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        Yb2Si2O7 前驅(qū)體及其低壓等離子噴涂用粉末制備研究

        2022-02-07 07:53:46顏正彭浩然冀曉鵑章德銘
        熱噴涂技術(shù) 2022年3期
        關(guān)鍵詞:冷壓氧化硅造粒

        顏正,彭浩然,冀曉鵑,章德銘

        (1.礦冶科技集團(tuán)有限公司,北京 100160;2.北京市工業(yè)部件表面強(qiáng)化與修復(fù)工程技術(shù)研究中心,北京 102206;3. 特種涂層材料與技術(shù)北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京 102206)

        0 引言

        航空發(fā)動(dòng)機(jī)被譽(yù)為現(xiàn)代工業(yè)皇冠上的明珠,正面向高性能、高推重比發(fā)展。提高燃?xì)膺M(jìn)口溫度是提升航空發(fā)動(dòng)機(jī)推重比和性能的最直接有效手段。目前,發(fā)動(dòng)機(jī)關(guān)鍵熱端部件采用高溫合金作為基材,另輔以熱障涂層作隔熱防護(hù)[1-2]。然而,伴隨渦輪進(jìn)口溫度的不斷提高,高溫合金-熱障涂層體系將無(wú)法滿足未來(lái)需求。陶瓷基復(fù)合材料,以碳化硅纖維增強(qiáng)碳化硅基復(fù)合材料為代表,具有優(yōu)異的高溫性能,是未來(lái)發(fā)動(dòng)機(jī)熱端部件的首選材料,有望逐步取代高溫合金。然而,發(fā)動(dòng)機(jī)所處實(shí)際工況為存在高流速水蒸氣的燃燒環(huán)境,該工況會(huì)對(duì)陶瓷基復(fù)合材料造成嚴(yán)重水氧腐蝕,必須采用環(huán)境障涂層進(jìn)行防護(hù)[3-6]。環(huán)境障涂層至今已發(fā)展三代,目前第三代材料體系為稀土硅酸鹽,其中,Yb2Si2O7以其優(yōu)異的相穩(wěn)定性、與硅基陶瓷匹配的熱膨脹系數(shù)、良好的抗腐蝕性能等在諸多稀土硅酸鹽中脫穎而出[7-12]。然而,Yb2Si2O7的合成面臨較大挑戰(zhàn),存在化學(xué)成分不均勻和難以制取純凈相等問題,因此有必要探究其材料制備科學(xué)。

        本研究分別采用固相反應(yīng)法和溶膠凝膠法制備了Yb2Si2O7前驅(qū)體,比較分析了兩種方法的利弊及各自于工業(yè)級(jí)合成中的前景;探討了采用二流體霧化工藝制備1~30 μm 超細(xì)噴涂粉末的關(guān)鍵參數(shù)并成功制得相應(yīng)粉體,為后續(xù)低壓等離子噴涂奠定良好基礎(chǔ)。

        1 試驗(yàn)

        采用固相反應(yīng)法制備Yb2Si2O7所需的原料為氧化鐿和氧化硅(白色粉體,粒度1μm,純度99.99 wt.%,北京德科島金科技有限公司)。固相反應(yīng)法制備Yb2Si2O7的化學(xué)方程式為:Yb2O3+2SiO2→Yb2Si2O7。故配比中氧化鐿:氧化硅(摩爾比)設(shè)置為1:2。稱取滿足化學(xué)計(jì)量比的氧化鐿和氧化硅,置于球磨罐中,采用濕法球磨使兩種組分均勻混合,其中料:水:球=1:1:3(質(zhì)量比),另添加2.5 wt.%(占粉體總質(zhì)量)的粘結(jié)劑PVA 增加粉末粘性便于后續(xù)壓塊燒結(jié)。球磨時(shí)間為8 h,轉(zhuǎn)速為300 r/min。球磨完畢后,倒出乳白色漿料,烘干120 ℃,24 h,干燥的混合粉末結(jié)塊并龜裂。取出結(jié)塊粉末,研磨成粉并過80#篩,置于馬弗爐內(nèi)煅燒1500 ℃,5 h。此外,使用冷壓模具將~2 g 左右-80#混合粉末冷壓成塊,壓力為6 MPa,保壓時(shí)間為10 min,得到φ16 mm×3 mm 的冷壓圓片,此后將此冷壓圓片煅燒1600 ℃,10 h,以完成固相反應(yīng)并得到陶瓷塊材。

