吳柏志,袁習(xí)勇,,郭同政,楊 震,魯 超,鄧少貴
(1.中國石化經(jīng)緯有限公司,山東青島 266075; 2.中國石油大學(xué)(華東)深層油氣重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,山東青島 266580)
瞬變電磁法(transient electromagnetic method, TEM)測量信號源關(guān)斷期間的純二次場,測量過程不受一次場干擾,而且與時(shí)諧電磁場測量相比,包含了寬頻域的豐富信息,在航空、近地表、隧道、礦井等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛[1-3]。關(guān)于其在地球物理測井領(lǐng)域中的潛力,目前的理論探索主要集中在兩方面:一是在生產(chǎn)井中,利用瞬變電磁場低頻成分可以穿透套管進(jìn)入地層的特性,研究其在過套管電阻率評價(jià)中的能力[4-6];二是利用瞬變電磁法探測距離遠(yuǎn)的特點(diǎn),研究其在隨鉆地質(zhì)導(dǎo)向遠(yuǎn)探測方面的應(yīng)用[7-8]。近年來,國外油服公司申請了一系列瞬變電磁應(yīng)用于地質(zhì)導(dǎo)向的專利,內(nèi)容涉及發(fā)射接收線圈系結(jié)構(gòu),激勵源選取,以及隨鉆儀器金屬鉆鋌影響的消除方法等[9-11]。當(dāng)前時(shí)諧源激勵的超深隨鉆電磁波測井探測深度可達(dá)數(shù)十米,但源距也有數(shù)十米;與之相比,瞬變電磁測井的重要優(yōu)勢在于探測深度受源距影響非常小[12-15]。作為電測井方法中最重要的地層參數(shù),視電阻率在含油氣地層評價(jià)中至關(guān)重要[16-20]。瞬變電磁法測量信號為感應(yīng)電動勢,一般通過電阻率轉(zhuǎn)換算法將其轉(zhuǎn)換為時(shí)域視電阻率。晚期視電阻率曲線在測量早期往往偏離真實(shí)情況,有時(shí)甚至不能反映地層的基本結(jié)構(gòu)變化;為此,回線源激勵的半空間、全空間領(lǐng)域已經(jīng)發(fā)展出了解決該問題的全區(qū)視電阻率解釋方法[21-22]。與之相比,石油測井探測尺度小得多,對測量前中期對應(yīng)的近井視電阻率評價(jià)要求更高。針對隨鉆測井中常見的水平層狀模型,筆者采用Gaver-Stehfest逆拉普拉斯變換與正余弦變換的數(shù)值濾波算法相結(jié)合的頻-時(shí)轉(zhuǎn)換混合算法,實(shí)現(xiàn)層狀地層瞬變電磁測井響應(yīng)的快速計(jì)算;提出適用于瞬變電磁測井的晚期視電阻率公式和全區(qū)視電阻率反演方法,得到層狀地層的時(shí)域視電阻率曲線;基于全空間“煙圈”原理,模擬電場在地層中的擴(kuò)散并分析電阻率的響應(yīng)機(jī)制。
時(shí)諧電磁波測井和瞬變電磁測井都采用線圈作為發(fā)射接收天線,當(dāng)源距遠(yuǎn)大于線圈尺寸時(shí)發(fā)射線圈可視為磁偶極子源,不同之處在于時(shí)諧電磁波測井的發(fā)射源為固定頻率的交流電,而瞬變電磁測井采用脈沖源,通過測量脈沖源關(guān)斷后感應(yīng)渦流的時(shí)域擴(kuò)散反映地層電性特征。對于可快速獲得頻域解析解的地層模型,一般采用頻-時(shí)轉(zhuǎn)換法計(jì)算瞬變電磁響應(yīng)。
假設(shè)水平層狀介質(zhì)任意方向時(shí)諧磁偶極子源激勵的頻域磁場和電場分別為H(ω)和E(ω),具體過程許多文獻(xiàn)[23-24]已有說明,在此不做詳細(xì)推導(dǎo)。當(dāng)瞬變電磁測井激勵源為下階躍脈沖源時(shí),其響應(yīng)可由直流響應(yīng)與上階躍電流響應(yīng)作差得到[25],以磁場為例:
(1)
式中,第1項(xiàng)為直流響應(yīng);第2項(xiàng)為上階躍響應(yīng)。
首先利用正余弦變換的數(shù)值濾波算法求解時(shí)域磁場H(t),將式(1)積分函數(shù)中的指數(shù)項(xiàng)展開,并根據(jù)頻域磁場H(ω)的實(shí)偶虛奇函數(shù)特性ReH(ω)=ReH(-ω),ImH(ω)=-ImH(-ω),得到H(t)的兩種表達(dá)形式:
(2)
(3)
(4)
(5)
式中,N為線圈匝數(shù);S為線圈面積;μ為地層磁導(dǎo)率。由此可見,頻域磁場的實(shí)部或虛部皆可單獨(dú)用來計(jì)算時(shí)域磁場。
根據(jù)貝塞爾函數(shù)與三角函數(shù)之間的關(guān)系:
(6)
將式(4)和(5)中關(guān)于高振蕩函數(shù)的積分轉(zhuǎn)化為含±1/2階貝塞爾函數(shù)積分的形式:
(7)
(8)
基于漢克爾變換理論,給出一種貝塞爾函數(shù)積分通式:
(9)
式中,Jv為v階貝塞爾函數(shù),v>-1。
式(9)的漢克爾變換離散求和表達(dá)式:
(10)
相應(yīng)地,結(jié)合式(9)和(10),得到式(7)和(8)的漢克爾濾波形式:
csin(nΔ),
(11)
ccos(nΔ).
