■文/毛文俠 劉亦瑋 李新 張義忠（賽迪智庫）

20世紀(jì)70年代以來，全球動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）主要廠商歷經(jīng)三次重構(gòu)，持續(xù)有效的大量關(guān)鍵核心技術(shù)專利儲備，助推日企1985年反超美企，韓企1995年反超日企。當(dāng)前，國內(nèi)DRAM市場需求量激增，DRAM產(chǎn)業(yè)體系開始建立，在全球產(chǎn)業(yè)格局仍在加速重構(gòu)的背景下，我國企業(yè)既有反超機(jī)遇，也有被卡脖子的風(fēng)險。賽迪研究院知識產(chǎn)權(quán)研究所認(rèn)為，我國DRAM領(lǐng)軍企業(yè)在追趕之路上需高度重視關(guān)鍵核心技術(shù)專利儲備。

一、專利儲備是DRAM產(chǎn)業(yè)格局重構(gòu)的助推器

迄今為止，DRAM產(chǎn)業(yè)格局主要歷經(jīng)三次重構(gòu)，大量的專利儲備是其重要推動力量（見表1、圖1）。

圖1 三代DRAM企業(yè)專利申請量年度趨勢

表1 全球DRAM產(chǎn)業(yè)格局三次重構(gòu)情況

第一階段：美企主導(dǎo)。1974年以前，全球DRAM專利均掌握在以英特爾、德州儀器和IBM為代表的美國企業(yè)（合稱第1代企業(yè)）手中，英特爾在1974年占據(jù)了全球82.9%的市場份額。

第二階段：日企主導(dǎo)。1976年，以東芝、日立、三菱為龍頭的日本企業(yè)（合稱第2代企業(yè)）從專利總量上形成了對第1代企業(yè)的反超；后續(xù)經(jīng)過長達(dá)十年的專利儲備積累，1985年在市場占有率上首次超過第1代企業(yè)，拿下全球80%以上的市場份額。

第三階段：美韓主導(dǎo)。上世紀(jì)90年代，以三星、海力士和美光為代表的美韓企業(yè)（合稱第3代企業(yè)）結(jié)束了第2代企業(yè)專利儲備遙遙領(lǐng)先的局面（1995年專利年申請量實現(xiàn)超越，2004年專利申請總量實現(xiàn)超越）；1992年三星首超第2代企業(yè)，DRAM產(chǎn)品全球市場占有率名列第一。

可見，沒有大量關(guān)鍵核心技術(shù)的專利儲備，就沒有美、日、韓DRAM產(chǎn)業(yè)的成長和發(fā)展。沒有領(lǐng)軍企業(yè)在關(guān)鍵核心技術(shù)專利儲備方面的久久為功，就沒有日企對美企的反超、韓企對日企的反超，更沒有DRAM產(chǎn)業(yè)主要廠商格局的加速演進(jìn)和重構(gòu)。

二、國內(nèi)企業(yè)專利布局與美日韓企業(yè)存在差距

與美、韓等第3代巨頭企業(yè)相比，國內(nèi)企業(yè)專利儲備實力不夠。第3代企業(yè)維持了近10年超1.5倍的專利年申請量，才實現(xiàn)對第2代企業(yè)專利儲備的反超，反超后仍持續(xù)發(fā)力，2017—2019年三年間專利年申請量均超過1000件。反觀國內(nèi)企業(yè)，一方面進(jìn)入DRAM產(chǎn)業(yè)較晚，目前雖有企業(yè)已實現(xiàn)量產(chǎn)，但專利儲備與國際巨頭相差懸殊，比如，國內(nèi)DRAM領(lǐng)軍企業(yè)長鑫2017—2019三年間年平均申請量僅為163件（見圖2）。現(xiàn)階段DRAM領(lǐng)域全球?qū)＠晟暾埩颗c20年前已不可同日而語，中國企業(yè)要想實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)追趕，還需在專利儲備上持續(xù)下真功夫、下大功夫。