        采用溶膠凝膠法制備Yb2Si2O7所需的原料為五水合硝酸鐿(白色塊體,純度99.99 wt.%,秦皇島一諾高新材料開發(fā)有限公司)和正硅酸乙酯(無(wú)色液體,純度98 wt.%,南京經(jīng)天緯化工有限公司),其中硝酸鐿提供稀土源Yb,正硅酸乙酯提供硅源。為盡量保證合成產(chǎn)物中Yb2Si2O7的純凈性、最大限度降低Yb2SiO5的含量,在配方設(shè)計(jì)時(shí)使硅輕微過量,即控制Yb:Si(摩爾比)=1:1.05(或Yb2O3:SiO2=1:2.1)[13];作為比較,Yb2Si2O7的標(biāo)準(zhǔn)配比為Yb:Si=1:1 或Yb2O3: SiO2=1:2。合成Yb2Si2O7的工藝路線如圖1 所示。首先依據(jù)化學(xué)計(jì)量比取適量硝酸鐿于燒杯中,倒入純凈水,控制硝酸鹽與水的摩爾比為1:4,將燒杯置于90~95 ℃加熱爐上,邊加熱邊攪拌,使塊狀硝酸鐿完全溶解,直至得到澄清溶液備用。另一方面,取適量正硅酸乙酯于燒杯中,先后向其中倒入乙醇和純凈水,控制正硅酸乙酯:水:乙醇=1:4:1(摩爾比)。然后,將硝酸鐿溶液倒入正硅酸乙酯燒杯中并使用攪拌槳開啟攪拌,轉(zhuǎn)速為400 r/min,整個(gè)攪拌過程持續(xù)12 h,使正硅酸乙酯充分水解并與硝酸鐿充分均勻混合。之后將上述混合液體置于70 ℃烘干箱保溫24 h,使正硅酸乙酯水解產(chǎn)物充分聚合,完成由低聚合物向高聚合物的轉(zhuǎn)變從而形成凝膠。進(jìn)一步,將烘箱溫度調(diào)至110 ℃并保溫24 h,去除正硅酸乙酯水解產(chǎn)物乙醇并得到干凝膠,此時(shí)干凝膠開裂為大小不等的碎塊。倒出碎塊盛于坩堝內(nèi)作800 ℃,2 h 退火熱處理,待冷卻至室溫,取出研磨成粉并過80#篩。最后,將上述粉末分別在1300 ℃,1400 ℃和1500 ℃煅燒5 h,以探索最佳合成溫度。此外,類比固相法,對(duì)煅燒粉末嘗試塊材制備,制塊工藝同固相法。

        圖1 溶膠凝膠法合成Yb2Si2O7 工藝路線圖Fig. 1 Synthesis route of Yb2Si2O7 preparation by sol-gel method

        采用掃描電子顯微鏡(SU 5000 型,日本日立公司)對(duì)上述粉末和塊材進(jìn)行觀察,采用X 射線衍射儀(D8 型,德國(guó)布魯克公司)對(duì)上述粉末和塊材進(jìn)行相結(jié)構(gòu)分析。

        2 結(jié)果及分析

        2.1 固相反應(yīng)法制備Yb2Si2O7

        固相反應(yīng)法工藝簡(jiǎn)單、生產(chǎn)效率高,是目前制備陶瓷粉體應(yīng)用最為廣泛的方法,故本研究首先探索固相反應(yīng)法制備Yb2Si2O7粉末。氧化鐿-氧化硅混合粉經(jīng)1500 ℃、5 h 煅燒后,待冷卻取出測(cè)試其相組成,其XRD 結(jié)果如圖2 所示。混合粉末煅燒后主要呈現(xiàn)Yb2SiO5和Yb2Si2O7兩種新相,未探測(cè)到明顯的原料信號(hào)。需注意的是,相圖中Yb2SiO5峰強(qiáng)很高,說明煅燒粉末中Yb2SiO5相占比頗高,經(jīng)1500 ℃、5 h 煅燒得不到純凈的Yb2Si2O7。

        圖2 氧化硅-氧化鐿混合粉末經(jīng)1500℃、5h煅燒后的XRD 圖譜Fig. 2 XRD pattern of SiO2-Yb2O3 mixed powder after 1500℃ calcination for 5h