(12)
其中
Δ=ln10/20.
式中,csin(nΔ)和ccos(nΔ)分別為正余弦變換的濾波系數(shù); Δ為采樣間隔。
與前文所述的正余弦變換數(shù)值濾波算法相比,G-S (Gaver-Stehfest)算法具有所需濾波系數(shù)少,計(jì)算速度較快,純實(shí)數(shù)運(yùn)算等優(yōu)點(diǎn);但是整體精度不如數(shù)值濾波算法[26]。G-S算法基于逆拉普拉斯變換,
(13)
其中s=-iω。根據(jù)G-S理論,f(t)的數(shù)值變換式為
(14)
其中
式中,J為G-S算法的濾波系數(shù)數(shù)目,由計(jì)算機(jī)的字長決定;Kj為濾波系數(shù);m為(j+1)/2的整數(shù)部分。
由此得到G-S算法求解時(shí)域磁場H(t)和感應(yīng)電動勢V(t)的數(shù)值離散形式:
(15)
(16)
本文中正余弦變換的濾波系數(shù)分別為250點(diǎn)和401點(diǎn),G-S算法的濾波系數(shù)分別取12點(diǎn)和14點(diǎn)。圖1中地層電阻率為1 Ω·m,發(fā)射接收線圈同軸布置,源距為101.6 cm,比較正余弦變換和G-S計(jì)算結(jié)果得出:401點(diǎn)正余弦變換的精度遠(yuǎn)高于250點(diǎn)的精度,一般情況下,相同點(diǎn)數(shù)的正弦變換精度高于余弦變換;除了特別晚期外,14點(diǎn)的G-S算法精度高于12點(diǎn)。整體而言,G-S算法雖然精度不如正余弦變換,但所用濾波系數(shù)要少的多,因此速度方面快了數(shù)十倍。
圖1 不同頻-時(shí)轉(zhuǎn)換算法計(jì)算結(jié)果比較Fig.1 Result comparisons between different frequency-time conversion algorithms
綜合兩種頻-時(shí)轉(zhuǎn)換算法的優(yōu)劣,制定本文中所用的混合算法方案如下:先用14點(diǎn)G-S算法計(jì)算所有時(shí)間采樣點(diǎn)的響應(yīng),然后用401點(diǎn)的正弦變換濾波算法計(jì)算初始和最后時(shí)間采樣點(diǎn)的值,并與G-S算法的結(jié)果比較。如果二者偏差較大,則將感應(yīng)電動勢更新為正弦變換的結(jié)果,緊接著由兩端時(shí)間采樣點(diǎn)向中間時(shí)刻推進(jìn),直到到達(dá)滿足誤差精度的時(shí)間采樣點(diǎn)停止正弦變換對G-S結(jié)果的更新?;旌纤惴狭薌-S和正弦變換算法二者的優(yōu)勢,在滿足計(jì)算精度的同時(shí)大幅提升了計(jì)算效率。
將混合算法用于層狀地層瞬變電磁響應(yīng)正演,得到的感應(yīng)電動勢數(shù)據(jù)需要經(jīng)過進(jìn)一步處理才能從中提取地層視電阻率,本文的處理方法有晚期視電阻率公式和全區(qū)視電阻率反演兩種。
首先以均勻地層為例提出瞬變電磁測井晚期視電阻率的定義,均勻地層感應(yīng)電動勢為
(17)
其中
m=IS,θ=(μσ/4t)1/2.