圖2 國內(nèi)DRAM企業(yè)年度申請趨勢

與美、日等第1代和第2代退市企業(yè)相比，國內(nèi)企業(yè)專利儲備仍有不足。美、日等國第1代和第2代企業(yè)陸續(xù)退出DRAM市場后，仍保持著一定量的專利年申請量，比如英特爾、IBM、東芝等企業(yè)。英特爾自1985年暫別DRAM市場后，并未放棄在全球DRAM領(lǐng)域的專利布局，即使是在2002年后，其專利年申請量也維持在100件以上，甚至略高于國內(nèi)DRAM領(lǐng)軍企業(yè)。盡管英特爾申請的大多為存儲器外圍控制電路專利，但其大量的基礎(chǔ)核心專利儲備極有可能成為國內(nèi)領(lǐng)軍企業(yè)追趕之路上的攔路虎，甚至成為國內(nèi)DRAM產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的風(fēng)險源。

三、幾點建議

第一，對標(biāo)國際巨頭，持續(xù)強(qiáng)化領(lǐng)軍企業(yè)關(guān)鍵核心技術(shù)專利儲備。從專利儲備來看，我國DRAM企業(yè)專利年申請量需達(dá)1500件以上且持續(xù)8～10年，才能與第3代企業(yè)持平。建議國內(nèi)DRAM領(lǐng)軍企業(yè)對標(biāo)三星、海力士、美光等國際巨頭的專利儲備量，緊盯國際標(biāo)桿企業(yè)，從數(shù)量上追趕、從質(zhì)量上提升，在專利布局上進(jìn)行全面的跟蹤監(jiān)測，不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新、專利積累，市場拓展協(xié)同推進(jìn)、有序深化、持續(xù)發(fā)力，最終實現(xiàn)市場占有率的反超。

第二，找準(zhǔn)突破口，多渠道支持國內(nèi)企業(yè)實現(xiàn)追趕。目前，無電容存儲是國內(nèi)外主要企業(yè)及科研院所認(rèn)可且關(guān)注的一項新技術(shù)。從專利看，無電容存儲技術(shù)國內(nèi)起步時間與國際同行接近，專利總量差距也不是很大（美227件、韓77件、日55件、中40件），國內(nèi)DRAM企業(yè)可以該技術(shù)為切入點，找準(zhǔn)實現(xiàn)趕超的突破口。同時，充分發(fā)揮我國新型舉國體制的制度優(yōu)勢和超大規(guī)模的市場優(yōu)勢，全要素、全產(chǎn)業(yè)鏈聚合創(chuàng)新、資本、人才等資源，細(xì)化專項扶持的關(guān)鍵環(huán)節(jié)和專利儲備重點，精準(zhǔn)施策，助力國內(nèi)DRAM領(lǐng)軍企業(yè)加速超越之路。

第三，國內(nèi)企業(yè)形成合力，聯(lián)合對抗巨頭打壓。從產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)再造的戰(zhàn)略需求出發(fā)，構(gòu)建以企業(yè)為主體、產(chǎn)學(xué)研用深度融合的DRAM產(chǎn)業(yè)專利儲備聯(lián)盟，協(xié)同開展關(guān)鍵核心技術(shù)的專利儲備和布局。支持科研院所、高校、創(chuàng)新中心對DRAM產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)的“卡脖子”技術(shù)進(jìn)行聯(lián)合攻堅，形成一批產(chǎn)業(yè)化導(dǎo)向的專利儲備。充分發(fā)揮行業(yè)組織貼近產(chǎn)業(yè)、貼近企業(yè)、聯(lián)絡(luò)政府的作用，引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)建立關(guān)鍵核心技術(shù)專利跟蹤和監(jiān)測機(jī)制，協(xié)同運(yùn)用專利儲備，形成專利保護(hù)合力；篩選優(yōu)質(zhì)的第三方知識產(chǎn)權(quán)機(jī)構(gòu)組織構(gòu)建DRAM專利池，合力應(yīng)對國外巨頭企業(yè)的遏制、打壓和專利濫用。