        進(jìn)一步,對(duì)混合粉末采用冷壓并結(jié)合高溫?zé)Y(jié)制備Yb2Si2O7陶瓷塊材,經(jīng)1600 ℃、10 h 燒結(jié)后的塊材宏觀形貌如圖3 所示。冷壓片經(jīng)煅燒后尺寸收縮至φ14×2.7 mm,該塊材疏松脆弱,燒后取出時(shí)即可發(fā)現(xiàn)塊材發(fā)生明顯分層開裂、輕微受力斷層即破碎,這與氧化鋯基材料煅燒后呈現(xiàn)出的高強(qiáng)度、高硬度、高致密度截然不同。

        圖3 采用固相合成法制前驅(qū)體、冷壓、1600 ℃、10 h燒結(jié)獲得的陶瓷塊材:(a) 塊體頂層;(b) 塊體底層Fig. 3 Yb2Si2O7 bulk by solid-state reaction method, cold pressing and calcination at 1600 ℃ for 10 h:(a) top part; (b) bottom part

        對(duì)燒結(jié)塊材表面打磨拋光,拋光后其表面并未呈現(xiàn)鏡面光澤,也證明其為疏松多孔結(jié)構(gòu)。采用XRD 和SEM 分別進(jìn)行物相分析和表面形貌觀測(cè)。XRD 結(jié)果表明(圖4),燒結(jié)塊材XRD 譜線的衍射峰主要對(duì)應(yīng)Yb2Si2O7和Yb2SiO5兩種物相。從峰強(qiáng)結(jié)果來(lái)看,盡管相比1500 ℃、10 h 煅燒粉末,1600 ℃、10 h 煅燒塊材中Yb2SiO5峰強(qiáng)減弱、相占比減小,但Yb2SiO5比例仍較高,未形成Yb2Si2O7純相。進(jìn)一步采用掃描電鏡觀察樣品表面形貌,圖5(a)展示了二次電子模式下樣品的低倍形貌,可觀察到樣品表面凹凸不平,既不平整也不致密,存在大量孔洞。此外,可觀察到有相當(dāng)數(shù)量的深色襯度小塊隨機(jī)嵌入其中,對(duì)深色襯度相做EDS 成分分析,顯示其主要由Si 和O 組成,說明其是未反應(yīng)完全殘留的SiO2。避開深色襯度相,對(duì)淺色襯度區(qū)域放大觀察,其結(jié)果如圖5(b)所示。該區(qū)域由兩種具有不同襯度的物相(分別是淺灰色和深灰色)無(wú)規(guī)律交織組成。分別對(duì)上述兩種襯度物相做EDS 成分鑒定,顯示淺色相中Yb 和Si 的原子比接近1:1,而深灰色相中Yb 幾乎是Si 的2 倍(原子比),由此可判定,淺色相和深灰色相分別是Yb2Si2O7和Yb2SiO5,從SEM 來(lái)看,二者含量接近1:1,這與XRD 分析結(jié)果相吻合。

        圖4 氧化硅-氧化鐿混合粉末經(jīng)冷壓,1600℃、10h 煅燒后的塊材XRD 圖譜Fig. 4 XRD pattern of the bulk after cold pressing and 1600℃, 10h calcination

        圖5 氧化硅-氧化鐿混合粉末經(jīng)冷壓,1600℃、10h 煅燒后的塊材表面形貌:(a) 低倍形貌 (二次電子);(b) 局部高倍形貌 (背散射)Fig. 5 Surface morphology of the bulk after cold pressing and 1600℃, 10h calcination: (a) low magnification (SE mode); (b) local high magnification (BSE mode)

        上述研究表明,采用固相反應(yīng)法制備Yb2Si2O7存在諸多問題:(1) 反應(yīng)困難,合成門檻高,無(wú)論是粉體還是塊材均難以獲得純凈Yb2Si2O7相。本研究中即便采用1600℃、10h 的高溫長(zhǎng)時(shí)熱處理,仍無(wú)法實(shí)現(xiàn)SiO2和Yb2O3的完全反應(yīng),燒結(jié)塊材中仍然殘留大量未完全反應(yīng)的SiO2和中間相Yb2SiO5;(2) 難以獲得均質(zhì)材料,固相法中氧化物的混合僅依靠球磨的機(jī)械混合作用,制備的粉體或塊材存在宏觀和微觀化學(xué)成分不均勻的問題。

