超高密度互連(UHDI)新概念

IPC 標(biāo)準(zhǔn)工作組針對PCB產(chǎn)品復(fù)雜性，提出了超高密度互連（UHDI）新概念。UHDI板的導(dǎo)線寬和間距小于50 μm、層間介質(zhì)厚度小于50 μm、微導(dǎo)通孔直徑小于75 μm，產(chǎn)品性能超過現(xiàn)有HDI板的C級。超HDI結(jié)構(gòu)是趨同類載板（SLP）和IC封裝載板，要實(shí)現(xiàn)線寬和間距從40微米到20微米的制造過渡。

（pcb007.com，2021/9/29）

使用原子層沉積技術(shù)形成PCB和組件的保護(hù)層

EIPC最近的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)上介紹原子層沉積（ALD：Atomic Layer Deposition）技術(shù)的最新成就。ALD是一種先進(jìn)的薄膜涂層方法，用于生產(chǎn)超薄、高度均勻和保形的材料層，使用順序、自限制和表面控制的氣相化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)納米和亞納米尺寸厚度的薄膜，在表面產(chǎn)生由連續(xù)原子層形成的致密且無缺陷的膜。這項(xiàng)技術(shù)用于高可靠性PCB中可為苛刻環(huán)境下提供抗腐蝕屏障和焊接保護(hù)，已驗(yàn)證保護(hù)PCB和組件的有效性。

（pcb007.com，2021/9/29）

聚碳酸酯基材制成透明薄膜天線

帝人新開發(fā)的聚碳酸酯（PC：Polycarbonate）薄膜成功制成透明薄膜天線，制成方格網(wǎng)狀線路的線寬為9.9 μm。這種透明天線質(zhì)地柔軟具可撓性，光線穿透率為90%，貼附于汽車擋風(fēng)玻璃上不會(huì)阻礙駕駛的視線。新開發(fā)的PC基材，在5 GHz時(shí)Dk為2.60，Df為0.0015，熱變形溫度（HDT）為127 ℃。

（材料世界網(wǎng)，2021/8/27）

具有低介電性和優(yōu)異加工性的環(huán)烯烴類共聚物樹脂

三井化學(xué)開發(fā)了一項(xiàng)適用于毫米波設(shè)備的高性能樹脂Gigafreq，可望應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器用印刷基板材料，或是車載用毫米波雷達(dá)、基地臺(tái)、路由器的天線材料等用途。新開發(fā)的Gigafreq系以環(huán)烯烴類共聚物（COC：Cyclic Olefin Copolymer）為基礎(chǔ)制成，除了保有COC的低介電性、低吸水性、透明性等特性之外，高溫環(huán)境下（288 ℃、5 min）也不會(huì)產(chǎn)生變形。Gigafreq預(yù)浸材料的Df0.0006（10 GHz），與氟樹脂的水平接近，且加工性也相當(dāng)優(yōu)異。

（材料世界網(wǎng)，2021/8/18）

納米管雜化物的新型透明天線材料

ICT 2021年秋季網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)介紹，全球推出5G、智能和物聯(lián)網(wǎng)所有這些網(wǎng)絡(luò)與設(shè)備連接都將依賴天線，到處都會(huì)有5G手機(jī)發(fā)射塔和天線。天線通常是用銀、銅或鋁等強(qiáng)導(dǎo)電金屬制成的，但缺乏透明性；銦錫氧化物雖導(dǎo)電與透明，但形成導(dǎo)電圖案的成像復(fù)雜且昂貴。有一種被稱為納米管雜化物的新型材料提供了所需的導(dǎo)電性和透明度，透明天線可以通過簡單的網(wǎng)版印刷而不是激光燒蝕成像。用高倍放大圖顯示，在單壁碳納米管基質(zhì)中嵌入銀納米線，利用納米管的自組裝和使納米線之間的非導(dǎo)電區(qū)域?qū)щ姷莫?dú)特特性，支持彎曲或熱成型等應(yīng)用，碳納米管混合體在增益和頻率響應(yīng)方面的性能超過了銅。

（pcb007.com，2021/9/15）

推廣不使用鎳之電鍍化學(xué)品

日本高純度化學(xué)公司推出可提高撓性印制板（FPCB）線路微細(xì)化與耐久性之兩款無鎳置換DIG、EPIG鍍金藥品。DIG是應(yīng)用于在銅上進(jìn)行直接置換鍍金，而EPIG則是在銅上進(jìn)行化學(xué)鍍鈀與置換鍍金，兩者皆未使用鎳。DIG的金鍍層厚度約0.06 μm，EPIG的金厚度約0.1 μm。鍍層沒有鎳的厚度可望實(shí)現(xiàn)細(xì)間距，同時(shí)也解決了因?yàn)殒囁a(chǎn)生的裂紋問題，生產(chǎn)工序也減少，有助于降低成本。

（材料世界網(wǎng)，2021/9/15）

消除錫晶須的錫合金鍍層

電子組裝中的銅引線與連接盤通常鍍有錫（Sn），以防止變色并便于后續(xù)焊接，但隨著時(shí)間的推移，這些錫涂層會(huì)長出錫須，導(dǎo)致相鄰電路之間短路。在過去數(shù)十年中，采用了許多方法來減緩晶須生長，在不同程度上減緩了晶須生長，然而沒能消除它。華盛頓州立大學(xué)的研究人員開發(fā)了一種消除而不是減少錫須生長的方法，在Sn薄層中添加4%～10%重量百分比的銦，在等溫老化和循環(huán)熱沖擊載荷下，不會(huì)產(chǎn)生任何晶須，現(xiàn)在已授予了通過添加銦消除錫晶須的美國專利?，F(xiàn)又開發(fā)了一種甲烷磺酸（MSA）錫電鍍液添加銦化合物，實(shí)現(xiàn)錫與銦共電鍍的方法，得到錫銦合金鍍層完全阻止了晶須的生長，該技術(shù)提供了一種使用無鉛方法完全解決錫晶須生長問題。

（PCD&F，2021/9）