式中,m為磁矩;I為通電電流;σ為地層電導(dǎo)率。因?yàn)?/p>
(18)
測量晚期時(shí)間t取值較大時(shí),式(17)可以簡化為
(19)
此時(shí)定義瞬變電磁測井的晚期視電阻率Rl:
(20)
接下來討論瞬變電磁測井的全區(qū)視電阻率反演方法,令φ=θL,將式(17)改寫為
(21)
其中
Y(φ)=φ3exp(-φ2).
構(gòu)建反演目標(biāo)函數(shù):
(22)
采用Halley反演方法[27],確定迭代步長:
(23)
當(dāng)目標(biāo)函數(shù)達(dá)到所需精度時(shí)停止參數(shù)的更新,此時(shí)全區(qū)視電阻率Ra為
Ra=μL2/4φ2t.
(24)
采用晚期視電阻率公式和全區(qū)電阻率反演處理混合算法的感應(yīng)電動勢正演結(jié)果,得到不同地層模型隨時(shí)間變化的晚期和全區(qū)視電阻率曲線。
以均勻地層為例,如圖2(a)所示,晚期視電阻率曲線中只有當(dāng)時(shí)間t增大到滿足公式(20)的成立條件,視電阻率才與地層真電阻率(Rt)相等。渦流場在高阻層的擴(kuò)散速度更快,比在低阻層更快滿足晚期條件,所以隨著地層電阻率的增大,視電阻率等于真電阻率的時(shí)間提前。全區(qū)視電阻率反演則很好地解決了以上早期結(jié)果的誤差問題,經(jīng)反演以后,任意時(shí)刻都能獲得準(zhǔn)確的地層電阻率。
圖2(b)給出了源距(L)對視電阻率曲線的影響,源距為零表示發(fā)射線圈電流關(guān)斷以后轉(zhuǎn)變?yōu)榻邮站€圈的情況,隨著源距的增大,晚期視電阻率曲線等于地層真電阻率的時(shí)間延后;但是全區(qū)視電阻率曲線中源距變化不再影響視電阻率的提取結(jié)果。
對于層狀介質(zhì),首先考慮最簡單的兩層模型(圖3,R和T分別表示接收線圈和發(fā)射線圈),源距為101.6 cm,改變儀器中心到邊界的垂直距離(d)。
圖4為儀器與界面垂直的時(shí)域視電阻率曲線,其中黑色虛線代表與儀器當(dāng)前層電阻率相同的均勻地層。從晚期視電阻率曲線可以看出,由于測量早期感應(yīng)渦流處于當(dāng)前層,不同顏色的視電阻率曲線重合;當(dāng)渦流向遠(yuǎn)處擴(kuò)散遇到地層界面,曲線與黑色虛線發(fā)生分離,分離時(shí)間取決于d,并逐漸向鄰層電阻率過渡:如果是高阻探低阻的兩層模型,時(shí)域衰減后期漸近值大約為1.7 Ω·m,接近鄰層電阻率真值;但是低阻探高阻時(shí)測量晚期視電阻率僅為1.7 Ω·m,遠(yuǎn)小于鄰層電阻率,將這種由于近井低阻體的影響導(dǎo)致難以探測遠(yuǎn)井地層的現(xiàn)象稱為“低阻屏蔽”。
時(shí)域早、晚期測量信號分別反映了近、遠(yuǎn)井的地層結(jié)構(gòu),晚期視電阻率公式得到的結(jié)果在早期時(shí)刻嚴(yán)重偏離真實(shí)值;全區(qū)視電阻率的優(yōu)勢在于經(jīng)過反演以后的測量早期視電阻率與當(dāng)前層真實(shí)電阻率相等。同時(shí)比較晚期和全區(qū)視電阻率曲線發(fā)現(xiàn),經(jīng)過全區(qū)視電阻率反演后雖能準(zhǔn)確判斷當(dāng)前層電阻率,但缺乏鄰層電阻率的確定能力:全區(qū)視電阻率曲線上對應(yīng)的視電阻率,與相同時(shí)刻由晚期視電阻率公式得到的結(jié)果基本一致。觀察全區(qū)視電阻率反演的目標(biāo)函數(shù)發(fā)現(xiàn),反演模型實(shí)際屬于單層模型,只有電阻率一個(gè)待定參數(shù),測量早期的感應(yīng)電磁場集中在儀器所在層,所以選取單層反演模型足夠且合理。但是中后期的電磁場在兩個(gè)層都有分布,感應(yīng)電動勢受兩層介質(zhì)的共同影響:高阻探低阻時(shí)的主要貢獻(xiàn)來自低阻鄰層,中后期依然可以選擇單層反演模型,并能得到基本反映鄰層真電阻率的視電阻率;但是當(dāng)?shù)妥杼礁咦钑r(shí),低阻屏蔽的原因?qū)е聲r(shí)域衰減后期測量信號的主要貢獻(xiàn)還是主要來自當(dāng)前層,所以此時(shí)反演得到的視電阻率仍然主要反映當(dāng)前低阻層的電阻率。