        2.2 溶膠凝膠法制備Yb2Si2O7

        除固相合成外,采用另外一條技術(shù)路線溶膠凝膠法嘗試制備Yb2Si2O7,關(guān)鍵的工藝步驟可簡(jiǎn)述為溶膠→凝膠→退火→高溫煅燒,具體的合成路線如圖1 所示,在此不再贅述。干凝膠作800℃退火處理后,測(cè)試粉末相組成,結(jié)果如圖6 所示,此時(shí)譜線呈現(xiàn)為典型的非晶相,說明此溫度尚未觸及Yb2Si2O7的合成門檻溫度,仍需進(jìn)一步的高溫煅燒。

        圖6 干凝膠經(jīng)800℃、2h 退火后粉末的XRD 圖譜Fig. 6 XRD pattern of dry gel powder annealed at 800℃ for 2h

        將退火得到的非晶相粉末作進(jìn)一步高溫煅燒,經(jīng)不同熱處理?xiàng)l件煅燒后的粉末XRD 如圖7 所示。1300 ℃、5 h 熱處理?xiàng)l件下,粉末絕大部分峰線可匹配Yb2Si2O7的譜圖,但是仔細(xì)觀察28~29°和31°附近出現(xiàn)的細(xì)小雜峰,該峰對(duì)應(yīng)Yb2SiO5的最強(qiáng)兩峰,說明1300 ℃已經(jīng)接近完成Yb2Si2O7的合成,僅殘留少部分雜質(zhì)相Yb2SiO5。繼續(xù)提升煅燒溫度至1400℃和1500℃,可發(fā)現(xiàn)二者譜圖接近一致,對(duì)應(yīng)雜質(zhì)相Yb2SiO5的峰也幾乎消失,此時(shí)采用布魯克分析軟件對(duì)粉末相成分作定量分析,結(jié)果顯示,Yb2Si2O7占比超過99 wt.%,氧化硅占比低于1 wt.%。氧化硅的存在對(duì)應(yīng)了配方中稍微過量的硅添加量,與設(shè)計(jì)相符,而此時(shí)已經(jīng)可以幾乎完全剔除中間相Yb2SiO5。上述結(jié)果表明,使用1400 ℃、5 h 這個(gè)溫度相對(duì)較低、保溫時(shí)長(zhǎng)相對(duì)較短的熱處理方式就可以幾乎完全實(shí)現(xiàn)純相Yb2Si2O7的合成。

        圖7 退火態(tài)干凝膠分別煅燒1300 ℃、1400 ℃和1500 ℃、5 h 后粉末的XRD 圖譜Fig. 7 XRD patterns of annealed dry gel powders after calcination at 1300℃, 1400℃ and 1500℃ for 5h

        類比固相反應(yīng)法,采用相同工藝制備塊材。燒結(jié)后的塊材宏觀形貌如圖8(a)所示,相比固相反應(yīng)粉末所制塊材,溶膠凝膠粉末所制塊材具有更好的內(nèi)部結(jié)合性和結(jié)構(gòu)完整性,未出現(xiàn)明顯的開裂、破碎現(xiàn)象。塊材表面SEM 照片表明(圖8(b)),該塊材仍然具有疏松多孔結(jié)構(gòu),但相比固相反應(yīng)粉末所制塊材,此塊材Yb2Si2O7相純度高,未見明顯的未反應(yīng)的氧化硅團(tuán)聚區(qū)和中間相Yb2SiO5。盡管塊材宏觀上并不致密,但對(duì)局部區(qū)域進(jìn)行放大,可見由數(shù)個(gè)燒結(jié)長(zhǎng)大的晶粒組成的致密微區(qū)(圖8(c)),這說明對(duì)溶膠凝膠所制粉末而言,盡管在此制塊工藝下難以獲得致密塊材,但進(jìn)一步優(yōu)化制塊工藝完全有可能獲得致密高品質(zhì)塊材,而固相反應(yīng)法所制粉末則離目標(biāo)相去甚遠(yuǎn),這進(jìn)一步表明了對(duì)于硅酸鹽材料的合成,無(wú)論是制粉亦或是制塊,溶膠凝膠法相比固相合成法具有明顯優(yōu)勢(shì)。上述基于Yb2Si2O7材料的制備研究表明,相比固相反應(yīng)法,采用溶膠凝膠法制備Yb2Si2O7存在明顯優(yōu)勢(shì):反應(yīng)門檻條件低,在相對(duì)較低溫度配合較短保溫時(shí)長(zhǎng)就可以實(shí)現(xiàn)近純相Yb2Si2O7的制備;既可以制備高純粉體,又可以獲得高品質(zhì)塊材。然而,該方法也存在一些弊端:(1) 工藝流程較復(fù)雜、合成鏈條周期較長(zhǎng),推廣至工業(yè)級(jí)批產(chǎn)存在產(chǎn)量問題和效率問題;(2) 由于選取稀土硝酸鹽作為原料,考慮稀土硝酸鹽具有極強(qiáng)的吸水性而易偏離其標(biāo)稱成分,所以采用溶膠凝膠法合成硅酸鹽材料易出現(xiàn)成分偏差。

