Intel第12代酷睿處理器不僅帶來了性能和能效比上的巨大提升，同時也帶來了DDR5內(nèi)存和PCIe5.0這樣的新特性。PCIe5.0距離各位玩家可能還有些遙遠，而DDR5內(nèi)存則已經(jīng)伴隨新平臺上市，那么它除了提供更高的頻率和帶寬之外，還有哪些新的提升呢？

升級SMD貼片工藝，超級雕Z690內(nèi)存DIMM插槽解析

超級雕Z690 AORUS MASTER堆料水平甚至趕超了上代大雕，旗艦氣質(zhì)顯露無遺

超級雕Z690 AORUS MASTER供電大幅升級，采用了19相CPU供電+1相核顯供電+2相PCIe/Memory控制器供電的組合，并配備了最高105A標(biāo)準(zhǔn)的MOSFET，相比上代旗艦普遍90A的標(biāo)準(zhǔn)又有了明顯的提升。

超級雕Z690 AORUS MASTER的PCIe 5.0×16顯卡插槽和DDR5內(nèi)存插槽除了加裝合金屏蔽罩之外還采用了SMD貼片工藝，去掉了與PCB連接的針腳之后，確實可以大大提升抵抗電氣干擾的能力，充分保證高頻DDR5內(nèi)存與未來PCIe 5.0顯卡高速運行的穩(wěn)定性。不過，大家并不用擔(dān)心插槽采用SMD貼片工藝后會影響其抗物理拉扯的強度，因為其配備的合金屏蔽罩還特地增加了SMD“鐵爪”進行加固，同時合金屏蔽罩還讓主板PCB板這一區(qū)域的抗彎曲能力大幅加強。此外，超級雕Z690 AORUS MASTER本身就配備了8層2盎司銅PCB板，抗干擾與抗彎曲的能力十分優(yōu)秀。

新一代的DDR5內(nèi)存采用了自帶PMIC供電芯片的設(shè)計，而超級雕Z690 AORUS MASTER則將DDR5 PMIC供電芯片的安全模式解鎖為可編程模式，從而實現(xiàn)對DDR5電壓實現(xiàn)更寬幅的原生調(diào)節(jié)，這就意味著，超級雕Z690 AORUS MASTER的DDR5超頻能力變得更加強大，配合超級雕Z690 AORUS MASTER在BIOS中預(yù)設(shè)的多款DDR5內(nèi)存XMP方案（支持在線共享內(nèi)存參數(shù)與設(shè)定頻率及時序后進行性能模擬），發(fā)燒玩家可以輕松壓榨出手中DDR5內(nèi)存的終極潛力。

SMD貼片工藝內(nèi)存插槽外加合金裝甲屏蔽罩，減少信號干擾，更容易達到更高內(nèi)存頻率

預(yù)設(shè)6400MHz高頻 AORUS DDR5 6200內(nèi)存套裝解析

本次測試使用的是AORUS DDR5 6200 16GB×2套裝。套裝內(nèi)包含兩條16GB DDR5 6200內(nèi)存，方便玩家組成32GB雙通道模式。該內(nèi)存采用綠色PCB打造，外面裝有精致的散熱裝甲，磨砂質(zhì)感的黑色表面和槍灰色的頂部裝飾條搭配看起來比較有高級感。在散熱裝甲上印有超級雕的裝飾和斜切紋路，讓內(nèi)存顯得更具有動感，同時和AORUS超級雕主板的風(fēng)格也更加契合。

頻率方面，該內(nèi)存默認(rèn)為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)4800MHz頻率，時序為42-39-39-77，電壓為1.1V。它支持XMP3.0標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)置了3組XMP配置文件。其中包括兩組XMP-6200配置文件和一組XMP-6400配置文件，分別為6200MHz@40-40-40-80/1.35V、6200MHz@38-38-38-76@1.5V和6400MHz@42-42-42-84/1.45V。

和DDR5相匹配的Intel XMP標(biāo)準(zhǔn)也升級到了XMP3.0，內(nèi)存SPD中增加了兩個可供玩家覆寫的配置文檔，為玩家提供了更多的DIY樂趣。同時還支持動態(tài)頻率加速技術(shù)，低載下保持JEDEC默認(rèn)頻率，高載下加速到XMP頻率，超頻控制更加靈活。

帶寬突破10GB/s，DDR5生產(chǎn)力更有優(yōu)勢

測試平臺

處理器：Intel酷睿i9 12900K

內(nèi)存：AORUS DDR5 6200 16GB×2

主板：超級雕Z690 AORUS MASTER

顯卡：魔鷹RTX 3090 GAMING OC 24G

硬盤：AORUS金雕Gen4 1TB

電源：AORUS鉑金雕1200W

操作系統(tǒng)：Windows 11 專業(yè)版 21H2

AORUS DDR5 6200內(nèi)存選擇@40-40-40-80這個XMP配置時，在AIDA64的內(nèi)存測試中，相對于大家常見的DDR4 3600MHz C16的內(nèi)存來說，讀取性能提升了75%，寫入和拷貝性能則提升了50%以上。相對主流的DDR5 5200內(nèi)存來說，讀取性能提升了35%，寫入和拷貝性能也提升了25%以上。當(dāng)然，因為較高的時序，所以DDR5內(nèi)存的延遲相對于DDR4來說略有提升。但是由于延遲不但和時序相關(guān)，同樣也和頻率相關(guān)，所以我們可以看到，AORUS DDR5 6200@40-40-40-80雖然時序不如對比使用的DDR5 5200 38-40-40-