圖4 直井兩層模型不同d的晚期和全區(qū)視電阻率Fig.4 Late-time and all-time apparent resistivity of 2-layer model with different d in vertical well
當(dāng)儀器與界面平行時(shí),與直井相比,較為顯著的變化發(fā)生在低阻探高阻的情況,如圖5(b)所示,水平井的后期漸近值略有抬升,大約為2.6 Ω·m,但與鄰層真實(shí)電阻率仍然相差較大。
對于三層模型(圖6),源距為101.6 cm,中間層電阻率R2=1 Ω·m,兩側(cè)圍巖電阻率R1=R3=10 Ω·m,儀器位于中間層的中心位置,層厚H2是d的兩倍,通過改變H2來改變d,為了與兩層模型比較,此處令H2分別為4、10、20、40 m。
比較圖7與圖4(b)、5(b),兩層模型與三層模型的響應(yīng)有明顯差異:低阻探高阻的兩層模型曾出現(xiàn)低阻屏蔽現(xiàn)象,但當(dāng)儀器兩側(cè)都有高阻圍巖時(shí),晚期的曲線漸近值約為10 Ω·m,與圍巖真實(shí)電阻率相等;且水平井與直井相比,視電阻率變化速度更快。也就是說,當(dāng)兩側(cè)有高阻圍巖時(shí),即使儀器位于低阻層,也不會受到低阻屏蔽的影響。此時(shí)經(jīng)全區(qū)視電阻率反演后,早晚期結(jié)果準(zhǔn)確反映了當(dāng)前層和鄰層電阻率。
圖5 水平井兩層模型不同d的晚期和全區(qū)視電阻率Fig.5 Late-time and all-time apparent resistivity of 2-layer model with different d in horizontal well
以上考慮的是儀器位于中間層中心位置的情況,到兩個(gè)界面的距離相等,如果儀器在中間層的位置發(fā)生變化,如圖8所示,儀器與界面平行,到界面1和界面2的距離分別為d1和d2。圖9和圖10分別表示中間層為高阻和低阻的視電阻率響應(yīng),其中-3 m表示向下移動3 m,此時(shí)d1=2 m,d2=8 m,+3 m表示向上移動3 m,此時(shí)d1=8 m,d2=2 m。為對比說明,同時(shí)增加了H2分別等于4和10 m,但儀器位于中間層中心位置的算例。
圖6 三層模型Fig.6 3-layer formation model
圖7 不同層厚的三層模型晚期和全區(qū)視電阻率Fig.7 Late-time and all-time apparent resistivity of 3-layer model with different thickness
從晚期和全區(qū)視電阻率結(jié)果可以看出,曲線與均勻地層曲線發(fā)生偏離的時(shí)間取決于距離儀器最近的界面,儀器向上或向下移動相同距離時(shí)的感應(yīng)電動勢完全相同,圖8中兩個(gè)虛線框位置的響應(yīng)一致。當(dāng)中間層為高阻,兩側(cè)為低阻圍巖時(shí),如圖9所示,渦流在一側(cè)遇到距離較近的低阻界面時(shí),另一側(cè)的渦流依然位于中間層,與儀器位于中心點(diǎn)的4 m厚地層相比,低阻圍巖的貢獻(xiàn)相對要小,但是與10 m厚地層相比,低阻圍巖的貢獻(xiàn)相對要大,所以感應(yīng)電動勢曲線介于紅線和藍(lán)線之間。中間層為低阻的響應(yīng)較復(fù)雜,如圖10所示,約10-4s之前距離較近的高阻圍巖的貢獻(xiàn)使視電阻率曲線介于紅線和藍(lán)線之間;但是10-4s之后,高阻圍巖以阻礙作用為主,使渦流更集中在當(dāng)前低阻層流動,導(dǎo)致視電阻率甚至比藍(lán)線更小。
圖9 水平井儀器位置變化的高阻三層模型視電阻率Fig.9 Apparent resistivity of resistive 3-layer model with tool position variation