        圖8 采用溶膠凝膠法制前驅(qū)體、冷壓、1600 ℃、10 h 燒結(jié)獲得的陶瓷塊材:(a) 宏觀形貌;(b) 低倍表面形貌;(c) 高倍表面形貌Fig. 8 Yb2Si2O7 bulk by sol-gel method, cold pressing and calcination at 1600℃ for 10h: (a) macroscopic morphology;(b) surface morphology (low magnification); (c) surface morphology (high magnification)

        2.3 適用于低壓等離子噴涂的Yb2Si2O7 粉末制備

        采用圖1 所示溶膠凝膠工藝路線制備的Yb2Si2O7前驅(qū)體原料由于單個(gè)顆粒質(zhì)量小、密度低、流動(dòng)性差無(wú)法直接用于低壓等離子噴涂,需要將其采用二流體霧化造粒工藝制備成具有良好噴涂輸送特性的、具有1~30 μm 的超細(xì)球形團(tuán)聚體粉末。本研究重點(diǎn)探究了料漿中粘結(jié)劑含量和霧化壓力兩大關(guān)鍵工藝參數(shù)對(duì)噴涂粉末形貌和粒度的影響規(guī)律,通過工藝優(yōu)化,獲得了具有良好低壓等離子噴涂適應(yīng)性的粉末。

        2.3.1 PVA 含量對(duì)造粒粉末的影響

        本研究設(shè)置了三組對(duì)照實(shí)驗(yàn),其中,在保持固含量、霧化壓力和進(jìn)出口溫度不變的前提下設(shè)計(jì)了三種PVA 含量,具體的實(shí)驗(yàn)方案如表1 所示。

        表1 具有不同PVA 含量的團(tuán)聚粉末實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)Table 1 Experimental design of agglomerated power with different PVA content

        對(duì)三種具有不同PVA 含量的料漿分別造粒后進(jìn)行掃描電鏡觀察,結(jié)果表明,當(dāng)PVA 含量較低時(shí),粘結(jié)劑用量不足,大量原始前驅(qū)體粉末不能充分粘結(jié)形成球形顆粒(圖9(a)),會(huì)有大量不規(guī)則顆粒散落;當(dāng)PVA 含量過高時(shí)(圖9(c)),粉末的球形度增強(qiáng),幾乎不存在未團(tuán)聚的散落粉體,但此時(shí)會(huì)出現(xiàn)部分空心現(xiàn)象,且粉末表面過于光潔、結(jié)構(gòu)致密,這種過于致密的結(jié)構(gòu)對(duì)于低壓等離子噴涂而言會(huì)導(dǎo)致粉末在噴涂過程中不易破碎從而難以實(shí)現(xiàn)氣化。只有當(dāng)PVA 含量適中(10 wt.%)時(shí),粉末既呈現(xiàn)實(shí)心球體又結(jié)構(gòu)疏松,適宜于低壓等離子噴涂(圖9(b))。

        圖9 不同PVA 含量所制得造粒粉末形貌:(a) 6 wt.%; (b) 10 wt.%; (c) 14 wt.%Fig. 9 Morphology of granulated powder with different PVA content: (a) 6 wt.%; (b) 10 wt.%; (c) 14 wt.%

