王冉旭,何 山,2,邱瑞東,鄭海旺
(1.新疆大學(xué)電氣工程學(xué)院,新疆 烏魯木齊市 830049;2.可再生能源發(fā)電與并網(wǎng)控制教育部工程研究中心,新疆 烏魯木齊 830049)
有效抑制變流器過電壓,可保障變流器安全,提高系統(tǒng)運行可靠性,防止系統(tǒng)崩潰[1]。機側(cè)變流器一般安裝在塔筒底部,通過母線槽或電纜與頂部風(fēng)機相連[2]。風(fēng)電動力電纜通常用銅作線芯,但我國銅儲量不高,且年消耗量較大,其成本問題越來越突出[3]。電纜受結(jié)構(gòu)和材料制約,其載流量小于630 A,在風(fēng)機機組容量較大時,需數(shù)十根電纜并聯(lián)使用。而單根風(fēng)電專用母排載流量可達5000A,無論機組大小,單臺風(fēng)機每相只需兩根[4]。目前,電纜在風(fēng)電現(xiàn)場安裝,裝設(shè)難度較大,而母線槽可在塔筒制造廠預(yù)安裝,敷設(shè)簡單[5]。除此之外,母線槽在耐受電流、絕緣能力、使用壽命等方面均優(yōu)于動力電纜,市場占有額逐年加大,研究成果越來越多,將被更多地應(yīng)用到風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中[6]。
文獻[7]指出電機與變流器經(jīng)長電纜連接時,由于電纜對地電容和系統(tǒng)高次諧波影響,在電機端產(chǎn)生諧振過電壓,但理論未用于母線槽模型;文獻[8,9]提出一種新型有源箝位抑制方法和一種新型過電壓保護電路,從變流器內(nèi)部實現(xiàn) IGBT過電壓抑制,但未研究外部因素對變流器過電壓的影響;文獻[10]指出當(dāng)IGBT同時關(guān)斷三相電流時,機側(cè)變流器處產(chǎn)生的三相過電壓不同,但未對其進行分析。
綜上所述,由于母線槽存在分布參數(shù)RLC,引入RLC串聯(lián)諧振理論對機側(cè)變流器產(chǎn)生過電壓的原因進行分析。利用ANSYS有限元仿真軟件,搭建風(fēng)機并網(wǎng)模型,研究IGBT關(guān)斷三相電流時,機側(cè)變流器端部三相過電壓不同的原因。因母線槽分布參數(shù)RLC與其結(jié)構(gòu)有關(guān),結(jié)合母線槽母排溫升情況,對母線槽結(jié)構(gòu)等方面進行優(yōu)化。為分析機側(cè)變流器過電壓提供理論支撐,同時為母線槽設(shè)計提供經(jīng)驗。
母線槽參數(shù)模型分為兩種:一是集中參數(shù)模型;二是RLC分布參數(shù)模型。由于永磁風(fēng)力發(fā)電機并網(wǎng)時變流器采用 PWM逆變器電路,PWM脈沖波中含有高頻成分,因此需要建立母線槽RLC分布參數(shù)模型。用開關(guān)模擬IGBT,進而研究外部電路參數(shù)在機側(cè)變流器過電壓處產(chǎn)生的作用。簡化后模型如圖1所示。當(dāng)IGBT關(guān)斷時,電流為零,但電壓依然存在。A點與IGBT端部處于同電位,即電容兩端電壓為機側(cè)變流器端電壓。
圖1 電路等效模型
根據(jù)相量法,電路輸入阻抗Z(jω)為
(1)
頻率特性為:
(2)
(3)
其中ω為角頻率,φ(jω)為相角,|Z(jω)|為阻抗幅值。
(4)
此時電抗電壓UX(jω0)=0,由電抗值乘電流值得:
(5)
將電流I(jω0) 帶入可得:
(6)
由式(6)得:
(7)
工程上將式(7)定義為品質(zhì)因數(shù)Q,即:
(8)
用式(8)表示電容兩端電壓為:
UC(jω0)=QUS(jω0)=QUS(jω)
(9)
用正弦量表示A相電壓源為:
Usa(jω)=Uasin(2π*f*T+φπ/180)
(10)
綜上,可得以下結(jié)論:
1) 母線槽存在分布參數(shù)RLC,可用RLC串聯(lián)諧振理論分析;
2) 變流器采用 PWM逆變器電路,PWM脈沖波含高次諧波成分較多,諧波接近或達到電路固有頻率時,在電路中發(fā)生電壓諧振,造成機側(cè)變流器端部過電壓;
3) 機側(cè)變流器端電壓為電容兩端電壓,由式(9)知電容兩端電壓為Q倍電源電壓,即機側(cè)變流器產(chǎn)生高于電源電壓Q倍的過電壓;
4) 由式(9)可知機側(cè)變流器端電壓與品質(zhì)因數(shù)Q有關(guān)。故可通過減小品質(zhì)因數(shù)Q抑制機側(cè)變流器過電壓;
5) 根據(jù)式(10)知電源電壓是關(guān)于電壓幅值U、電源頻率f、時間T和相位φ的正弦函數(shù)。發(fā)電機在出廠時,其額定電壓、頻率和相位已經(jīng)確定。當(dāng)IGBT關(guān)斷時間T不同時,對應(yīng)三相電源電壓值不同,造成機側(cè)變流器三相過電壓不同。
額定功率PN=1.5MW,相數(shù)m=3,額定電壓UN=660V,額定頻率f=12.69Hz,額定轉(zhuǎn)速nN=17.3r/min,定子槽數(shù)Z=576,極對數(shù)p=44。
ANSYS Workbench仿真平臺集成電、磁、流體、熱學(xué)等為一體,可用于不同類型的耦合分析。
在RMxprt Design中輸入永磁風(fēng)力發(fā)電機模型參數(shù),經(jīng)軟件劃分為有限元模型后導(dǎo)入至Maxwell Design與Simplorer聯(lián)合,進行電磁耦合仿真。Simplorer軟件中有常用的電壓源、電阻、電感和電容等模塊,如圖2發(fā)電機外電路模型所示。
圖2 發(fā)電機外電路模型
由圖2知IGBT關(guān)斷三相電流時,三相電容C4、C5、C6為串聯(lián)形式,根據(jù)基爾霍夫電壓定律,機側(cè)變流器三相過電壓和為0。
風(fēng)機并網(wǎng)時,電機相序、幅值、頻率、相位需與電網(wǎng)一致。電網(wǎng)三相電壓源幅值為538.872V,頻率為12.69Hz。相位采用角度制分別為-39.87°,-159.87°和-279.87°,如圖2中E1,E2,E3所示。
進行熱-流-固耦合(FSI)仿真。首先,在SolidWorks軟件中建立母線槽三維模型;其次,經(jīng) ICEM CFD軟件劃分為有限元模型后導(dǎo)入至 CFX軟件中進行前期處理;最后,調(diào)用CFD求解器進行后期處理。
如圖3所示,在IGBT關(guān)斷三相電流時,可得機側(cè)變流器端部ABC三相過電壓分別為1033.9V,2826.1V,-3860.0V。相對額定電壓,機側(cè)變流器端部產(chǎn)生近6倍過電壓,可造成機側(cè)變流器IGBT元件損壞。
圖3 機側(cè)變流器端部電壓曲線
風(fēng)電母線槽常用三相五線制,兩側(cè)分布多孔散熱窗,利用空氣對流散熱。圖4為母線槽溫度分布云圖。
圖4 母線槽溫度分布
仿真結(jié)果分析:
1)IGBT關(guān)斷三相電流時,機側(cè)變流器三相過電壓和為0。
2)三相電流關(guān)斷瞬間,電源電壓不同,造成機側(cè)變流器三相過電壓不同。
3)母線槽三相母排中B相散熱較差,溫升較高。除此之外,B、C相母排端部溫升較高,應(yīng)加強端部絕緣。
根據(jù)2.2節(jié)知三相電壓源為關(guān)于時間的正弦函數(shù),取A相電壓值在0-U之間進行仿真分析。T0為電壓值為0時刻,T7為電壓值為U時刻,間隔為1/28周期。結(jié)果如圖5所示。
圖5 關(guān)斷時間與過電壓倍數(shù)關(guān)系