圖10 水平井儀器位置變化的低阻三層模型視電阻率Fig.10 Apparent resistivity of conductive 3-layer model with tool position variation
轉(zhuǎn)換后的時(shí)域視電阻率曲線反映了地層空間的電性特征,測量早期結(jié)果取決于近井地層性質(zhì),衰減后期結(jié)果反映遠(yuǎn)井地層信息。大斜度井/水平井的時(shí)域視電阻率曲線與方位信息結(jié)合使用可為環(huán)視地質(zhì)導(dǎo)向決策提供依據(jù)。另外,時(shí)諧源隨鉆電磁波測量信號主要來自周向貢獻(xiàn),對鉆前地層敏感性偏弱,導(dǎo)致時(shí)諧電磁場前視探測十分困難,而且高度依賴已鉆遇地層信息[28]。與之相比,直井條件下的時(shí)域視電阻率曲線充分反映了前方界面性質(zhì),為鉆前地質(zhì)導(dǎo)向尤其是鉆井風(fēng)險(xiǎn)規(guī)避方面提供了新的解決思路。
瞬變電磁半空間領(lǐng)域的響應(yīng)特征人們已經(jīng)非常熟悉,石油測井面臨的是全空間地球物理問題,有必要對典型地層的響應(yīng)機(jī)制展開研究。Nabighian的“煙圈”原理對于解釋瞬變電磁勘探的響應(yīng)現(xiàn)象有重要意義[29]:電流源關(guān)斷間隙在地層中激發(fā)感應(yīng)電動勢進(jìn)而產(chǎn)生環(huán)形感應(yīng)渦流,渦流從發(fā)射線圈處隨時(shí)間逐漸向地層深部擴(kuò)散,煙圈中心所在位置對應(yīng)當(dāng)前時(shí)刻的探測深度和接收線圈感應(yīng)電動勢的主要來源。
發(fā)射源為z方向的瞬變磁偶極子源,位于模型中心。煙圈擴(kuò)散圖中的黑色虛線表示界面位置,紅色、橙色和藍(lán)色等值線分別代表電場中心極值的90%、50%和10%。直井時(shí)xoz平面的左半平面與右半平面電場對稱,模值相等,所以只給出了右半平面的分布圖。
圖11表示均勻地層的煙圈擴(kuò)散圖,地層電阻率為10 Ω·m,煙圈隨時(shí)間向地層深處均勻擴(kuò)散,煙圈中心始終位于模型的中心線上。
對于兩層高阻探低阻模型,如圖12所示,發(fā)射源所在層電阻率為10 Ω·m,下方1 m處有一個(gè)1 Ω·m的低阻界面。可以看出,煙圈中心穿越低阻界面后繼續(xù)向鄰層深處擴(kuò)散,因此時(shí)域衰減后期主要反映低阻鄰層電阻率,說明瞬變電磁測井對鉆前地層界面具有較強(qiáng)的敏感性,這對前視地質(zhì)導(dǎo)向具有重要意義。對于兩層低阻探高阻模型(圖13),發(fā)射源所在層電阻率為1 Ω·m,下方1 m處有一個(gè)10 Ω·m的高阻界面,代表高能的紅色煙圈逐漸遠(yuǎn)離界面,響應(yīng)主要取決于當(dāng)前低阻層,這是低阻屏蔽現(xiàn)象發(fā)生的根本原因。高阻鄰層只能靠外圍能量較低的煙圈去探測,所以后期視電阻率會高于當(dāng)前層,但與鄰層真實(shí)電阻率差距很大。
圖11 均勻地層煙圈擴(kuò)散圖Fig.11 Smoke rings in a homogenous formation
圖12 發(fā)射源位于高阻層時(shí)直井兩層模型煙圈擴(kuò)散圖Fig.12 Smoke rings in 2-layer formation when transmitter is located in resistor for vertical well
圖13 發(fā)射源位于低阻層時(shí)直井兩層模型煙圈擴(kuò)散圖Fig.13 Smoke rings in 2-layer formation when transmitter is located in conductor for vertical well