77好，但是后者延遲卻更高一些。

壓縮與解壓縮工具軟件對內(nèi)存帶寬的需求比較明顯，在WINRAR基準(zhǔn)測試和7-ZIP基準(zhǔn)測試中，AORUS DDR5 6200內(nèi)存相對于常規(guī)的DDR4來說提升分別在16%和23%左右。提升還是比較明顯的。

時下流行的視頻剪輯與圖片編輯這些生產(chǎn)力應(yīng)用方面，通過PugetBench的基準(zhǔn)測試來看，使用AORUS DDR5 6200內(nèi)存的平臺比DDR4平臺擁有更高的整體得分。更高的內(nèi)存帶寬有助于提升Adobe全家桶中的表現(xiàn)，對于未來的高端剪輯主機來說，高頻DDR5應(yīng)該也是必選項目了。

之前很多玩家擔(dān)心DDR5因為延遲過高會影響其在游戲中的表現(xiàn)。從這些游戲的測試情況來看，大部分游戲?qū)ρ舆t的敏感程度其實不如對頻率（帶寬）的需求。具體來看，DDR5內(nèi)存在大多數(shù)游戲中都具有優(yōu)勢，雖然目前在3A游戲中提升不大，但也代表了未來高頻內(nèi)存的一個性能增長趨勢。而在《絕地求生》《銀河破裂者》這樣的電競游戲中，對內(nèi)存帶寬和頻率的需求更為敏感，則表現(xiàn)出了更為明顯的性能優(yōu)勢。隨著系統(tǒng)和游戲的進一步優(yōu)化，未來高頻DDR5內(nèi)存勢必將展現(xiàn)出更高的性能表現(xiàn)。

我們嘗試使用超頻的方式將該內(nèi)存超頻到DDR5 6400@38-38-38-76，并順利地通過了穩(wěn)定性測試，超頻能力不錯。從測試來看，隨著時序的調(diào)整，同樣為6200MHz的頻率時，更好的時序也帶來了更強的讀寫性能，而當(dāng)頻率提升到6400MHz時，讀取帶寬可以直接突破10GB大關(guān)，相較于主流頻率DDR4內(nèi)存來說直接翻倍，表現(xiàn)非常強勁。而因為時序的降低、頻率的提升，我們也可以看到在6400MHz@38-38-38-76時，延遲已經(jīng)低至了61.2ns，相較于一些時序不太好的DDR4 3600內(nèi)存來說，已經(jīng)非常接近甚至比后者更低了。所以隨著未來DDR5內(nèi)存頻率的持續(xù)拔高，玩家們也不必?fù)?dān)心其時序會帶來過多的負(fù)面影響，反而可以更好地享受高頻率帶來的性能優(yōu)勢。

總結(jié)

高頻率面向未來 發(fā)燒玩家省心選擇

AORUS DDR5 6200 16GB×2內(nèi)存套裝擁有精致的散熱裝甲，外觀和超級雕系列主板非常匹配。特挑的顆粒讓該內(nèi)存出廠就預(yù)設(shè)了高頻率XMP配置，免去了超頻的麻煩，使用起來省心。雖然當(dāng)下處于換代期，在性價比方面DDR5的表現(xiàn)稍差一點，但它畢竟是次世代平臺的標(biāo)配，將是未來的內(nèi)存主流標(biāo)準(zhǔn)。正如當(dāng)年DDR3和DDR4換代期，大家也擔(dān)心DDR4的延遲問題一樣，最后這個擔(dān)心也隨著DDR4頻率的提高性能的增長而打消，如今雖然DDR5內(nèi)存也面臨同樣的困境，但相信隨著平臺換代的加快，這也只是時間問題。再加上從性能來看，憑借高頻率帶來的更高數(shù)據(jù)帶寬和對延遲的降低，輕松超頻到6400MHz@38-38-38-76時，它的延遲表現(xiàn)已經(jīng)非常接近主流DDR4內(nèi)存，但帶寬卻實現(xiàn)了幾乎翻倍，性能表現(xiàn)非常出眾。所以總體來看，AORUS DDR5 6200 16GB×2內(nèi)存套裝這樣的出廠高頻DDR5內(nèi)存和超級雕Z690 AORUS MASTER這樣的旗艦主板，是當(dāng)下發(fā)燒玩家一個非常省心的換代搭配。