%左右??紤]到材料參數(shù)誤差、生產(chǎn)工藝因素的影響,該誤差在正??山邮芊秶鷥?nèi),從而驗(yàn)證了有限元仿真模型的有效性與正確性。與優(yōu)化前電機(jī)溫升對(duì)比,優(yōu)化后溫升降低了8.3 ℃,與國(guó)外同類產(chǎn)品溫升比較,略優(yōu)于國(guó)外同類產(chǎn)品,驗(yàn)證了本方案的有效性和準(zhǔn)確性。本方案可以為此類工況的電機(jī)設(shè)計(jì)仿真和實(shí)驗(yàn)提供參考,同時(shí)為該類型電機(jī)的設(shè)計(jì)優(yōu)化提供思路和依據(jù)。
真空環(huán)境下,散熱條件差,對(duì)高速永磁電機(jī)的溫升設(shè)計(jì)提出更高的要求。結(jié)合電機(jī)實(shí)際工況,對(duì)電機(jī)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)是電機(jī)設(shè)計(jì)的必然趨勢(shì)。本文以某型分子泵用無刷直流電機(jī)為原型,通過實(shí)測(cè)并結(jié)合效率云圖分析的方法,得到分子泵實(shí)際工況,找到現(xiàn)有電機(jī)工作損耗大、溫升高的根本原因,從降低電機(jī)鐵耗的優(yōu)化方向?qū)﹄姍C(jī)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。經(jīng)過仿真及實(shí)驗(yàn),優(yōu)化后的電機(jī)運(yùn)行時(shí)溫升更小。分子泵整體性能可以與國(guó)外同類分子泵產(chǎn)品相比擬,這對(duì)分子泵產(chǎn)品核心部件國(guó)產(chǎn)化具有非常重要的意義。