如果發(fā)射源位于電阻率為10 Ω·m的高阻層,圍巖電阻率為1 Ω·m,發(fā)射源到上下界面距離為1 m,如圖14(與圖12采樣時(shí)刻一致)所示,兩側(cè)低阻圍巖各自都出現(xiàn)了煙圈中心,說明此刻響應(yīng)來自兩側(cè)低阻圍巖的貢獻(xiàn)。如果發(fā)射源位于1 Ω·m的低阻層,上下圍巖電阻率為10 Ω·m,如圖15(與圖13采樣時(shí)刻一致),煙圈遭到高阻圍巖的擠壓呈橢圓狀分布,高能的紅色煙圈逐漸穿過高阻界面,使得高阻圍巖的相對貢獻(xiàn)緩慢增大,因此圖7(a)中視電阻率逐漸逼近高阻圍巖真實(shí)電阻率,不會出現(xiàn)低阻屏蔽現(xiàn)象。
圖14 發(fā)射源位于高阻層時(shí)直井三層模型煙圈擴(kuò)散圖Fig.14 Smoke rings in 3-layer formation when transmitter is located in resistor for vertical well
圖15 發(fā)射源位于低阻層時(shí)直井三層模型煙圈擴(kuò)散圖Fig.15 Smoke rings in 3-layer formation when transmitter is located in conductor for vertical well
此外,鑒于直井和水平井視電阻率曲線之間的差異(圖4(b)和圖5(b)、圖7(a)和(b)),一并給出水平井的煙圈擴(kuò)散圖。對于水平井兩層模型(圖16,發(fā)射源位于低阻層),發(fā)射源沿z方向,所在層電阻率為1 Ω·m,右側(cè)有一個(gè)10 Ω·m的高阻界面,此時(shí)左右半平面不對稱,所以給出整個(gè)xoz平面的煙圈分布。圖16與圖13相比(二者采樣時(shí)刻一致),水平井時(shí)煙圈高能區(qū)域在高阻鄰層的分布相對較多,紅線甚至可以少部分穿越高阻界面,但大部分依然位于低阻當(dāng)前層,所以水平井衰減后期視電阻率值比直井要高。
對于水平井三層模型(圖17,發(fā)射源位于低阻層),中間層電阻率為1 Ω·m,兩側(cè)圍巖電阻率為10 Ω·m,圖17與圖15比較發(fā)現(xiàn)(二者采樣時(shí)刻一致),水平井的煙圈中心可以輕易穿越兩側(cè)界面向圍巖深部擴(kuò)散,兩種情況都可以反映高阻圍巖電阻率,但水平井視電阻率逼近圍巖電阻率的速度更快。
圖16 水平井兩層模型煙圈擴(kuò)散圖Fig.16 Smoke rings in 2-layer formation of horizontal well
圖17 水平井三層模型煙圈擴(kuò)散圖Fig.17 Smoke rings in 3-layer formation of horizontal well
(1)正弦變換的數(shù)值濾波與Gaver-Stehfest逆拉普拉斯變換相結(jié)合的頻-時(shí)轉(zhuǎn)換混合算法在保證精度的前提下提高了計(jì)算效率,可以為層狀介質(zhì)瞬變電磁測井反演提供快速正演基礎(chǔ)。
(2)煙圈在地層中的擴(kuò)散規(guī)律概括為服從“最小能量原理”,即沿著相對容易的路徑流動,當(dāng)發(fā)射源一側(cè)有高阻鄰層時(shí),煙圈趨向于在當(dāng)前低阻層擴(kuò)散,因此出現(xiàn)低阻屏蔽現(xiàn)象;當(dāng)發(fā)射源兩側(cè)都有高阻鄰層時(shí),反而可以強(qiáng)迫煙圈穿過高阻界面,而不受低阻屏蔽的影響。
(3)全區(qū)視電阻率提取方法對于當(dāng)前層電阻率的判斷非常準(zhǔn)確,但對鄰層電阻率的確定效果依賴地層的電阻率對比,只有不存在低阻屏蔽現(xiàn)象時(shí),該方法才可以在時(shí)域衰減后期獲得準(zhǔn)確的遠(yuǎn)井地層電阻率。
(4)根據(jù)時(shí)域視電阻率曲線可以對井周、鉆前地層結(jié)構(gòu)變化作出快速預(yù)測,為地質(zhì)導(dǎo)向提供指導(dǎo),但要實(shí)現(xiàn)“時(shí)間-深度”對應(yīng),判斷儀器到界面距離,還需經(jīng)過進(jìn)一步反演。