        2.3.2 霧化壓力對(duì)造粒粉末的影響

        本研究另選取了三個(gè)特定霧化壓力,探討了其對(duì)粉末粒徑的影響。不同霧化壓力下得到的造粒粉末形貌如圖10 所示,當(dāng)霧化壓力為0.1 MPa時(shí),可以獲得形狀均勻的球形粉末,但此時(shí)霧化壓力較小,得到的粉末粒度范圍較大、粒徑較粗,如圖10(a)所示,該視野下粉末粒徑為20~120 μm,不滿足對(duì)細(xì)粉的粒徑要求;當(dāng)霧化壓力增加為0.6 MPa 時(shí),粉末得到明顯細(xì)化,規(guī)避了100 μm 以上的粗粒度段粉末,得到的球形粉粒度為10~70 μm,仍然需要進(jìn)一步細(xì)化(圖10(b));進(jìn)一步增加霧化壓力至1.2 MPa時(shí),粉末進(jìn)一步細(xì)化,主要粒度范圍落在1~30 μm,滿足低壓等離子噴涂用粉末要求(圖10(c))。

        圖10 不同霧化壓力所制得造粒粉末形貌:(a1), (a2) 0.1 MPa; (b1), (b2) 0.6 MPa; (c1), (c2) 1.2 MPaFig. 10 Morphology of granulated powder under different atomization pressures:(a1), (a2) 0.1MPa; (b1), (b2) 0.6MPa; (c1), (c2) 1.2MPa

        造粒后的球形粉末僅依靠粘接劑維持結(jié)構(gòu)完整性,需進(jìn)一步燒結(jié)除膠,提升粉末的強(qiáng)度。將造粒粉煅燒1300 ℃、5 h 后的表面形貌照片如圖11 所示,微區(qū)的放大照片顯示:每個(gè)單獨(dú)粉末顆粒由若干細(xì)小晶粒組成,在燒結(jié)作用下晶粒發(fā)生了一定長(zhǎng)大,但均小于1 μm;此外,晶粒之間產(chǎn)生明顯關(guān)聯(lián),粉末強(qiáng)度得到了顯著提升,此時(shí)該粉末呈現(xiàn)的形貌狀態(tài)適宜于噴涂。

        圖11 經(jīng)造粒、煅燒脫膠后的優(yōu)化粉末形貌:(a) 低倍; (b) 高倍Fig. 11 Morphology of optimized powder after granulation and calcination: (a) low magnification (b) high magnification

        3 結(jié)論

        (1) 采用固相合成法制備Yb2Si2O7前驅(qū)體粉末和塊材,氧化鐿-氧化硅混合粉末經(jīng)1500 ℃、5 h煅燒后,粉末由Yb2Si2O7和Yb2SiO5兩相構(gòu)成;混合粉末經(jīng)冷壓、1600 ℃、10 h 煅燒后,得到疏松塊材,內(nèi)部殘留大量未完全反應(yīng)的氧化硅和中間相Yb2SiO5,表明采用固相反應(yīng)法制備Yb2Si2O7存在反應(yīng)門檻高、化學(xué)成分不均勻的問題。

        (2) 采用溶膠凝膠法制備Yb2Si2O7前驅(qū)體粉末和塊材,干凝膠經(jīng)退火、研磨、煅燒1400 ℃、5 h 后即可獲得純度>99 wt.%的高純備Yb2Si2O7粉末;煅燒粉末經(jīng)冷壓、1600 ℃、10 h 煅燒后,得到更完整致密塊材、且?guī)缀鯙閅b2Si2O7純相,表明采用溶膠凝膠法制備Yb2Si2O7具有反應(yīng)門檻低、易制得高純均勻材料的優(yōu)勢(shì)。

        (3) 采用二流體霧化工藝制備低壓等離子噴涂用超細(xì)粉末,重點(diǎn)探索了PVA 含量和霧化壓力對(duì)粉末形貌和粒度的影響規(guī)律。結(jié)果表明,PVA 含量決定粉末形貌,PVA 含量過低,粉末球形度差;PVA 含量過高,粉末空心嚴(yán)重,只有當(dāng)PVA 含量適中時(shí)(10 wt.%)可獲得球形度良好的實(shí)心粉末。霧化壓力決定粉末粒度,霧化壓力越大,粉末粒徑越細(xì),當(dāng)霧化壓力為1.2 MPa 時(shí),可獲得所需的1~30 μm 超細(xì)粉末。

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