由圖5知,在A相電源電壓最大時關(guān)斷三相電流,其過電壓倍數(shù)最大。在A相電源電壓為0時關(guān)斷三相電流可完全抑制其過電壓。由于三相電源電壓均呈正弦形,當(dāng)某相過電壓為0時,其余兩相過電壓不為0。因此,工程建議避免在某相電源電壓值最大時關(guān)斷電流,可在某相電源電壓為0時關(guān)斷電流。
4.2.1 母線槽間距對過電壓影響及其優(yōu)化
密集型母線槽在溫差濕度較大地區(qū),母排和絕緣層周圍易形成凝露,造成絕緣老化,且在塔筒晃動中,由于無絕緣墊塊,導(dǎo)體之間相互摩擦使絕緣層易破裂,造成嚴(yán)重事故。故當(dāng)前風(fēng)電專用母線槽以空氣型為主。
圖6 間距與過電壓倍數(shù)曲線
根據(jù)仿真結(jié)果知:當(dāng)母排間距增大時,過電壓倍數(shù)同時增大,較大的電壓可造成機側(cè)變流器損壞,故母排間距需盡可能小,工程建議取值在11-16mm之間。但間距過小易惡化母排散熱,需協(xié)同母排溫升進行優(yōu)化設(shè)計。母排間距與溫升關(guān)系如圖7所示。
圖7 母排間距與溫升關(guān)系
由圖7可知,母線排溫升存在較優(yōu)間距16mm。母排溫升隨間距減小而增大,小于12mm時,溫升急劇增大,一旦發(fā)生故障,高溫易造成母線槽燒毀或絕緣老化。母排間距大于16mm時,增加母排間距散熱效果不明顯。故母排間距在12-22mm時,可保證母線排在溫度耐受極限值以內(nèi)。但據(jù)圖6知,增大母排間距在IGBT關(guān)斷三相電流時產(chǎn)生較高過電壓,易造成機側(cè)變流器損壞。綜上所述,空氣型母線槽母排間距優(yōu)化值在12-16mm之間。
4.2.2 母線槽外殼對過電壓影響及其優(yōu)化
母線槽外殼尺寸由高度、寬度和厚度三個因素確定,其中寬度和厚度對阻抗影響相對較小,優(yōu)化幅度不大。受到渦流損耗和磁耦合影響,母線槽外殼高度增大,其阻抗降低,導(dǎo)致品質(zhì)因數(shù)Q減小,對機側(cè)變流器過電壓產(chǎn)生抑制作用。取外殼高度在120-280mm之間,時間為1s時仿真,如圖8所示。
圖8 外殼高度與過電壓倍數(shù)曲線
除此之外,母線槽外殼高度與母排溫升之間的關(guān)系如圖9所示。
圖9 外殼高度與溫升關(guān)系
由圖9知,母線槽外殼高度增加其過電壓倍數(shù)和溫升均有所下降,綜合考慮安全、磁場屏蔽、阻抗和散熱等因素,工程上建議外殼高度在200-240mm之間。
由理論研究和仿真結(jié)果知,關(guān)斷時間T和品質(zhì)因數(shù)Q對機側(cè)變流器過電壓均有影響。因此,對風(fēng)力系統(tǒng)運行和母線槽設(shè)計提出改善建議:
1)應(yīng)避免在某相電源電壓最大值處,關(guān)斷三相電流??稍谌我幌嚯娫措妷哼^0處關(guān)斷三相電流,保證其中一相過電壓為零;
3)母線槽外殼高度與其阻抗和溫升有關(guān)。高度增加其阻抗和溫升均下降,可抑制機側(cè)變流器過電壓,保護母線槽安全,故母線槽外殼高度應(yīng)適度加大,工程建議在200-240mm之間。
由于過電壓易造成機側(cè)變流器IGBT擊穿燒毀,同時反射到機端,對電機絕緣造成破壞。因此,提出抑制措施:
1)變流器內(nèi)、外和發(fā)電機均應(yīng)加裝保護措施。應(yīng)加強電機絕緣,同時在電機端安裝避雷器;
2)在機側(cè)變流器處加裝濾波器將IGBT關(guān)斷時高頻脈沖波濾除,可有效抑制變流器過電壓。
通過研究RLC串聯(lián)諧振理論,結(jié)合ANSYS Workbench有限元仿真平臺,對機側(cè)變流器過電壓進行了綜合分析。同時,在母線槽結(jié)構(gòu)和關(guān)斷時間等參數(shù)方面提出了優(yōu)化建議;針對變流器和發(fā)電機提出了有效的保護措施;為母線槽設(shè)計和變流器保護提供了經(jīng)驗。